3721

Разработка цифровой интегральной микросхемы

Курсовая

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Элементная база экономики непрерывно развивается. На смену крупногабаритному оборудованию приходит оборудование малых размеров с более точными параметрами и высокой надежностью. Такое оборудование является менее энергоемким и требует меньш...

Русский

2012-11-05

230.5 KB

5 чел.

Введение.

Элементная база экономики непрерывно развивается. На смену крупногабаритному оборудованию приходит оборудование малых размеров с более точными параметрами и высокой надежностью. Такое оборудование является менее энергоемким и требует меньше затрат на его обслуживание. Что бы более полно описать преимущества РЭА с использованием в качестве элементной базы интегральных микросхем рассмотрим несколько поколений развития элементной базы электроники:

В первом поколении роль активных элементов выполняли электровакуумные приборы. В качестве пассивных элементов применялись резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, трансформаторы, соединители, переключатели и др. Радиоэлектронная аппаратура (РЭА) собиралась из отдельных дискретных элементов, которые механически укреплялись на специальных панелях и электрически соединялись между собой проволочными проводниками с помощью пайки или сварки. Сложность технологии электровакуумных приборов, их небольшой срок службы, значительные габариты и массы, большое потребление электроэнергии послужили стимулом к созданию полупроводниковых приборов.

Второе поколение появилось с изобретением первого транзистора в 1948 г. Полупроводниковые приборы по сравнению с электровакуумными имеют меньшие габариты и массу, потребляют меньшую энергию и имеют большие к.п.д., срок службы и более высокую надежность. Меньшее потребление электроэнергии и высокие к.п.д. позволили также значительно уменьшить габариты пассивных радиодеталей. Необходимость быстрой обработки большого количества информации требовала уменьшения межэлектродных расстояний в активных элементах.

 Третье поколение обязано разработке и внедрению в 1957-1958гг. в полупроводниковое производство планарной технологии, которая в сочетании с пленочной технологией позволила перейти к РЭА на интегральных микросхемах. Интегральной микросхемой называется микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала и имеющее высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов и (или) кристаллов, которые рассматриваются как единое целое.

Интегральные микросхемы содержат огромное количество элементов, эквивалентных ранее применяемым дискретным. Это уменьшает число соединений и упрощает технологию сборки РЭА, существенно повышает её надежность, уменьшает габариты и массу, улучшает характеристики, расширяет функциональные возможности. Появление ИМ положило начало новому этапу – микроэлектронике.   

Элементную основу четвертого поколения составляют функциональные микроустройства и узлы, принципиально отличающиеся от всех предыдущих поколений.       


Задание:

Согласно варианту 08 дана схема № 8:

Резисторы:

R1= 4кОм = Ом;

R2= 5кОм = Ом;

R3= 2кОм = Ом.

Напряжение источника питания: Е = +5В.

Требуется:

Раздел 1 – электрический расчет цифровой схемы.

Для трех комбинаций входных сигналов 211102, 210012, 210112 составить таблицу состояний всех активных элементов и провести электрический расчет, а именно:

- оценить потенциалы в точках, указанных на схеме;

- рассчитать все токи схемы и указать их направление;

- рассчитать мощности, которые рассеиваются на резисторах, и мощность, потребляемую всей схемой.

Результаты расчетов свести в таблицу.

Раздел 2 – разработка топологии ИМС для выше приведенной схемы.

Разработка топологии включает в себя следующие операции:

- выбор материала для пленочных резисторов согласно варианту;

- расчет размеров всех резисторов;

- расчет площади, занимаемой активными и пассивными элементами схемы;

- определение и выбор размеров подложки;

- составление топологического чертежа .

Топологический чертеж должен быть выполнен в масштабе 10:1 или 20:1.

Раздел 1.

Электрический расчет цифровой схемы.

Транзисторы VT1 – VT5 изготовлены из кремния и работают в режиме ключа.

