37801

Амплитудные детекторы радиосигналов

Лабораторная работа

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Приводятся теоретические сведения о принципах детектирования амплитудно модулированных сигналов процессах происходящих при детектировании АМ сигналов основные соотношения и рекомендации по выбору параметров элементов детекторов. В работе изучается влияние элементов принципиальных схем детекторов на характеристики детектирования и на выходные сигналы.1 Определение детектора и процесса детектирования. Процесс детектирования радиосигналов определяется как обратный процессу получения модулированных колебаний радиосигналов.

Русский

2013-09-25

374 KB

27 чел.

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

САМАРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АЭРОКОСМИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ имени академика С. П. КОРОЛЕВА

Кафедра радиотехники

Амплитудные детекторы радиосигналов

Методические указания к лабораторной работе

Самара 2002 год
Составители К.Е.Воронов, А.И.Данилин, А.С.Капустин.

УДК 621.372 (075)

Амплитудные детекторы радиосигналов.

Метод. указания к лабораторной работе / Самарский государственный аэрокосмический университет; составители К.Е.Воронов, А.И.Данилин, А.С.Капустин. Самара, 2002 г., 16 с.

Приводятся теоретические сведения о принципах детектирования амплитудно модулированных сигналов, процессах происходящих при детектировании АМ сигналов, основные соотношения и рекомендации по выбору параметров элементов детекторов. Моделирование осуществляется с помощью программ PSpice пакета ORCAD 9.0, 9.1. Приводятся варианты домашнего задания, краткое описание последовательности выполнения лабораторной работы, требования к выполнению работы и оформлению отчета, вопросы для самоподготовки и контрольные вопросы для самопроверки.

Методические указания предназначены для студентов специальности 190500, 200700, изучающих курс "Анализ систем и сигналов", "Радиотехнические цепи и сигналы", раздел " Гармонический  анализ периодических сигналов ".

Методические указания подготовлены на кафедре радиотехники.

Печатаются по решению редакционно-издательского совета Самарского государственного аэрокосмического университета им. академика С.П.Королева.

Рецензент доц. Широков Ю.Ф.


Цель работы: изучить работу детекторов радиосигналов, осуществляющих преобразование радиосигналов, связаное с переносом спектра модулированнного колебания из области высоких частот в низкочастотную область. В работе изучается влияние элементов принципиальных схем детекторов на характеристики детектирования и на выходные сигналы.

1. Краткие теоретические сведения

1.1 Определение детектора и процесса детектирования.

Процесс детектирования радиосигналов определяется как обратный процессу получения модулированных колебаний (радиосигналов). В основе этого явления лежит нелинейное преобразование сигналов. Детектор осуществляет перенос cпектра модулирующего колебания, т. е. информационного сигнала, в область низких частот. В качестве нелинейных элементов, обычно, используются диоды и транзисторы.

1.2 Детектирование AM колебаний

При детектировании AM колебаний на выходе детектора должен быть получен сигнал , пропорциональный амплитуде AM колебания, т. к. этот сигнал не является составной, суперпозиционной, частью AM колебания, то детектор не может быть линейной схемой с постоянными параметрами. В связи с этим для детектирования применяют схемы, содержащие нелинейные элементы или линейные параметрические элементы.

Процесс детектирования в схемах, содержащих нелинейные элементы, происходит следующим образом. Пусть на нелинейный элемент подается напряжение:

   (1.1)

где - постоянное напряжение,

- изменяющаяся во времени амплитуда AM напряжения.

Тогда ток через нелинейный элемент можно представить:

 (1.2)

Амплитуды, ..., являются функциями и Все составляющие выражения (1.2), кроме нулевой, - модулированные колебания высокой частоты. Нулевая составляющая, таким образом, получает добавки в связи с изменением , т.е. нулевая составляющая воспроизводит, в конечном итоге, закон модуляции. Эта составляющая выделяется с помощью низкочастотных фильтров. Простейшим фильтром может служить параллельная RC-цепь.

