3070

Исследование свободных процессов в линейных цепях

Лабораторная работа

Физика

Исследование свободных процессов в линейных цепях Цель работы: изучение связи между видом свободного процесса в цепи и расположением собственных частот (корней характеристического уравнения) на комплексной плоскости; приближенная оценка собственных ...

Русский

2012-10-24

3.46 MB

90 чел.

Исследование свободных процессов в линейных цепях

Цель работы: изучение связи между видом свободного процесса в цепи и расположением собственных частот (корней характеристического уравнения) на комплексной плоскости; приближенная оценка собственных частот и добротности RLC - контура по осциллограммам.

1. Исследование свободных процессов в цепи первого порядка

Рис.1 Исследуемая цепь

С = 0.02 мкФ, R = 5 кОм

Рис.2 Осциллограмма исследуемого процесса

Вопросы:

1. Каким аналитическим выражением описывается осциллографируемый процесс?

T = 0,6 мс

      

2. Как определить по осциллограмме собственную частоту цепи? Соответствует ли она теоретическому расчету?

Собственную частоту цепи по осциллограмме можно определить рассчитав постоянную затухания:

     

Данная собственная частота цепи не соответствует теоретическому расчету, выполненному согласно (3.1), так как не выполнено обязательное условие, что 

2. Исследование свободных процессов в цепи второго порядка

Рис. 3 Исследуемая цепь

Рис.4 Осциллограмма исследуемого процесса (периодический режим)

С = 0,02 мкФ; L = 25 мГн;   R1 = 0,5 кОм


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

73874. Тензор механічних деформацій 614 KB
  Тензор механічних деформацій У кристалі під дією механічних напружень відбувається механічна деформація. Таким чином деформація безрозмірна. У деяких кристалах під дією збільшуваних напружень перед механічним руйнуванням кристала деформація може досягати значень...
73875. Тензоры упругости и податливости 14.46 KB
  Тензоры упругости и податливости Приложенные извне механические напряжения Х упруго и обратимо изменяют форму кристалла происходит его деформация х. Поскольку xmn и Xmn тензоры второго ранга в анизотропных кристаллах или текстурах можно ожидать что каждая из девяти компонентов деформаций xkp индуктирована девятью компонентами тензора напряжения Xkp : xmn = smnkpXkp В тензорном представлении xmn имеют ввиду девять уравнений правая часть которых имеет по девять членов. Очевидно что тензор упругой податливости как и тензор упругой...
73876. Тензор пьезомодуля 28 KB
  Целесообразно перейти к более удобной сокращенной матричной записи тензора третьего ранга: так же как выше, в матричной форме, уже были представлены тензоры четвертого ранга (упругой жесткости и податливости). Однако в данном случае первый индекс
73877. Пєзомодулі кварцу – графічна інтерпритація 52 KB
  Компоненти dmnk являють собою компоненти тензора третього рангу; за індексами n і k у виразі малось на увазі підсумовування. У повному записі з цього рівняння випливає, що для кристалів найнижчої симетрії тензор dmnk відповідно до рівняння міг би мати
73878. Прямий пєзоелектричний eфeкт 53.5 KB
  Прямий пєзоефект спонукає нецентросиметричні кристали або текстури перетворювати механічну енергію в електричну. Цей ефект може бути описаний різними лінійними співвідношеннями залежно від поєднання тих чи тих граничних умов, відповідно до яких використовують або досліджують пєзоелектрик
73879. Обратный пьезоелектрический эффект 32.86 KB
  Пъезоэффект возникает только в 20 кристаллах из 32 возможных каждый из которых отличается своей группой симметрии. Эти группы включают в себя элементы симметрии оси после поворота кристалла на определенный угол новое его положение точно совпадает с выходным плоскости зеркально отображает все элементы кристалла по обе ее стороны и центры симметрии. Используется в современной технике это структура что характеризируется осью симметрии бесконечного порядка и плоскостью m проходящую через эту ось. Полярнаю ось симметрии направлена по...