Упрощенная модель кремниевого биполярного транзистора:

    если на каждом из двух p-n переходов транзистора действуют прямые напряжения, не превышающие значения U*, либо обратные напряжения, то транзистор закрыт и все токи считаются равными нулю;

    если через эмиттерный переход протекает прямой ток, то напряжение база-эмиттер равно  U*=0,7 B, транзистор открыт и может находиться в одном из двух режимов: активном или насыщения; для уточнения режима вычисляют ток базы  IБ ,  произведение В*IБ  и максимально возможное значение тока коллектора насыщенного транзистора IКН,  затем проводят сравнение:

                   если  В*IБ <IКН , то режим  активный ,

                   если В*IБ>IКН, то режим насыщения;

    ток коллектора в активном режиме не зависит от напряжения на переходе коллектор-база и равен IК =B*IБ;

    напряжение на переходе коллектор-база в режиме насыщения равно 0,6 В, тогда напряжение  коллектор-эмиттер равно 0,1 В.

    Следовательно, при выполнении расчетов принимаем:

значение напряжения логического нуля U0=0,1 B, значение напряжения логической единицы U1>3 В, падение напряжения на эмиттерном переходе при прямом включении равно 0,7 В, коэффициент передачи тока базы В=50, инверсный коэффициент передачи тока базы ВI=0,05.

  1.  Расчет токов, протекающих через резисторы и выходного напряжения для комбинации входного сигнала 211102.

Согласно принятым значениям:

Uвх1=Uвх2=Uвх3=U1>3В, а Uвх4=U0=0,1В.

На рисунке 2 выделена часть схемы, по которой может протекать ток, идущий через резистор R1 (ток I1). Ток I1 протекает от шины «+5В» через R1 и далее может течь от базы транзистора VT1, налево через эмиттерный переход, источник сигнала на общую шину или на право, через коллекторный переход транзистора VT1 и эмиттерный переход транзистора VT2 к общей шине.

Предположим, через переход Б – Э2 транзистора VT1, то напряжение на этом переходе согласно предложенной выше модели равно 0,7В. Следовательно, потенциал базы транзистора VT1(точка А) равен 0,8В

UA=U0 + U*=0,1+0,7=0,8В

Переход Б – Э1 транзистора VT1 находится под обратным напряжением, т.к. потенциал базы (р-область) ниже, чем потенциал эмиттера (n-область) на величину

0,8 - 3 = - 2,2В, поэтому через этот переход протекает только обратный ток.

Ток правой ветви будет отсутствовать, т.к. для того, чтобы он протекал, в точке А требуется потенциал равный

UБК1+UБЭ2=0,6+0,7=1,3В.

Следовательно, транзистор VT2 будет закрыт.

Находим ток I1:

, где

Е – напряжение источника питания;

UA – потенциал в точке А;

R1 – резистор, через который протекает ток I1;

      .

Рассчитаем величину тока I2.

Потенциал в точке В на базе транзистора VT3 будет равен

UВ=UБК3+UБЭ4=0,6+0,7=1,3В,

т.к. между данной точкой и общей шиной включены последовательно 2

p-n перехода: база-коллектор VT3, и база-эмиттер VT4.

Переходы Б – Э1 и Б – Э2 транзистора VT3 находятся под обратным напряжением, т.к. потенциал базы (р-область) ниже, чем потенциал эмиттеров (n-область) на величину

1,3 - 3 = - 1,7В.

Через эти переходы протекает только обратный ток.

Т.к. оба эмиттера транзистора VT3 находятся под более высоким потенциалом, чем база, то оба эмиттерных перехода закрыты, и ток от точки В потечет по правой ветви.

Ток I2 будет равен:

, где

E – напряжение источника питания;

UВ – потенциал в точке В;

R2 – резистор, через который протекает ток I2;

.

Через входные эмиттерные переходы транзистора VT3 протекают обратные токи. Вычислим эти токи.

, где

IЭ1 – ток, протекающий через переход эмиттер1-коллектор транзистора VT3;

IЭ2 – ток, протекающий через переход эмиттер2-коллектор транзистора VT3;

ВI – инверсный коэффициент передачи тока базы транзистора VT3;

.

В транзистор VT3 втекают три тока IЭ1, IЭ2 и I2, а вытекает через коллекторный переход и попадает в базу транзистора VT4 только один ток IБ4. Исходя из этого, вычисляем ток базы транзистора VT4:

IБ4= IЭ1+IЭ2+I2, где

IЭ1 – ток, протекающий через переход эмиттер1-коллектор транзистора VT3;

IЭ2 – ток, протекающий через переход эмиттер2-коллектор транзистора VT3;

I2 – ток, протекающий через резистор R2;

.

