3097

Химия радиоматериалов

Контрольная

Химия и фармакология

Химия радиоматериалов. Определить падение напряжения в линии электропередач длиной L при температуре То1, То2 , То3, если провод имеет сечение S и по нему течет ток I. Дано Материал – Cu То1=-30C То2=0 То3=+30C L=500км S=30мм2 I=250А Найти...

Русский

2012-10-24

98.06 KB

422 чел.

Химия радиоматериалов

Определить падение напряжения в линии электропередач длиной L при температуре То1 , То2 , То3 , если провод имеет сечение S и по нему течет ток I.

Дано:

Материал – Cu

То1=-30C

То2=0

То3=+30C

L=500км

S=30мм2

I=250А

Найти: ∆U

Решение.

По закону Ома в интегральной форме падение напряжения ΔU при токе I в проводнике сопротивлением R на участке длиной равно:

(1)  

R – полное сопротивление материала равно:

(2)  

где λ – геометрический параметр тела, называемый приведенной длиной,

ρ – удельное сопротивление проводника при температуре Т.

Для кабеля с постоянным по всей длине поперечным сечением S и длиной L:

(3)

Зависимость удельного сопротивления проводника от температуры:

где α – температурный коэффициент сопротивления; α =0,004 К-1

ρ0 – удельное сопротивление проводника при температуре =20ºС =0,0175 мкОм·м)

 

Подставим в формулу (1) величины из формул (2) и (3), получим:

Ответ:

Задача № 3.1.2

Определить длину проволоки для намотки проволочного резистора с номиналом R, и допустимой мощностью рассеяния P.

Дано:

Материал – Х20Н80

R=2000Ом

P=5Вт

j=0,3А/мм2

ρ0=1,05мкОм*м

Найти: L

Решение.

Мощность Р, рассеиваемая материалом под напряжением U при прохождении через него тока величиной I, равна:

Из формулы для определения плотности тока:

 =>   ,  т.е.

где S – площадь сечения проводника;

j – плотность тока;

I – величина тока;

R – сопротивление материала.

Сопротивление материала найдем по формуле:

                                      (1)

где λ – геометрический параметр тела, называемый приведенной длиной.

ρ – удельное сопротивление проводника при температуре Т.

Для кабеля с постоянным по всей длине поперечным сечением S и длиной L:

                                                                                               (2)

Подставим в формулу (1) величину λ из формулы (2):

     =>    - получили формулу для нахождения S (площади поперечного сечения проводника)

  =>  

Ответ:

Длина проволоки для намотки проволочного резистора равна 317 метрам.

3.2 Полупроводниковые материалы

Задача 3.2.1

Определить концентрацию электронов и дырок в собственном и примесном полупроводнике, содержащем N атомов примеси при комнатной температуре.

Дано:

Полупроводник материал – Si

Примесь - сурьма

N=1014см-3

Найти: ni , pд

Решение.

В собственном полупроводнике концентрация свободных электронов и дырок одинаковы:

      ,

где и – эффективные плотность состояния электронов и дырок в зонах проводимости и валентной зоне;

эВ/К - Постоянная Больцмана

эВ - ширина запрещенной зоны полупроводника

При расчете концентраций воспользуемся табличными значениями эффективных плотностей.

С точки зрения зонной теории положение пятого электрона атома примеси на энергетической диаграмме изображают помещенным на примесном (донорном) уровне, расположенным в верхней половине запрещенной зоны, вблизи зоны проводимости.соответствует энергии необходимой для отрыва электрона от атома (например для  эВ). Этому процессу соответствует переход электрона с донорного уровня в зону проводимости. Концентрация свободных электронов за счет донорной примеси и ее зависимость от температуры оценивается следующим выражением: В моем случае валентность Si(4) а примесь бор (5), определим концентрацию в примесном полупроводнике при нормальных условиях (Т=293 К) по формуле:

где:

эВ - энергия необходимая для отрыва электрона от атома

Из выражения соотношения «действующих масс»:

 

найдем концентрацию дырок:

Задача 3.2.2

Образец полупроводникового материала легирован примесью (см. предыдущую задачу). Определить удельную проводимость собственного и примесного полупроводника при заданной температуре Т.

Дано:

Полупроводник материал – Si

Примесь - сурьма

N=1014см-3

То=290 К

Найти: γсобст

Решение.

Удельная проводимость собственного γ полупроводника при  равна:

 

- подвижность электронов,

где - коэффициент диффузии электронов

-постоянная Больцмана

Кл – элементарный заряд

- собственная концентрация

 - подвижность дырок,

где  м2/с- коэффициент диффузии дырок

Собственные концентрации определим по формуле:

,

где: эВ/К- Постоянная Больцмана

и – эффективные плотность состояния электронов и дырок в зонах проводимости и валентной зоне соответственно;

эВ/К- Постоянная Больцмана

эВ - ширина запрещенной зоны полупроводника

Примесная проводимость (в данном случае электронная проводимость) вычисляется по формуле:

где:

эВ - энергия необходимая для отрыва электрона от атома

Задача 3.2.3

Определить диффузионную длину движения неравновесных носителей заряда в полупроводниковом материале при заданной температуре То, если время их жизни τ.

