3418

Движение свободной частицы

Контрольная

Физика

Движение свободной частицы. Для свободной частицы U(x) = 0 (пусть она движется вдоль оси x ). Решением уравнения Шредингера: будет функция, где A = const, волновое число — может принимать любые положительные значения...

Русский

2012-10-31

405.94 KB

63 чел.

Движение свободной частицы.

Для свободной частицы U(x) = 0 (пусть она движется вдоль оси x ).

Решением уравнения Шредингера:

будет функция: , где A = const , ,  -волновое число — может принимать любые положительные значения,   — непрерывный спектр энергий.

Таким образом, свободная квантовая частица описывается плоской монохроматической волной де Бройля. Этому соответствует не зависящая от времени плотность вероятности обнаружения частицы в данной точке пространства, т.е. все положения свободной частицы в пространстве являются равновероятными.

Частица в одномерной прямоугольной "потенциальной яме" с бесконечно высокими "стенками".

Рассмотрим одномерную "потенциальную яму":

где l — ширина "ямы", а энергия отсчитывается от ее дна.

Уравнение Шредингера для стационарных состояний в пределах ямы:

                или         где

За пределы "ямы" частица не проникает, поэтому волновая функция вне "ямы" равна нулю, следовательно, на границах "ямы" непрерывная волновая функция также должна обращаться в нуль:

ψ (0) =ψ (l) = 0

Этим граничным условиям удовлетворяет решение уравнения Шредингера

ψ (x) = Asin kx + Bcoskx при B = 0 и .

Поскольку , то  (n = 1,2,3,…)- собственные значения энергии.

При этом минимально возможное значение энергии: .

Таким образом, энергия частицы в бесконечно высокой потенциальной "яме" принимает лишь определенные дискретные значения, т.е. квантуется.

Квантованные значения энергии  называются уровнями энергии, а число n, определяющее энергетические уровни частицы называется главным квантовым числом. 

Собственные волновые функции , с учётом нормировки    будут иметь вид:

 

На рисунке изображены графики собственных функций (а) и плотность вероятности (б) обнаружения частицы на разных расстояниях от "стенок" ямы, определяемая выражением:

Прохождение частицы через потенциальный барьер. Туннельный эффект.

Рассмотрим простейший потенциальный барьер прямоугольной формы (высота U и ширина l) для одномерного движения частицы:

Вид волновых функций, являющихся решениями уравнения Шредингера для областей 1, 2 и 3 (см. рисунок и таблицу) свидетельствует о том, что:

1) В области 1 волновая функция представляет собой сумму двух плоских волн — движущейся в сторону барьера и отраженной от барьера.

2) В области 2 в случае E <U :

q = iβ , где

3) В области 3 имеется только волна, прошедшая через барьер(= 0) , которая имеет вид волн де Бройля с той же длиной волны, но меньшей амплитудой.

Здесь

Таким образом, квантовая механика приводит к принципиально новому специфическому квантовому явлению, получившему название туннельного эффекта, в результате которого микрообъект может "пройти" сквозь потенциальный барьер.

Для описания туннельного эффекта используют понятие коэффициента прозрачности D потенциального барьера, определяемого как отношение квадратов модулей прошедшей и падающей волны. Для случая прямоугольного потенциального барьера

Для потенциального барьера произвольной формы

Прохождение частицы сквозь область, в которую, согласно законам классической механики, она не может проникнуть, можно пояснить соотношением неопределенностей. Неопределенность импульса Δp на отрезке Δx = l составляет  Связанная с этим разбросом в значениях импульса кинетическая энергия  может оказаться достаточной для того, чтобы полная энергия частицы оказалась больше потенциальной.

Линейный гармонический осциллятор в квантовой механике.

Линейный гармонический осциллятор — система, совершающая одномерное движение под действием квазиупругой силы, является моделью, которая часто используется при описании классических и квантовых систем.

Пружинный, физический и математический маятники — примеры классических гармонических осцилляторов.

Потенциальная энергия гармонического осциллятора равна:

где  — собственная частота колебаний осциллятора, m — масса частицы.

Классический осциллятор не может выйти за пределы "потенциальной ямы" с координатами

Уравнение Шредингера для стационарных состояний квантового осциллятора:

где E — полная энергия осциллятора.

Собственные значения энергии для этого уравнения:

Таким образом, энергия квантового осциллятора квантуется (может иметь лишь дискретные значения). Уровни энергии расположены на одинаковых расстояниях, равных .

Минимальная энергия   называется энергией нулевых колебаний.

Существование энергии нулевых колебаний — типично квантовый эффект — прямое следствие соотношения неопределенностей.

Частица в яме любой формы не может находиться на ее дне, поскольку в нуль обращается импульс частицы и его неопределенность, а неопределенность координаты становится бесконечной, что противоречит, в свою очередь, условию пребывания частицы в "потенциальной яме".

Правилами отбора в квантовой механике называются условия, накладываемые на изменения квантовых чисел.

Для гармонического осциллятора возможны лишь переходы между соседними подуровнями, т.е. переходы, удовлетворяющие правилу отбора:   

Δn = ±1

Следовательно, энергия гармонического осциллятора может изменяться только порциями hω и гармонический осциллятор испускает и поглощает энергию квантами.

Квантово-механическое решение задачи о квантовом осцилляторе показывает, что имеется отличная от нуля вероятность обнаружить частицу за пределами области

На рисунке приведена квантовая плотность вероятности обнаружения осциллятора при n =1, имеющая конечные значения для .

Атом водорода в квантовой механике.

На примере водородоподобных атомов — простейших атомов, содержащих единственный внешний электрон, — рассмотрим основы систематики квантовых состояний атомов. Поле водородоподобного атома — это пример центрального поля. В таком поле удобно использовать сферическую систему координат: r , θ , φ .

