27108

Классификация и принципы работы энергонезависимой памяти компьютера

Доклад

Информатика, кибернетика и программирование

Постоянное запоминающее устройство ПЗУ энергонезависимая память используется для хранения массива неизменяемых данных. Массив данных совмещён с устройством выборки считывающим устройством в этом случае массив данных часто в разговоре называется прошивка: микросхема ПЗУ; Один из внутренних ресурсов однокристальной микроЭВМ микроконтроллера как правило FlashROM. По разновидностям микросхем ПЗУ: По технологии изготовления кристалла: ROM англ. readonly memory постоянное запоминающее устройство масочное ПЗУ...

Русский

2013-08-19

98.71 KB

32 чел.

4. Классификация и принципы работы энергонезависимой памяти компьютера.

Энергонезависимая память (Non Volatile Random Access Memory, NVRAM) — подгруппа более общего класса энергонезависимых запоминающих устройств; разница заключается в том, что в отличие от жестких дисков, устройства NVRAM предлагают прямой доступ.

В более общем смысле, энергонезависимая память — любое устройство компьютерной памяти, или его часть, сохраняющее данные вне зависимости от подачи питающего напряжения.

Постоянное запоминающее устройство (ПЗУ) — энергонезависимая память, используется для хранения массива неизменяемых данных.

Классификация


По типу исполнения:

1. Массив данных совмещён с устройством выборки (считывающим устройством), в этом случае массив данных часто в разговоре называется «прошивка»:

        -микросхема ПЗУ;

        -Один из внутренних ресурсов однокристальной микроЭВМ (микроконтроллера), как правило FlashROM.

2. Массив данных существует самостоятельно:

          -Компакт-диск;


         -перфокарта;

          -перфолента;

          -монтажные «1» и монтажные «0».

По разновидностям микросхем ПЗУ:

  1.  По технологии изготовления кристалла:
  2.  
    ROM — (англ. read-only memory, постоянное запоминающее устройство), масочное ПЗУ, изготавливается фабричным методом. В дальнейшем нет возможности изменить записанные данные.
  3.  PROM — (англ. programmable read-only memory, программируемое ПЗУ (ППЗУ)) — ПЗУ, однократно «прошиваемое» пользователем.
  4.  EPROM — (англ. erasable programmable read-only memory, перепрограммируемое ПЗУ (ПППЗУ)). Например, содержимое микросхемы К537РФ1 стиралось при помощи ультрафиолетовой лампы. Для прохождения ультрафиолетовых лучей к кристаллу в корпусе микросхемы было предусмотрено окошко с кварцевым стеклом.
  5.  EEPROM — (англ. electrically erasable programmable read-only memory, электрически стираемое перепрограммируемое ПЗУ). Память такого типа может стираться и заполняться данными несколько десятков тысяч раз. Используется в твердотельных накопителях. Одной из разновидностей EEPROM является флеш-память (англ. flash memory).
    ПЗУ на магнитных доменах, например К1602РЦ5, имело сложное устройство выборки и хранило довольно большой объём данных в виде намагниченных областей кристалла, при этом не имея движущихся частей. Обеспечивалось неограниченное количество циклов перезаписи.
  6.  NVRAM, non-volatile memory — «неразрушающаяся» память, строго говоря, не является ПЗУ. Это ОЗУ небольшого объёма, конструктивно совмещённое с батарейкой. В СССР такие устройства часто назывались «Dallas» по имени фирмы, выпустившей их на рынок. В NVRAM современных ЭВМ батарейка уже конструктивно не связана с ОЗУ и может быть заменена.

По виду доступа:

  1.  С параллельным доступом (parallel mode или random access): такое ПЗУ может быть доступно в системе в адресном пространстве ОЗУ. Например, К573РФ5;
  2.  С последовательным доступом: такие ПЗУ часто используются для однократной загрузки констант или прошивки в процессор или ПЛИС, используются для хранения настроек каналов телевизора, и др. Например, 93С46, AT17LV512A.

         По способу программирования микросхем: 


  1.  Непрограммируемые ПЗУ;
  2.  ПЗУ, программируемые только с помощью специального устройства — программатора ПЗУ (как однократно, так и многократно прошиваемые). Использование программатора необходимо, в частности, для подачи нестандартных и относительно высоких напряжений (до +/- 27 В) на специальные выводы.
  3.  Внутрисхемно (пере)программируемые ПЗУ (ISP, in-system programming) — такие микросхемы имеют внутри генератор всех необходимых высоких напряжений, и могут быть перепрошиты без программатора и даже без выпайки из печатной платы, программным способом.

 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

25137. Некоторые стандартные функции над числовыми данными 63.5 KB
  А и Р целые и вещественные числа. А целое и веществ. А целое и веществ. Р веществ.