3794

Изучение вольт-амперной характеристики полупроводникового диода

Лабораторная работа

Физика

Цель работы: изучение вольт-амперной характеристики полупроводникового диода, знакомство с работой одно- и двухполупериодного выпрямителя. Задача: Построить вольт-амперные характеристики германиевого и меднозакисного диодов. Оценить коэффициенты ...

Русский

2012-11-07

90 KB

48 чел.

Цель работы: изучение вольт-амперной характеристики полупроводникового диода, знакомство с работой одно- и двухполупериодного выпрямителя.

Задача: 1. Построить вольт-амперные характеристики германиевого и меднозакисного диодов. Оценить коэффициенты выпрямления и сопротивления прямого и обратного токов диодов.

2. Определить КПД схемы однополупериодного и двухполупериодного выпрямления, исследовать осциллографом полученные кривые.

Приборы и принадлежности: источник питания, электронный осциллограф, вольтметр, амперметры, германиевый и меднозакисный диоды, схемы выпрямителей.

Внимание! Так как в работе используется высокое напряжение, необходимо строго соблюдать правила техники безопасности.

ВВЕДЕНИЕ

Принцип действия полупроводниковых диодов основан на свойствах электронно-дырочного перехода, который создают внутри полупроводника путем введения в одну его часть акцепторной примеси, а в другую – донорной. Тогда одна область имеет дырочную р, а другая – электронную n-проводимость.

Вследствие избыточной концентрации электронов в n-области и дырок в р-области происходит диффузия основных носителей через контакт. Рекомбинация электронов и дырок приводит к образованию в приконтактной области двойного электрического слоя: на границе n-области возникает нескомпенсированный электронами объемный заряд положительных ионов донорной примеси, а на границе р-области нескомпенсированный заряд отрицательных ионов акцепторной примеси. Эта область объемного заряда и есть (р - n)-переход. Электрическое поле в этом слое направлено так, что противодействует дальнейшему переходу через слой основных носителей. Равновесие достигается при такой высоте потенциального барьера, при которой уровни Ферми обеих областей располагаются на одинаковой высоте.

В состоянии равновесия суммарный ток, созданный движением основных и неосновных носителей тока через (р - n)-переход, равен нулю.

Подключение к (р - n)-переходу внешнего напряжения прямой полярности (плюс со стороны р-полупроводника, минус со стороны n-полупроводника) приводит к уменьшению электрического поля двойного слоя и его сопротивления. Число основных носителей тока, способных проникнуть через (р - n)-переход, растет, поток неосновных носителей тока не изменяется. Через контакт идет ток в прямом направлении. Причем внешнее напряжение нарушает равновесие, так что уровни Ферми обеих областей смещаются друг относительно друга. При прямом напряжении уровень Ферми в р-области располагается ниже, чем n-области.

Внешнее поле обратной полярности складывается с внутренним электрическим полем двойного слоя, тогда для тока основных носителей возникает большое сопротивление. Через контакт идет ток обратного направления. При некоторой величине обратного напряжения переход основных носителей тока через контакт прекращается, тогда обратный ток создается неосновными носителями и достигает своего насыщения.

Неодинаковость сопротивления в прямом и обратном направлении позволяет использовать (р - n)-переходы для выпрямления переменного тока, т. е. при приложенном переменном напряжении осуществляется односторонняя проводимость. Зависимость тока через (р - n)-переход от приложенного к нему напряжения, называемая его вольт-амперной характеристикой, изображена на рис. 1.

Рис. 1. Вольт-амперная характеристика диода

ОПИСАНИЕ УСТАНОВКИ И МЕТОДА ИЗМЕРЕНИЙ

Для исследования вольт-амперной характеристики германиевого и меднозакисного диодов в работе используются приборы для измерения силы тока и напряжения. Электрическая схема включения диодов приводится на рис. 2. Исследуемый диод через переключатель П1 и двухполюсный переключатель П2 подключается через переменное сопротивление R к источнику напряжения 5 В. Переключатель П1 изменяет полярность включения диода, при этом через диод идет ток в прямом или обратном направлении. Падение напряжения на диоде измеряется вольтметром. Прямой ток измеряется миллиамперметром, а обратный – микроамперметром.