Потенциальная энергия кулоновского взаимодействия электрона с атомным ядром, обладающим зарядом Ze (для атома водорода Z =1)

где r — расстояние между электроном и ядром.

Стационарное уравнение Шредингера

только при собственных значениях энергии

(т.е. для дискретного набора отрицательных энергий (квантование энергии)) имеет решения, удовлетворяющие требованиям однозначности, конечности и непрерывности волновой функции ψ (r,θ ,φ )

Выражение для En совпадает с полученным в теории атома Бора.

Нижайший уровень E1 — основной, все остальные — возбужденные.

При E < 0 движение электрона — связанное, при E > 0 — свободное (атом ионизуется).

Энергия E = =0 достигается при n = ∞ .

Энергия ионизации атома водород:

Собственные волновые функции определяются тремя квантовыми числами: главным n , орбитальным l и магнитным m.

Квантовые числа.

Главное квантовое число n определяет энергетические уровни электрона в атоме:

n =1, 2, 3,…

Орбитальное квантовое число l при заданном n принимает значения:

l = 0,1, 2,K, (n −1)

и определяет величину момента импульса (механический орбитальный момент) электрона в атоме:

Магнитное квантовое число m при данном l принимает значения:

m = 0, ±1, ± 2,K, ± l

и определяет величину момента импульса электрона в заданном направлении. Так орбитальный момент импульса электрона  может иметь лишь такие ориентации в пространстве, при которых проекция вектора на направление внешнего магнитного поля принимает только квантованные значения, кратные h (пространственное квантование):

Таким образом, вектор    может принимать 2l +1 ориентаций в пространстве. На рисунке приведены возможные ориентации векторов   для электронов с l =1 (а) и l = 2 (б).

Соответственно, в магнитном поле уровень с главным квантовым числом n расщепляется на 2l +1 подуровней — эффект Зеемана.

Расщепление уровней энергии во внешнем электрическом поле называется эффектом Штарка.

В квантовой механике квадрат модуля волновой функции определяет

вероятность обнаружения электрона в единице объема. Вероятность обнаружения электрона в разных частях атома различна. Электрон при своем движении как бы "размазан" по всему объему, образуя электронное облако, плотность (густота) которого характеризует вероятность нахождения электрона в различных точках объема атома.

Квантовые числа n и l характеризуют размер и форму электронного  облака, а квантовое число m характеризует ориентацию электронного облака в пространстве. В атомной физике, по аналогии со спектроскопией, состояние электрона, характеризующееся квантовым числом l = 0, называется s −состоянием (электрон в этом состоянии называется s -электроном), l =1 — p -состоянием, l = 2 — d -состоянием, l = 3 — f -состоянием и т.д.

На рисунке показаны графические изображения (полярные диаграммы) плотностей вероятности для s -, p -, d - и f -электронов и соответствующее каждому случаю пространственное квантование — такая ориентация боровских орбит, при которой проекция момента импульса имеет соответствующее значение (например, ± 2h для l = 2 , m = 2 ).

Спин электрона.

Электрон обладает собственным неуничтожимым механическим моментом импульса, не связанным с движением электрона в пространстве, — спином.

Спин был обнаружен в экспериментах Штерна и Герлаха при прохождении узкого пучка атомов водорода, находящихся в s -состоянии через сильное неоднородное магнитное поле. В этом состоянии l = 0, момент импульса   и магнитное поле не должно было влиять на движение атомов. Однако пучок атомов расщеплялся на два пучка, следовательно, было обнаружено пространственное квантование механического момента, не связанного с орбитальным движением электрона. Часто спин электрона наглядно представляют, как момент импульса, связанный с вращением электрона — твердого шарика — вокруг своей оси, но такая модель приводит к абсурдному результату — линейная скорость на поверхности электрона в 200 раз превышает скорость света.

Поэтому следует рассматривать спин электрона (и всех других микрочастиц) как внутреннее неотъемлемое квантовое свойство микрочастицы: подобно тому как частицы имеют массу, а заряженные частицы — заряд, они имеют еще и спин.

Спин  как механический момент, квантуется по закону:

где s спиновое квантовое число. Проекция  спина квантуется так, что вектор  может принимать ориентаций. Так как опыты Штерна и Герлаха обнаружили только две ориентации спина, то 2s +1= 2 , откуда  

Проекция , где — магнитное спиновое квантовое число, которое может иметь только два значения:

Таким образом, состояние электрона в атоме определяется набором четырех квантовых чисел:

главного n (n =1, 2, 3,K)

орбитального l (l = 0,1, 2,K, n −1)

магнитного m (m = −l,K, −1, 0, +1,K, + l)

магнитного спинового  

Принцип неразличимости тождественных частиц. Фермионы и бозоны.

В квантовой физике частицы, имеющие одинаковые физические свойства — массу, электрический заряд, спин и т.д. являются тождественными.

Принцип неразличимости тождественных частиц: тождественные частицы экспериментально различить невозможно.

Этот фундаментальный (основополагающий) принцип квантовой физики не имеет аналога в классической физике. В классической механике одинаковые частицы можно различить по положению в пространстве и отследить их траекторию. В квантовой механике, поскольку понятие траектории лишено смысла, то частицы полностью теряют свою индивидуальность и становятся неразличимыми.

Математическая запись принципа неразличимости:

где  — соответственно совокупность пространственных и спиновых координат первой и второй частиц. Возможны два случая:

   и    

В первом случае волновая функция системы при перемене частиц местами не меняет знака; такая функция называется симметричной.

