30393

Локальная цивилизация Древнего Китая: развитие и основные достижения

Доклад

История и СИД

Появление городской цивилизации Шан 1812 вв. В квазигосударстве Шан зарождалась пиктографическая письменность картинки. Основу культовой практики Шан составляло представление о переселении душ. союз племен Чжоу захватывает государство Шан.

Русский

2013-08-24

35.86 KB

7 чел.

№12

12. Локальная цивилизация Древнего Китая: развитие и основные достижения

 

Считается, что эта локальная цивилизация развивалась в наиболее благоприятных условиях из возможных (разнообразные природные ландшафты). Особая территория –  долины рек Хуанхэ и Янцзы (естественная ирригационная система, лес, разнообразная фауна). Минус - океанские тайфунные ветры, провоцирующие грандиозные наводнения.

Первые земледельческие поселения появились в бассейне реки Хуанхэ в 6-5 тыс. до н.э.  

Технологии: освоение чумизы, риса, сои; лук и стрелы; одомашнены свиньи, козы; гончарный круг быстрого вращения; сеялка, стальной плуг; специализация ремесла; прядение и ткачество.

Во второй половине 3 тыс. до н.э. появляются: более крупные поселения; оседлое мотыжное земледелие;  специализация ремесленной деятельности,  широкое внедрение орудий из металла; внедрен гончарный круг быстрого вращения, благодаря чему производство керамики стало массовым; вожди, первоначально бывшие выборными, начинают передавать титул по наследству. А семья вождя становится элитой; продолжает развиваться жреческий культ.

Экономика отдельных поселений так и не стала специализированной на одной отрасли, т.е. появляются зачатки многоотраслевой экономики. Это объясняется разнообразием благоприятных природных ресурсов.

Появление городской цивилизации Шан (18-12 вв. до н.) – рубеж перехода древнекитайских обществ в раннеклассовую эпоху, формирование квази-государства. Основой экономики было земледелие без использования ирригации. Помимо злаковых, возделывались многие другие садово-огородные культуры, а также тутовое дерево. Крупное и мелкое скотоводство, гончарное дело, металлообработка. Несмотря на отсутствие ирригации, местные условия требовали крупных объединений людей ( строительство дамб от наводнений; развитие экономических связей между поселениями, т.к. многоотраслевая экономика; военные столкновения из-за территорий). Социальная структура на основе военной иерархии. Во главе стоял Ван, высшую знать составляли его родственники и главы племен, находившихся в подчинении. Основу его власти составляла 10 тыс. профессиональная армия. С ее помощью в подчинении держали мелких землевладельцев из свободных крестьян.  В квази-государстве Шан зарождалась пиктографическая письменность (картинки). Основу культовой практики Шан составляло представление о переселении душ. Практика ритуальных гаданий, ставшая основой для будущих религиозных воззрений.

В 1027 г. до н.э. союз племен Чжоу захватывает государство Шан. Происходит слияние политических и культурных традиций двух народов, в результате которого, возникает первая китайская государственность (создана эффективная местная администрация на основе деления страны на 14 округов; создана развитая бюрократическая система).

Рост населения →применение искусственной ирригации; частная наследуемая собственность на землю. Наличие самостоятельных крупных собственников не позволяло установить деспотическое правление.

Духовный мир. Основой духовного мира являлось конфуцианство, возникшее на рубеже 6-5 вв. до н.э. Конфуцианство оправдывало социальное неравенство и поддерживало кастовость общества. Человеческие жертвоприношения (отсутствие экономической ниши для военнопленных), ритуальные гадания.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

69008. Електронні структури з p-n одним переходом 297 KB
  Для отримання великої площі р n переходу використовують сплавну дифузійну і планарну технологію для малої площі точкову. Ємності р n переходу. Варікапи Поняття ємності переходу пов’язане з нагромадженням об’ємних зарядів. S площа переходу Рис.
69009. Відомості про електронні прилади апаратури телекомунікацій. Класифікація електронних приладів 113 KB
  До елементів РЕА які найчастіше зустрічаються відносять радіодеталі. Розглянемо основні показники якості електронних елементів. Параметри це величини які характеризують електричні властивості елементів та їх здатність протистояти дії середовища.
69010. Біполярні напівпровідникові структури з одним п/н переходом 211.5 KB
  Сили притягання протонів ядра атома та електронів орбіти урівноважуються силами їх відштовхування. Отже для існування ковалентного зв’язку необхідна пара валентних електронів спільних для двох сусідніх атомів. Однак енергетичні зовнішні впливи на н п призводять до відриву деяких валентних...
69011. Организация строительства жилого дома со встроенными помещениями на Московском проспекте 1.54 MB
  Разработка технологических карт на сложные виды работ, а именно монолитные работы и работы по устройству вентилируемого фасада здания; разработка календарного плана строительства дома на основе расчета нескольких вариантов организации строительства, их сравнения и выбора наилучшего; проектирование строительного генерального плана объекта; разработка комплекса мероприятий по безопасному производству работ...
69014. Високочастотні властивості p-n структур 188.5 KB
  Таким чином при прямій напрузі електрони переходять із однієї області у іншу без витрат енергії утворюючи струм. В цьому випадку навпроти заповнених рівнів pобласті знаходяться заповнені рівні nобласті і електрони здійснюють тунельні переходи з ВЗ pн п в ЗП nн п в обох напрямках і сумарний...
69015. Р-п структури різного призначення. Випрямні властивості р-n переходу 267 KB
  Їх виготовляють за сплавною або дифузійною технологією. Конструкції малопотужних сплавних і дифузійних діодів однакові. До кристалу з р-n переходом припаюють виводи і розміщують у корпусі на кристалодержаку. Вивід емітера ізольований від корпусу, вивід бази зв’язують з корпусом...
69016. МОДЕЛІ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУР 160 KB
  Бар’єрна ємність визначається нерухомими іонами атомів домішок дифузійна рухомими носіями заряду. Бар’єрна ємність існує при зворотній напрузі дифузійна при прямій. Бар’єрна ємність Бар’єрну ємність СБАР утворює об’ємний заряд нерухомих позитивних іонів атомів домішок Q який розміщується...