Рис. 2. Схема подключения диодов

По вольт-амперной характеристике диода можно определить: 1) коэффициент выпрямления диода; 2) сопротивления прямого и обратного перехода. Под коэффициентом выпрямления рассматривают отношение величины прямого тока к обратному при одинаковых значениях прямого и обратного напряжений. Сопротивление диода определяется в прямом  и в обратном  направлениях.

Для исследования одно- и двухполупериодного выпрямления используются приборы для измерения тока и напряжения, электронный осциллограф. Электрическая схема включения приведена на рис. 3. Исследуемое выпрямленное напряжение снимается с сопротивления R в положении переключателя П1 – Vс. В положении переключателя П1 – V0 на вольтметр подается напряжение с выхода трансформатора (переменное).

Рис. 3. Схема одно- и двухполупериодного выпрямителя

С помощью переключателя П2 включается схема одно- или двухполупериодного выпрямления. Для наблюдения вида зависимости выпрямленного тока от времени в схеме предусмотрены гнезда для подключения электронного осциллографа.

коэффициент полезного действия выпрямителя выражается отношением

,

где V0, I0 – эффективные переменные напряжение и ток; Vс, Iс – выпрямленные напряжение и ток.

ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ

Задание 1. Изучении вольт-амперной характеристики

германиевого и меднозакисного диодов

Включить установку в сеть (см. рис. 2). Переключатель П2 в положении Ge.

  1.  Для измерения прямого тока Iпр переключатель П1 замыкают на клеммы 1 – 2, в схему измерений включается миллиамперметр.
  2.  Установить переменным сопротивлением минимальное значение напряжения.
  3.  Записать показания вольтметра и миллиамперметра.
  4.  Равномерно увеличивая напряжение, снять зависимость Iпр от Vпр (5 – 10 значений).
  5.  Для измерения обратного тока Iоб замкнуть П1 на клеммы 3 – 4, при этом в схему измерений включается микроамперметр.
  6.  Установить переменным сопротивлением минимальное значение напряжения.
  7.  Записать показания вольтметра и микроамперметра.
  8.  Равномерно увеличивая напряжение, снять зависимость Iоб от Vоб.
  9.  Переключить П2 в положение Cu2О, проделать для меднозакисного диода измерения пп. 1 – 8.
  10.  Построить вольт-амперные характеристики диодов.
  11.  Получить оценки коэффициента выпрямления для диодов.
  12.  Получить оценки сопротивления прямого и обратного перехода диодов.
  13.  Сделать выводы.

Задание 2. Изучение работы одно- и двухполупериодного выпрямителя

  1.  С помощью переключателя П2 включить схему однополупериодного выпрямителя.
  2.  Переключателем П1 подать на сопротивление R напряжение с выхода трансформатора V0.
  3.  Записать показания амперметра и вольтметра.
  4.  Переключателем П1 подать на сопротивление R выпрямленное напряжение Vс.
  5.  Записать показания амперметра и вольтметра.
  6.  Определить КПД схемы однополупериодного выпрямления.
  7.  С помощью переключателя П2 включить схему двухполупериодного выпрямителя.
  8.  Повторить пп. 3 – 7.
  9.  Исследовать осциллографом кривые подводимого и выпрямленного напряжений и зарисовать их форму.
  10.  Сделать выводы.

КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ

  1.  Объясните на энергетической диаграмме (р - n)-перехода, как изменяется высота барьера (р - n)-перехода при приложении к нему внешнего напряжения (прямого и обратного).
  2.  Объясните особенности вольт-амперной характеристики диода.
  3.  Назовите преимущества и недостатки полупроводниковых диодов по сравнению с вакуумными.
  4.  Почему энергетические уровни изолированных атомов в кристалле расщепляются в зоны?
  5.  Что называется зоной проводимости, валентной зоной?