Во втором случае при перемене частиц местами знак волновой функции изменяется; такая функция называется антисимметричной.

При этом характер симметрии не меняется со временем, т.о. свойство симметрии или антисимметрии — признак данного типа частицы.

Симметрия волновых функций определяется спином частиц.

Частицы с полуцелым спином (например, электроны, протоны, нейтроны) описываются антисимметричными волновыми функциями и подчиняются статистике Ферми–Дирака: эти частицы называются фермионами.

Частицы с нулевым или целочисленным спином (например, π -мезоны, фотоны) описываются симметричными волновыми функциями и подчиняются статистике Бозе–Эйнштейна; эти частицы называются бозонами.

Понятия о квантовой статистике Бозе–Эйнштейна и Ферми-Дирака.

Аналогично классическим статистическим методам, применяемым в молекулярной физике для исследования большого числа подобных объектов (атомов, молекул), для квантовых систем, состоящих из огромного числа неразличимых тождественных квантовых частиц, подчиняющихся законам квантовой механики, применяются методы квантовой статистики.

Напомним, что в молекулярной физике классических систем распределение частиц идеального газа по энергиям во внешнем потенциальном поле W при заданной температуре T описывается распределением Больцмана:

   где k — постоянная Больцмана.

В квантовой статистике также используется модель идеального газа квазичастиц, причем основной характеристикой данного квантового состояния с данным набором i квантовых чисел, является число заполнения указывающее степень заполнения данного квантового состояния частицами системы, состоящей из множества тождественных частиц. Для систем частиц, образованных бозонами, числа заполнения могут принимать любые целые значения: 0,1, 2,K. Для систем частиц, образованных фермионами, числа заполнения могут принимать лишь два значения: 0 для свободных состояний и 1 для занятых. Сумма всех чисел заполнения должна быть равна числу частиц системы. Квантовая статистика позволяет подсчитать среднее число частиц в данном квантовом состоянии, т.е. определить средние числа заполнения .

Идеальный газ из бозонов бозе-газ — описывается квантовой статистикой Бозе–Эйнштейна.

Распределение Бозе–Эйнштейна — закон, выражающий распределение частиц по энергетическим состояниям в бозе-газе: при статистическом равновесии и отсутствии взаимодействия среднее число частиц в i -м состоянии с энергией  равно:

где k — постоянная Больцмана, T — термодинамическая (абсолютная) температура, μ — химический потенциал термодинамическая функция состояния, определяющая изменение внутренней энергии (и, вообще говоря, других термодинамических потенциалов) системы при изменении числа частиц в системе, при условии, что все остальные величины, от которых зависит внутренняя энергия (энтропия, объем, и т.д.), фиксированы. Химический потенциал необходим для описания свойств открытых систем (систем с переменным числом частиц).

Идеальный газ из фермионов ферми-газ — описывается квантовой статистикой Ферми–Дирака.

Распределение Ферми–Дирака — закон, выражающий распределение частиц по энергетическим состояниям в ферми-газе: при статистическом равновесии и отсутствии взаимодействия среднее число частиц в i -м состоянии с энергией  равно:

При высоких температурах, когда exp(( − μ) / kT)>>1, оба распределения Бозе–Эйнштейна и Ферми–Дирака переходят в классическое распределение Максвелла–Больцмана:

, где  

Принцип Паули.

Системы электронов (фермионов) встречаются в природе только в состояниях, описываемых антисимметричными волновыми функциями.

Отсюда следует, что два одинаковых электрона (фермиона), входящих в одну систему, не могут находиться в одинаковых состояниях (иначе при перестановке волновая функция была бы четной).

(Отметим: в одинаковом состоянии может находиться любое число бозонов.)

Другая формулировка принципа Паули: в одном и том же атоме не может быть более одного электрона с одинаковым набором четырех квантовых чисел n, l, m,  .

Распределение электронов в атоме по состояниям.

Совокупность электронов в многоэлектронном атоме, имеющих одно и то же главное квантовое число n , называется электронной оболочкой.

Максимальное число электронов, находящихся в состояниях определяемых данным главным квантовым числом, равно:

В каждой из оболочек электроны распределяются по подоболочкам, соответствующим данному l.

Поскольку l принимает значение от 0 до n −1, то число подоболочек равно порядковому номеру n оболочки.

Количество электронов в подоболочке определяется квантовыми числами  и : максимальное число электронов в подоболочке с данным l равно: 2(2l +1) .

Обозначения оболочек, а также распределение электронов по оболочкам и подоболочкам представлены в таблице.

Принцип Паули, лежащий в основе систематики заполнения электронных состояний в атомах, объясняет периодическую систему элементов Д.И.Менделеева повторяемостью в структуре внешних оболочек у атомов родственных элементов.

Рентгеновские спектры.

Самым распространенным источником рентгеновского излучения

является рентгеновская трубка, в которой вылетающие с катода K электроны бомбардируют анод A (антикатод), изготовленный из тяжелых металлов (W, Cu, Pt и т.д.).

Рентгеновское излучение, исходящее из анода, состоит из сплошного спектра тормозного излучения, возникающего при торможении электронов в аноде, и линейчатого спектра характеристического излучения, определяемого материалом анода.

Тормозное излучение имеет коротковолновую границу  называемую границей сплошного спектра, которая соответствует ситуации, при которой вся энергия электрона переходит в энергию рентгеновского кванта

где U — разность потенциалов между анодом и катодом. 

Граничная длина волны:

не зависит от материала анода, а определяется только напряжением на трубке.

Линии характеристического излучения возникают в результате переходов электронов во внутренних оболочках атомов, которые имеют сходное строение у всех элементов. Поэтому спектры характеристического излучения разных элементов имеют сходный характер, они состоят из нескольких серий, обозначаемых K , L , M , N и O.

