31878

ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ

Реферат

Информатика, кибернетика и программирование

В качестве нелинейных приборов с управляемым сопротивлением в электронных ключах используются полупроводниковые диоды транзисторы фототранзисторы тиристоры оптроны электронные лампы.1 Диодные ключи Цель работы – исследование статических и динамических параметров и характеристик диодных ключей. На рис.1 а показаны типичные статические ВАХ германиевого Gе и кремниевого Si диодов а на рис.

Русский

2013-09-01

1.08 MB

42 чел.

22

  1.  
  2.  ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ

Технические реализации цифровых схем, в которых сигналы представлены дискретно квантованными уровнями напряжения (тока), основаны на использовании электронных коммутаторов напряжения (тока), называемых электронными ключами.

В качестве нелинейных приборов с управляемым сопротивлением в электронных ключах используются полупроводниковые диоды, транзисторы, фототранзисторы, тиристоры, оптроны, электронные лампы.

Показателями качества электронного ключа являются проводимость ключа в закрытом и открытом состоянии, чувствительность к управляющему сигналу и помехоустойчивость, температурная стабильность, мощность, отдаваемая в нагрузку а также быстродействие.

Параметры, характеризующие электронные ключи:

,  - граничные уровни нулевого и единичного входных сигналов;

- пороговое напряжение;

,  - граничные уровни нулевого и единичного выходных сигналов;

- мощность, потребляемая от источника питающего напряжения при нулевом и единичном напряжении на выходе;

,  - длительность задержки распространения сигнала через электронный ключ при переключении выходного потенциала соответственно из нулевого состояния в единичное и обратно;

,  - длительность фронта нарастания и убывания выходного импульса.


1.1 Диодные ключи

Цель работы – исследование статических и динамических параметров и характеристик диодных ключей.

Теоретические сведения

В диодных ключах используется зависимость сопротивления диода от величины и знака приложенного напряжения. На рис. 1.1.1 а показаны типичные статические ВАХ германиевого (Gе) и кремниевого (Si) диодов, а на рис. 1.1.1,б и в — эквивалентные схемы замещения диода на постоянном токе для линеаризованных (выделенных штриховкой) областей соответственно при прямом (1) и обратном (2) смещении p-n-перехода. Ток р-n-перехода  диода и напряжение .

а

б

в

Рис. 1.1.1

Схема простейшего диодного ключа, управляемого источником сигнала U1 показана на рис. 1.1.2. а, а на рисунках рис. 1.1.2. б и рис. 1.1.2. в – эквивалентные схемы замещения соответственно для сигнала логических "1" и "0" на входе. Определим значения выходных напряжений в каждом из состояний ключа, воспользовавшись принципом суперпозиции:

а

б

в

Рис. 1.1.2

а) При низком уровне напряжения на выходе ( < U0) – диод VD заперт, ключ разомкнут и на его выходе устанавливается низкий уровень:

    ( при ).

б) При высоком уровне входного сигнала (> U0 ) – диод VD открыт, ключ замкнут и на выходе ключа имеет место высокий уровень:

.

Ослабление сигнала на выходе тем больше, чем больше сопротивление источника сигнала Rr. Это недостаток диодного ключа рис. 1.1.2,а. Другим его недостатком является прямая зависимость уровня "1" от входного сигнала.

Второй вариант диодного ключа - это диодный ключ со смещением, рис. 1.1.3,а.

а

б

в

Рис. 1.1.3

а) При низком уровне напряжения на выходе ( << UИП) ключ замкнут и на его выходе устанавливается низкий уровень:

  (при ).

б) При высоком уровне входного сигнала (> UИП – U0 ) , ключ разомкнут и на выходе ключа имеет место высокий уровень:

Рабочее задание

  1.  Собрать исследуемую схему (рис 1.1.4.а (б)).

а

б

Рис. 1.1.4

  1.  Исследовать статические параметры схемы. Определить значения U01max, U1 1min, U20, U21. Снять передаточную характеристику U2=f(U1).
  2.  Исследовать переходные процессы в схеме. Определить значения tзд.р.01, tзд.р.10, tф.01, tф.10, fmax.

Методические указания

  1.  Для выполнения данной лабораторной работы необходимо собрать схему на рис. 1.1.4,а (б).  Установить заданные преподавателем параметры компонентов R, C и источника питания UИП. Установить параметры идеальной модели диода:

Junction Potential (VJ)=0.75V;

Zero-bias junction capacitance (CJO)=5e-12F;

Saturation Current (IS)=1e-7A.

