26868

Морфофункциональная характеристика желез внутренней секреции

Доклад

Биология и генетика

К железам внутренней секреции –относятся: 1. Щитовидная железа В центральной части шеи 4. Около щитовидная железа Расположены около стенки щитовидной железы или в ее долях в виде 24 небольших телец 5. Надпочечная железа Брюшная полость около краниального края почки.

Русский

2013-08-18

1.55 KB

10 чел.

60. Морфофункциональная характеристика желез внутренней секреции.

Железы внутренней секреции — glandulae sine ductibus, s. gl. endo-crinae — вырабатывают гормоны (греч. hormao — возбуждаю), которые поступая в кровь и разносясь по организму, участвуют в регуляции всеми важнейшими процессами, происходящими в организме (рост, развитие и обмен веществ). К железам внутренней секреции –относятся:

1. Гипофиз (Ямка турецкого седла в основании клиновидной кости.)

2. Эпифиз (Лежит в щели между полушариями большого мозга и мозжечка, под зрительными холмами)

3. Щитовидная железа (В центральной части шеи)

4. Около - щитовидная железа (Расположены около стенки щитовидной железы или в ее долях в виде 2-4 небольших телец)

5. Надпочечная железа (Брюшная полость, около краниального края почки.)


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

29761. Основные понятия химической термодинамики. Первый закон термодинамики. Закон Гесса. Теплоёмкость 26.25 KB
  Часть системы с присущей ей химическим составом и макроскопическими свойствами называется фазой. В каждый момент времени состояние системы характеризуется параметрами состояния которые разделяются на экстенсивные и интенсивные параметры. Интенсивные определяются лишь специфической природой системы: давление температура химический потенциал и т. Термодинамическими параметрами состояния называются параметры которые измеряются непосредственно и выражают интенсивные свойства системы.
29762. Второй и третий закон термодинамики. Энтропия. Термодинамический потенциал 21.3 KB
  Второй закон термодинамики Все процесс в которых один вид энергии превращается в другой строго подчиняются первому закону термодинамики. Критерий осуществимости процесса в том или ином направлении и устанавливаются вторым законом термодинамики. Математическое выражение второго закона термодинамики Следствием второго закона термодинамики является существование особой функции состояния.
29763. Химический потенциал. Химическое равновесие. Закон действующих масс. Константы равновесия 21.55 KB
  Химическое равновесие Эксперименты показывают что химические реакции одновременно протекают в двух направлениях. Таким образом химическое равновесие помимо равенства скоростей прямой и обратной реакции и постоянства концентраций при неизменных внешних условиях обладают ещё следующими свойствами: Подвижностью т. Возможностью достижения равновесия как со стороны исходных веществ так и со стороны продуктов реакции. С термодинамической точки зрения они необратимы и работа их не является максимальной однако можно мысленно представить...
29764. Фазовое равновесие в гетерогенных системах. Правило фаз Гиббса. Диаграммы состояния 32.71 KB
  Правило фаз Гиббса. Фазовое равновесие в гетерогенных системах. Правило фаз Гиббса. При рассмотрении фазовых равновесий в системах необходимо различать фазы компоненты соединения твёрдые растворы и механические смеси.
29765. Классификация проводящих материалов, особенности тонкоплёночных металлов, проводящие материалы в микроэлектронике 52.44 KB
  Удельное сопротивление алюминия в 16 раза больше удельного сопротивления меди но алюминий в 35 раза легче меди. Недостатками меди являются её подверженность атмосферной коррозии с образованием оксидных и сульфидных плёнок. Например электропроводность меди очень чувствительна к наличию примеси. Содержание в меди 05 никеля олова или алюминия снижает электропроводность меди от 25 до 40.
29766. Классификация полупроводниковых материалов. Собственные и примесные полупроводники. Примеси в полупроводниках 29.49 KB
  Примеси в полупроводниках. Преднамеренное введение примеси называется легированием соответствующие примеси – легирующие а полупроводник – легированным или примесным. Кроме легирующих примесей существуют случайные или фоновые примеси непреднамеренно вводимые в полупроводник в процессе его производства и обработки. Фоновые примеси как правило ухудшают основные свойства материала и затрудняют управление ими.
29767. Монокристаллический кремний. Его применение, получение и свойства 36.46 KB
  Применение полупроводникового кремния. тонн кремния ежегодно Япония США Германия. Это базовый материал микроэлектроники который потребляет 80 полупроводникового кремния. Более 90 всех солнечных элементов изготавливаются из кристаллического кремния.
29768. Поликристаллический кремний. Применение, свойства, получение 26.53 KB
  Применение поликристаллического кремния Поликристаллический кремний весьма распространённый материал в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем. Возможность получения поликристаллического кремния с электрическим сопротивлением отличающимся на несколько порядков а также простота технологии привели к тому что он используется в технологии интегральных схем с одной стороны в качестве высокоомного материала затворов нагрузочных резисторов а с другой в качестве низкоомного материала межсоединений. Достоинства разводки на основе...