Каждая серия, в свою очередь, содержит небольшой набор отдельных линий, обозначаемых в порядке убывания длины волны индексами α , β , γ , … При возбуждении электроном (или фотоном) из атома удаляется один из внутренних электронов, например, из K -слоя.

Освободившееся место может быть занято электроном из какого-либо внешнего слоя ( L , M , N и т.д. — при этом возникает K -серия).

Закон, связывающий частоты линий с атомным номером Z испускающего их элемента, называется законом Мозли:

где R — постоянная Ридберга,

m =1,2,3,K определяет рентгеновскую серию (L,M,N,K), n принимает целочисленные значения начиная с m +1 (определяет отдельную линию α,β,γ ,K соответствующей серии), σ — постоянная экранирования, учитывающая экранирование данного электрона от атомного ядра другими электронами атома.  Закон Мозли обычно выражают формулой    (C и σ — константы).

Молекулярные спектры.

Молекула — это наименьшая частица вещества, состоящая из одинаковых или различных атомов, соединенных между собой химическими связями, и являющаяся носителем его основных химических свойств.

Химические связи обусловлены взаимодействием внешних (валентных) электронов атомов. Наиболее часто в молекулах встречаются два типа связи:

1) Ионная связь осуществляется кулоновским притяжением атомов при переходе электрона от одного атома к другому (например, в молекуле : … )

2) Ковалентная связь осуществляется при обобществлении валентных электронов двумя соседними атомами (вследствие неразличимости тождественных частиц). Наглядно можно представить себе, что электрон каждого атома молекулы проводит некоторое время у ядра другого атома (обмен электронами). Такое специфически квантовое взаимодействие называется обменным взаимодействием.

Молекула является квантовой системой; она описывается уравнением Шредингера, учитывающим движение электронов в молекуле, колебания атомов в молекуле, вращение молекулы. Решение этого уравнения — очень сложная задача, которая (учитывая огромное различие в массах электронов и ядер) обычно разбивается на две: для электронов и ядер.

Энергию изолированной молекулы можно представить в виде суммы

где  энергия движения электронов относительно ядер, — энергия колебаний ядер, — энергия вращения ядер. Соотношение между ними:

где m— масса электрона, M — величина, имеющая порядок массы ядер атомов в молекуле.    Поэтому .

Масштаб энергий: Eэл ≈110 эВ, , эВ.

Каждая из энергий квантуется и определяется квантовыми числами.

Колебательная энергия, при небольших значениях колебательного квантового числа υ, определяется формулой для энергии гармонического осциллятора:

  (v=0,1,2,…)

При этом правило отбора для колебательного квантового числа: Δυ = ±1.

Вращательная энергия молекулы, вращающейся с угловой скоростью ωr , и имеющей момент инерции I относительно оси, проходящей через центр ее инерции, равна:

где M = I— момент импульса молекулы.

Момент импульса квантуется по закону:

где j вращательное квантовое число.

Следовательно, вращательная энергия молекулы может иметь только квантованные значения:

Правило отбора для вращательного квантового числа: Δj = ±1.

При переходе из одного энергетического состояния в другое, с учетом правил отбора, поглощается или испускается фотон с энергией ΔE = hν . На рисунке представлена схема уровней энергии двухатомной молекулы (для примера представлены только два электронных уровня: основное электронное состояние и первое возбужденное электронное состояние).

Типичные молекулярные спектры представляют собой совокупность полос (полосатые спектры), которые в свою очередь состоят из огромного числа настолько тесно расположенных линий — переходов между энергетическими уровнями, что их можно разделить, только используя спектральные приборы высокой разрешающей силы.

Комбинационное рассеяние света (эффект Рамана).

Если на вещество (газ, жидкость, прозрачный кристалл) падает строго монохроматический свет с частотой   , то в спектре рассеянного света наряду с частотой  источника излучения наблюдаются дополнительные линии с частотами ν =±, где — частоты колебательных или вращательных переходов рассеивающих молекул.

Линии в спектре комбинационного рассеяния с частотами ν = − , меньшими частоты падающего света, называются стоксовыми (или красными) спутниками.

Линии с частотами ν = +, бóльшими  , называются антистоксовыми (или фиолетовыми) спутниками.

Квантовомеханическое объяснение эффекта Рамана: комбинационное рассеяние света есть процесс неупругого "столкновения" фотонов с молекулами, в котором один фотон поглощается и один фотон испускается молекулой.

Если энергии фотонов одинаковы, то в рассеянном свете наблюдается несмещенная линия.

Если молекула под действием света перейдет в возбужденное состояние, то испущенный фотон будет иметь меньшую частоту — возникает стоксов (красный) спутник.

Если молекула перейдет из возбужденного состояния в основное, то испущенный фотон будет иметь бóльшую частоту — возникает антистоксов (фиолетовый) спутник. Интенсивность фиолетовых спутников растет с температурой, а красных практически не изменяется.

Поглощение. Спонтанное и вынужденное излучение.

Рассмотрим два квантовых состояния с энергиями  и  

1. Поглощение. Если атом находится в основном состоянии 1, то под действием внешнего излучения может осуществиться вынужденный переход в возбужденное состояние 2, приводящий к поглощению излучения.

2. Спонтанное излучение. Атом, находясь в возбужденном состоянии 2, может спонтанно (без внешних воздействий) перейти в основное состояние, испуская при этом фотон с энергией hν =  −  . Процесс испускания фотона возбужденным атомом без внешних воздействий называется спонтанным излучением. Чем больше вероятность спонтанных переходов, тем меньше среднее время жизни атома в возбужденном состоянии. Так как спонтанные переходы взаимно не связаны, то спонтанное излучение некогерентно.

