33688

Проверка показаний на месте

Доклад

Государство и право, юриспруденция и процессуальное право

Сущность данного действия заключается в воспроизведении лицом дающим показания на месте обстановки и обстоятельств исследуемого события указывании на предметы документы следы имеющие значение для расследуемого уголовного дела. Необходимость в проверке показаний на месте возникает тогда когда в показаниях допрошенного лица есть данные о месте события или о маршруте но следователь не смог установить точное местонахождение. Проверку показаний на месте можно проводить когда в показаниях допрашиваемого содержатся сведения о местонахождении...

Русский

2013-09-06

12.14 KB

0 чел.

Проверка показаний на месте - это следственное действие, предусмотренное ст. 194 УПК. Сущность данного действия заключается в воспроизведении лицом, дающим показания на месте, обстановки и обстоятельств исследуемого события, указывании на предметы, документы, следы, имеющие значение для расследуемого уголовного дела.

Необходимость в проверке показаний на месте возникает тогда, когда в показаниях допрошенного лица есть данные о месте события или о маршруте, но следователь не смог установить точное местонахождение. Проверку показаний на месте можно проводить, когда в показаниях допрашиваемого содержатся сведения о местонахождении следов преступления и иных доказательств, Важно отметить, что одним из условий проведения проверки показаний на месте является добровольное согласие лица. Поэтому в ходе допроса необходимо выяснить, может ли он и желает ли рассказать там о совершенных действиях.

Перед прибытием на место следователь должен допросить обвиняемого (подозреваемого) или свидетеля (потерпевшего) относительно всех обстоятельств дела, имеющих непосредственное отношение к расследуемому делу. Необходимо уточнить маршрут движения допрашиваемого к месту, подготовить технические средства, которые могут понадобиться при проведении этого следственного действия. Следователь должен распределить обязанности между участниками следственно-оперативной группы и определить подходящее время для проведения данного следственного действия. В законе предусмотрено обязательное присутствие понятых.

По прибытии на место следователь предлагает лицу указать место, где его показания будут проверяться. Рекомендуется, что свидетель и обвиняемый должны идти к установленному месту впереди всей группы участников. Следователь не может вмешиваться в действия лица. Вначале следователь предлагает лицу рассказать все, что известно ему по данному делу, и воспроизвести аналогичные действия. После этого следователь может задавать вопросы для уточнения отдельных моментов.

Эффективность проверки показаний на месте обеспечивается одновременным сочетанием пояснений допрашиваемого и его действий. После того как обвиняемый (подозреваемый) или свидетель указали на место, следователь должен внимательно осмотреть его и при обнаружении предметов, имеющих значение для расследуемого дела, приобщить их к делу в качестве вещественных доказательств. Часто следователи ограничиваются рассказом проверяемого лица и не проводят там никакого осмотра, что приводит к утрате возможной доказательственной информации. Следует помнить о принципах проведения следственных действий, в том числе о требованиях объективности и полноты.

В ходе проведения проверки показаний на месте важно вести постоянное наблюдение за состоянием и поведением лица, чьи показания проверяются.

Результатом проведения проверки показаний на месте может быть получение новых обстоятельств дела, показаний, способных изменить ход всего расследования и вызвать новые версии об исследуемом событии.

Основным средством фиксации хода данного следственного действия является протокол. Рекомендовано фиксировать весь маршрут движения при помощи видеозаписи либо фотосъемки.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

69007. Параметри біполярного транзистора 364.5 KB
  Для оцінки можливостей застосування транзисторів використовують їх параметри. Параметри транзисторів це числа. Числені значення параметри можуть бути виміряні знайдені за статичними характеристиками або розраховані.
69008. Електронні структури з p-n одним переходом 297 KB
  Для отримання великої площі р n переходу використовують сплавну дифузійну і планарну технологію для малої площі точкову. Ємності р n переходу. Варікапи Поняття ємності переходу повязане з нагромадженням обємних зарядів. S площа переходу Рис.
69009. Відомості про електронні прилади апаратури телекомунікацій. Класифікація електронних приладів 113 KB
  До елементів РЕА які найчастіше зустрічаються відносять радіодеталі. Розглянемо основні показники якості електронних елементів. Параметри це величини які характеризують електричні властивості елементів та їх здатність протистояти дії середовища.
69010. Біполярні напівпровідникові структури з одним п/н переходом 211.5 KB
  Сили притягання протонів ядра атома та електронів орбіти урівноважуються силами їх відштовхування. Отже для існування ковалентного зв’язку необхідна пара валентних електронів спільних для двох сусідніх атомів. Однак енергетичні зовнішні впливи на н п призводять до відриву деяких валентних...
69011. Организация строительства жилого дома со встроенными помещениями на Московском проспекте 1.54 MB
  Разработка технологических карт на сложные виды работ, а именно монолитные работы и работы по устройству вентилируемого фасада здания; разработка календарного плана строительства дома на основе расчета нескольких вариантов организации строительства, их сравнения и выбора наилучшего; проектирование строительного генерального плана объекта; разработка комплекса мероприятий по безопасному производству работ...
69014. Високочастотні властивості p-n структур 188.5 KB
  Таким чином при прямій напрузі електрони переходять із однієї області у іншу без витрат енергії утворюючи струм. В цьому випадку навпроти заповнених рівнів pобласті знаходяться заповнені рівні nобласті і електрони здійснюють тунельні переходи з ВЗ pн п в ЗП nн п в обох напрямках і сумарний...
69015. Р-п структури різного призначення. Випрямні властивості р-n переходу 267 KB
  Їх виготовляють за сплавною або дифузійною технологією. Конструкції малопотужних сплавних і дифузійних діодів однакові. До кристалу з р-n переходом припаюють виводи і розміщують у корпусі на кристалодержаку. Вивід емітера ізольований від корпусу, вивід бази зв’язують з корпусом...