Предположим, что транзистор VT4 находится в режиме насыщения. По условию напряжение открытого транзистора UКЭ4=UБЭ5=0,1В, следовательно транзистор VT5 закрыт и ток его коллектора равен нулю.

Найдем ток I3:

, где

E – напряжение источника питания;

UКЭ4 – напряжение на переходе коллектор-эмиттер транзистора VT4 в режиме насыщения;

R3 – резистор, через который протекает ток I3;

.

Сравним токи IК4=I3 и IБ4*В:

IБ4*В=0,814*10-3*50=40,7*10-3А =40,7мА

40,7мА>2,45мА

Т.к. IБ4*В>IК4, то действительно, транзистор VT4 находится в режиме насыщения.

Т.к. транзистор VT5 закрыт, то ток I4 (если на выходе будет включена нагрузка) будет протекать только через R4, RН и на общую шину.

Ток I4 будет равен: , где

E – напряжение источника питания;

R4 – резистор, через который протекает ток I4;

Напряжение на выходе Uвых= Е = 5В, что соответствует уровню логической единицы 212.

  1.   Расчет токов, протекающих через резисторы и выходного напряжения для комбинации входного сигнала 210012.

Согласно принятым значениям Uвх1=Uвх4=U1>3В; Uвх2=Uвх3=U0=0,1В.

Покажем на схеме (рис.5), как при этом распределятся токи и потенциалы.

Потенциал в точке А будет равен: UA=U0+ U*, где

U0 – напряжение, соответствующее логическому нулю;

U* - падение напряжения на переходе база-эмиттер;

UA= 0,1+ 0,7 = 0,8В,

т.к. ток протекает через резистор R1, переход база-эмиттер VT1, источник сигнала и далее на общую шину.

Переход Б-Э2 транзистора VT1 находится под обратным напряжением:

0,8 – 3 = -2,2В.

Поэтому через этот переход протекает только обратный ток. Ток правой ветви при этом будет отсутствовать, т.к. для того, чтобы он протекал, в точке А требуется потенциал равный

 UА = UБК1+ UБЭ2 = 0,6 + 0,7 = 1,3В, где

UБК1 – падение напряжения на переходе база-коллектор VT1 в режиме насыщения;

UБЭ2 – падение напряжения на переходе база-эмиттер VT2 в режиме насыщения;

Следовательно, транзистор VT2 закрыт.

Находим ток I1:

где

E – напряжение источника питания;

UА – потенциал в точке В;

R1 – резистор, через который протекает ток I1;

.

Потенциал в точке В на базе транзистора VT3 будет равен:

 UВ=U0+ U*, где

U0 – напряжение, соответствующее логическому нулю;

U* - падение напряжения на переходе база-эмиттер;

UВ= 0,1+ 0,7 = 0,8В,

Переход Б-Э1 транзистора VT3 находится под обратным напряжением:

0,8 – 3 = -2,2В.

Поэтому через этот переход протекает только обратный ток. Ток правой ветви при этом будет отсутствовать, т.к. для того, чтобы он протекал, в точке В требуется потенциал равный

UВ = UБК3+ UБЭ4 = 0,6 + 0,7 = 1,3В , где

UБК3 – падение напряжения на переходе база-коллектор VT3 в режиме насыщения;

UБЭ4 – падение напряжения на переходе база-эмиттер VT4 в режиме насыщения;

UВ = 0,6 + 0,7 = 1,3В.

Следовательно, транзистор VT4 закрыт.

Находим ток I2:

где

E – напряжение источника питания;

UВ – потенциал в точке В;

R2 – резистор, через который протекает ток I2;

.

Т.к. транзистор VT4 закрыт, то через резистор R3 протекает ток базы транзистора VT5, транзистор открыт и напряжение на базе этого транзистора будет равно UБ5= 0,7В.

Находим ток I3 = IБ5:

E – напряжение источника питания;

UБ5 – напряжение на базе транзистора VT5;

R3 – резистор, через который протекает ток I3;

.

Предположим, что транзистор VT5 находится в режиме насыщения. По условию напряжение открытого транзистора UКЭ5= Uвых= 0,1В, тогда ток I4 будет протекать через резистор R4 и переход коллектор-эмиттер VT5 на общую шину. Следовательно, I4= IК5.

, где

E – напряжение источника питания;

UКЭ5 – напряжение на базе транзистора VT5;

R4 – резистор, через который протекает ток I4;

.