3. Вынужденное излучение. А. Эйнштейн для объяснения наблюдавшегося на опыте термодинамического равновесия между веществом и испускаемым и поглощаемым им излучением постулировал, что помимо поглощения и спонтанного излучения должен существовать третий, качественно иной тип взаимодействия. Если на атом, находящийся в возбужденном состоянии 2, действует внешнее излучение с частотой, удовлетворяющей условию hν =  −  , то возникает вынужденный (индуцированный) переход в основное состояние 1 с излучением фотона той же энергии hν =  −  дополнительно к тому фотону, под действием которого произошел переход. Таким образом, в процесс вынужденного излучения вовлечены два фотона: первичный фотон, вызывающий (стимулирующий) испускание излучения возбужденным атомом, и вторичный фотон, испущенный атомом.

Вынужденное излучение (вторичные фотоны) тождественно вынуждающему (первичным фотонам): оно имеет такую же частоту, фазу, поляризацию, направление распространения.

Следовательно, вынужденное излучение строго когерентно с вынуждающим излучением, т.е. испущенный фотон неотличим от фотона, падающего на атом.

Испущенные фотоны, двигаясь в одном направлении и встречая возбужденные атомы, стимулируют вынужденные переходы: происходит размножение фотонов.

Для того чтобы происходило усиление излучения, необходимо, чтобы интенсивность вынужденного излучения превышала интенсивность поглощения фотонов. А для этого необходимо, чтобы заселенность возбужденного состояния (число атомов в возбужденном состоянии) была больше, чем заселенность основного состояния (число атомов в основном состоянии). Такое термодинамически неравновесное состояние называется состоянием с инверсией населенностей.

Процесс перевода системы в состояние с инверсией населенностей называется накачкой (осуществляется оптическими, электрическими и другими способами).

Инверсная среда, в которой происходит усиление падающего на нее пучка света, называется активной. Закон Бугера I =  exp(−αx) для таких сред имеет отрицательный коэффициент поглощения.

Лазеры.

Эффект усиления излучения в активных средах используется в оптических квантовых генераторах, или лазерах (Light Amplification of Stimulated Emission of RadiationLASER).

Лазеры подразделяются:

по типу активной среды (твердотельные, газовые, полупроводниковые и жидкостные);

по методам накачки (оптические, тепловые, химические, электроионизационные и др.);

по режиму генерации (непрерывного или импульсного действия).

Первый твердотельный лазер — рубиновый (длина волны излучения 0,6943 нм) — работает по трехуровневой схеме: накачка кристалла рубина  ( с примесью (~0,03%) ) переводит атомы хрома в возбужденное короткоживущее состояние 3 (переход 13), с которого происходит безызлучательный переход в долгоживущее (метастабильное) состояние 2 — происходит "накопление" атомов хрома на уровне 2.

При достаточной мощности накачки их концентрация на уровне 2 будет гораздо больше, чем на уровне 1, т.е. возникает инверсная населенность уровня 2. (Спонтанные переходы 31 в данной системе незначительны).

Каждый фотон, случайно родившийся при спонтанном переходе 21, может породить в активной среде лавину вторичных фотонов.

Для многократного усиления лазерной генерации используется оптический резонатор — в простейшем случае — пара обращенных друг к другу параллельных (или вогнутых) зеркал на общей оптической оси, между которыми помещается активная среда (кристалл или кювета с газом). Фотоны B и C, движущиеся под углами к оси кристалла или кюветы, выходят из активной среды через боковую поверхность. Фотоны A, движущиеся вдоль оптической оси, после многократного отражения от зеркал и усиления в активной среде, выходят через полупрозрачное зеркало, создавая строго направленный световой пучок когерентных фотонов.

Свойства лазерного излучения:

1. Временная и пространственная когерентность. Время когерентности τ ~ с, что соответствует длине когерентности l = cτ ~ м, что на семь порядков выше, чем для обычных источников света.

2. Строгая монохроматичность (Δλ <).

3. Большая плотность потока энергии (характерные величины ~Вт/)

4. Очень малое угловое расхождение пучка (в раз меньше, чем у традиционных оптических осветительных систем, например у прожектора).

Элементы физики твердого тела.

Твердое кристаллическое тело рассматривается в зонной теории твердых тел как строго периодическая структура, в которой атомные ядра создают периодическое электрическое поле. Задача состоит в описании поведения электронов в этом поле.

Точное решение уравнения Шредингера для такой системы невозможно и, поэтому, используют различные упрощающие приближения, позволяющие свести задачу многих тел к одноэлектронной задаче об одном электроне, движущемся в заданном внешнем поле.

В основе зонной теории лежит так называемое адиабатическое приближение.

Квантово–механическая система разделяется на тяжелые и легкие частицы — ядра и электроны. Поскольку массы и скорости этих частиц значительно различаются, можно считать, что движение электронов происходит в поле неподвижных ядер, а медленно движущиеся ядра находятся в усредненном поле всех электронов. Принимая, что ядра в узлах кристаллической решетки неподвижны, движение электрона рассматривается в постоянном периодическом поле ядер.

Далее используется приближение самосогласованного поля. Взаимодействие данного электрона со всеми другими электронами заменяется действием на него стационарного электрического поля, обладающего периодичностью кристаллической решетки. Это поле создается усредненным в пространстве зарядом всех других электронов и всех ядер.

Таким образом, в рамках зонной теории многоэлектронная задача сводится к задаче движения одного электрона во внешнем периодическом поле — усредненном и согласованном поле всех ядер и электронов.

