32721

Вивчення універсального вимірювача Е7-11 при вимірюваннях індуктивності, ємності, опору, тангенса кута втрат й добротності елементів

Лабораторная работа

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Вивчення універсального вимірювача Е7-11 при вимірюваннях індуктивності, ємності, опору, тангенса кута втрат й добротності елементів.

Украинкский

2014-03-07

404.5 KB

0 чел.

4Міністерство освіти й науки Украни

Національний технічний університет України

«Київський політехнічний інститут»

Факультет електроніки

Кафедра конструювання електро-обчислювальної апаратури

Лабораторна робота №5

з метрології

на тему:

«Вивчення універсального вимірювача Е7-11 при вимірюваннях індуктивності, ємності, опору, тангенса кута втрат й добротності елементів»

Виконали:

студенти І курсу

групи ДК-81

Бєлоус Дмитро Ігорович
Гапчич Владислав Ігорович

Охтін Денис Володимирович

2008 р.

Лабораторна робота №5

Тема: Вивчення універсального вимірювача Е7-11 при вимірюваннях індуктивності, ємності, опору, тангенса кута втрат й добротності елементів.

Мета: Навчитись вимірювати індуктивність, ємність, опір, тангенса кута втрат й добротність елементів універсальним вимірювачем Е7-11.

В роботі вивчається вимірювач L, С, R, універсальний типу Е7-11, що функціонує на основі аналізу параметрів мостових схем.

Хід роботи:

  1.  Ознайомились зі структурною схемою, призначенням та технічними показниками приладу Е7-11
  2.  Вивчили призначення й розташування органів керування на передній панелі приладу.
  3.  Ознайомитися з принципами виміру, покладеними в основу роботи приладу, при вимірюваннях параметрів L, С, R (схеми виміру мостів заманювати та представити у звіті по роботі).
  4.   Виконати вимірювання параметрів L, С, R для елементів, виданих керівником.

  1.  Вимірювання опору:

 

 

Визначили опір 2 резисторів:

Е7-11

Теоретичне значення

σ

385 КОм

390 КОм

1,28%

9,94 Ом

10 Ом

0,6%

  1.  Схема мосту для вимірювання ємності і тангенса кута втрати.

Е7-11

Теоретичне значення

σ

461 пФ

470 пФ

1,91 %

4,9 мкФ

4,7 мкФ

4,25 %

188 нФ

180 нФ

4,44 %

  1.  Схема мосту для вимірювання індуктивності.

Е7-11

Теоретичне значення

σ

2,1 мГн

2,05 мГн

2,43 %

Висновок:

В цій роботі ми вивчили універсальний вимірювач Е7-11, ознайомились з його будовою, навчились виміряти індуктивність ємність, опір, тангенс кута втрат й добротність елементів. Виміряли ємність, опір та індуктивність, розрахували похибки, вони вийшли досить малими, що свідчить про точність вимірювань. Результати вимірювань записали в ході роботи.

2

Лист

Дата

№ докум.

Лист

Макаренко

3

Лист

Дата

№ докум.

Лист

Макаренко

2

Лист

Дата

№ докум.

Лист

Макаренко

6

Лист

Дата

№ докум.

Лист

Макаренко

5

Лист

Дата

№ докум.

Лист

Макаренко

4

Лист

Дата

№ докум.

Лист

Макаренко

6

Лист

Дата

№ докум.

Лист

Макаренко


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

19853. Требования к приготовлению образцов для ПЭМ. Препарирование порошковых материалов. Ультромикротомирование 934 KB
  Лекция 18 Требования к приготовлению образцов для ПЭМ. Препарирование порошковых материалов. Ультромикротомирование. Химическая и электрохимическая полировка. Метод ионнолучевого утонения. Весь процесс электронномикроскопических исследований условно можно разбит...
19854. Принцип работы сканирующих зондовых микроскопов. Пьезокерамические сканеры. Процесс сканирования поверхности в СЗМ 659.5 KB
  Лекция 19 Принцип работы сканирующих зондовых микроскопов. Пьезокерамические сканеры. Процесс сканирования поверхности в СЗМ. Визуализация информации получаемой с помощью СЗМ. Для исследования микрорельефа поверхности и ее локальных физических свойств в последнее д...
19855. Принцип работы сканирующего туннельного микроскопа (СТМ). Получение изображения поверхности в режиме постоянного туннельного тока и в режиме метода постоянной высоты 417.5 KB
  Лекция 20 Принцип работы сканирующего туннельного микроскопа СТМ. Получение изображения поверхности в режиме постоянного туннельного тока и в режиме метода постоянной высоты. Модуляционная методика определения локальной работы выхода. Измерение вольтамперных харак
19856. Принцип действия атомно-силового микроскопа (АСМ). Схема реализации обратной связи в АСМ 878.5 KB
  Лекция 21 Принцип действия атомносилового микроскопа АСМ. Схема реализации обратной связи в АСМ. Параметры кантилеверов в АСМ. Контактные и бесконтактные методики измерения. Атомносиловой микроскоп АСМ был изобретён в 1986 году Гердом Биннигом Кэлвином Куэйтом и Кри...
19857. Принцип действия магнитно-силового микроскопа (МСМ). Квазистатические методики в МСМ 1.67 MB
  Лекция 22 Принцип действия магнитносилового микроскопа МСМ. Квазистатические методики в МСМ. Колебательные методики в МСМ. Магнитносиловой микроскоп МСМ был изобретен И. Мартином и К. Викрамасингхом в 1987 г. для исследования локальных магнитных свойств образцов. Дан...
19858. Принцип действия растрового электронного микроскопа. Схема РЭМ. Понятие увеличения в РЭМ 137.5 KB
  Лекция 23 Принцип действия растрового электронного микроскопа. Схема РЭМ. Понятие увеличения в РЭМ. Детектор электронов. Растровый электронный микроскоп РЭМ является одним из наиболее распространенных аналитических приборов используемых как в исследовательских ла
19859. Понятие контраста в растровом электронном микроскопе. Определение предельного разрешения РЭМ. Формирование топографического контраста в РЭМ 553 KB
  Лекция 24 Понятие контраста в растровом электронном микроскопе. Определение предельного разрешения РЭМ. Формирование топографического контраста в РЭМ. Для того чтобы на экране ЭЛТ можно было наблюдать картину отображения образца необходимо чтобы интенсивность свеч
19860. Физические основы рентгеновского микроанализа. Количественный рентгеновский микроанализ с использованием метода трех поправок 604 KB
  Лекция 25 Физические основы рентгеновского микроанализа. Количественный рентгеновский микроанализ с использованием метода трех поправок. Как было отмечено ранее при взаимодействии электронного пучка с образцом генерируется характеристическое рентгеновское излуче...
19861. Физические основы метода Оже-электронной спектроскопии. Необходимое оборудование. Модуляционная методика в Оже-электронной спектроскопии 189 KB
  Лекция 26 Физические основы метода Ожеэлектронной спектроскопии. Необходимое оборудование. Модуляционная методика в Ожеэлектронной спектроскопии. В прошлом семестре был подробно рассмотрен процесс Ожеэлектронной эмиссии. Кратко напомним схему образования Ожеэле