39227

Изучение сегнетоэлектриков

Контрольная

Физика

Основная кривая поляризации сегнетоэлектрика представлена на рис. Диэлектрическая проницаемость зависит от напряженности внешнего поля рис. На рис. Механизм спонтанной поляризации сегнетоэлектриков По типу химической связи и физическим свойствам сегнетоэлектрики принято подразделять на две группы: 1 ионные кристаллы; 2 дипольные кристаллы.

Русский

2013-10-01

202 KB

19 чел.

Работа 1

Изучение сегнетоэлектриков

Теоретическое введение

§1. Основные свойства сегнетоэлектриков

Сегнетоэлектриками называют вещества, обладающие спонтанной поляризацией, направление которой может быть изменено с помощью внешнего электрического поля.

В отсутствие внешнего электрического поля сегнетоэлектрики, как правило, имеют доменную структуру. Домены представляют собой макроскопические области, обладающие спонтанной (самопроизвольной) поляризацией. Направление электрических моментов у разных доменов различно. Поэтому суммарная поляризованность образца в целом может быть равна нулю. Образец достаточно крупных размеров всегда разбивается на множество доменов, поскольку однодоменное состояние энергетически невыгодно. Разбиение на домены уменьшает электростатическую энергию сегнетоэлектрика. Установлено, что линейные размеры доменов составляют от 10-3мм до 1мм.

Основные свойства сегнетоэлектриков:

  1.  Величина относительной диэлектрической проницаемости для сегнетоэлектриков находится в пределах от 102 до 104, что значительно больше, чем у обычных диэлектриков.
  2.  

Сегнетоэлектрики являются нелинейными элементами. Основная кривая поляризации сегнетоэлектрика представлена на рис.1 (связь D и E, Р и E нелинейная). Диэлектрическая проницаемость зависит от напряженности внешнего поля (рис. 1в).

  1.  

Сегнетоэлектрики обладают гистерезисом при циклической переориентации внешнего поля. На рис.2 пунктиром изображена частная петля гистерезиса, а сплошной линией максимальная петля, когда в зависимости D(E) достигается насыщение. Петля гистерезиса имеет характерные точки: Dост – остаточная поляризация, а Ec – коэрцетивная сила.

  1.  Специфические свойства сегнетоэлектриков проявляются лишь в определенном диапазоне температур. В процессе нагревания выше некоторой температуры происходит распад доменной структуры и сегентоэлектрик переходит в обычное (параэлектрическое) состояние. Температура такого фазового перехода получила название сегнетоэлектрической точки Кюри (Тк). При переходе через точку Кюри зависимость диэлектрической восприимчивости  изменяется по закону Кюри – Вейсса .

§2. Механизм спонтанной поляризации сегнетоэлектриков

По типу химической связи и физическим свойствам сегнетоэлектрики принято подразделять на две группы: 1) ионные кристаллы; 2) дипольные кристаллы.

  1.  К ионным сегнетоэлектрикам относятся титанат бария (BaTiO3), титанат свинца (PbTiO3), ниобат калия (KNbO3), танталат лития (LiTiO3) и др.

При температуре выше точки Кюри (1200С) титанат бария имеет кубическую структуру типа перовскита (перовскит – минерал CaTiO3), представленную на рис.3. При высокой температуре ион титана непрерывно перебрасывается от одного иона кислорода к другому, так что усредненное во времени его положение совпадает с центром элементарной ячейки. Такая ячейка не обладает электрическим моментом.

При температуре ниже точки Кюри энергии теплового движения недостаточно для переброса иона титана, и он локализуется вблизи одного из окружающих его кислородных ионов. На рис.4 изображена зависимость потенциальной энергии иона Ti4+ от положения между ионами кислорода. Если высота потенциального барьера , то иону титана энергетически более выгодно находиться в одной из позиций 1 или 2. Вследствие такого смещения ионTi4+, во – первых, возникает электрический момент элементарной ячейки и, во – вторых, ребра куба, вдоль которых произошло смещение удлиняются (их четыре), а четыре других сжимаются. Вследствие последнего кристалл BaTiO3 приобретает тетрагональную симметрию. По числу ионов кислорода, окружающих ион титана (шесть) в тетрагональной фазе возможно шесть направлений поляризации.

Ниже 50С титанат бария испытывает второе фазовое превращение. Получается новая сегнетоэлектрическая фаза, устойчивая между +50С и –900С и обладающая орторомбической симметрией. Элементарная ячейка может быть получена из исходной кубической ячейки, если ее растянуть вдоль одной диагонали грани куба и сжать вдоль другой диагонали той же грани. Растянутая диагональ становится полярной осью кристалла. Ион титана смещается при этом в направлении середины отрезка, соединяющего ионы кислорода.