Рассмотрим  воображаемый процесс  объединения  N тождественных

атомов в кристалл. Пока атомы находятся на значительных расстояниях r друг от друга, они имеют тождественные схемы энергетических уровней. По мере сближения атомов волновые функции внешних электронов атомов начинают перекрываться и, вследствие принципа Паули, каждый из уровней расщепляется на N густо расположенных подуровней (расстояние между подуровнями ΔE ~ эВ), образующих полосу или разрешенную энергетическую зону (заштрихованы на рисунке). Волновые функции внутренних электронов либо совсем не перекрываются, либо перекрываются слабо, поэтому уровни внутренних электронов либо совсем не расщепляются, либо расщепляются слабо.

Разрешенные энергетические зоны разделены зонами запрещенных значений энергии, называемыми запрещенными энергетическими зонами.

В них электроны находиться не могут. Ширина зон (разрешенных и запрещенных) не зависит от размера кристалла. Разрешенные зоны тем шире, чем слабее связь валентных электронов с ядрами.

Металлы, диэлектрики и полупроводники.

В зонной теории твердого тела различия в электрических свойствах разных типов твердых тел объясняются 1) шириной запрещенных энергетических зон и 2) различным заполнением разрешенных энергетических зон.

Валентной зоной называется зона, полностью заполненная электронами.

Зоной проводимости называется зона, либо частично заполненная электронами, либо свободная.

Металлы.

а) Если самая верхняя зона, содержащая электроны, заполнена лишь частично, то энергии теплового движения электронов (kT ~ эВ) достаточно, чтобы электроны перешли на свободные уровни в зоне (стали свободными), обеспечивая проводимость металлов.

б) Если валентная зона перекрывается свободной зоной, то образуется гибридная зона, которая заполнена валентными электронами лишь частично, что также обеспечивает проводимость металлического типа.

Диэлектрики и полупроводники.

В случае диэлектрика (см. рисунок (в)) ширина ΔE запрещенной зоны несколько эВ; тепловое движение не может перебросить электроны из валентной зоны в зону проводимости. В случае полупроводника (см. рисунок (г)) ширина ΔE запрещенной зоны ~1эВ, поэтому такой переброс возможен за счет теплового возбуждения или за счет внешнего источника, способного передать электронам энергию ΔE .

30. Собственная проводимость полупроводников.

Полупроводниками являются твердые тела, которые при T = 0K имеют полностью занятую электронами валентную V зону, отделенную от зоны проводимости C сравнительно узкой запрещенной зоной. Своим названием они обязаны тому, что их проводимость меньше электропроводности металлов и больше электропроводности диэлектриков.

Различают собственные и примесные полупроводники. Собственными полупроводниками являются химически чистые полупроводники (например, Ge, Se), а их проводимость называется собственной проводимостью.

При T = 0K и отсутствии внешнего возбуждения

собственные полупроводники ведут себя как диэлектрики. При повышении температуры электроны с верхних уровней валентной зоны V могут быть переброшены на нижние уровни зоны проводимости C. При наложении на кристалл внешнего электрического поля они перемещаются против поля и создают электрический ток. Проводимость, обусловленная электронами, называется электронной проводимостью или проводимостью n-типа (negative).

В результате переходов электронов в зону проводимости, в валентной зоне возникают вакантные состояния, получившие название дырок (hole, показаны на рисунке белыми кружками). Во внешнем поле на это вакантное место может переместиться соседний валентный электрон, при этом дырка "переместится" на его место. В результате дырка, так же как и перешедший в зону проводимости электрон, будет двигаться по кристаллу, но в направлении противоположном движению электрона. Формально это выглядит так, как если бы по кристаллу двигалась частица с положительным зарядом, равным по величине заряду электрона. Проводимость собственных полупроводников, обусловленная квазичастицами — дырками, называется дырочной проводимостью или p-проводимостью (positive).

В собственных полупроводниках наблюдается, таким образом, электронно-дырочный механизм проводимости.

Примесная проводимость полупроводников.

Проводимость полупроводников, обусловленная примесями (атомы посторонних элементов), тепловыми (пустые узлы или атомы в междоузлии) и механическими (трещины, дислокации) дефектами, называется примесной проводимостью, а сами полупроводники — примесными полупроводниками.

Полупроводники называются электронными (или полупроводниками n-типа) если проводимость в них обеспечивается избыточными электронами примеси, валентность которой на единицу больше валентности основных атомов.

Например, пятивалентная примесь мышьяка (As) в

матрице четырехвалентного германия (Ge) искажает поле решетки, что приводит к появлению в запрещенной зоне энергетического уровня D валентных электронов мышьяка, называемого примесным уровнем. В данном случае этот уровень располагается от дна зоны проводимости на расстоянии  = 0,013эВ < kT, поэтому уже при обычных температурах тепловая энергия достаточна для переброски электронов с примесного уровня в зону проводимости.

Примеси, являющиеся источниками электронов называются донорами, а энергетические уровни этих примесей — донорными уровнями.

Таким образом, в полупроводниках n-типа (донорная примесь) реализуется электронный механизм проводимости.

Полупроводники называются дырочными (или полупроводниками p-типа) если проводимость в них обеспечивается дырками, вследствие введения примеси, валентность которой на единицу меньше валентности основных атомов.

Например, введение трехвалентной примеси бора (B) в матрицу четырехвалентного германия (Ge) приводит к появлению в запрещенной зоне примесного энергетического уровня A не занятого электронами. В данном случае этот уровень располагается от верхнего края валентной зоны на расстоянии  = 0,08эВ. Электроны из валентной зоны могут переходить на примесный уровень, локализуясь на атомах бора. Образовавшиеся в валентной зоне дырки становятся носителями тока.