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

  1.  Савельев И. В. Курс общей физики : в 3 т. / И. В. Савельев. – М. : Наука, 1979. – Т. 3. 221 – 226 с.
  2.  Трофимова Т. И. Курс физики / Т. И. Трофимова. – М. : Высш. шк., 1997. – 442 с.
  3.  Детлаф А. А. Курс физики / А. А. Детлаф, В. М. Яворский. – М. : Высш. шк., 2003. – 530 с.
  4.  Бордовский Г. А. Общая физика: в 2 т. / Г. А. Бордовский, Э. В. Бурсиан. – М. : Изд-во ВЛАДОС-Пресс, 2001. – Т. 2. 168 с.

PAGE  3


V

I

V

АА

mА

П2

П1

Ge

Cu2O

5 В

+

+

+

2

1

4

3

А

П1

~ 220

V

Vc

V0

П2

Д1

Д2


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

41780. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ИЗОЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ТОЧКИ РАСТВОРОВ АМФОТЕРНЫХ ПОЛИЭЛЕКТРОЛИТОВ 118.87 KB
  Измерьте рН всех приготовленных растворов результаты внести в табл. Приготовление растворов 1 2 3 4 5 6 7 8 9 Объем 3 раствора желатина мл 20 20 20 20 20 20 20 20 20 Объем 005 М HCl мл 20 14 8 2 Объем 001 М NОН мл 2 8 14 20 Объем дистиллированной воды мл 6 12 18 20 18 12 6 4. Определите оптическую плотность растворов при помощи ФЭК56 со светофильтром № 4 синий и кюветой 30 мм.
41781. Программирование на языках Texno IL и Texno SFC 1.76 MB
  Создайте еще один канал. Установите период пересчета равным 1 секунде. Для удобства восприятия назовем новый канал «выключатель». Для создания выключателя необходимо щелкнуть левой клавишей мыши по иконке выключателя на рабочем столе.
41782. Изучение и анализ конструкций систем смазки транспортных двигателей 141.06 KB
  Вывод: Ознакомились с устройством систем смазки различных двигателей научились анализировать их конструктивные особенности.
41784. Создание цветных изображений с использованием цветов, контуров и инструментов заливки 6.16 MB
  Цели занятия: Научить создавать изображения с цветом контуром и инструментами заливки. Учащиеся должны научиться: Создает цветные изображения с использованием цветов контуров и инструментов заливки. Различают восемь типов заливок: однородные или сплошные заливки; градиентные заливки; заливки двухцветным узором; заливки цветным узором; заливки точечным узором; текстурные заливки; заливки растром PostScript; сетчатые заливки.
41785. Изучение метода обратного рассеяния в волоконных световодах с помощью оптического рефлектометра 437.08 KB
  Изучение метода обратного рассеяния, способов определения параметров неоднородных оптических линейных трактов по рефлектограмме, получение навыков работы с оптическим рефлектометром.
41786. Настройка фрезерного станка с числовым программным управлением ЛФ260МФЗ на обработку заданной детали 2.95 MB
  Цель работы: 1 Ознакомится с устройством и органами управления фрезерногостанка с ЧПУ ЛФ260МФЗ и системой управления НЗЗ1М. Ознакомится с технологическими возможностями станка и способами их реализации. Органы управления размещены на пульте управления станка и системе управления НЗЗ1М.
41787. ИССЛЕДОВАНИЕ СПОСОБОВ КОРРЕКЦИИ СИСТЕМ АВТОМАТИЧЕСКОГО УПРАВЛЕНИЯ 2.7 MB
  Исследование влияния обратных связей на характеристики линейных динамических звеньев. Изучение и исследование способов повышения качества САР при различных корректирующих устройствах.
41788. Приемы обработки числовой информации в среде Excel 90.72 KB
  Введите в ячейки А1 и А2 заголовок таблицы заполнив ячейки своими данными. Выполните объединение ячеек а 1:H1 и б 2:H2 Введите текстовые значения в ячейки А3:А8 и В3:H3. Скопируйте формулу из ячейки H4 в ячейки диапазона H5:H8. Для копирования ячейки перетащите выделение удерживая нажатой кнопку мыши в ячейки блока H5:H8.