29771

Полупроводниковые соединения типа. Свойства соединений типа

Контрольная

Химия и фармакология

Применение соединений типа Наиболее широкое применение соединения находят в качестве люминофоров и материалов для фоторезистов. Изготовление фоторезистов на основе соединений типа связано прежде всего с использованием сульфида кадмия селенида кадмия твёрдые растворы на основе . На основе полупроводников типа изготавливают датчики различного диапазона излучения.

Русский

2013-08-21

23.32 KB

10 чел.

Полупроводниковые соединения типа .

Применение соединений типа

Наиболее широкое применение соединения  находят в качестве люминофоров и материалов для фоторезистов. По масштабу применения в качестве люминофора выделяется сульфид цинка . Он применяется при изготовлении электронно-лучевых трубок, люминесцентных осветительных ламп и т.д. Изготовление фоторезистов на основе соединений типа  связано, прежде всего, с использованием сульфида кадмия , селенида кадмия , твёрдые растворы на основе , . На основе этих материалов изготавливают самые чувствительные фоторезисторы в видимой части спектра. На основе полупроводников типа  изготавливают датчики различного диапазона излучения. Узкозонные полупроводники типа  представляют интерес для создания приёмников инфракрасного излучения. Одним из основных материалов инфракрасной оптоэлектроники являются твёрдые растворы на основе  (КРТ). На его основе изготавливают приёмники ИК излучения в диапазонах длин волн 1-3, 3-5, 8-14, 13-18 микрон с очень высокой чувствительностью. Диапазоны определяют окна прозрачности атмосферы. Используются подобные датчики для изготовления болометров. Это очень чувствительные приборы для измерения энергии излучения. На основе приёмников ИК излучения изготавливают тепловизоры, регистрирующие тепловое излучение. Такие приборы используются для дистанционного измерения температуры в астрономических исследованиях, для глобального контроля окружающей среды со спутников, изготовление спецтехники. Это приборы ночного видения, приборы обнаружения старта ракет, наведение средств доставки оружия к цели, определение местоположения подводных лодок. На основе широкозонных полупроводников типа  изготавливаются датчики ультрафиолетового, рентгеновского и гамма-излучения. Для изготовления детекторов рентгеновского и гамма-излучения используются твёрдые растворы , . Этот материал имеет достаточно большую ширину запрещённой зоны 1,6 эВ и большие атомные веса, входящих в него элементов, что как раз и важно в этом случае. Такие детекторы в матричном исполнении необходимы в медицине, где, например, в томографии, рентгеновских диагностических установках. Датчики рентгеновского излучения изготавливаются также на основе . Под действием рентгеновского излучения  начинает светиться, а его излучение принимает фоточувствительный элемент. Для изготовления дозиметров ультрафиолетового рентгеновского, гамма-излучения счётчика частиц используются также сульфид кадмия . Другой интересной областью использования соединений типа  является солнечная энергетика, с использованием  и  изготавливаются относительно дешёвые солнечные элементы. Плёнки на основе селенида ртути  и  и их твёрдых растворов изготавливают датчики Холла, обладающие высокой чувствительностью к магнитному полю. На основе  и  и их твёрдых растворов (КРТ) изготавливают инжекционные лазеры ИК диапазона. Монокристаллы широкозонного сульфида цинка используют для создания лазеров ультрафиолетового диапазона, однако, несмотря на все перечисленные применения, невозможность формирования обоих типов проводимости у многих соединений типа  существенно ограничивает их использование в электронной технике.

