29020

Напряжения, возникающие в массиве грунта от действия сооружения, накладываются на поле начальных напряжений, к которым относятся напряжения от собственного веса грунта

Доклад

Архитектура, проектирование и строительство

Напряжения возникающие в массиве грунта от действия сооружения накладываются на поле начальных напряжений к которым относятся напряжения от собственного веса грунта. Как вычислить вертикальные напряжения в массиве грунта от его собственного веса в следующих случаях: однородное основание; многослойное основание; при наличии в толще грунта уровня подземных вод; при наличии ниже уровня подземных вод водоупорного слоя. Вертикальное напряжение от собственного веса грунта σz представляют собой вес столба грунта над рассматриваемой точкой...

Русский

2013-08-20

28 KB

17 чел.

Билет № 42. Напряжения, возникающие в массиве грунта от действия сооружения, накладываются на поле начальных напряжений, к которым относятся напряжения от собственного веса грунта.

Как вычислить вертикальные напряжения в массиве грунта от его собственного веса в следующих случаях:

- однородное основание;

- многослойное основание;

- при наличии в толще грунта уровня подземных вод;

- при наличии ниже уровня подземных вод водоупорного слоя.

Вертикальное напряжение от собственного веса грунта σz представляют собой вес столба грунта над рассматриваемой точкой с площадью поперечного сечения, равной единице. Отсюда можно показать, что для однородного напластования при γ(z) = const вертикальные напряжения от собственного веса грунта на глубине z от поверхности определяются формулой

σz= γz

а эпюра природных напряжений будет иметь вид треугольника (рис. 1а).

При неоднородном напластовании с горизонтальным залеганием слоев эта эпюра будет уже ограничиваться ломаной линией Оабв, где наклон каждого отрезка в пределах мощности слоя hi определяется значением удельного веса грунта этого слоя γi (рис. 1б).

При наличии в пределах толщи грунта уровня подземных вод (WL на рис. 1б, 1в) удельный вес грунта ниже горизонта воды принимается с учетом его уменьшения за счет взвешивающего действия воды на минеральные частицы:

, где

γsb - удельный вес грунта во взвешенном состоянии;

γs - удельный вес частиц грунта;

γw - удельный вес воды, принимаемый равным 10 кН/м3;

е - коэффициент пористости грунта.

Если на некоторой глубине ниже уровня подземных вод залегает водоупорный слой (плотные маловлажные глины и суглинки), то на его кровле необходимо учитывать также и давление от столба вышележащей воды, обозначенное на рис. 1в как γwh2 Тогда эпюра природного давления будет уже ограничиваться линией Оабвг.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

29764. Фазовое равновесие в гетерогенных системах. Правило фаз Гиббса. Диаграммы состояния 32.71 KB
  Правило фаз Гиббса. Фазовое равновесие в гетерогенных системах. Правило фаз Гиббса. При рассмотрении фазовых равновесий в системах необходимо различать фазы компоненты соединения твёрдые растворы и механические смеси.
29765. Классификация проводящих материалов, особенности тонкоплёночных металлов, проводящие материалы в микроэлектронике 52.44 KB
  Удельное сопротивление алюминия в 16 раза больше удельного сопротивления меди но алюминий в 35 раза легче меди. Недостатками меди являются её подверженность атмосферной коррозии с образованием оксидных и сульфидных плёнок. Например электропроводность меди очень чувствительна к наличию примеси. Содержание в меди 05 никеля олова или алюминия снижает электропроводность меди от 25 до 40.
29766. Классификация полупроводниковых материалов. Собственные и примесные полупроводники. Примеси в полупроводниках 29.49 KB
  Примеси в полупроводниках. Преднамеренное введение примеси называется легированием соответствующие примеси легирующие а полупроводник легированным или примесным. Кроме легирующих примесей существуют случайные или фоновые примеси непреднамеренно вводимые в полупроводник в процессе его производства и обработки. Фоновые примеси как правило ухудшают основные свойства материала и затрудняют управление ими.
29767. Монокристаллический кремний. Его применение, получение и свойства 36.46 KB
  Применение полупроводникового кремния. тонн кремния ежегодно Япония США Германия. Это базовый материал микроэлектроники который потребляет 80 полупроводникового кремния. Более 90 всех солнечных элементов изготавливаются из кристаллического кремния.
29768. Поликристаллический кремний. Применение, свойства, получение 26.53 KB
  Применение поликристаллического кремния Поликристаллический кремний весьма распространённый материал в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем. Возможность получения поликристаллического кремния с электрическим сопротивлением отличающимся на несколько порядков а также простота технологии привели к тому что он используется в технологии интегральных схем с одной стороны в качестве высокоомного материала затворов нагрузочных резисторов а с другой в качестве низкоомного материала межсоединений. Достоинства разводки на основе...
29770. Полупроводниковые соединения типа 29.44 KB
  Лазеры на основе соединений типа используются в телекоммуникационных устройствах волоконнооптических линий связи принтерах устройствах записи и считывания CD и DVD дисках. Свойства соединений типа Соединения типа образуются в результате взаимодействия элементов 3ей А подгруппы периодической системы с элементами 5ой В подгруппы за исключением висмута и таллия. Соединения типа классифицируются по элементу пятой группы т.
29771. Полупроводниковые соединения типа. Свойства соединений типа 23.32 KB
  Применение соединений типа Наиболее широкое применение соединения находят в качестве люминофоров и материалов для фоторезистов. Изготовление фоторезистов на основе соединений типа связано прежде всего с использованием сульфида кадмия селенида кадмия твёрдые растворы на основе . На основе полупроводников типа изготавливают датчики различного диапазона излучения.
29772. Диэлектрические материалы 37.85 KB
  Пассивные это электроизоляторные и конденсаторные материалы. Пассивные неорганические диэлектрики применяемые в электронной технике можно разделить на стекловидные диэлектрики керамику монокристаллические диэлектрические материалы органические и композиционные материалы. Активные диэлектрики это материалы свойствами которых можно управлять в широких пределах с помощью внешних воздействий.