  1.  Подать на вход схемы от функционального генератора сигнал треугольной формы с параметрами:

Amplitude= 0.5UИП;

Offset= 0.5UИП;

Frequency=1кHz.

С помощью визиров 1 и 2 на экране осциллографа измерить параметры U01max, U1 1min, U20, U21.

Передаточная характеристика  U2=f(U1) отображается в режиме В/А осциллоскопа.

  1.  Подать на вход схемы от функционального генератора сигнал прямоугольной формы с параметрами:

Amplitude=0.5UИП;

Offset= 0.5UИП;

Frequency=10MHz.

С помощью визиров 1 и 2 на экране осциллографа измерить параметры tзд.р.01, tзд.р.10, tф.01, tф.10 .

Контрольные вопросы

  1.  Что такое пороговое напряжение, его влияние в диодных ключах?
  2.  Из каких соображений выбираются оптимальные значения сопротивлений и напряжений?
  3.  Объясните влияние температуры окружающей среды на пороговое напряжение ключа.
  4.  Объясните влияние ёмкости нагрузки на динамические параметры ключа.
  5.  От каких параметров элементов схемы зависят длительности фронтов tф.01, tф.10? Запишите выражения для tф.01, tф.10 .
    1.  
      Переключатель напряжения на биполярном транзисторе

Цель работы – исследование статических и динамических параметров и характеристик электронного ключа на биполярном транзисторе.

Теоретические сведения

Применение биполярных транзисторов в электронных ключах основано на свойстве транзисторов изменять под действием управляющего сигнала сопротивление от весьма большого (сотни кОм) в режиме отсечки до значительно меньшего в активней режиме (единицы кОм) и весьма малого в режиме насыщения (единицы Ом). В ключевых схемах могут использоваться все известные схемы включения транзисторов (с общим эмиттером - ОЭ, с общим коллектором - ОК, с общей базой - ОБ). Наибольшим усилением по мощности обладает каскад ОЭ, для управления такими ключами требуется входной сигнал минимальной мощности.

Рис.1.2.1.а Биполярный транзистор типа n-p-n

Рис.1.2.1.б Биполярный транзистор типа p-n-p

Рис. 1.2.2. Выходные характеристики

Рис. 1.2.3. Входные характеристики

Рис. 1.2.4. Схема ключа на биполярном транзисторе n-p-n типа

Нагрузкой ключа на транзисторе VT (рис. 1.2.4) является резистор, подключённый между выходом и общей шиной (Rн ). Режим работы транзистора определяется источником входного сигнала Ur и входной цепью из резисторов R1, R2 и источника запирающего смещения – Uсм. Резисторы R1 и R2 должны быть выбраны так, чтобы при низком уровне входного сигнала U01 транзистор VT был надёжно заперт во всём рабочем диапазоне температур окружающей среды, а при высоком уровне U11 на входе транзистор должен быть насыщен.

Источник смещения - Uсм не обязателен, если режим отсечки транзистора обеспечивается низким уровнем входного сигнала U01 и условие запирания не нарушается при максимальной температуре окружающей среды.

Для упрощения анализа статики и динамики работы такого ключа преобразуем схему, воспользовавшись теоремой об эквивалентном генераторе. Компоненты преобразованной схемы (рис. 1.2.5) определяются из соотношений:

,

,

,

.

Рис. 1.2.5

Для обеспечения режима отсечки транзистора необходимо, чтобы при низком уровне U01 входного сигнала эмиттерный переход транзистора был заперт. Как видно из рис. 1.2.3, запирающим можно считать низкий потенциал U01 на входе, обеспечивающий на эмиттерном переходе напряжение UБЭU0. Если данное условие выполняется, то оба перехода транзистора заперты и транзистор в схеме рис. 1.2.5 в первом приближении можно заменить источником обратного тока коллекторного перехода Iк0 рис. 1.2.6.

Рис. 1.2.6

Тепловой ток Iк0 протекает через резистор Rб и повышает потенциал базы. Чем выше температура коллекторного перехода, тем больше ток Iк0 и напряжение UБЭ. Условие запирания транзистора должно выполняться в наихудшем случае, т. е. при максимальной температуре коллекторного перехода и соответствующем токе Iк0max через него:

.

Если это условие выполняется, транзистор VT заперт, на его коллекторе, являющемся выходом схемы, устанавливается высокий уровень:

.