Примеси, захватывающие электроны из валентной зоны, называются акцепторами, а энергетические уровни этих примесей — акцепторными уровнями. В полупроводниках p-типа (акцепторная примесь) реализуется дырочный механизм проводимости.

Таким образом, в отличие от собственной проводимости, примесная проводимость обусловлена носителями одного знака.

Фотопроводимость полупроводников.

Фотопроводимость полупроводников — увеличение электропроводности полупроводников под действием электромагнитного излучения — может быть связана со свойствами как основного вещества, так и содержащихся в нем примесей.

Собственная фотопроводимость. Если энергия  фотонов больше ширины запрещенной зоны (hν ≥ ΔE) , электроны могут быть переброшены из валентной зоны в зону проводимости (а), что приведет к появлению добавочных (неравновесных) электронов (в зоне проводимости) и дырок (в валентной зоне). Собственная фотопроводимость обусловлена как электронами, так и дырками.

Примесная фотопроводимость. Если полупроводник содержит примеси, то фотопроводимость может возникать  и при hν < ΔE : при донорной примеси фотон должен обладать энергией      hν ≥ Δ , при акцепторной примеси hν ≥ Δ . При поглощении света примесными центрами происходит переход электронов с донорных уровней в зону проводимости в случае полупроводника n-типа (рис.(б)) или из валентной зоны на акцепторные уровни в случае полупроводника p-типа (рис.(в)).

Примесная фотопроводимость для полупроводников n-типа — чисто электронная, для полупроводников p-типа — чисто дырочная.

Таким образом, если hν ≥ ΔE для собственных полупроводников, и hν ≥ Δ для примесных полупроводников, то в полупроводнике возбуждается фотопроводимость (здесь Δ— энергия активации примесных атомов).

Отсюда можно определить красную границу фотопроводимости – максимальную длину волны, при которой еще фотопроводимость возбуждается:    для собственных и примесных полупроводников, соответственно.

Наряду с поглощением, приводящим к появлению фотопроводимости, может иметь место поглощение света с образованием экситонов, которое  не приводит к фотопроводимости. Экситон – это квазичастица, представляющая собой связанную пару электрон–дырка, которая может свободно перемещаться в кристалле. Экситоны возбуждаются фотонами с энергиями меньшими энергии запрещенной зоны и могут быть наглядно представлены в виде модели спаренных электрона (e) и дырки (h), движущихся вокруг общего центра масс, которым не хватило энергии, чтобы оторваться друг от друга (так называемый экситон Ванье–Мотта). В целом экситон электрически нейтрален, поэтому экситонное поглощение света не приводит к увеличению фотопроводимости.

Люминесценция твердых тел.

Люминесценцией называется излучение, избыточное при данной температуре над тепловым излучением тела и имеющее длительность, бóльшую периода световых колебаний.

Вещества, способные под действием различного рода возбуждений светиться, называются люминофорами.

В зависимости от способов возбуждения различают: фотолюминесцен-цию (под действием света), рентгенолюминесценцию (под действием рентгеновского излучения), катодолюминесценцию (под действием электронов), радиолюминесценцию (при возбуждении ядерным излучением, например γ -излучением, нейтронами, протонами), хемилюминесценцию (при химических превращениях), триболюминесценцию (при растирании или раскалывании некоторых кристаллов).

По длительности свечения условно различают: флуоресценцию(t ≤с) и фосфоресценцию — свечение, продолжающееся заметный промежуток времени после прекращения возбуждения.

Уже в первых количественных исследованиях люминесценции было сформулировано правило Стокса: длина волны люминесцентного излучения всегда больше длины волны света, возбудившего его.

Твердые тела, представляющие собой эффективно люминесцирующие искусственно приготовленные кристаллы с чужеродными примесями, получили название кристаллофосфоров.

На примере кристаллофосфоров рассмотрим механизмы возникновения фосфоресценции с точки зрения зонной теории твердых тел. Между валентной зоной и зоной проводимости кристаллофосфора располагаются примесные уровни активатора A. Для возникновения длительного свечения кристаллофосфор должен содержать центры захвата, или ловушки для электронов (, ). Длительность процесса миграции электрона до момента рекомбинации его с ионом активатора определяется временем пребывания электронов в ловушках.

Контакт электронного и дырочного полупроводников (p-n-переход).

Граница соприкосновения двух полупроводников, один из которых имеет электронную, а другой — дырочную проводимость, называется электронно-дырочным переходом (или p-n-переходом).

p-n-Переход обычно создается при специальной обработке кристаллов, например, при выдержке плотно прижатых кристаллов германия (n-типа) и индия при 500°С в вакууме (а) атомы индия диффундируют на некоторую глубину в германий, образуя промежуточный слой германия, обогащенного индием, проводимость которого p-типа (б).

Электроны из n-полупроводника, где их концентрация выше, будут диффундировать в p-полупроводник. Диффузия дырок происходит в обратном направлении. В n-полупроводнике из-за ухода электронов вблизи границы остается нескомпенсированный положительный объемный заряд неподвижных ионизованных донорных атомов. В p-полупроводнике из-за

ухода дырок вблизи границы образуется отрицательный объемный заряд неподвижных ионизованных акцепторов. Эти объемные заряды создают запирающий равновесный контактный слой, препятствующий дальнейшему переходу электронов и дырок.

Сопротивление запирающего слоя можно изменить с помощью внешнего электрического поля. Если направление внешнего поля  

совпадает с направлением   поля контактного слоя (а), то запирающий слой расширяется и его сопротивление возрастает — такое направление называется запирающим (обратным). Если направление внешнего поля противоположно полю контактного слоя (б), то перемещение электронов и дырок приведет к сужению контактного слоя и его сопротивление уменьшится — такое направление называется пропускным (прямым).