Сравним токи IБ5*В и IК5.

IБ5*В = 2,15*10-3*50 =107,5*10-3 А = 107,5 мА

107,5 мА>9,8 мА

Т.к. IБ5*В> IК5, то действительно транзистор VT5 находится в режиме насыщения.

Низкое напряжение на коллекторе транзистора VT5 соответствует логическому нулю 202.

  1.  Расчет токов, протекающих через резисторы и выходного напряжения для комбинации входного сигнала 210112.

Согласно принятым значениям

Uвх1=Uвх3=Uвх4=U1>3В; Uвх2=U0=0,1В.

Потенциал в точке А на базе транзистора VT1 будет равен:

UA= UБК1+UБЭ2, где

UБК1 – падение напряжения на переходе база-коллектор VT1;

UБЭ2 - падение напряжения на переходе база-эмиттер VT1;

UA = 0,6 + 0,7 = 1,3В, т.к. между данной точкой и общей шиной включены последовательно 2 р-n перехода: база-коллектор VT1 и база-эмиттер VT2.

Переходы Б-Э1 и Б-Э2 транзистора VT1 находятся под обратным напряжением, т.к. потенциал базы (р-область) ниже, чем потенциал эмиттеров(n-область) на величину

1,3 – 3 = -1,7В.

Через эти переходы протекает только обратный ток. Оба эмиттера находятся под более высоким потенциалом, поэтому оба эмиттерных перехода закрыты и ток I1 потечет по правой ветви через резистор R1, преход база-коллектор транзистора VT1 и переход база-эмиттер транзистора VT2 на общую шину.

Ток I1 будет равен:

, где

Е – напряжение источника питания;

UA – потенциал в точке А;

R1 – резистор, через который протекает ток I1.

Вычислим обратные токи, протекающие через эмиттерные переходы транзистора VT1:

IЭ1=IЭ2=I1*Вi, где

I1 – ток, протекающий через резистор, R1;

Bi – инверсный коэффициент тока базы;

IЭ1=IЭ2= 0,925*10-3 *0,05=46,25*10-6A=46,25мкА.

В транзистор VT1 втекает три тока: I1, IЭ1 и IЭ2, а вытекает один, IБ2.

Вычислим ток базы транзистора VT2:

IБ2 = IЭ1+IЭ2+I1 =2*46,25*10-6+0,925*10-3=0,971*10-3A=0,971мА, где

IЭ1 – обратный ток, протекающий через переход Б-Э1 транзистора VT1 ;

IЭ2 – обратный ток, протекающий через переход Б-Э2 транзистора  VT1;

Предположим, что транзистор VT2 находится в режиме насыщения, тогда  UКЭ2=UБЭ4=0,1В.

Потенциал в точке В на базе транзистора VT3 будет равен

UB=U0+U*=0,1+0,7=0,8В, где

U0 – напряжение, соответствующее логическому нулю;

U* - падение напряжения на переходе база-эмиттер.

Переход Б-Э1 транзистора VT3 находится под обратным напряжением  0,8 - 3 = -2,2В, поэтому через него протекает только обратный ток.

Для того, чтобы в правой  ветви протекал ток, в точке В требуется потенциал равный

UB= UБК3+UКЭ2=0,6+0,1=0,7В, где

UБК3 – падение напряжения на переходе база-коллектор транзистора VT3;

UКЭ2 - падение напряжения на переходе коллектор-эмиттер транзистора VT2.

UB=0,8. Значит, ток в правой ветви протекать будет.

Находим ток I2:

, где

Е – напряжение источника питания;

UВ – потенциал в точке В;

R2 – резистор, через который протекает ток I2;

.

В транзистор VT3 втекает один ток I2, а вытекает два IЭ2 и IК2:

.

Чтобы определить режим работы транзистора VT2, сравним токи:

0,971*10-3*50>0,42*10-3

Следовательно, транзистор VT2 находится в режиме насыщения:

UКЭ5=UБЭ4=0,1В, поэтому транзистор VT4 закрыт и ток его коллектора равен нулю. Тогда через резистор R3 потечет ток базы IБ5 транзистора VT5.  Ток I3= IБ5 потечет через резистор R3 и переход база-эмиттер транзистора VT5 на общую шину. По условию UБ5=0,7В.