Для отпирания транзистора на вход ключа необходимо подать высокий уровень >U0. При этом транзистор может находиться в активном режиме или в насыщении. Режим насыщения IБН наступает в том случае, если ток базы IБ транзистора достигает или превышает значение IБН, соответствующее положению рабочей точки транзистора на границе между активным режимом и режимом насыщения: IБIБН .

Входную цепь насыщенного транзистора можно в линеаризованном варианте представить подобно диоду последовательно соединенными объемным сопротивлением базы rб и источником напряжения U0. Сопротивление между коллектором и эмиттером насыщенного транзистора определяется наклоном линии насыщения (рис. 1.2.2):

при IБ IБН

Эквивалентная схема транзисторного ключа в режиме насыщения показана на рис. 1.2.7.

Рис. 1.2.7

Для этой схемы условие насыщения имеет вид:

.

Так как коэффициент усиления транзистора по току β имеет технологический разброс, то данное неравенство должно выполняться в наихудших условиях, т. е. при наименьшем допустимом значении β=βmin. Если условие неравенства выполняется, транзистор VT насыщен и на выходе замкнутого ключа устанавливается низкий уровень:

.

Переходные процессы

Инерционность ключей на биполярном транзисторе обусловлена эффектом накопления зарядов не основных носителей в базе, которые создают коллекторный ток, рекомбинацией зарядов неосновных носителей при запирании, а также наличием барьерных ёмкостей p-n-переходов. Приращение заряда неосновных зарядов ΔQ в базе за время Δt определяется током в базе IБ и временем жизни неосновных носителей :

.

Рис. 1.2.8

При Δt →0 получаем уравнение:

, где - среднее время жизни неосновных носителей в базе.

Прирешение уравнения имеет вид:

где    , .

Для любой экспоненты A(t)  с параметром интервал Δt между значениями А1 в момент времени t1 и А2 в момент времени t2 определяется соотношением:

.     (1)

Пользуясь соотношением (1), из временной диаграммы UБ(t) на рис. 1.2.8 можно определить время задержки включения транзистора:

TЗДД ВКЛ=  ,

где; .

Аналогично из диаграммы Q(t) определить временные интервалы:

,

где,  ,  ,

.

t5 – t4 = tp – время рассасывания избыточного заряда.

,

,

,

,

,

.

Рабочее задание

  1.  Собрать исследуемую схему (рис 1.2.8.).

Рис. 1.2.9

  1.  Исследовать статические параметры схемы. Определить значения U01max, U1 1min, U20, U21. Снять передаточную характеристику U2=f(U1).
  2.  Исследовать переходные процессы. Определить значения tзд.р.01, tзд.р.10, tф.01, tф.10, fmax. Исследовать переходные процессы с конденсатором С1 и без него.

Методические указания

  1.  Для выполнения данной лабораторной работы необходимо собрать схему на рис. 1.2.8.  Установить заданные преподавателем параметры компонентов R4, R5, C2 и источника питания. Установить параметры идеальной модели транзистора:

Forward current gain coefficient (F)=β;

B-E junction potential (E)=0.75V;

Zero-bias B-E junction capacitance (CE)=1e-12F;

Zero-bias B-C junction capacitance (CC)=5e-12F;

Forward transit time (τF)=1e-8S;

Reverse transit time (τR)=2e-8S.

  1.  Подать на вход схемы от функционального генератора сигнал треугольной формы с параметрами:

Amplitude= 0.5UИП;

Offset= 0.5UИП;

Frequency=100Hz.

С помощью визиров 1 и 2 на экране осциллографа измерить параметры U01max, U1 1min, U20, U21.

Для снятия передаточной характеристики U2=f(U1) установить режим осциллоскопа В/А.

  1.  Подать на вход схемы от функционального генератора сигнал треугольной формы с параметрами:

Amplitude=UИП\2;

Offset= UИП\2;

Frequency=100Hz.

С помощью визиров 1 и 2 на экране осциллографа измерить параметры tзд.р.01, tзд.р.10, tф.01, tф.10 .

Контрольные вопросы

  1.  Что такое коэффициент насыщения и как он зависит от параметров компонентов исследуемой схемы?
  2.  Объясните влияние ускоряющего конденсатора на переходные процессы в ключе.
  3.  Из каких соображений выбирается оптимальное значение емкости ускоряющего конденсатора?
  4.  Объясните влияние температуры окружающей среды на пороговое напряжение ключа и коэффициент насыщения транзистора.
  5.  Объясните влияние емкости нагрузки на динамические параметры ключа.


