34542

Тема антифашистского сопротивления в творчестве А. Зегерс

Доклад

Литература и библиотековедение

Зегерс. Анна Зегерс 19001983 – псевдоним. Роман Седьмой крест давно признан лучшим романом Зегерс. В Седьмом кресте наиболее отчетливо сказалось замечательное умение Анны Зегерс показывать людей в нерасторжимом единстве личного и общественного ставить острые политические вопросы времени обращаясь к частной будничной жизни широких слоев народа.

Русский

2013-09-08

15.34 KB

7 чел.

14)Тема антифашистского сопротивления в творчестве А. Зегерс.

Анна Зегерс (1900-1983) – псевдоним. Роман "Седьмой крест" давно признан лучшим романом Зегерс. История семи заключенных, которые бежали из гитлеровского концлагеря Вестгофен и из которых только один сумел спастись, волновала читателей разных стран задолго до того, как книга смогла увидеть свет в послевоенной Германии. В "Седьмом кресте" наиболее отчетливо сказалось замечательное умение Анны Зегерс показывать людей в нерасторжимом единстве личного и общественного, ставить острые политические вопросы времени, обращаясь к частной, будничной жизни широких слоев народа.

В мировой литературе немного произведений, где тема солидарности угнетенных была бы разработана так достоверно, конкретно, убедительно, как в "Седьмом кресте". В спасении Георга участвуют - осознанно или не до конца осознанно - десятки людей. Под конец романа разворачивается своего рода цепная реакция солидарности: Пауль Редер обращается к Фидлеру, Фидлер - к Крессу, потом к Рейнгардту... И в конце цепи - моряк с решительным лицом, "готовый на любой риск": он вывезет недавнего узника из гитлеровского ада.

Само собой понятно, что "Седьмой крест" - это не просто история семи беглецов или одного беглеца. Тут ставятся вопросы большого исторического масштаба - о степени прочности фашистской диктатуры, о резервах антифашистского сопротивления, в конечном счете - о судьбе Германии.

С такой же трезвостью обрисован коллективный, многоликий образ немецкого народа и в "Седьмом кресте". Писательница никогда не обольщалась - и не обольщала своих читателей - иллюзорными надеждами, легкими решениями. Среди сотни с лишним персонажей "Седьмого креста" есть и отъявленные нацисты, и обыватели, безразличные ко всему, есть и те, кто приспособились к фашистской диктатуре, претерпелись к ней. Зараза гитлеризма проникла в самую гущу трудящегося населения страны, - об этом говорит и страшная судьба Валлау, которого предал бывший товарищ. Сюжет романа "Седьмой крест" построен необычайно искусно: при всей его разветвленности, многоплановости, он отличается большой силой концентрации. Действие почти все время сосредоточено вокруг Георга. В ходе своих скитаний он встречает множество разных людей - и ставит каждого из них перед необходимостью выбора, решения. В романе "Седьмой крест" Георг Гейслер в течение семи дней, ежеминутно рискуя жизнью, спасается от преследующих его гестаповцев и обнаруживает подлинно героические свойства - смелость, находчивость, упорство выдержку. Более того: на многих людей, с которыми он встречается за эти семь дней, он действует как своего рода катализатор гражданского мужества, встряхивает, вовлекает в борьбу равнодушных и пассивных. А между тем он и не обрисован, и не задуман писательницей как личность исключительная. Сама Анна Зегерс говорила: "Гейслер, каким я его вижу и каким я хотела его показать, - обыкновенный человек".


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

69000. ПОЛЬОВІ ТРАНЗИСТОРИ В РЕЖИМІ ПЕРЕМИКАННЯ 89 KB
  Режим перемикання транзисторного ключа (рис.14.1) залежить від значень напруг на вході UЗВ, живлення ЕС і опору RН, які забезпечують два статичних стану транзистора: вмикнуто (режим насичення) і вимкнуто (режим відсічки). Розглянемо фізичні процеси в транзисторі в стані вимкнуто.
69001. ІНДИКАТОРНІ ЕЛЕКТРОННО-ПРОМЕНЕВІ ПРИЛАДИ 93 KB
  Конструкція та принцип роботи В електронно-променевій трубці ЕПТ електричний сигнал перетворює ться в світловий. Конструкція ЕПТ Під час попадання електричного променю на люмінофор з останнього вибиваються вторинні електрони. ЕПТ поділяються на три групи: осцилографічні індикаторні кінескопи.
69002. Шуми електронних приладів. Фізична природа шумів 186.5 KB
  Шуми або флюктуації є випадковими процесами. Виникають з подачею напруги живлення на електроди елементу. Їх можна прослуховувати через динамік на вході радіоприймача і підсилювача або побачити на екрані осцилог-рафа. Шуми накладаються на корисні сигнали та рівні постійних напруг і струмів живлення...
69003. P-n перехід у стані рівноваги. Утворення електронно-діркового переходу 342.5 KB
  Розглянемо напівпровідник н п який має дві прилеглих області: одна з провідністю nтипу друга – pтипу. Оскільки концентрація дірок у дірковій області pp напівпровідника вище ніж в електронній pn а концентрація електронів у електронній області nn вище ніж у дірковій np між областями буде існувати...
69004. ФІЗИЧНІ ПРОЦЕСИ В р-n ПЕРЕХОДІ ПРИ ДІЇ ЗОВНІШНЬОЇ ЕЛЕКТРИЧНОЇ НАПРУГИ 105.5 KB
  Оскільки концентрація рухомих носіїв заряду в рп переході менша ніж в областях п та р напівпровідника опір рп переходу буде більший ніж опір області п та р тому можна вважати що вся напруга прикладається до рп переходу При дії зовнішньої напруги порушується рівновага між дифузійним і дрейфовим струмами в рп переході...
69005. Фізичні процеси в біполярних транзисторах з декількома p-n переходами 308 KB
  Для забезпечення інжекції вприскування дірок з емітера в базу необхідна пряма емітерна напруга. Це відбувається тому що товщина бази W значно менше дифузійної довжини вільного пробігу дірок LP. Колекторна напруга вибирається зворотною UК тому виникає екстракція втягування дірок із бази...
69006. БУДОВА, ПРИНЦИП РОБОТИ ТА СТАТИЧНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛЬОВОГО ТРАНЗИСТОРА З ІНДУКОВАНИМ КАНАЛОМ 141.5 KB
  При відсутності напруги UЗВ і за наявності напруги UСВ опір між стоком і витоком що визначається двома підключеними назустріч рn переходами великий а струм ІС дуже малий 109. З подачею напруги UЗВ 0 в напівпровіднику виникає електричне поле яке вилучає електрони поверхневого шару підложки...
69007. Параметри біполярного транзистора 364.5 KB
  Для оцінки можливостей застосування транзисторів використовують їх параметри. Параметри транзисторів це числа. Числені значення параметри можуть бути виміряні знайдені за статичними характеристиками або розраховані.
69008. Електронні структури з p-n одним переходом 297 KB
  Для отримання великої площі р n переходу використовують сплавну дифузійну і планарну технологію для малої площі точкову. Ємності р n переходу. Варікапи Поняття ємності переходу пов’язане з нагромадженням об’ємних зарядів. S площа переходу Рис.