Дано:

Материал – Si - n – типа

То=290 К

τ = 100мкс

Найти: Ln 

Решение.

Основными, называются носители заряда  в проводнике, концентрация которых больше. В проводнике n-типа основными носителями являются электроны. В таком полупроводнике появление неравновесных носителей заряда не вызывает существенного изменения концентрации основных носителей заряда. В этих условиях скорость рекомбинации пропорциональна избыточной концентрации неосновных носителей, а время жизни оказывается постоянным. Такую рекомбинацию называют линейной.

Диффузионной длиной называется среднее расстояние, на которое носитель диффундирует за время жизни:

                                                ,                              (1)

где Dn - коэффициент диффузии электронов

τ – время жизни электронов

Подвижность электронов определяется соотношением Эйнштейна:, (2)

где эВ/К - Постоянная Больцмана

= 3800 см2/сек

Выразим Dn  из формулы (2) и подставим в (1):

3. 3 Диэлектрические материалы

Задача № 3.3.1

Конденсаторная керамика при 20°С имеет проводимость γ° = 10-13 Сим/см. Какова проводимость γт при заданной температуре, если температурный коэффициент сопротивления  α= 0,8?

Дано:

Т=29˚С

Найти: γт

Решение.

Проводимость и удельное сопротивление взаимно обратно пропорциональны:

 

Зависимость объемного удельного сопротивления твердого диэлектрика от температуры выражается формулой:

,

где– сопротивление диэлектрика при температуре окружающей среды 20˚С,

- температурный коэффициент сопротивления

                                                     (1)

выразим из формулы (1):

теперь определим проводимость при заданной температуре Т = 29˚С:

Сим/см

Задача № 3.3.2

Определить пробивное напряжение Uпр между электродами конденсатора на рабочей частоте f, если температура, до которой нагревается в электрическом поле диэлектрический материал толщиной h конденсатора, не превышает Токр.

Дано:

Материал – Картон

f=100 кГц

h=0,5 мм

Т=30 оС

tg δ=3 * 10-4 

α tg δ=8 * 10-3 1/К

ε=1,5

σ= 15[Вт/см2*град]

Найти: Uпр 

Решение. 

При значении приложенного напряжения  прямая теплопередачи является секущей кривой тепловыделения, а следовательно, диэлектрик нагреется до температуры Т=30 оС, при которой наступит состояние устойчивого теплового равновесия, так как мощность тепловыделения равна мощности, отводимой от образца. Если бы по каким-то причинам температура хотя бы немного превысила значение Т, то ординаты отводимой мощности были бы больше ординат тепловыделения и образец самопроизвольно должен был бы возвратиться в устойчивое состояние при температуре Т. (Считаем, что никаких внешних источников радиации, способных повысить температуру образца выше Т, нет). Напряжение U будет не опасным для образца диэлектрика в данных условиях, если нагрев до температуры T не приведет к механическому или химическому разрушению структуры материала. Поэтому начнем увеличивать напряжение и доведем его до такого значения , при котором прямая теплопередачи окажется касательной к кривой тепловыделения, и, следовательно, будет только неустойчивое тепловое равновесие при температуре Т. При значении приложенного напряжения , большем , никакого теплового равновесия не будет, температура станет нарастать безгранично до разрушения диэлектрика. Таким образом, напряжение , при котором имеет место неустойчивый граничный режим, может быть принято за напряжение теплового пробоя . Его можно определить по формуле:

,

где К=1,15·105 - числовой коэффициент;

f – частота, Гц;

tgδ0 – тангенс угла потерь диэлектрика при температуре окружающей среды;

hтолщина;

σ – коэффициент теплоотдачи , Вт/м2·К;

α – температурный коэффициент тангенса угла потерь

В диэлектриках, имеющих ε < 10, преобладающими являются потери сквозной электропроводности

Задача № 3.3.3

Как изменится электрическая прочность воздушного конденсатора, если расстояние между электродами уменьшить от h1 до h2?

Дано:

h1=1 см

h2=0,01 см

Решение.

Электрическая прочность диэлектрика:

где Uпр – напряжение пробоя диэлектрика.

h – толщина материала.

Так как рассматриваемые расстояния между обкладками конденсатора много меньше размера обкладок, то возникает однородное поле,  при уменьшении расстояния между электродами электрическая прочность воздуха возрастает, это связано с трудностью формирования разряда.

При неизменном Uпр ,  при h1:

(1)

при h2:

(2)

разделим (2) на (1):

Ответ: Электрическая  плотность увеличится в 100 раз.

3.4 Магнитные материалы

Задача № 3.4.1

Один из магнитных сплавов с прямоугольной петлей гистерезиса ППГ имеет следующие параметры: поле старта Hо , коэрцитивную силу Hс, коэффициент переключения Sф. Найти время переключения  

Дано:

Hо=3 А/м

Hс=3А/м

Sф=14 мкк/м

Найти: i

Решение.