1.3 Ключи на
МДП-транзисторах

Цель работы – исследование статических и динамических параметров и характеристик ключей на n-канальных МДП-транзисторах и комплементарных МДП-транзисторах.

Теоретические положения

Для построения электронных ключей могут быть использованы полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом, с изолированным затвором и встроенным или индуцированным каналом. В цифровой схемотехнике наибольшее распространение получили полевые МДП-транзисторы (металл-диэлектрик-полупроводник) с индуцированным р- или n-каналом.

На рис.1.3, показаны стоковые (а) и стоко-затворные (б) ВАХ МДП-транзистора с индуцированным n-каналом. Если напряжение Uз.и < Uпop, то канал для переноса зарядов не индуцирован и транзистор заперт. Если Uз.и > Uпop, то в подзатворной области индуцируется n-канал, через него протекает ток, определяемый напряжением Uc.н между выводами канала, транзистор открыт и его рабочая точка находится в триодной либо пентодной области. На рис. 1.3,в приведено условное графическое изображение МДП-транзистора с индуцированным каналом n-типа. Для аналитического определения рабочей точки транзистора  воспользуются зависимости, аппроксимирующие стоковые характеристики уравнения для триодной области (I):

,

или для пентодной области (II):

,

где  v — удельная крутизна стоко-затворной характеристики, измеряемая в мА/В2.

а

б

в

Рис. 1.3.1

В интегральных схемах линейные нагрузочные  резисторы заменяют нелинейным сопротивлением, в качестве которого используется МДП-транзистор в двухполюсном включении (рис. 1.3.2,а) с закороченными затвором и стоком. Для транзистора VT2 Uс.н.2 = Uз.и.2. Если на семействе стоковых характеристик транзистора VT2 построить линию перегибов, разделяющую пентодную и триодную области (рис. 1.3.2,б — кривая 1) и сместить ее по оси напряжений на величину Uпор, получим нелинейную зависимость — ВАХ МДП-траизистора в двухполюсном включении (рис. 1.3.2,б) — кривая 3). На графике рис.1.3.2,в приведены ВАХ нагрузочного транзистора VT2 при подаче на его затвор постоянного напряжения Uи.п.2. Для обеспечения ВАХ, близкой к линейной, в качестве нагрузочных применяают транзисторы с малой крутизной стоко-затворной характеристики и минимальным Uпор2.

а

б

в

Рис. 1.3.2

Переходные процессы в ключах на полевых транзисторах обусловлены переносом носителей с подвижностью μ через канал длиной L и перезарядом межэлектродных емкостей транзистора, а также емкости нагрузки Сн и паразитной емкости монтажа См.

Время переноса носителей через канал tпер = 2,2L2/(μUс.и), где для электронов подвижность μп = 0,04 м2/(В•с), а для дырок — μр = 0,02 м2/(В•с), благодаря чему n-канальные МДП-транзисторы обладают большим быстродействием. При длине канала L порядка единиц микрон и напряжении Uc.н порядка десятков вольт tпер весьма мало и имеет порядок 10-9с. Поэтому определяющим быстродействие ключей на МДП-транзисторе является только процесс перезаряда межэлектродных и внешних емкостей транзистора.

Построим ВАХ нелинейного двухполюсника на семействе стоковых характеристик переключательного транзистора VT1 как линию его нагрузки (рис. 1.14.(в)). Это позволяет графически определить уровни выходного напряжения ключа в выключенном U12 и включенном U02 состоянии, а также ток Іс открытого транзистора VT1 с нагрузкой VT2:

,

где Ri1, Ri2 – дифференциальные сопротивления каналов транзисторов соответственно VT1, VT2.      Рассмотренная схема ключа имеет высокое потребление Р0пот = Uи.п.1Ic, когда транзистор VT1 открыт. Энергопотребление электронного ключа можно уменьшить, если в качестве нагрузки использовать элемент с управляемым внутренним сопротивлением, который при запирании транзистора VT1 должен иметь минимальное сопротивление, а при отпирании — максимальное.

