29021

От чего зависит глубина заложения фундамента

Доклад

Архитектура, проектирование и строительство

Глубина заложения фундаментов является одним из основных факторов обеспечивающих необходимую несущую способность и деформации основания не превышающие предельных по условиям нормальной эксплуатации здания или сооружения. От чего зависит глубина заложения фундамента Допускается ли закладывать подошвы соседних фундаментов на разных отметках Глубина заложения фундамента определяется: инженерногеологическими условиями площадки строительства физикомеханические свойства грунтов характер напластования и пр.; гидрогеологическими условиями...

Русский

2013-08-20

31.5 KB

5 чел.

Билет № 43. Глубина заложения фундаментов является одним из основных факторов, обеспечивающих необходимую несущую способность и деформации основания, не превышающие предельных по условиям нормальной эксплуатации здания или сооружения.

От чего зависит глубина заложения фундамента?

Допускается ли закладывать подошвы соседних фундаментов на разных отметках?

Глубина заложения фундамента определяется:

- инженерно-геологическими условиями площадки строительства (физико-механические свойства грунтов, характер напластования и пр.);

- гидрогеологическими условиями площадки и возможными их изменениями в процессе строительства и эксплуатации зданий и сооружений;

- глубиной сезонного промерзания грунтов;

- конструктивными особенностями зданий или сооружений (например, жилое здание с подвалом или без него),

- нагрузок и воздействий на фундаменты;

- глубиной заложения фундаментов примыкающих сооружений, а также глубиной прокладки инженерных коммуникаций.

Глубина заложения фундаментов d исчисляется от поверхности планировки (рис. 1а) или пола подвала (рис. 1б) до подошвы фундамента, а при наличии бетонной подготовки - до ее низа.

При выборе глубины заложения фундамента рекомендуется:

- предусматривать заглубление фундаментов в несущий слой грунта не менее чем на 10-15 см;

- избегать наличия под подошвой фундамента слоя грунта, если его прочностные и деформационные свойства значительно хуже свойств подстилающего слоя грунта;

- стремиться, если это возможно, закладывать фундаменты выше уровня подземных вод для исключения необходимости применения водопонижения при производстве работ.

Фундаменты здания рекомендуется закладывать на одной отметке. Однако, если здание состоит из нескольких отсеков, то для ленточных фундаментов допускается применение различной глубины их заложения. При этом переход от более заглубленной части к менее заглубленной должен выполняться уступами (рис. 2). Уступы должны быть не круче 1:2, а высота уступа Δh - не более 60 см.

Допустимая разность отметок заложения столбчатых фундаментов (или столбчатого и ленточного) определяется по формуле

, где

а - расстояние между фундаментами в свету;

φI и cI - расчетные значения угла внутреннего трения и удельного сцепления грунта;

р - среднее давление под подошвой расположенного выше фундамента под действием расчетных нагрузок.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

42493. Розрахунок довжини регенераційної ділянки по затуханню і дисперсії 256.5 KB
  Львів 2010 Мета роботи: Ознайомитися з основними методами розраунку довжини регенераційної ділянки по критеріях затухання і дисперсії а також ознайомитися з основними типами компонент що використовуються на регенераційних ділянках ВОСПІ. Розрахунок довжини...
42494. Методи поелементного приймання цифрових сигналів 417 KB
  Львів 2011 Хід роботи 1. УВАГА Зберігання виконаної роботи проводити виключно командою Sve ll 3. Для виконання лабораторної роботи скопіювати фрагмент коду позначений коментарем 7лабораторна робота: Оптимальне приймання цифрових сигналів в кінець програми після директиви endif. Вибрати пункт 7 та проаналізувати варіант виконання лабораторної роботи пороговий приймач.
42495. Исследование электростатических полей с помощью электролитической ванны 61.5 KB
  При конструировании электронных ламп конденсаторов электронных линз и других приборов часто требуется знать распределение электрического поля в пространстве заключённом между электродами сложной формы. Аналитический расчёт поля удаётся только для самых простых конфигураций электродов и в общем случае невыполним. Поэтому сложные электростатические поля исследуются экспериментально. Точки поля имеющие одинаковый потенциал образуют поверхности равного потенциала эквипотенциальные поверхности.
42496. Конфігурування бездротового маршрутизатора LinksysWRT54GL 229.5 KB
  Конфігурування бездротового маршрутизатора LinksysWRT54GLâ€. Мета: Навчитися налаштовувати бездротові маршрутизатори на основі моделі LinksysWRT54GL задавати імя бездротовій мережі SSID налаштовування вбудованого сервера DHCP конфігурування інтерфейсів WN LN Wireless налаштування шифрування WEP. Виконання лабораторної роботи Виконализєднання з маршрутизатом увійшли до інтерфейсу конфігурування.
42498. Дослідження кепстру сигналів 528.5 KB
  Зберігання виконаної роботи проводити виключно командою Sve ll 3. Для виконання лабораторної роботи скопіювати фрагмент коду позначений коментарем 8лабораторна робота: Кепстр сигналів в кінець програми після директиви endif. Вибрати пункт 8 та проаналізувати варіант виконання лабораторної роботи.
42499. Проектування волоконно-оптичної системи передачі інфопмації 256 KB
  Львів 2010 Мета роботи : Ознайомитися з послідовністю проектування ВОСП методикою інженерного розрахунку волоконно оптичних систем зв`язку а також отримати певні навики практичного розрахунку системи для заданих параметрів. Визначення потрібної швидкості передачі топології системи. Енергетична характеристика системи.
42500. Налаштування однорангової мережі у середовищі ОС Windows 98 29 KB
  Для перевірки заходимо в Сетевое окружение та дивимося чи зявився в мережі данний ПК. Висновок: В цій роботі я навчився налаштовувати компютер та встановлювати параметри для коректної роботи однорангової мережі у середовищі ОС Windows 98 міністерство науки і освіти України промисловоекономічний коледж НАУ Лабораторна робота № 8 З дисципліни: периферійні пристрої ЕОМ Тема роботи: налаштування однорангової мережі у середовищі ОС Windows 98 Виконав:...
42501. Измерение ЭДС источника методом компенсации 69 KB
  Краткие теоретические сведения ЭДС гальванического элемента не зависит от размеров электродов и количества электролита а определяется лишь их химическим составом и при данных условиях постоянна. Каждый тип элементов даёт определённую ЭДС.1 где  − ЭДС; I − сила тока; R − сопротивление внешней цепи; r − внутреннее сопротивление элемента.