Для неискаженного детектирования AM колебаний выбирают характеристику нелинейного детектирования элемента и величину такими, чтобы составляющая  менялась пропорционально . Зависимость от   называют характеристикой детектирования.

Коллекторный детектор

Рассмотрим работу схемы коллекторного детектора, изображенного на рис. 1.1. Параллельная RC-цепь подключена к коллектору транзистора и служит для выделения нулевой составляющей тока . Эта составляющая изменяется во времени медленно по сравнению с другими составляющими тока. Например, если детектируется AM напряжение:

          (1.3),

то частота изменения тока равна частоте модуляции , причем всегда .  Поэтому можно выбрать R и С таким образом, чтобы составляющая проходила почти полностью через резистор R, а колебания высокой частоты не создавали бы напряжения на RC фильтре. Для этого необходимо выполнение неравенства:

   (1.4)

Это неравенство означает что для высокочастотных составляющих тока сопротивление конденсатора  и т.д. мало по сравнению с сопротивлением резистора R. Поэтому напряжением, создаваемым этими составляющими, можно пренебречь по сравнению с низкочастотным напряжением, приблизительно равным. Таким образом, напряжение на коллекторе равно

     (1.5)

На рис. 1.2 изображены процессы в схеме коллекторного детектора и показано, что при детектировании возможны искажения: напряжение на выходе не пропорционально амплитуде входного сигнала. Чтобы искажений не было, необходимо выбрать режим детектора так, чтобы характеристика детектирования была линейной. При малых амплитудах колебания для исследования характеристики детектирования удобно применить аппроксимацию степенным рядом. В этом случае, пренебрегая высшими степенями , получаем:

(1.6)

Это выражение точное, если рабочий участок характеристики аппроксимируется квадратичной параболой. Режим детектирования, соответствующий этому случаю, называется квадратичным. При квадратичном детектировании характеристика детектирования (1.6) нелинейна, что приводит к искажениям. Действительно, если детектируется AM сигнал (1.3), то

         (1.7)

Таким образом, в токе, и, следовательно, в напряжении на нагрузке появится, помимо модулирующего колебания с частотой, его вторая гармоника.

При увеличении амплитуды  в выражении (1.6) необходимо учитывать слагаемые с высшими степенями , что может привести к более линейной зависимости  от, и к уменьшению искажений.

При исследовании процесса детектирования при больших амплитудах  целесообразно применить аппроксимацию ломаной прямой. В этом случае характеристика детектирования, т.е. зависимость  от , имеет вид:

,

где  (1.8)

Для получения линейной характеристики детектирования (1.8) необходимо, чтобы угол отсечки не зависел от - Это будет при , т.е. при напряжении смещения, равном напряжению излома характеристики . При этом = 90° и

           (1.9)

Следовательно, при большой амплитуде  сигнала  и  правильно выбранном смещении, характеристика детектирования линейна и искажения отсутствуют.

Типичный вид характеристики детектирования        коллекторного детектора   с   учётом   начального квадратичного участка характеристики

 i = f(u) (рис. 1.3а), изображён на рис. 1.36.

Диодный детектор

Простейшая схема диодного детектора приведена на рис. 1.4. Особенность такой схемы состоит в том, что выходное напряжение приложено в качестве отрицательного смещения  к диоду. Параметры нагрузки (R и С) выбираются так же, как и в схеме коллекторного детектора (формула(1.4)):

  

При этом напряжение на нагрузке создаётся    в    основном    нулевой составляющей тока диода и его можно считать равным . В данной схеме неравенство

несёт ещё одну смысловую нагрузку. Оно означает, что постоянная времени цепи, по которой протекает разрядный ток конденсатора при закрытом диоде, равная произведению RC, значительно больше периода  высокочастотного сигнала , поступающего на вход детектора (рис. 1.5).