Коэффициент переключения для магнитных материалов с прямоугольной петлей гистерезиса:

 

где - напряженность магнитного поля, соответствующая максимальной магнитной индукции В.

- время переключения.

   

   

Ответ: время переключения =14мксек.

Задача 3.4.2.

Магнитодиэлектрик выполнен из порошков никелево-цинкового феррита HН400 и полистирола с объемным содержанием магнитного материала α. Определить магнитную и диэлектрическую проницаемость материала μ и ε, если магнитная диэлектрическая проницаемость магнитного материала μа, εм имеет заданные значения. Диэлектрическая проницаемость полистирола ε д=2,5.

Дано:

α=0,1

εм=40

Найти: μ,ε

Решение.

Для магнитодиэлектрика, состоящего из связующего диэлектрика и магнитного наполнителя магнитная проницаемость :

,

где - магнитная проницаемость магнитного  наполнителя (начальная магнитная проницаемость)

Диэлектрическая проницаемость магнитодиэлектрика :

Справочная литература:

  1.  И. В. Савельев. Курс общей физики, том 3, М.: Наука, 1979, с 304.
  2.  Свитенко В.Н., Элементы и компоненты РЭУ. Радиоматериалы.:Учебное пособие для специальности "Радиотехника" - Киев 1990г. - 93с.
  3.  Конструкционные и электротехнические материалы под редакцией В.А.Филипова М.:Высшая школа, 1990г.
  4.  Никулин Н.В., Электроматериаловедение М.: М.:Высшая школа, 1989г.
  5.  Пасынков В.В., СорокинВ.С., Материалы электронной техники. М.: М.:Высшая школа, 1986г.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

38652. Разработка мероприятий по совершенствованию системы стимулирования труда работников Семилукского райпо 740.5 KB
  Целью дипломного проекта является изучение и оценка эффективности экономического стимулирования труда работников Семилукского райпо, а также выявление возможностей повышения результативности работы предприятия на основе совершенствования методов стимулирования труда персонала.
38653. Исследование возможности переработки опасных отходов плазменным методом 14.51 MB
  В настоящей работе проведен анализ плазмотермической переработки отходов, как за рубежом, так и в нашей стране. Показано, что для правильного решения экологически чистой утилизации отходов разного назначении, целесообразно использовать имеющуюся установку «Плутон» в г. Сергиев Посад, усовершенствовав ее отдельными узлами, типа газификаторов, за счет аналогичных имеющихся разработок в РФ
38654. Проблемы и перспективы реформирования налоговой системы Республики Казахстан 1.01 MB
  История возникновения и развития налогов и налогообложения. Сущность и структура налогов принципы налогообложения. Зарубежный опыт построения налоговых систем. Анализ налоговой системы Казахстана.
38655. Удосконалення технології відтворення свиней в товариства з обмеженою відповідальністю „Агрофірма"Вільне-2002” Новомосковського району Дніпропетровської області 477.5 KB
  Свинарство–галузь сільськогосподарського виробництва,що забезпечує населення багатьох країн світу цінними продуктами харчування. В Україні створена міцна матеріально-технічна база: розведення племінних свиней займаються більше ніж у 400 племінних господарствах (племзаводи, племрепродуктори), відновлюють роботу промислові комплекси. Товарну свинину виробляють як в державних підприємствах, так і в колективних, фермерських та індивідуальних присадибних селянських господарствах.
38656. Специализированные программные продукты для специалистов по связям с общественностью и рекламе 24.44 KB
  Работа специалиста по СсО и рекламе связана с процессом творения. В XX веке в мире неоднократно предпринимались попытки создания технологий решения нестандартных (креативных) задач. Однако, невзирая на заявления и обещания, фактически так и не удалось построить методики, если не гарантирующей, то хотя бы резко увеличивающей вероятность решения творческих задач
38657. Пути совершенствования организации производства в кафе «Q-Zone» 761 KB
  Современное технологическое оборудование как важная составляющая эффективности производства. Анализ организации производства кафе QZone Организационно-правовая характеристика предприятия и анализ хозяйственной деятельности. Анализ материальнотехнической базы производства кафе. Пути совершенствования организации производства в кафе QZone.
38658. Опис установки, налаштування і оптимізації Windows 7 для забезпечення навчального процесу у компютерних лабораторіях НЕМК в покроковому режимі 2.59 MB
  Знання операційної системи дозволити уникнути багатьох неприємностей. Віруси, «Троянські коні», програми-шпигуни, залишки видалених програм, а також помилки в самій операційній системі можуть привести до помітного зниження швидкодії компютера і втраті даних на жорсткому диску.
38659. Особенности логопедической работы по преодолению темпо-ритмических нарушений у дошкольников с заиканием 480.5 KB
  Обследование речи детей по методике Г. Выделение двух форм заикания невротической и неврозоподобной позволяет наиболее полно охарактеризовать не только судорожные проявления в речи заикающихся но и особенности личности как в начальный период развития заикания. Вместе с тем: недостаточная представленность в современной методической литературе психологопедагогической характеристики заикающихся дошкольников делает нашу проблему актуальной От логопеда требуется не только знание практических приемов коррекции речи при заикании но и...