, где

Е – напряжение источника питания;

UБ5 – напряжение перехода база-эмиттер транзистора VT5;

R3 – резистор, через который протекает ток I3;

Предположим, что транзистор VT5 находится в режиме насыщения. По условию напряжение открытого транзистора UКЭ5=Uвых=0,1В, тогда ток I4 потечет через резистор R4 и переход коллектор-эмиттер транзистора VT5 на общую шину:

, где

Е – напряжение источника питания;

UКЭ5 – напряжение перехода коллектор-эмиттер транзистора VT5;

R4 – резистор, через который протекает ток I4;

.

Сравним токи IБ5*В и IКЭ5.

IБ5*В = 2,15*10-3*50 = 107,5*10-3 А= 107,5 мА

107,5 мА>9,8 мА

Т.к. IБ5*В больше IКЭ5, то транзистор VT5 действительно находится в режиме насыщения.

Низкое напряжение на выходе соответствует логическому нулю 202.

  1.  Расчет мощности, потребляемой микросхемой для каждой комбинации.

Расчет мощности произведем по формуле:

, где

Е – напряжение источника питания;

I1÷ I4 – токи на резисторах R1÷ R4.

Для комбинации 211102:

Для комбинации 210012

Для комбинации 210112:

Результаты расчетов занесем в таблицу №1

Таблица №1

Входная комбинация

Токи, мА

Потребляемая мощность, мВТ

вх.1

вх.2

вх.3

вх.4

I1

I1

I1

I1

1

1

1

0

1,05

0,74

2,45

10

71,2

1

0

0

1

1,05

0,84

2,15

9,8

69,2

1

0

1

1

0,925

0,84

2,15

9,8

68,575

Для расчета размеров резисторов выделим каждый из токов, имеющих максимальное значение, и запишем в таблицу №2. За тем вычислим мощности, рассеиваемые на резисторах по формуле

, где

Ii – ток на резисторе Ri;

Ri – резисторы, мощность которых необходимо определить.

Результаты занесем в таблицу №2

Таблица № 2

Максимальный ток, мА

Мощность резистора, мВт

I1

I2

I3

I4

PR1

PR2

PR3

PR4

1,05

0,84

2,45

10

4,41

3,5

12,01

50

Составим таблицу истинности. В схеме 4 входа, поэтому возможны 24=16 комбинаций входных сигналов. Пронумеруем эти комбинации числами от 0 до 15 и запишем в таблицу №3.

Входное напряжение будет иметь низкий уровень (логический нуль) во всех случаях, когда транзистор VT5 открыт, т.е. находится в режиме насыщения. Это имеет место, если транзистор VT4 закрыт, а это в свою очередь произойдет тогда, когда ток I2 будет протекать по левой ветви через один или два эмиттерных перехода. Как показали расчеты, состояние транзистора VT2 (закрыт он или открыт) значения не имеет, как не имеет значения  уровень входных сигналов, поступающих на входы 3 и 4 транзистора VT1. Если же на входах 1 и 2 транзистора VT3 будет хотя бы один 202, выходной сигнал будет соответствовать логическому нулю. Если на входах 1 и 2 будет 212 , то и на выходе будет логическая единица.

Таблица №3 - истинности

№ комбинации

Входные комбинации

Выходы

№ комбинации

Входные комбинации

Выходы

Входы

Входы

1

2

3

4

1

2

3

4

0

0

0

0

0

0

8

1

0

0

0

0

1

0

0

0

1

0

9

1

0

0

1

0

2

0

0

1

0

0

10

1

0

1

0

0

3

0

0

1

1

0

11

1

0

1

1

0

4

0

1

0

0

0

12

1

1

0

0

1

5

0

1

0

1

0

13

1

1

0

1

1

6

0

1

1

0

0

14

1

1

1

0

1

7

0

1

1

1

0

15

1

1

1

1

1

Раздел 2

Разработка топологии ИМС

Дано:

Согласно варианту 08

Материал: сплав РС – 3001

RS, Ом/квадр.               1000

Р0, мВт/мм2                   20                   20*10-3 Вт

При составлении топологического чертежа необходимо учитывать следующие основные ограничения, накладываемые тонкопленочной технологией:

- пассивные и активные элементы располагаются на расстоянии не менее

1 мм от края подложки;

- входные и выходные контакты располагаются вдоль длинных сторон подложки на расстоянии не менее 1 мм от края;