То есть напряжение на конденсаторе   за   отрезок времени, пока закрыт диод, уменьшается незначительно. Заряжается конденсатор током, протекающим через открытый диод, т.е. постоянная времени цепи заряда мала и заряд конденсатора происходит значительно быстрее разряда. Для поддержания стационарного состояния схемы (при котором разряд конденсатора полностью компенсируется зарядом) нужно, чтобы отрезок времени , в течение которого диод открыт, был значительно меньше отрезка времени , в течение которого диод закрыт. Иными словами, длительность импульсов тока, заряжающих конденсатор (рис. 1.6), должна быть мала по сравнению с периодом их повторения   ,т.е. в течение значительной части периода диод должен быть закрыт. Диод закрывается напряжением (рис. 1.6), следовательно, величина напряжения  должна быть лишь немного меньше, чем амплитуда входного сигнала . Таким образом, если сопротивление нагрузки R велико по сравнению с сопротивлением открытого диода, то т.е. детектирование в этом случае является линейным.

Точное равенство напряжения на нагрузке и амплитуды сигнала невозможно, так как при этом диод полностью закрывается и прекращается заряд конденсатора. Если амплитуда входного сигнала медленно изменяется (рис. 1.7), то напряжение на нагрузке  тоже изменяется, увеличиваясь при увеличении  и уменьшаясь при его уменьшении, т.е. напряжение  изменяется так же, как амплитуда сигнала , оставаясь всё время несколько меньше .

  Назовём отношение  коэффициентом детектирования. Из приведённого выше анализа следует, что коэффициент детектирования близок к единице  и не зависит от изменений амплитуды сигнала . Однако этот анализ справедлив только при выполнении неравенства (1.4) и при условии, что R велико по сравнению с сопротивлением открытого диода.

Рассмотрим с помощью рис. 1.8 и 1.9, что произойдёт, если несправедливо неравенство (1.4).

Пусть величина ёмкости конденсатора мала, так что не выполняется неравенство  

при этом конденсатор  сильно разряжается в промежутках между импульсами тока (при закрытом диоде), и на нагрузке возникают значительные пульсации напряжения (рис. 1.9). Это можно трактовать по другому: сопротивлением нагрузки для высокочастотных составляющих тока нельзя пренебречь, и эти составляющие создают пульсации напряжения на нагрузке. Пусть величина ёмкости С велика, так что не выполняется неравенство . Это означает, что при за крытом диоде конденсатор разряжается настолько медленно, что напряжение на нём  не успевает повторять все изменения амплитуды  входного сигнала (рис. 1.8).

При анализе работы детектора использовалось ещё одно условие: сопротивление R значительно больше сопротивления открытого диода. Рассмотрим сначала на примере простой модели детектора, содержащей диод с идеализированной, линейно-ломаной характеристикой (рис. 1.10), как влияет это условие на коэффициент

Детектирования   .

Внутреннее сопротивление такого диода в открытом состоянии равно , где S -крутизна характеристики, а нулевая составляющая тока  равна   

   Умножая обе части этого равенства на R и учитывая что , получаем

       (1.10)

Поскольку точка излома характеристики диода совпадает с началом координат, то формула для имеет вид:

     (1.11)

Это равенство означает, что в рассматриваемой модели детектора коэффициент детектирования .

Поделим обе части равенства (1.10) на , тогда используя (1.11), можем записать:

  (1.12)

Этим равенством в неявной форме записано соотношение между внутренним сопротивлением диода , сопротивлением нагрузки R и коэффициентом детектирования .

Используя    (1.12), нетрудно       построить зависимость коэффициента детектирования   от  произведения SR (рис. 1.11) .

Рассмотрение        этой зависимости   показывает:

если       сопротивление нагрузки R в 100 раз превышает     внутреннее сопротивление  открытого диода ,  , то коэффициент  детектирования ;

при    увеличении    R, коэффициент детектирования  увеличивается, асимптотически приближаясь к единице . Можно считать , что при выходное напряжение  пропорционально амплитуде входного сигнала, т.е. детектирование происходит без искажений.

