28617

В программе на языке FPC

Доклад

Информатика, кибернетика и программирование

Если локальное и глобальное имя совпадают то в подпрограмме локальное имя блокирует глобальное. Формат доступа к глобальному имени: имя программы . глобальное имя .

Русский

2013-08-20

12.55 KB

0 чел.

В программе на языке FPC различают глобальные и локальные имена. Глобальные имена определены во внешней программе. Память под них выделяется статически при компиляции. Они доступны во всех внутренних точках, в том числе в подпрограммах.

Локальные имена определены в подпрограммах. Память под них выделяется динамически (в стеке) при исполнении подпрограммы. Они доступны во внутренних точках подпрограммы, а во внешней программе недоступны.

Если локальное и глобальное имя совпадают, то в подпрограмме локальное имя блокирует глобальное. Совпадения глобальных и локальных имен лучше избегать. Чтобы получить доступ к глобальному имени в подпрограмме, его надо указывать составным. Формат доступа к глобальному имени: <имя программы>.<глобальное имя>. Пример:

program Names_View;

{$mode objfpc}{$H+}

uses SysUtils;                         // Ссылка на модули

var I:integer;                                // Глобальная переменная I

procedure Proc;

var I:real;                         // Локальная переменная I

begin

I:=7;                                 // Задание локальной переменной

I:=2.1+Names_View.I;          // Обращение к глобальной переменной

writeln(I);                         // Результат в процедуре – число 5.1

end;

begin

I:=3;                                      // Задание глобальной переменной

Proc;                               // Обращение к процедуре

readln;                             // Пауза, чтобы увидеть результат

end.

Нетипизированные параметры

Нетипизированные параметры применяются, когда тип параметра не имеет существенного значения (например, в процедурах побайтового копирования или перемещения блоков данных). Нетипизированными могут быть только параметры с атрибутом var.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

74227. Светодиоды. Структуры. Материалы 571 KB
  Для генерации полезного излучения такой носитель практически потерян. С увеличением температуры наблюдается уменьшение ширины запрещенной зоны и как следствие увеличение длины волны излучения. При любом механизме рекомбинации длина волны излучения определяется соотношением...
74228. Свойства полупроводников 583 KB
  Дискретные моноэнергетические уровни атомов составляющие твердое тело расщепляются в энергетические зоны. Наибольшее значение для электронных свойств твердых тел имеют верхняя и следующая за ней разрешенные зоны энергий. И наконец если ширина запрещенной зоны Eg лежит в диапазоне...
74229. Концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике 753.5 KB
  Напомним что значком ni принято обозначать концентрацию собственных носителей заряда в зоне проводимости и в валентной зоне. концентрация собственных носителей определяется в основном температурой и шириной запрещенной зоны полупроводника...
74230. Р-п переход. Образование и зонная диаграмма р-n перехода 1.57 MB
  Образование и зонная диаграмма рn перехода Электронно-дырочным или pn переходом называют контакт двух полупроводников одного вида с различными типами проводимости электронным и дырочным. Классическим примером pn перехода являются: nSi pSi nGe pGe.8 приведены зонные диаграммы иллюстрирующие этапы формирования электронно-дырочного перехода...
74231. Контакт металл – полупроводник. Барьер Шоттки 1.2 MB
  В зависимости от этих соотношений в области контакта могут реализоваться три состояния. Второе состояние соответствует условию обогащения приповерхностной области полупроводника дырками в pтипе и электронами в nтипе в этом случае реализуется омический контакт. И наконец в третьем состоянии приповерхностная область полупроводника обеднена основными носителями в этом случае в области контакта со стороны полупроводника формируется область пространственного заряда ионизованных доноров или акцепторов и реализуется блокирующий контакт или...
74232. Полупроводниковые диоды. Характеристики идеального диода на основе pn перехода 1.29 MB
  В зависимости от внутренней структуры типа количества и уровня легирования внутренних элементов диода и вольтамперной характеристики свойства полупроводниковых диодов бывают различными. Характеристики идеального диода на основе pn перехода Основу выпрямительного диода составляет обычный электроннодырочный переход. Как было показано в главе 2 вольтамперная характеристика такого диода имеет ярко выраженную нелинейность приведенную на рисунке 4. В прямом смещении ток диода инжекционный большой по величине и представляет собой...
74233. Аналитическая модель p – n – перехода Разновидности диодов 1.94 MB
  Варикапы Зависимость барьерной емкости СБ от приложенного обратного напряжения VG используется для приборной реализации. Функциональная зависимость емкости варикапа от напряжения определяется профилем легирования базы варикапа. В случае однородного легирования емкость обратно пропорциональна корню из приложенного напряжения VG. Задавая профиль легирования в базе варикапа NDx можно получить различные зависимости емкости варикапа от напряжения CVG линейно убывающие экспоненциально убывающие.
74234. Развитие феодальной экономики в Западной Европе в средние века 61 KB
  Расцвет феодализма в странах Западной Европы отмеченный экономическим подъемом основанным на внутренней колонизации освоении новых земель увеличении сбора сельскохозяйственных культур развитии животноводства; возрождении городов превратившихся в центры ремесленного производства и торговли. Развитие товарного производства и товарноденежных отношений сопровождалось коммутацией ренты появлением ярмарок кредитного дела банков. Расширялись товарноденежные отношения уничтожалась личная зависимость крестьян начался процесс...
74235. Становление индустриальной цивилизации. 68.5 KB
  Большую роль в разложении феодализма и генезисе буржуазных отношений сыграли географические открытия конца XV середины XVII в. середина XVI в.; португальские плавания к Индии и берегам Восточной Азии начиная с экспедиции Васко де Гама; испанские тихоокеанские экспедиции XVI в. Период русских и голландских открытий середина XVI середина XVII в.