- навесные элементы (компоненты) устанавливаются в специально отведенные места на расстоянии не менее 0,5 мм от пленочных элементов и не менее 0,6 мм от контактных площадок; минимальное расстояние между навесными компонентами 0,3 мм;

- длина проволочных выводов навесных компонентов должна находиться в пределах от 1 до 5 мм;

минимально допустимое расстояние между пленочными элементами (в том числе и контактными площадками ) 0,2 мм;

- размеры пленочных резисторов должны быть кратными 0,05 мм;

- минимальная длина резистора lmin не менее 0,5 мм;

- минимальная ширина резистора bmin не менее 0,2 мм;

- минимально допустимая ширина проводников 0,1 мм

- минимально допустимые размеры контактных площадок для припайки внешних выводов 0,4х0,4 мм, а для приварки навесных элементов 0,2х0,25 мм.

Размер и конфигурация пленочных резисторов находим по заданным номиналам резисторов Ri, удельному поверхностному сопротивлению пленки RS и мощности, рассеиваемой на резисторе (таблица №2).

Для определения размеров резисторов находим их коэффициент формы:

 

Результаты заносим в таблицу №4.

Расчет длины резистора проводим по формуле:

, где

Кфi – коэффициент формы резистора;

PRi – мощность резистора;

PRi – удельная мощность.

мм;

мм;

мм;

мм.

Результаты расчетов заносим в первую строку таблицы №4.

Ширина резистора определяется как:

, где

li – длина i-го резистора;

КФiкоэффициент формы.


       Длину резистора
R3 округлим до величины, кратной 0,05:

l3 = 1,1 мм и пересчитаем ширину:

.

Ширину резистора R1 округлим до величины, кратной 0,05:

b1 = 0,25 мм и пересчитаем длину:

.

Ширина резистора R2 получилась меньше минимально допустимой ширины, поэтому принимаем b2 = 0,2 мм и пересчитаем длину резистора R2:

.

Окончательные результаты заносим во вторую строку таблицы №4.

Таблица №4

R1

R2

R3

R4

КФ1

l1

b1

КФ2

l2

b2

КФ3

l3

b3

КФ4

l4

b4

Расчетное

4

0,939

0,234

5

0,935

0,187

2

1,096

0,548

0,5

1,25

2,5

Окончате-льное

значение

4

1

0,25

5

1

0,2

2

1,1

0,55

0,5

1,25

2,5

Определим площади резисторов:

SR1 = l1*b1 = 1*0,25 = 0,25 мм2

SR2 = l 2*b2 = 1*0,2 = 0,2 мм2

SR3 = l3*b3 = 1,1*0,55=0,61 мм2

SR4 = l4*b4 = 1,25*2,2=3,125 мм2

Определим площадь, занимаемую резисторами:

SR = SR1+ SR2+ SR3+ SR4 = 0,25+0,2+0,61+3,125 = 4,175 мм2

Площадь, занимаемая навесными элементами  схемы равна:

SVT= SVT1+ SVT2+ SVT3+ SVT4 = 1,5+1+1,5+1+1 = 6 мм2

Общая площадь, занимаемая пленочными резисторами и навесными элементами, равна:

S = SVT+ SR = 4,175+6 = 10,175 мм2

Учитывая площадь соединений, промежутки между элементами ИМС и расстояние от края подложки, следует увеличить суммарную площадь подложки в 4-5 раз, т.е. её площадь должна составить не менее 50 мм2 из таблицы №5.

Таблица №5.

Длина, мм

30

30

30

24

16

12

10

Ширина, мм

20

16

12

20

10

10

10

Составляем топологический чертеж ИМС, размещая рассчитанные элементы на поле подложки (рис. 7).

 

                           Рис. 7.

Заключение.

В данной курсовой работе был произведен электрический расчет для трех комбинаций входного сигнала и разработка топологии ГИМС цифровой логики.

В результате электрических расчетов была составлена таблица истинности логического элемента и рассчитаны мощности пленочных резисторов, по которым рассчитываются их размеры.  

Во втором разделе была разработана топология гибридной микросхемы с подложкой размером 10х10 мм.


Литература.