Аналогичный результат получается для других аппроксмаций вольт-амперных харатеристик диодов.

Найдем выходное напряжение в схеме детектора с диодом, характеристика которого аппроксимирована квадратичной параболой с отсечкой

.

Такая аппроксимация характеристики диода более естественна, чем предыдущая, поскольку диод работает в области малых напряжений т.е. на начальном, нелинейном, участке вольт-амперной характеристики. При такой аппроксимации

 (1.13)

Умножаем это выражение на R и делим на , в результате имеем:

.          (1.14)

График зависимости от   коэффициента детектирования изображён на рис. 1.12. 

Из графика следует, что коэффициент детектирования при =1000 и возрастает с увеличением R , асимптотически приближаясь к единице. При больших  коэффициент детектирования практически не зависит от амплитуды

Таким образом, при любой     характеристике диода можно подобрать параметры нагрузки так, чтобы       коэффициент детектирования    был близок к единице и не зависел от . В этом случае   напряжение   на нагрузке пропорционально  т.е. детектирование является       линейным. Нелинейность      может наблюдаться только при малой величине .

Домашнее задание.

Исследование диодного детектора

1. Изобразить принципиальную схему последовательного диодного детектора.

2. Оценить значение ёмкости нагрузки, при которой возможно неискажённое детектирование АМ-колебания с частотой модуляции F и несущей частотой fо , которые задаёт преподаватель по номеру варианта. Принять R=1000 Ом.

3. Изобразить качественно временные диаграммы входного АМ-напряжения uвх(t), напряжения на диоде u(t) и напряжения на нагрузке Uвых(t), при:

а) правильно выбранной величине ёмкости нагрузки С;

б) слишком большой ёмкости нагрузки;

в) при отсутствии ёмкости нагрузки.

4. Выполнить кусочно-линейную аппроксимацию вольт-амперной характеристики полупроводникового диода, изображённой на рис.2.2.

5. Определить коэффициент передачи диодного детектора в режиме линейного детектирования.

Исследование коллекторного детектора.

1. Изобразить принципиальную схему коллекторного детектора.

2. Оценить значение сопротивления Rk и ёмкости Ck нагрузки, при которой возможно неискажённое детектирование АМ-колебания с частотой модуляции F и несущей частотой fо , которые задаёт преподаватель по номеру варианта.

Лабораторное задание и методические указания.

Получить зависимость низкочастотного напряжения на выходе детектора от амплитуды напряжения несущей на входе детектора при постоянной глубине модуляции A, модулирующей частоте F и несущей частоте f0, Значения М, F, fo выбираются согласно варианту домашнего задания.

Исследование диодного детектора

1. Для выполнения домашнего задания в компьютерном классе используется интегрируемый пакет PSpice-программа detectl.cir. В программе рассматриваются два источника входного напряжения: VA-c частотой модуляции F, и VC- с несущей частотой fо. В пункте программы , где определяются источники питания, задать свои частоты. В пункте программы задайте необходимую для неискаженного воспроизведения огибающей АМ-колебаний ёмкость CL, определённую из домашнего задания. Используя данную программу получить выходной сигнал при различных амплитудах несущей, которые можно задать в строке .step param PAR list no списку. Зарисуйте (распечатайте) полученные результаты.

2. Для выполнения второго задания используется программа detect2.cir.B пункте программы .step param PAR list необходимо задать ряд значений ёмкости CL при которых будет наблюдаться:1) неискаженное детектирование, 2) искажённое детектирование, 3) отсутствие детектирования (сильно искажённое воспроизведение огибающей). Зарисуйте (распечатайте) полученные результаты.

3. Используя программу detectoa.cir рассмотреть характер зависимости АМ-колебаний от амплитуды модулирующего сигнала. В строке .step param PAR list задайте ряд значений амплитуды модулирующего сигнала. Зарисуйте (распечатайте) полученные результаты.

Варианты домашнего задания.