а

б

Рис. 1.3.3

В схеме на рис. 1.3.3,а в качестве нагрузки n-канального транзистора VT1 использован p-канальный транзистор VT2, управляемый по цепи затвора входным сигналом U1. В силу симметрии схемы каждый из транзисторов представляет собой управляемую нагрузку для другого транзистора. Разные типы проводимости при управлении одним и тем же сигналом U1 обеспечивают взаимно противоположные режимы работы. Поэтому говорят, что транзисторы в данной схеме дополняют друг друга, образуют комплементарную структуру.

Вид статической передаточной характеристики комплементарной структуры зависит от соотношения напряжения питания Uи.п. и пороговых напряжений n-канального (Uпор.1) и p-канального (Uпор.2) транзисторов.

Пусть до момента t1 (рис. 1.3.3,б) Ul = U01 < Uпор.1. Тогда транзистор VT1 заперт, a VT2 — в триодном режиме. На выходе ключа имеем высокий уровень сигнала U12 = Uи.п.. Скачок входного сигнала U1 в момент t1 обусловливает синфазную помеху на выходе:

, (1.3)

где . 

Если U11 > Uи.п.-|Uпoр.2|, то транзистор VT2 оказывается запертым, a VT1 открыт и его рабочая точка по мере уменьшения выходного потенциала перемещается из пентодной области в триодную. Скорость спада выходного напряжения определяется разрядом емкости С'0, зарядом С''0 и перезарядом емкости Cс.з через открытый транзистор VT1, дифференциальное сопротивление которого rі1 и по мере уменьшения потенциала U2 также уменьшается. Поэтому функция изменения U2(t) на рис. 1.3.3,б отлична от экспоненциальной.

     По заднему фронту входного сигнала в момент t2 на выходе ключа также формируется синфазная помеха δU2, амплитуда которой определяется из уравнения (1.3). Транзистор VT1 переходит в режим отсечки, транзистор VT2 — сначала в пентодный, а затем, по мере нарастания выходного напряжения U2 в триодный режим.

Ток потребления iпот(t) также связан с перезарядом эквивалентной емкости С, поскольку сквозной ток через оба транзистора при практически мгновенном запирании одного из них можно не учитывать.

Ключи на комплементарных МДП-транзисторах (КМДПТ) имеют высокое быстродействие при весьма малом энергопотреблении, которое зависит от частоты переключения. Они обеспечивают максимальное использование напряжения питания (U12 - U02 =Uи.п) и сохраняют работоспособность в широком диапазоне питающих напряжений Uи.п. Наименьшим энергопотреблением характеризуются ключи, питаемые от источника напряжения Uи.п < Uпoр.1+|Uпoр.2|, в которых активная составляющая тока потребления Iпот.а = 0. Малое энергопотребление позволяет использовать ключи на КМДПТ в качестве базовых элементов интегральных схем с высокой степенью интеграции.

Отмеченные достоинства таких ключевых схем достигаются усложнением технологии их изготовления и увеличением стоимости, по но мере совершенствования технологии ИМС эти недостатки становятся все менее существенными.

Рабочее задание

  1.  Собрать последовательно исследуемые схемы (рис 1.3.4, 1.3.5).

Рис. 1.3.4

Рис. 1.3.5

  1.  Исследовать статические параметры каждой схемы. Определить значения U01max, U1 1min, U20, U21. Снять передаточные характеристики U2=f(U1).
  2.  Исследовать переходные процессы в схемах. Определить значения tзд.р.01, tзд.р.10, tф.01, tф.10, fmax.

Методические указания

  1.  Для выполнения данной лабораторной работы необходимо собрать схему на рис. 1.3.4 (1.3.5).  Установить заданные преподавателем параметры компонентов R, C и источника питания. Установить параметры транзисторов:

     n-МДП:

  1.  Threshold (VTO)=2V;

Transconductance coefficient (KP)=5e-2;

Gate-bulk overlap capacitance (CGBO)=5e-12F;

Gate-drain overlap capacitance (CGDO)=5e-12F;

Gate-source overlap capacitance (CGSO)=5e-12F;

Zero-bias body-drain junction capacity (CBD)=5e-12F;

Zero-bias body-source junction capacity (CBS)=5e-12FF.

       р-МДП:

  1.  Threshold (VTO)=-2V;

Transconductance coefficient (KP)=5e-2;

Gate-bulk overlap capacitance (CGBO)=5e-12F;

Gate-drain overlap capacitance (CGDO)=5e-12F;

Gate-source overlap capacitance (CGSO)=5e-12F;

Zero-bias body-drain junction capacity (CBD)=5e-12F;

Zero-bias body-source junction capacity (CBS)=5e-12F.

