ID: 2801

Название работы: Исследование свойств полупроводниковых светочувствительных сопротивлений

Категория: Лабораторная работа

Предметная область: Физика

Описание: Исследование свойств полупроводниковых светочувствительных сопротивлений (фотосопротивлений) Цель работы Изучение световой и вольт–амперной характеристик, Вычисление интегральной чувствительности, удельной интегральной чувствит...

Язык: Русский

Дата добавления: 2012-10-19

Размер файла: 68.5 KB

Работу скачали: 20 чел.

Исследование свойств полупроводниковых светочувствительных сопротивлений

(фотосопротивлений)

Цель работы

1.  Изучение световой и вольт–амперной характеристик;
2.  Вычисление интегральной чувствительности, удельной интегральной чувствительности фотосопротивления.

II.Краткое теоретическое обоснование:

Описание установки

Схема установки для выполнения работы представлена на рис.2.3. Исследуемое фотосопротивление включено в цепь постоянного тока, получаемого от выпрямителя В. Напряжение, подаваемое на фотосопротивление, можно плавно менять с помощью потенциометра R. Освещение фотосопротивления производится с помощыо лампы накаливания Л. Фотосопротивление и лампа накаливания помещены в светонепроницаемый кожух (контуры которого изображены на рис.2.3 штриховой линией) для того, чтобы на фотосопротивление не попадал свет от посторонних источников. Световой поток, падающий на фотосопротивление, можно изменять посредством вращения диска с набором нейтральных светофильтров, (нейтральным светофильтром называется такой светофильтр, который изменяет интенсивность проходящего через него светового потока, не изменяя спектрального состава последнего), которые помещаются на пути светового пучка, направленного на фотосопротивление. Численные значения коэффициентов пропускания светофильтров указаны в таблице, прикрепленной к установке. Там же указана величина неослабленного светового потока, падающего на фотосопротивление (коэффициент пропускания показывает, какая часть светового потока, падающего на светофильтр, проходит через него).

Напряжение, подаваемое на фотосопротивление, измеряется вольтметром V, а сила тока, протекающего через него – микроамперметром мкА.

Темновой ток и фототок отличаются друг от друга на несколько порядков. Для того, чтобы эти разные по величине токи можно было измерять одним и тем же прибором, микроамперметр снабжен шунтом Rш. Шунт понижает чувствительность прибора при измерении фототока, он автоматически подключается к прибору при замыкании ключа К1, (эта связь условно изображена на рис.2.3 пунктирной линией). При изменении темпового тока шунт отключается от прибора. Цена деления прибора с шунтом и без шунта приведена на лабораторной установке.

III.Рабочие формулы и единицы измерения.

     

IV.Схема установки.

V.Измерительные приборы и принадлежности.

1.  Установка для измерения световой и вольт – амперной характеристик

VI.Результаты измерения.

U, B	0	20	40	60	80	100	120	140	160	180	200
IФ, мкA при Ф1=1•10−3 лм	0	40	90	140	180	250	300	350	410	460	500
IФ, мкA при Ф2=0,7•10−3 лм	0	30	60	100	140	170	210	250	290	330	380
IФ, мкA при Ф3=0,5•10−3 лм	0	20	40	60	90	110	130	160	180	210	230

Ф, лм;  x 10−3	0	0,28	0,38	0,50	0,63	0,70	1,0
IФ, мкA, при U=120B		10	30	140	60	340
IФ, мкA, при U=160B		10	30	160	330	480
IФ, мкA, при U=200B		10	30	220	430	520

VII. Черновые записи и вычисления.

  

VIII. Основные выводы.

Изучили световую и вольт – амперную характеристику, вычислили интегральную чувствительность, удельную интегральную чувствительность фотосопротивления.

IX. Графики.