Полупроводниковые диоды и триоды (транзисторы).

Односторонняя (вентильная) проводимость p-n-перехода используется в полупроводниковых диодах, содержащих один p-n-переход. По конструкции они делятся на точечные и плоскостные.

В точечных диодах p-n-переход образуется в точке касания металлического контакта 1 и полупроводника 2 (например, в точечном германиевом диоде диффузия алюминия в n-германий образует в германии p-слой). Технология изготовления германиевого плоскостного диода описана выше. 

p-n-Переходы обладают не только прекрасными выпрямляющими свойствами, но могут быть использованы также для усиления, а если в схему ввести обратную связь, то и для генерации электрических колебаний. Приборы, предназначенные для этих целей, получили название полупроводниковых триодов или транзисторов. Изобретение транзисторов в 1949г. считается самым значительным изобретением ХХ века и было отмечено в 1956 году Нобелевской премией.

Транзисторы могут быть типа n-p-n и типа p-n-p в зависимости от

чередования областей с различной проводимостью. Для примера рассмотрим триод типа p-n-p. Рабочие "электроды" триода, которыми являются база (средняя часть транзистора), эмиттер и коллектор (прилегающие к базе с обеих сторон области с иным типом проводимости), включаются в схему с помощью невыпрямляющих контактов — металлических проводников. Между эмиттером и базой прикладывается постоянное смещающее напряжение в прямом направлении, а между базой и коллектором — постоянное смещающее напряжение в обратном направлении. Усиливаемое переменное напряжение подается на входное сопротивление  , а усиленное — снимается с выходного сопротивления  .

Протекание тока в цепи эмиттера обусловлено в основном движением дырок (они являются основными носителями тока) и сопровождается их "впрыскиванием" — инжекцией — в область базы. Проникшие в базу дырки диффундируют по направлению к коллектору, причем при небольшой толщине базы значительная часть инжектированных дырок достигает коллектора. Здесь дырки захватываются полем, действующим внутри перехода (притягиваются к отрицательно заряженному коллектору), вследствие чего изменяется ток коллектора. Следовательно, всякое изменение тока в цепи эмиттера вызывает изменение тока в цепи коллектора.

Прикладывая между эмиттером и базой переменное напряжение, получим в цепи коллектора переменный ток, а на выходном сопротивлении — переменное напряжение. Величина усиления зависит от свойств p-n- переходов, нагрузочных сопротивлений и напряжения батареи . Обычно , поэтому  (усиление может достигать   10 000). Так как мощность переменного тока, выделяемая в , может быть больше, чем расходуемая в цепи эмиттера, то транзистор дает и усиление мощности.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

54055. Урочисте відкриття тижня Логіки 149.5 KB
  Учень. Відкрити тиждень логіки дозволяю Капітанів прошу представити команди і здати рапорти команди здають рапорти 1 учень. Увага Увага 2 учень. Доброго дня дорогі діти і гості 1 учень.
54056. Інтегрування змісту навчальних предметів та логіки 120.5 KB
  Дітям необхідно знати правила і закони логіки у них мають бути сформовані логічні вміння розвинуте логічне мислення. Особливо виразно продуктивність застосування інтегрованого підходу можна побачити на уроках логіки. Знання учителя основних правил і законів логіки дає змогу користуватися логічними прийомами під час розв’язування проблемних ситуацій з будь – якої освітньої галузі; розвивати в учнів вміння застосовувати правила і закони логіки щодо аналізу подій явищ оцінки своїх і чужих думок формулювати і приймати обґрунтовані рішення під...
54057. Межпредметная интеграция как средство активизации учебного процесса 135.5 KB
  В специализированных школах с углубленным изучением иностранного языка межпредметная интеграция должна занимать не последнее место. В этой связи совместные уроки математики и английского языка могут быть очень интересными.
54058. АЛГЕБРА ВЫСКАЗЫВАНИЙ. ОСНОВНЫЕ ОПЕРАЦИИ АЛГЕБРЫ ВЫСКАЗЫВАНИЙ 1.77 MB
  Таблица истинности - это таблица, устанавливающая соответствие между всеми возможными наборами логических переменных, входящих в логическую функцию и значениями функции.
54059. Логика 81.18 KB
  Знаешь ли ты этого человека запутанного в плащ Нет. А между прочим это твой отец. Объект логики –это то на что направлен интерес ученого в логике это мышление на человекомышление. Логика это наука не о всем мышлении а о правильном мышлении о правильном рациональном мышлении которое можно выразить в знаково символической форме –словами.
54061. Ліс. Дерева. Кущі. Ягоди. Розвиток зв’язного мовлення 40 KB
  Мета: Збагачувати словник дітей на основі знань, уявлень про довкілля. Учити перераховувати якості, властивості предметів, намагатись давати їм характеристику, формувати вміння найбільш точно застосовувати слова, що підходять до конкретної ситуації або опису.
54062. Пригоди веселих кошенят 44.5 KB
  Під музичний супровід діти разом із логопедом заходять до музичної зали. Логопед: Доброго ранку доброго дня Хай плещуть долоньки Хай тупають ніжки Хай ротик співає Та сяють усмішки. Піпіпі куди це я потрапила Логопед.
54063. Логопсихокорекція у роботі з дітьми з порушеннями мовлення 67.5 KB
  Ігри і вправи на розвиток емоційної сфери Казка-гра : Про рибака та рибку Логопед читає уривок з казки О. Гра із шишками напруження та розслаблення мязів рук. Гра з бджілкою напруження та розслаблення мязів ніг. Ведмедиця кличе золоту бджілку погратися з ведмежатами.