Таблица №1.

№ Варианта

f,кГц

F,КГц

Rn,К

1

100

1

0,8

2

200

2

1

3

150

1,5

1,2

4

250

2,5

1,4

5

120

1,2

1,6

6

220

2,2

1,8

Таблица №2.

№ Варианта

Ml

M2

М3

1

0,1

0,5

0,9

2

0,3

0,6

0,8

3

0,5

0,4

0,2

4

0,7

0,2

0,5

5

0,9

0,7

0,3

6

0,7

0,6

0,1

Из таблицы №1 по указанию преподавателя определяется частота модуляции F и несущей f. По таблице №2 – глубина модуляции в относительных единицах.

Исследование коллекторного детектора

  1.  Для выполнения задания используется программа. В программе рассматриваются два источника – источник амплитудно-модулированного сигнала и источник смещения, задающий рабочую точку источника. Используя данную программу получить выходной сигнал при различной глубине модуляции сигнала, которые можно задать в строке .step param m1 list no списку, возможно варьирование параметров элементов Rk и Ck, строки .step param m3 list строке .step param m4 list . строке .В строке step param m2 list варьируются параметры напряжения смещения.
  2.  Выполнение работы. В пункте программы, где определяются источники питания, задать свои частоты. Установить расчетное значение Rk в строке .param m3=. Изменяя напряжение смещения m2 задать рабочую точку. Затем зафиксировать m2 в строке .param m3=. Изменяя значения Ck (m4) получить ряд характеристик. Зарисовать (распечатать) полученные результаты. Затем для расчетного Ck получить выходные характеристики для различных значений глубины модуляции m1. Зарисовать (распечатать) полученные результаты.

Указание к отчёту.

Отчёт должен содержать:

1) принципиальную схему последовательного диодного и коллекторного детектора;

2) расчёты, графики и рисунки, полученные при выполнении домашнего задания;

3) результаты экспериментального исследования в виде таблиц и графиков;

4) выводы и оценку полученных результатов;


Приложение 1

программа DETECT1

CIRCUIT: Amplitude detector

*

*

*                                               D1 KD522A

*

*  (A)              (B)               (1)      |\ |      (2)

*   +------+         +------+          +-------|->|-------+-------+

*   |      |         |      |          |       |/ |       |       |

*   |      |  RA     |      |  RC      |                  |  RL  _ _  CL

*  (^)VA  | | 10k   (^)VC  | | 10k    (^) EM             | | 1k  _ _  0.1U

*   |     | |        |     | |         |                 | |      |

*   |      |         |      |          |                  |       |

*  _|_ (0)_|_       _|_ (0)_|_        _|_ (0)        (0) _|_     _|_

*                     

*

*

.param PAR=1

.model KD522A  D(Is=10f Rs=1 Ikf=0 N=1 Xti=3 Eg=1.11 Cjo=4.23p M=.3 Vj=.75

+               Fc=.5 Isr=1.402u Nr=2 Bv=100.1 Ibv=.2624 Tt=7n)

*MODULATING SIGNAL

*

VA  A   0   SIN(0   0.3   1000)

RA  A   0   10K

*CARRIER OSCILLATOR

*

VC  B   0   SIN(0  {par}   10000)

RC  B   0   10K

*AMPLITUDE MODULATOR

*

EM  1  0

+   POLY(2) (A,0)   (B,0)

+

+  0    0         1         0           1

*  |    |         |         |           |

*  p0 + p1(A,0) + p2(B,0) + p3(A,0)^2 + p4(A,0)(B,0)

REM 1  0   10K

D1     1 2 KD522A

CL     2 0 0.1U

RL     2 0 1K

.tran    10.000u     4.000m            ; *ipsp*

.step    param PAR list 0.3 0.5 0.7 1.2

.probe v(2) V(1)

.options itl5 = 0 abstol = 1.000n chgtol = 10.000p

+    pivtol = 100.000p vntol = 10.000u  ; *ipsp*

Программа DETECT2.