Свойства соединений типа

К соединениям типа  относятся халькогениды цинка, кадмия и ртути, т.е. сульфиды, селениды, теллуриды. Хальгонены – это химические элементы шестой группы. Химическая связь халькогенидов является ковалентной, однако, по сравнению с полупроводниками типа  в халькогенидах сильнее выражена ионная составляющая связи, что объясняется более сильным различием электроотрицательности составляющих их элементов. Из четырёх ковалентных связей две связи образованы по обычному механизму образования ковалентной связи, а две по донорно-акцепторному механизму. Соединения типа  имеют кристаллическую структуру сфалерита кубического типа или вюрцита гексагонального типа. Для всех соединений типа  сфалерит является низкотемпературной модификацией, а вюрцит высокотемпературной. Стабилизация той или иной модификации способствует введение различных добавок. Например, добавка сульфида кадмия  к сульфиду цинка  стабилизирует гексагональную модификацию , а добавка  – кубическую. Это имеет важное практическое значение, поскольку  с кубической структурой имеет повышенную яркость свечения. В гомологических рядах вниз по периодической системе уменьшается ширина запрещённой зоны и температура плавления соединения, а подвижность носителей возрастает. Причины те же, что и в соединениях . Ширина запрещённой зоны уменьшается для сульфидов от 3,74 до 1,78 эВ; для селенидов от 2,73 до 0,12 эВ; для теллуридов от 2,23 до 0,08 эВ. Температура плавления уменьшается от   до  для . Наибольшей подвижностью электронов среди всех соединений типа  обладают  и . Подвижность электронов в них более чем на порядок выше, чем в кремнии. Это и позволяет изготавливать на их основе приборы, обладающие высокой чувствительностью к магнитному полю. Из-за увеличения межатомных расстояний прочность химических связей падает при переходе от сульфидов к селенидам и далее к теллуридам, что и объясняет уменьшение температуры плавления. Халькогениды плохо растворимы в воде, химически стойки, слабо реагируют со многими кислотами. Характерной особенностью соединений  является то, что все они разлагаются при повышении температуры, при этом диссоциация происходит практически полностью. Поведение примесей в соединениях типа  в целом подчиняется тем же закономерностям, что и соединения , однако многие полупроводниковые соединения типа  проявляют электропроводность лишь одного типа независимо от условия получения и легирования кристалла. Сульфиды и селениды  всегда являются полупроводниками n-типа. , наоборот имеет лишь дырочную проводимость. Объясняется это отклонением состава соединений от стехиометрического и высокой концентрации дефектов в них, прежде всего вакансий. Поскольку полупроводниковые соединения типа  характеризуются значительной долей ионной связи, образующиеся вакансии кристаллической решётки ведут себя как электрически активные центры. Вакансии в подрешётке  играет роль доноров. Вакансии в подрешётке  ведут себя подобно акцепторам. C учётом того, что концентрации вакансий может превышать предел растворимости легирующих примесей, тип проводимости этих соединений определяется преобладающим типом вакансий. Кроме того, получение полупроводников типа  p-типа осложняется тем, что акцепторы обладают малой растворимостью в этих соединениях и, как правило, образуют глубокие уровни в запрещённой зоне полупроводника. Только теллуриды кадмия и ртути, а также их твёрдые растворы могут иметь электропроводность обоих типов в зависимости от условий выращивания и типа легирующей примеси. Однако и в них дефекты в существенной степени могут определять электрические, оптические и другие свойства. В частности сплав КРТ p-типа проводимости может быть получен за счёт генерации в нём термообработкой в вакансиях ртути, при этом их концентрация может изменяться в широких пределах от  до . Такой материал называется вакансионно-легированным. При примесном легировании КРТ в качестве доноров используются элементы третьей и седьмой группы (индий и йод) в качестве акцепторов – элементы первой и пятой группы. Все халькогениды обладают высокой чувствительностью к излучению от инфракрасного до рентгеновского диапазона. В них, как и в соединениях типа  наблюдается высокая эффективность излучательной рекомбинации. Введение различных легирующих примесей позволяет модифицировать спектр их излучения. Такие примеси называются активаторами люминесценции. Введение меди позволяет получать полупроводниковые материалы, излучающие в зелёной и голубой областях спектра. Электролюминофоры с таким спектром излучения получили наибольшее распространение. Люминофоры с излучением в жёлтой области спектра получают при активации сульфида цинка марганцем. Сульфид цинка , легированный серебром имеет синий цвет свечения. Недостатком электролюминесцентных устройств на основе  является относительно высокая скорость деградации приборов, что обусловлено значительной ионной долей химической связи, что ускоряет процесс электролиза в твёрдой фазе. Спектральная чувствительность ,  и их твёрдых растворов почти идеально совпадает со спектром солнечного излучения, что позволяет на основе этих материалов изготавливать наиболее чувствительные фоторезисты в видимой области спектра. Введением специальных примесей, так называемых центров сенсибилизации можно существенно изменить диапазон чувствительности и повысить чувствительность фоторезистов на основе соединений типа . Для  сенсибилизаторами являются ионизированные акцепторы, в качестве которых могут выступать вакансии кадмия. Влияние сенсибилизаторов на свойства фотопроводника определяется положением энергетического уровня, который вносит в запрещённую зону соединения типа . Контролировать это положение возможно за счёт изменения состава, поэтому используют твёрдые растворы , .