При -900С происходит третий фазовый переход. Кристалл становится ромбоэдрическим (куб, вытянутый вдоль пространственной диагонали). Полярная ось и смещение иона титана вдоль пространственной диагонали бывшего куба.

Указанные фазовые переходы сопровождаются изменениями (рис.5)

На рис.5 приведены изменения  (электрическое поле параллельное полярной тетрагональной оси) и  (электрическое поле перпендикукулярное тетрагональной оси). Следует отметить, что при Т<1200С титанат бария анизотропен.

  1.  К группе дипольных сегнетоэлектриков относятся: сегнетова соль (NaKC4H4O64H2O) триглицинсульфат ((NH2CH2COOH)3H2SO4); дигидрофосфат калия (KH2PO4); нитрит натрия (NaNO2) и др. У кристаллов этой группы имеются готовые полярные группы атомов, способные занимать различные положения равновесия. Появление спонтанной поляризации у этих сегнетоэлектриков происходит за счет упорядочения расположения дипольных групп. Фазовые переходы, связанные со спонтанным упорядочением дипольных моментов, называют переходами типа «порядок – беспорядок».

Особенностью сегнетовой соли как представителя дипольных сегнетоэлектриков является наличие двух точек Кюри: нижней и верхней. Это иллюстрирует рис.6.

Сегнетоэлектрические свойства у сегнетовой соли проявляются в диапазоне температур –180С +240С.

§3. Домены в сегнетоэлектриках

  1.  Возникновение самопроизвольной поляризации в пределах одной элементарной ячейки кристалла вызовет возникновение электрического поля в соседних ячейках. Под воздействием этого энергетически более выгодной становится поляризация соседних ячеек с параллельно ориентированными электрическим  моментами. Вследствие этого образуется область в кристалле с параллельно ориентированными электрическими моментами элементарных ячеек – домен.
  2.  

Кристаллу энергетически более выгодно находиться в многодоменном состоянии, т.к. в окружающем пространстве в этом случае создается меньшее электрическое поле с энергией  (где V0 – объем окружающего пространства, где создается энергетическое поле). Этот факт иллюстрирует рис.7. Другой причиной многодоменного состояния кристалла является случайность процесса самоорганизации по отношению к возможным направлениям поляризации.

  1.  Взаимное расположение векторов поляризованности доменов не является хаотичным.

В кристаллах титаната бария смещение ионов происходит в направлении ребер исходной кубической ячейки. Поэтому существует шесть возможных направлений спонтанной поляризации – по два взаимно противоположных направления вдоль ребер кубической ячейки. Отсюда вытекает взаимная направленность электрических моментов доменов – домены ориентированы под углами 900С и 1800С. Рис.8 иллюстрирует схему расположения доменов в кристалле титаната бария. В поликристаллических образцах по причине хаотичности монокристаллических блоков хаотичны и направления электрических моментов доменов.

  1.  

Поляризация образца во внешнем электрическом поле проходит несколько стадий. При малых внешних полях (область I на рис.9) происходит обратимое смещение границ доменов. Домены, энергия которых меньше во внешнем поле (), т.е. , увеличиваются, а домены с  - уменьшаются.

В области II происходит необратимое скачкообразное смещение границ доменов. К концу области II остаются только домены с энергетически выгодной ориентацией электрических моментов во внешнем поле.

В области III наблюдается процесс поворота электрических моментов доменов по направлению электрического поля.

Область IV соответствует насыщению, когда электрические моменты доменов ориентированы по направлению внешнего поля.

  1.  При уменьшении электрического поля после достижения насыщения должен был бы возникать обратный процесс. Но это оказывается невозможным. Дезориентация доменов связана с образованием доменов с новыми направлениями поляризованности за счет энергии теплового движения и последующим их ростом. Вероятность этого процесса невелика и определяется

Поэтому наблюдается запаздывание изменения поляризованности кристалла при уменьшении внешнего электрического поля, т.е. возникает гистерезис. Для достижения состояния с Р=0 необходимо создание внешнего поля, способствующего дезориентационному процессу и равного коэрцитивной силе.

Практическая часть

Теория метода

Петлю гистерезиса и зависимость D(E) сегнетоэлектрика можно изучать используя схему, изображенную на рисунке.

На вход «у» осциллографа подается напряжение с конденсатора С0. , т.к. Сх и С0 соединены последовательно qx=q0. Учтем , что , справедлива для плоского конденсатора. Поэтому

 (1).

Здесь: Sx – площадь обкладок конденсатора с сегнетоэлектриком; D – вектор электрического смещения в сегнетоэлектрике. Напряжение на конденсаторе  (2), где  - цена деления по оси у, а Ny - число делений развертка по оси у. Из уравнений (1) и (2) получаем:  (3).