CIRCUIT: Amplitude detector

*

*

*                                               D1 KD522A

*

*  (A)              (B)               (1)      |\ |      (2)

*   +------+         +------+          +-------|->|-------+-------+

*   |      |         |      |          |       |/ |       |       |

*   |      |  RA     |      |  RC      |                  |  RL  _ _  CL

*  (^)VA  | | 10k   (^)VC  | | 10k    (^) EM             | | 1k  _ _  0.1U

*   |     | |        |     | |         |                 | |      |

*   |      |         |      |          |                  |       |

*  _|_ (0)_|_       _|_ (0)_|_        _|_ (0)        (0) _|_     _|_

*                     

*

*

.param PAR=1

.model KD522A  D(Is=10f Rs=1 Ikf=0 N=1 Xti=3 Eg=1.11 Cjo=4.23p M=.3 Vj=.75

+               Fc=.5 Isr=1.402u Nr=2 Bv=100.1 Ibv=.2624 Tt=7n)

*MODULATING SIGNAL

VA  A   0   SIN(0   0.8   1000)

RA  A   0   10K

*CARRIER OSCILLATOR

*

VC  B   0   SIN(0  1   100000)

RC  B   0   10K

*AMPLITUDE MODULATOR

EM  1  0

+   POLY(2) (A,0)   (B,0)

+

+  0    0         1         0           1

*  |    |         |         |           |

*  p0 + p1(A,0) + p2(B,0) + p3(A,0)^2 + p4(A,0)(B,0)

REM 1  0   10K

D1     1 2 KD522A

CL     2 0 {par}

RL     2 0 1K

.tran    10.000u  5.000m   2.000m   0         ; *ipsp*

.step    param PAR list 0.003u 0.01u 0.05u 0.1u 0.2u 0.5u

.probe v(2) V(1)

.options itl5 = 0 abstol = 1.000n chgtol = 10.000p

+    pivtol = 100.000p vntol = 10.000u  ; *ipsp*

Программа DETECTOA

CIRCUIT: Amplitude detector

**

*                                               D1 KD522A

*

*  (A)              (B)               (1)      |\ |      (2)

*   +------+         +------+          +-------|->|-------+-------+

*   |      |         |      |          |       |/ |       |       |

*   |      |  RA     |      |  RC      |                  |  RL  _ _  CL

*  (^)VA  | | 10k   (^)VC  | | 10k    (^) EM             | | 1k  _ _  0.1U

*   |     | |        |     | |         |                 | |      |

*   |      |         |      |          |                  |       |

*  _|_ (0)_|_       _|_ (0)_|_        _|_ (0)        (0) _|_     _|_

*                     

.param PAR=1

.model KD522A  D(Is=10f Rs=1 Ikf=0 N=1 Xti=3 Eg=1.11 Cjo=4.23p M=.3 Vj=.75

+               Fc=.5 Isr=1.402u Nr=2 Bv=100.1 Ibv=.2624 Tt=7n)

*MODULATING SIGNAL

*

VA  A   0   SIN(0   {PAR}   1000)

RA  A   0   10K

*CARRIER OSCILLATOR

*

VC  B   0   SIN(0   1   100000)

RC  B   0   10K

*AMPLITUDE MODULATOR

*

EM  1  0

+   POLY(2) (A,0)   (B,0)

+

+  0    0         1         0           1

*  |    |         |         |           |

*  p0 + p1(A,0) + p2(B,0) + p3(A,0)^2 + p4(A,0)(B,0)

REM 1  0   10K

D1     1 2 KD522A

CL     2 0 0.1U

RL     2 0 1K

.tran    10.000u  5.000m   2.000m   0         ; *ipsp*

.step    param PAR list 0.3 0.5 0.7

.probe v(2) V(1)