Особенности технологии соединений типа

Технология выращивания монокристаллов соединений  и тонких плёнок на их основе разработаны недостаточно хорошо. Для получения поликристаллических и аморфных порошков сульфидов и теллуридов чаще всего используют осаждения из водных растворов солей. Например,  получают в результате следующей реакции: . Для получения селенидов используют непосредственное сплавление соответствующих компонентов. Поликристаллические плёнки получают методом распыления с последующей кристаллизацией в результате отжига. Синтез широкозонных полупроводников затруднен тем, что эти соединения обладают высокими температурами плавления и высокими давлениями диссоциации в точке плавления, поэтому выращивание монокристаллов осуществляют перекристаллизацией предварительно синтезированных соединений в запаянных кварцевых ампулах.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

64300. ПІДВИЩЕННЯ ЕФЕКТИВНОСТІ ОПТИЧНИХ МУЛЬТИСЕРВІСНИХ МЕРЕЖ З ВИКОРИСТАННЯМ КОДОВОГО РОЗДІЛЕННЯ КАНАЛІВ 849 KB
  Інтенсивний розвиток телекомунікаційних послуг сьогодні вимагає якісних змін і підходів до побудови телекомунікаційних мереж. Нові підходи повинні враховувати велику пропускну здатність оптичних мереж та гнучкість топологічних рішень мультисервісних мереж...
64301. ПРОДУКТИВНІСТЬ ПШЕНИЦІ ЯРОЇ ТВЕРДОЇ ЗАЛЕЖНО ВІД ЕЛЕМЕНТІВ ТЕХНОЛОГІЇ ВИРОЩУВАННЯ В ПРАВОБЕРЕЖНОМУ ЛІСОСТЕПУ УКРАЇНИ 391.5 KB
  Створення та впровадження у виробництво сортів пшениці твердої з високим рівнем генетичного потенціалу продуктивності адаптованих до конкретних ґрунтовокліматичних умов розширює перспективи виробництва зерна пшениці твердої ярої особливо...
64302. ПІДВИЩЕННЯ ЕКСПЛУАТАЦІЙНОЇ НАДІЙНОСТІ ТРУБНИХ І ШТАНГОВИХ КОЛОН ДЛЯ БУРІННЯ ТА ВИДОБУВАННЯ НАФТИ І ГАЗУ 3.89 MB
  Проблема підвищення експлуатаційної надійності трубних і штангових колон для буріння та видобування нафти та газу нерозривно пов’язана з проблемою оцінки їх навантажування. Особливістю роботи елементів трубних і штангових колон є надзвичайно складний характер навантажування...
64303. ЕКОНОМІЧНА ВЛАДА ЯК ФАКТОР РОЗПОДІЛУ ДОХОДІВ 328.5 KB
  Процес розподілу доходів є складною соціальноекономічною проблемою оскільки зачіпає інтереси всіх економічних суб'єктів. Економічне та соціальне значення проблеми розподілу доходів зумовлено впливом на рівень стимулювання продуктивної економічної поведінки макроекономічну рівновагу соціальну напруженість.
64304. КОНЦЕПЦІЯ ІНФОРМАЦІЙНОГО РОЗВИТКУ ТРАНСПОРТНИХ СИСТЕМ 308 KB
  Транспортні системи, технології, машини, шляхи сполучення та багато інших підсистем та ланок, що забезпечують надання транспортних послуг населенню та організаціям, можна визначати як багаторівневу транспортну інфраструктуру.
64305. Процес високоточного вимірювання параметрів джерел електромагнітного випромінювання за допомогою малобазових пасивних радіотехнічних систем 15.73 MB
  Бурхливий розвиток нових технологій в галузях радіотехніки обчислювальної техніки і програмного забезпечення тенденція ускладнення структури сигналів джерел електромагнітного випромінювання ДЕВ підвищення їх скритності та ущільнення радіочастотного ресурсу...
64306. Лісівничо-селекційна оцінка півсібсових і сібсових потомств сосни звичайної в умовах західного полісся 248 KB
  Мета – вивчити мінливість вегетативних і насінних потомств сосни звичайної в умовах Західного Полісся за біометричними показниками, виявити ядерцеві характеристики меристем та на їх основі опрацювати методичні можливості проведення генетико-селекційної оцінки плюсових дерев і ранньої діагностики росту їх потомств.
64307. Розробка інформаційної технології в задачах гідрохімічного моніторингу 1.06 MB
  Метою роботи є розробка інформаційної технології територіального гідрохімічного моніторингу питної води. Об’єктом дослідження є гідрохімічні процеси та показники стану питної води техногенно навантажених регіонів.
64308. ПІДВИЩЕННЯ ЕФЕКТИВНОСТІ ЕКСПЛУАТАЦІЇ КОМПРЕСОРНИХ СТАНЦІЙ ШЛЯХОМ ВДОСКОНАЛЕННЯ КОНСТРУКТИВНИХ ЕЛЕМЕНТІВ ГАЗОПЕРЕКАЧУВАЛЬНИХ АГРЕГАТІВ 772.5 KB
  Безперебійне перекачування природного газу неможливе без ефективної і надійної роботи газоперекачувальних агрегатів ГПА. В Україні Алжирі Росії та інших країнах налічуються тисячі одиниць ГПА різного типу потужності і конструкцій.