36482

Переходный этап в развитии цивилизации на историческом примере перехода от раннеклассовой к античной

Доклад

История и СИД

Переход между цивилизациями происходит в четыре этапа: латентный этап обвального хаоса патовая ситуация завершающий этап. На первом этапе происходит падение эффективности старого общества: возникают социальные противоречия разногласия между управленцами и исполнителями экономической функции и непрерывные войны которые с одной стороны истощали материальные ресурсы а с другой обогащали правящую элиту. Происходит возращение к родоплеменному типу отношений формирование общинного строя предполагающего управление общества вождем советом...

Русский

2016-09-14

27.5 KB

33 чел.

Переходный этап в развитии цивилизации на историческом примере.

От раннеклассовой к античной.

Переход между цивилизациями происходит в четыре этапа: латентный, этап обвального хаоса, патовая ситуация, завершающий этап. Переходный период между раннеклассовой и античной цивилизациями приблизительно равенXII-XI вв до н. э.

На первом этапе происходит падение эффективности старого общества: возникают социальные противоречия, разногласия между управленцами и исполнителями экономической функции и непрерывные войны, которые с одной стороны истощали материальные ресурсы, а с другой, обогащали правящую элиту. Появляются первые элементы новой цивилизации: возникают новые очаги локальных цивилизаций, перемещение центра мирового прогресса в северное средиземноморье, а так же на средний Восток, в Индию и Китай. Раннеклассовая цивилизация имела свои пределы и географические границы. Привязанная к долинам природных рек, к естественным место рождениям бронзы и олова, необходимым для изготовления орудия труда, и необходимости постоянно пополнять ресурсы трудовой силы путем захвата рабов – иноземцев, рабовладельческие государства древности уже не в силах были удовлетворить потребности населения, особенно знати.

Этап обвального хаосахарактеризуется раздорами и борьбой за власть внутри правящей верхушки, куда входил и жрецы; все это ослабляло единство и высшую мощь государств. Постоянные войны и непосильные налоги подрывали производственные возможности мелких собственников и торговцев. Ирригационные системы приходили в упадок, падала урожайность, сокращая естественный прирост населения. Государства, бывшие центрами раннеклассовой цивилизации теряли могущество, распадались на части, погибали под ударами агрессивных соседей. 1069 г. до н.э. в Египте начинается разделение государства, ливийские, нубийские, ассирийские вторжения. На Балканском полуострове этап обвального хаоса приходится на дарийское завоевание, приведшее Грецию к знаменательному регрессу. А именно резкому сокращению имперского населения, падения уровня жизни, упадку ремесла и крупного строительства, ослаблена торговля. Происходит возращение к родоплеменному типу отношений, формирование общинного строя, предполагающего управление общества вождем, советом старейшин, народом.

Патовая ситуация.Расширение приделов населенного мира, освоение орудия труда и оружия из железа стали причинами появления новых очагов технического прогресса, где и произошло столкновение античной мировой цивилизации. То есть характеризуется осознанием общественного первенства достижения всеобщего блага, что закладывается в основу всей политической организации общества. Происходит активное формирование прототипов; патриархальная монархия.

На завершающем этапепереходного периода происходит подъем экономики, активное внедрение хозяйства и переход к аристократии, постоянное соперничество внутри аристократии препятствует возвышению отдельных ее представителей. Но все же ее общая сила ослабляет принцип патриархальной власти. В результате чего царский род утрачивает свои привилегии и его функции становятся выборными, переходя в распоряжении всей элиты. Так происходит возрождение античной цивилизации.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

19211. Расхождение пучков заряженных частиц под действием собственного объемного заряда 421.5 KB
  Лекция № 7. Расхождение пучков заряженных частиц под действием собственного объемного заряда. Прямолинейные пучки электронных лучей электронные пушки Пирса. VII. Формирование электронных и ионных пучков. 7.1. Расплывание пучков заряженных частиц под действи
19212. Электромагнитные ускорители плазмы. МГД приближение для описания динамики 269 KB
  Лекция 8 VIII. Плазменные ускорители. Электромагнитные ускорители плазмы. МГД приближение для описания динамики. Одножидкостная модель. Магнитное давление. Равновесие плазменной границы. Рельсотрон. 8.1. МГД приближение. Для описания ускорения плазмы магни...
19213. Термоэлектронная эмиссия. Статистический и термодинамические вывод формулы плотности тока термоэлектронной эмиссии 557.5 KB
  Лекция № 9. Термоэлектронная эмиссия. Статистический и термодинамические вывод формулы плотности тока термоэлектронной эмиссии. Влияние внешнего электрического поля Эффект Шоттки. Распределение термоэлектронов по энергиям. Средняя энергия термоэлектронов. Эксп
19214. Влияние поверхностной неоднородности материала катода на термоэмиссию 557 KB
  Лекция № 10. Влияние поверхностной неоднородности материала катода на термоэмиссию. Пленочные катоды. Оксидные катоды. Автоэлектронная эмиссия. Изменение температуры эмиттера при термо и автоэлектронной эмиссии. 9.7. Влияние поверхностной неоднородности материала...
19215. Фотоэлектронная эмиссия. Законы Столетова и Эйнштейна. Теория фотоэмиссии 476 KB
  Лекция № 11. Фотоэлектронная эмиссия. Законы Столетова и Эйнштейна. Теория фотоэмиссии. Кривая Фаулера. Применение фотоэмиссии в технике. Фотокатоды. XI. ФОТОэлектронная эмиссия. 11.1. Законы фотоэффекта. В широком смысле фотоэффект это возникновение или измене
19216. Вторичная электрон-электронная эмиссия. Отражение электронов от твердого тела 326 KB
  Лекция № 12. Вторичная электронэлектронная эмиссия. Отражение электронов от твердого тела. Характеристические потери энергии. Закономерности истинной вторичной электронной эмиссии. Приведенная кривая. Эффективные эмиттеры вторичных электронов. XII. вторичная элек
19217. Вторичная электронная эмиссия полупроводников и диэлектриков. Эффективные эмиттеры вторичных электронов 336.5 KB
  Лекция № 13. Вторичная электронная эмиссия полупроводников и диэлектриков. Эффективные эмиттеры вторичных электронов. Электронные умножители. Вторичная ионноэлектронная эмиссия. Потенциальная и кинетическая эмиссия их физический механизм. Закономерности ионноэлек
19218. Поверхностная ионизация. Формула Саха-Ленгмюра. Температурная зависимость плотности тока положительной ионизации 217 KB
  Лекция № 14. Поверхностная ионизация. Формула СахаЛенгмюра. Температурная зависимость плотности тока положительной ионизации. Термодинамичсекий вывод формулы СахаЛенгмюра. Термодинамичсекий вывод формулы СахаЛенгмюра. Отрицательная поверхностная ионизация. XIV...
19219. Ионное распыление. Диссипация энергии атомных частиц при взаимодействии с твердым телом 288.5 KB
  Лекция № 15. Ионное распыление. Диссипация энергии атомных частиц при взаимодействии с твердым телом. Торможение быстрых частиц в твердом теле. Эмиссия атомных частиц. XV. ИОННОЕ распыление 15.1. Характеристики ионного распыления. Явление распыления твердого ...