.options itl5 = 0 abstol = 1.000n chgtol = 10.000p

+    pivtol = 100.000p vntol = 10.000u  ; *ipsp*

Программа koldet

koldet

.param m1=0.1

.param m2=0.7

.param m3=150

.param m4=0.5u

v1 5 0 sin(0 .1 100k 0 0 +90)

v2 6 0 sin(0 {m1} 1k 0 0 +90)

v3 7 0 sin(0 0 20k 0 0 +90)

r1 5 0 1meg

r2 6 0 1meg

r3 7 0 1meg

e 2 1 poly(3) (5,0) (6,0) (7,0) 0 1 0 0 0 1 1

VCm 1 0 DC {m2}

Rk 3 4 {m3}

Ck 3 4 {m4}

VS 4 0 DC 10V

Q1 3 2 0 KT315A

.MODEL KT315A NPN (IS=10E-15 ISE=100NA NE=4 ISC=100NA

+ NC=4 BF=90 IKF=0.1A VAF=45 CJC=7PF CJE=7PF RB=3

+ RE=0.5 RC=0.2 TF=0.3NS TR=17ONS KF=4E-15 AF=1)

*.step param m2 list 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9

*.step param m1 list 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09

*.step param m3 list 50 100 150 175

*.step param m4 list 0.25u 0.5u 1u 1.5u

.tran 0.1u 10000u

.probe V(2) V(3) V(6)


Амплитудные детекторы радиосигналов

Составители: Воронов Константин Евгеньевич, Данилин

Александр Иванович, Капустин Александр Степанович

Компьютерная верстка О.А.Карасева

Подписано в печать 15.03.02 Формат 60х84 1/16.

Бумага офсетная. Печать офсетная.

Усл. печ. л. 1,16. Усл. кр.-отт. 1,28. Уч.-изд. л. 1,28.

Тираж 100 экз. Заказ  216. Арт. С-57мр/02.

Самарский государственный аэрокосмический университет им. академика

С. П. Королева

443086 Самара, Московское шоссе, 34

Издательство Самарского аэрокосмического университета.

443001, г. Самара, ул. Молодогвардейская, 151.


Рис.2.2. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода

Рис.1.12

u

t

Рис.1.4

С

Рис.1.7

i

Рис.1.11

Рис.1.10

Uвых

10V

Vсм

E

Rk

Ck

Схема коллекторного детектора

Рис.1.3

б)

a)

