28002

Радионуклиды в агроэкосистеме: перенос радионуклидов по с/х цепочкам и их миграция в агроценозах

Доклад

Лесное и сельское хозяйство

Основными источниками техногенных радионуклидов в агросфере являются остаточные количества долгоживущих радв поступивших в нее в результате испытаний ядерного взрыва выбросов и сбросов радов при работе атомных электростанций и др предприятий полного ядерного топливного цикла. Рост химизации с х ведет к увеличению применения удобрений и мелиорантов с повышенным содержанием естественных радов. Почва обладает уникальной сорбционной способностью по отношению к поступающим в нее радов.

Русский

2013-08-20

2.32 KB

18 чел.

Радионуклиды  в  агроэкосистеме:  перенос  радионуклидов  по  с/х  цепочкам  и  их  миграция  в

агроценозах.

Основными  источниками  техногенных  радионуклидов  в  агросфере  являются  остаточные

количества  долгоживущих  рад-в,  поступивших  в  нее  в  результате  испытаний  ядерного  взрыва,

выбросов  и  сбросов  рад-ов  при  работе  атомных  электростанций  и  др  предприятий  полного

ядерного  топливного  цикла.  Рост  химизации  с/х  ведет  к  увеличению  применения  удобрений  и

мелиорантов  с  повышенным  содержанием  естественных  рад-ов.  Почва  обладает  уникальной

сорбционной  способностью по  отношению  к поступающим  в нее  рад-ов.  Закрепление  рад-ов  в

верхних  слоях  почвы  создает  длительно  действующий  природный  источник  радиоактивных

веществ для корневого поглощения растениями. Сильная сорбция рад-ов твердой фазой почвы

ограничивает  их  поглощение  корневыми  системами  растений.  Передвижение  рад-ов  по  с/х

цепочкам в сфере агропромышленного производства представляет многозвенный процесс. При

выпасе  животных,  рад-ы  поступают  в  организм  с/х  животных  и  далее  переходят  в  продукцию

животноводства.  

 

 


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

68999. Процедури та функції 53.5 KB
  У математиці за допомогою функцій задають залежності одних величин від інших які називають аргументами. В алгоритмічних мовах розглядають лише функції для яких можна задати алгоритм визначення їхніх значень. Мова Паскаль допускає тільки такі функції значення яких належать до простих типів.
69000. ПОЛЬОВІ ТРАНЗИСТОРИ В РЕЖИМІ ПЕРЕМИКАННЯ 89 KB
  Режим перемикання транзисторного ключа (рис.14.1) залежить від значень напруг на вході UЗВ, живлення ЕС і опору RН, які забезпечують два статичних стану транзистора: вмикнуто (режим насичення) і вимкнуто (режим відсічки). Розглянемо фізичні процеси в транзисторі в стані вимкнуто.
69001. ІНДИКАТОРНІ ЕЛЕКТРОННО-ПРОМЕНЕВІ ПРИЛАДИ 93 KB
  Конструкція та принцип роботи В електронно-променевій трубці ЕПТ електричний сигнал перетворює ться в світловий. Конструкція ЕПТ Під час попадання електричного променю на люмінофор з останнього вибиваються вторинні електрони. ЕПТ поділяються на три групи: осцилографічні індикаторні кінескопи.
69002. Шуми електронних приладів. Фізична природа шумів 186.5 KB
  Шуми або флюктуації є випадковими процесами. Виникають з подачею напруги живлення на електроди елементу. Їх можна прослуховувати через динамік на вході радіоприймача і підсилювача або побачити на екрані осцилог-рафа. Шуми накладаються на корисні сигнали та рівні постійних напруг і струмів живлення...
69003. P-n перехід у стані рівноваги. Утворення електронно-діркового переходу 342.5 KB
  Розглянемо напівпровідник н п який має дві прилеглих області: одна з провідністю nтипу друга – pтипу. Оскільки концентрація дірок у дірковій області pp напівпровідника вище ніж в електронній pn а концентрація електронів у електронній області nn вище ніж у дірковій np між областями буде існувати...
69004. ФІЗИЧНІ ПРОЦЕСИ В р-n ПЕРЕХОДІ ПРИ ДІЇ ЗОВНІШНЬОЇ ЕЛЕКТРИЧНОЇ НАПРУГИ 105.5 KB
  Оскільки концентрація рухомих носіїв заряду в рп переході менша ніж в областях п та р напівпровідника опір рп переходу буде більший ніж опір області п та р тому можна вважати що вся напруга прикладається до рп переходу При дії зовнішньої напруги порушується рівновага між дифузійним і дрейфовим струмами в рп переході...
69005. Фізичні процеси в біполярних транзисторах з декількома p-n переходами 308 KB
  Для забезпечення інжекції вприскування дірок з емітера в базу необхідна пряма емітерна напруга. Це відбувається тому що товщина бази W значно менше дифузійної довжини вільного пробігу дірок LP. Колекторна напруга вибирається зворотною UК тому виникає екстракція втягування дірок із бази...
69006. БУДОВА, ПРИНЦИП РОБОТИ ТА СТАТИЧНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛЬОВОГО ТРАНЗИСТОРА З ІНДУКОВАНИМ КАНАЛОМ 141.5 KB
  При відсутності напруги UЗВ і за наявності напруги UСВ опір між стоком і витоком що визначається двома підключеними назустріч рn переходами великий а струм ІС дуже малий 109. З подачею напруги UЗВ 0 в напівпровіднику виникає електричне поле яке вилучає електрони поверхневого шару підложки...
69007. Параметри біполярного транзистора 364.5 KB
  Для оцінки можливостей застосування транзисторів використовують їх параметри. Параметри транзисторів це числа. Числені значення параметри можуть бути виміряні знайдені за статичними характеристиками або розраховані.