  1.  Алексенко А.Г., Шагурин И.И. «Микросхемотехника». - М.: Радио и связь, 1990. -496с.
  2.  Ю.Н. Новиков «Электротехника и электроника» М.: ЗАО «Питер», 2005. -268с.
  3.  И.А. Малышева «Технология производства микроэлектронных устройств», М.: Энергия, 1980-366-379с.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

1390. Лингвистические аспекты теории перевода 1.89 MB
  Р. Якобсон О лингвистических аспектах перевода. М. А.К.Хэллидей Сопоставление языков. Основы теории закономерных соответствий. Грамматические трансформации и перевод некоторых синтаксических конструкций. К вопросу о типах межъязыковых лексических соответствий. П. Рикер Парадигма перевода.
1391. Стратегический менеджмент: целевое управление персоналом организаций 1.92 MB
  Механизм управления персоналом организаций в сфере материального производства на основе применения сверхдемократичной и одновременно сверхжесткой квалиметрической оценки персонала предприятия.
1392. Лекции по общей патологической анатомии 2.08 MB
  ВВЕДЕНИЕ В КУРС ПАТОЛОГИЧЕСКОЙ АНАТОМИИ. ЭТАПЫ РАЗВИТИЯ ПАТОЛОГИЧЕСКОЙ АНАТОМИИ. СОДЕРЖАНИЕ, ЗАДАЧИ, ОБЪЕКТЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ. ВОСПАЛЕНИЕ: ОПРЕДЕЛЕНИЕ, СУЩНОСТЬ, БИОЛОГИЧЕСКОЕ ЗНАЧЕНИЕ. МЕДИАТОРЫ ВОСПАЛЕНИЯ. МЕСТНОЕ И ОБЩЕЕ ПРОЯВЛЕНИЯ ВОСПАЛЕНИЯ. ОСТРОЕ ВОСПАЛЕНИЕ: ЭТИОЛОГИЯ, ПАТОГЕНЕЗ. МОРФОЛОГИЧЕСКОЕ ПРОЯВЛЕНИЕ ЭКССУДАТИВНОГО ВОСПАЛЕНИЯ. ИСХОДЫ ОСТРОГО ВОСПАЛЕНИЯ.
1393. Международный маркетинг, книга 2.21 MB
  ПРЕДПОСЫЛКИ СТАНОВЛЕНИЯ И РАЗВИТИЯ МЕЖДУНАРОДНОГО МАРКЕТИНГА. Основные факторы глобализации мировой экономики. Локальный и глобальный товарный знак. ВЛИЯНИЕ ИНТЕРНЕТА НА ЦЕНОВУЮ ПОЛИТИКУ НА ВНЕШНЕМ РЫНКЕ. Специфические особенности международной рекламы.
1394. Математика управления капиталом Методы анализа риска для трейдеров и портфельных менеджеров 2.36 MB
  Некоторые распространенные ложные концепции. Измерение степени пригодности системы для реинвестирования посредством. Характеристики торговли фиксированной долей и полезные методы. Параметрическое оптимальное f при нормальном распределении.
1395. Общая физика 2.36 MB
  Вектора углового перемещения, угловой скорости и ускорения. Производная единичного вектора (при его повороте). Нормальное и касательное ускорения. Центр инерции системы тел. Теорема о движении центра инерции. Закон сохранения импульса. Работа. Кинетическая энергия. Закон сохранения кинетической энергии. Мощность. Следствия из преобразований Лоренца: длины тел и промежутки времени.
1396. Advanced Animation with DirectX 2.43 MB
  Simulating Cloth and Soft Body Mesh Animation. Using Particles in Animation. Blending Morphing Animations. Timing in Animation and Movement. The source filter uses a single interface to represent a collage of filter objects.
1397. Маркетинговое исследование Компании the Сoca-Сola company 286.03 KB
  Получившийся напиток был запатентован как лекарственное средство «от любых нервных расстройств» и начал продаваться через автомат в крупнейшей городской аптеке Джекоба в Атланте. Интересно, что производство «Кока-Колы» в первый год было убыточным, но постепенно популярность «Кока-Колы»
1398. Технологии разработки Windows–приложений в системе Microsoft Visual C++ 2005. Использование Windows Forms 544.17 KB
  Общие сведения о Windows Forms. Программный код приложения, созданного на основе Windows Forms. Создание обработчиков событий. Добавление новой формы в проект. Получение навыков разработки Windows–приложений в системе Microsoft Visual C++ 2005 (VC++) с использованием классов Windows Forms из библиотек.