Um

I0

Uн

U

I

R

Uвых

i

Uд

Рис.1.6

t

i

t

Uд

Uд

i

Рис.1.5

t

t2

t1

u

uвых

t

i

t

Uд

Uд

i

Рис.1.9

t

u

uвых

Рис.1.8

t

u

uвых

i

Uд

0

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

0,7

0,8

0,9

1

0,1

cos

RS

10000

10

1000

100

1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

0,7

0,8

0,9

1

0,1

cos

aUmR

10000

10

1000

100

1

I, мA

50

35

40

45

20

30

25

5

10

15

-200

-100

200

150

100

50

U, B

0,5

0,47

0,3

0,2

0,1

I0

Рис.1.2

t

i

t

U0

u

i


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

31815. Позиционные игры и метод «Дерево решений» при разработке управленческих решений 34 KB
  Позиционные игры и метод Дерево решений при разработке управленческих решений. Позиционные игры класс бескоалиционных игр в которых принятие игроками решений т. в ходе процесса принятия решений субъект проходит последовательность состояний в каждом из которых ему приходится принимать некоторое частичное решение. Дерево решений – это графоаналитический метод позволяющий визуально оценить различные действия различных факторов на выбор УР.
31816. Технология ведения деловых бесед 29 KB
  К числу целей требующих проведения деловой беседы можно отнести вопервых стремление одного собеседника посредством слова оказать определенное влияние на другого человека или группы к действию с тем чтобы изменить существующую деловую ситуацию или деловые отношения другими словами создать новую деловую ситуацию или новые деловые отношения между участниками беседы; вовторых необходимость выработки руководителями соответствующих решений на основании анализа мнений и высказываний сотрудников. В сравнении с другими видами речевой...
31817. Личные качества менеджера, темперамент и психологический тип лица, принимающего решения 34 KB
  Личные качества менеджера темперамент и психологический тип лица принимающего решения. менеджер занимается приемом передачей и обработкой информации необходимой для работы предприятия; руководитель принимает решения которые ложатся в основу работы предприятия. К основным личным качествам современного менеджера можно отнести такие качества как: жажда знаний профессионализм новаторство и творческий подход к работе; упорство уверенность в себе и преданность делу; нестандартное мышление изобретательность инициативность и...
31818. Организация процесса разработки, принятия и выполнения управленческих решений 26 KB
  Фактор виляющие на организацию проц ЛПР: 1Степень структурированности проблемы 2Степень загрузки ЛПР 3Налич инфи 4Степень неопределенности 5Наличие ресв 6Масштабность проц принимаемого решения 7 организационная культура предприятия Особенности разработки запрограммированных и не запрограммированных решений: Алгоритм разрки запрогго решения: 1Распредеелние ресв на разработку решения 2Назаначение ответственных за выполнение УР Алгоритм разрки не запрогго решения: 1Создание временного труд колва по РУР 2Координация проц РУР 3Контроль хода...
31819. Использование власти и личностного влияния в процессе принятия управленческих решений 24 KB
  Управленческие отношения формируются самим рукм в сфере его воздействия в поле его влияния. Формализованные УР ориентируют рукля на жесткие требования а работников на подчинение этим требованиям. Персонализированные ориентируют руководителя на мягкие требования а работников на самостоятельное решение проблем. Виды: 1Атхократические подчиняются силе воли рукля 2Технократические – рабки подчиняются производственному проц 3Бюрократические – подчиняются организационному порядку в ущерб делу Персонализированные упре отношения:...
31820. Современные программные средства, используемые для поддержки принятия решений 24 KB
  Продукт SS Wrehouse dministrtor позволяет реализовать хранилища данных на верхнем уровне и SS OLP ДЛЯ АНАЛИТИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ В РЕЖИМЕ реального времени. Продукт Orcle Wrehouse Builder OWB – средства для проектирования и развертывания хранилищ данных витрин данных и приложений по деловому интеллекту в Интернет. Система Business Objects – предназначен для создания самых сложных консолидирующих упрх и аналитических отчетов на основе накопленных в организации разнородных данных рассылки этих отчетов корпоративным сервером. Система...
31821. Понятие и классификация автоматизированных информационных систем в управлении 28.5 KB
  Автоматизированная информационная система АИС совокупность программноаппаратных средств предназначенных для автоматизации деятельности связанной с хранением передачей и обработкой информации. АИС являются с одной стороны разновидностью информационных систем ИС с другой автоматизированных систем АС вследствие чего их часто называют ИС или АС. В АИС за хранение информации отвечают: на физическом уровне встроенные устройства памяти RM внешние накопители дисковые массивы на программном уровне файловая система ОС СУБД...
31822. Реформа армии Петра I 595 KB
  Для приверженцев первой точки зрения в военной историографии характерна уверенность в том, что военное дело в допетровской России было безнадежно отсталым, устаревшим и к моменту воцарения Петра I находилось в состоянии полного развала и запустения, армия была дезорганизована и небоеспособна
31823. Создание плана озеленения с использованием древесно-кустарниковых и травянистых растений, исключительно имеющих лечебные свойства 150.18 KB
  Фитотерапия с лечебной и профилактической целью использует либо растения в целом либо их отдельные части: корни корневища клубни луковицы листья цветки стебли кору почки ягоды плоды и семена. Цветет в мае плоды созревают в июле августе. Плоды черемухи использовались человеком каменного века о чем свидетельствуют результаты археологических раскопок. Используя их в пищу люди не могли не отметить их специфического вяжущего действия поэтому плоды черемухи можно считать одним из древнейших лекарственных средств.