30790

Устройство мастичной кровли

Доклад

Архитектура, проектирование и строительство

К вертикальной поверхности пополнительный слой гидроизоляции. Разливают слой битумнополимерной мастики. В неё втапливают арматурный слой стеклосетку 34слоя. Сверху защитный слой мелкого гравия.

Русский

2013-08-24

14.78 KB

0 чел.

7. устройство мастичной кровли.

  1. Подготовка основания. Стыки между жб плитами заделывают цементно-песчанным раствором. Поверхность очищают от пыли. Вертикальные поверхности оштукатуривают на 25-30 см от стыка с горизонтальной.
  2. Пароизоляция – из рулонных гидроизоляционных материалов. При уклоне 10% и выше приклеивается или наплавляется. Рулонные – внахлёст 10 см – продольный нахлёст, 10-15 см поперечный нахлёст.
  3. Теплоизоляция – сборная или засыпная. Сборная в 1-2 слоя с разбежкой швов. Засыпная по маячным рейкам.
  4. Выравнивающая стяжка

По монолитной теплоизоляции – 10 мм

По сборной – 25мм

По засыпной – 30 мм.

Стяжка – асфальтобетон (4*4метра) или цементно-песчанный раствор (+добавки) (3*6, 6*6 метра), по маячным рейкам. В местах стыков стяжки наклеивают полоски гидроизоляции. К вертикальной поверхности пополнительный слой гидроизоляции.

Армирование – стеклохолст или стекловолокно. На уклонах более 5 % не укладывается.

  1. Разливают слой битумнополимерной мастики.
  2. В неё втапливают арматурный слой (стеклосетку) 3-4слоя.
  3. Сверху защитный слой мелкого гравия.

Толщина кровли 6-8 мм.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

74223. ПЛАНЕТА ЗЕМЛЯ: НЕТРАДИЦИОННАЯ МЕЖДУНАРОДНАЯ КООПЕРАЦИЯ И ЗАХОРОНЕНИЕ ЯДЕРНЫХ ОТХОДОВ Е.В. Комлева 278 KB
  Рассмотрены некоторые антропосоциальные аспекты феномена ядерной энергии, идея долговременной подземной изоляции ядерных материалов международными усилиями. Представлены российские версии. Отмечена необходимость разработки адекватных юридических, финансовых и экономических механизмов, социокультурных оснований и критериев реализации идеи
74224. Электронная эмиссия. Катоды 172.5 KB
  Катоды Электронная эмиссия процесс испускания электронов каким либо телом. Распределение электронов по энергиям в металле подчиняется статистике Ферми Дирака. Согласно последней число электронов имеющих энергию в интервале от W до WdW будет...
74225. ЭЛЕКТРОННО-ИОННАЯ ПЛАЗМА 84.5 KB
  Развитие физики плазмы диктуется чисто практическими целями: новые источники энергии управляемый термоядерный синтез преобразователи непосредственно тепловой энергии в электрическую МГД генераторы и т. Если возникает неравенство зарядов возникает поляризация плазмы следовательно возникает электрическое поле. Аналогично в течении малых промежутков времени возможно разделение зарядов поляризация плазмы но масштаб этой поляризации обратно пропорционален времени существования.
74226. Приборы тлеющего разряда 397 KB
  Приборы дугового разряда с накаленным и холодным катодом. Использование газового разряда в приборах квантовой электроники. Особенности приборов тлеющего разряда Простейшие приборы двухэлектродные.
74227. Светодиоды. Структуры. Материалы 571 KB
  Для генерации полезного излучения такой носитель практически потерян. С увеличением температуры наблюдается уменьшение ширины запрещенной зоны и как следствие увеличение длины волны излучения. При любом механизме рекомбинации длина волны излучения определяется соотношением...
74228. Свойства полупроводников 583 KB
  Дискретные моноэнергетические уровни атомов составляющие твердое тело расщепляются в энергетические зоны. Наибольшее значение для электронных свойств твердых тел имеют верхняя и следующая за ней разрешенные зоны энергий. И наконец если ширина запрещенной зоны Eg лежит в диапазоне...
74229. Концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике 753.5 KB
  Напомним что значком ni принято обозначать концентрацию собственных носителей заряда в зоне проводимости и в валентной зоне. концентрация собственных носителей определяется в основном температурой и шириной запрещенной зоны полупроводника...
74230. Р-п переход. Образование и зонная диаграмма р-n перехода 1.57 MB
  Образование и зонная диаграмма рn перехода Электронно-дырочным или pn переходом называют контакт двух полупроводников одного вида с различными типами проводимости электронным и дырочным. Классическим примером pn перехода являются: nSi pSi nGe pGe.8 приведены зонные диаграммы иллюстрирующие этапы формирования электронно-дырочного перехода...
74231. Контакт металл – полупроводник. Барьер Шоттки 1.2 MB
  В зависимости от этих соотношений в области контакта могут реализоваться три состояния. Второе состояние соответствует условию обогащения приповерхностной области полупроводника дырками в pтипе и электронами в nтипе в этом случае реализуется омический контакт. И наконец в третьем состоянии приповерхностная область полупроводника обеднена основными носителями в этом случае в области контакта со стороны полупроводника формируется область пространственного заряда ионизованных доноров или акцепторов и реализуется блокирующий контакт или...