  1.  Подать на вход схемы от функционального генератора сигнал треугольной формы с параметрами:

Amplitude= 0.5UИП;

Offset= 0.5UИП;

Frequency=100Hz.

С помощью визиров 1 и 2 на экране осциллографа измерить параметры U01max, U1 1min, U20, U21.

Для снятия передаточной характеристики U2=f(U1) установить режим осциллоскопа В/А.

  1.  Подать на вход схемы от функционального генератора сигнал прямоугольной формы с параметрами

Amplitude= 0.5UИП;

Offset= 0.5UИП;

Frequency=1…10МHz.

С помощью визиров 1 и 2 на экране осциллографа измерить параметры tзд.р.01, tзд.р.10, tф.01, tф.10 .

Контрольные вопросы

  1.  Объясните принцип работы КМДП- ключа.
  2.  Объясните влияние параметров и характеристик транзистора на статические характеристики ключа.
  3.  Объясните влияние температуры окружающей среды на напряжения U01max, U1 1min ключа.
  4.  Объясните зависимость статических характеристик ключа от температуры.
  5.  От чего зависят длительности фронтов tф.01, tф.10 ?
  6.  Чем ограничено максимальное быстродействие ключа на КМДП-транзисторах?


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

9299. Травматический шок. Этиология и патогенез. Принципы лечения 23.15 KB
  Травматический шок. Этиология и патогенез. Принципы лечения Шок – внезапно возникшее критическое состояние организма, проявляющееся быстропрогрессирующим ухудшением функций жизненно важных систем. Термин введен в 1737 году французским хирургом Л...
9300. Синдром длительного сдавления 18.66 KB
  Лекция №19 Синдром длительного сдавления. В локализации повреждений преобладает как правило, сдавление конечностей (60% всех случаев СДС - нижние конечности, и 20% - верхние). При уже развившейся острой почечной недостаточности летальность дост...
9301. Медицина катастроф. Классификация. Организация медицинской помощи 26.56 KB
  Лекция №20 Медицина катастроф. Классификация. Организация медицинской помощи. Рост тяжелых антропогенных и природных катаклизм, сопровождающийся значительным материальным ущербом и огромными человеческими жертвами стал поводом и основной причиной дл...
9302. Ожоговая травма. Ожоговая болезнь. Современные принципы терапии 24.23 KB
  Лекция №21 Ожоговая травма. Ожоговая болезнь. Современные принципы терапии. Ожоги - повреждение тканей, вызванные воздействием термической, химической, электрической или лучевой энергии. В первую очередь поражаются кожные покровы (4-6% массы те...
9303. Отморожения. Общее переохлаждение. Современные принципы терапии 23.62 KB
  Лекция №22 Отморожения. Общее переохлаждение. Современные принципы терапии. Холодовая травма (криотравма) - поражение тканей в результате воздействия на организм низкой температуры окружающей среды. Делится: Местная: Острая - ч...
9304. Первичная хирургическая обработка ран. Профилактика раневой инфекции 17.91 KB
  Лекция №23 Первичная хирургическая обработка ран. Профилактика раневой инфекции. Первичная - это первое по счету вмешательство, проведенное по первичным показаниям, обусловленным характером ранения с целью профилактики раневой инфекции. Вторичн...
9305. Специфическая острая хирургическая инфекция 19.72 KB
  Лекция №24 Специфическая острая хирургическая инфекция Столбняк (tetanus - тяну, вытягиваю) - зооантропонозное бактериальное острое инфекционное заболевание с контактным механизмом передачи возбудителя, характеризующееся поражением нервной...
9306. ВИЧ-инфекция в хирургии (хирургические маски СПИДа) 19.43 KB
  Лекция №26 ВИЧ-инфекция в хирургии (хирургические маски СПИДа) ВИЧ-инфекция - вирусная антропонозная инфекция, характеризующаяся медленным течением с прогрессирующим развитием иммунодефицита, приводящая к летальному исходу в результате присоеди...
9307. Перитонит. Проблемы и современные принципы лечения 20.48 KB
  Лекция №27 Перитонит. Проблемы и современные принципы лечения. Патогенез перитонита: Инвазия бактерий Снижение потребления кислорода клетками Высвобождение токсинов Воспалительный отек брюшины Тахикардия Аутовенозное шунтирование в легких Нарушение ...