Для определения  необходимо провести градуировку осциллографа по оси у. Напряженность поля в Сх , d – толщина исследуемого сегентоэлектрика. Если Сх<<C0, то напряжение  и . Если на вход «х» подать напряжение пропорциональное V0 , то получим развертку по оси «х» пропорциональную Е.

Схема установки

На схеме:

ЛАТР – лабораторный автотрансформатор

Тр – повышающий трансформатор

V0 – электростатический вольтметр

C0 – эталонный конденсатор

ЭО – осциллограф С1-1 (или С1-65)

К1 – ключ для включения и отключения Сх (положения «измер» и «град»)

К2 – ключ для переключения напряжений, подаваемых на входы осциллографа (положения «измер» и «град»).

Для изучения температурной зависимости диэлектрика конденсатор Сх помещается в печь, питаемую от ЛАТРа (рис.12). Температура в печи измеряется термопарой медь – константан. ТермоЭДС термопары измеряется милливольтметром или потенциометром ПП-63.

Объектом исследования является пьезокерамический элемент звукоснимателей. Геометрия образца приведена на рис.13. Трубчатый пьезоэлемент имеет внутреннее и наружное серебряное покрытие. Тогда , где d=0,15мм, а . Диаметр d2=1,29мм, а l=15м. Результат для l следует проверить.

Упражнение 1. Изучение петли гистерезиса сегнетоэлектрика.

  1.  Соберите схему в соответствии с рис.11.

Включите осциллограф, отключите горизонтальную развертку луча. Установите светящуюся точку по центру экрана. Положение ключей: К2 – «измер», а K1 подключает СХ (выносной или на панели).

  1.  Подайте напряжение в схему так, чтобы показания вольтметра составило 150В. Ручками управления «делитель», «усиление у», «усиление х» добейтесь, чтобы наблюдаемая петля занимала около 2/3 размеров по вертикали и по горизонтали.
  2.  Плавно повышая напряжение наблюдайте увеличение размеров петли.

В случае пробоя немедленно уменьшите напряжение!

  1.  Ручками усиления добейтесь наибольших размеров петли.

Задание 1. Изучение петли гистерезиса.

  1.  Перерисуйте петлю гистерезиса на кальку, и затем  на миллиметровую бумагу.
  2.  Определение характерных точек петли.

- наибольшая высота петли;

- расстояние между точками пересечения по оси у;

- расстояние между точками пересечения с осью х;

- наибольший размах петли по оси х.

Результаты занесите в таблицу.

dx=   l=   Sx=   C0=   

Наибольшее значение электрического смещения: .
Остаточное электрическое смещение: .
Коэрцитивная сила: .

Расчет  и  осуществляется после градуировки осциллографа.

Задание 2. Градуировка осциллографа по напряжению.

  1.  Уменьшите напряжение до нуля. Переключите ключ К2 в позицию «град», а К1 в нейтральное положение. Повышая напряжение добейтесь наибольшей развёртки луча по оси y.

R1=       R2=

Снимите показания V и  при трех значениях V и по ним определите цену деления по оси у. Цена деления на шкале осциллографа .

Упражнение 2. Изучение кривой поляризации D(E).

При уменьшении напряжения концы петель гистерезиса скользят по линии поляризации, характеризующей зависимость D(E).

  1.  Вернитесь к наблюдению петли гистерезиса при . Уберите усиление по оси х.
  2.  Уменьшая напряжение, снимите зависимость Ny от V, занося результаты в таблицу.

V0

Ny

  1.  Рассчитав D и Е, постройте график зависимости .
  2.  Рассчитав , постройте график зависимости от Е.

Упражнение 3. Определение температуры Кюри сегнетоэлектрика.

  1.  Начните выполнение задания как в п.1 упр.2, выбрав .
  2.  Включите нагревательную печь и снимите зависимость Ny от t0C. Температура находится по градуировочной таблице термопары. Величину термоЭДС необходимо привести к температуре холодного пая, равной 00С.

Ny(t)

t0C

  1.  По результатам измерений постройте график .
  2.  По графику определите точку Кюри.

7


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

35147. Информационные системы. Общие сведения 10.58 MB
  К средствам извлечения информации относятся: штатные средства ручного ввода клавиатура мышь; средства автоматизированного ввода с твердых копий сканеры; специализированные средства ручного ввода дигитайзеры световые перья сенсорные экраны; средства ввода речевой информации; средства ввода данных с аппаратуры датчики измерительные устройства аппаратура связи. Это программное обеспечение может быть как достаточно простым и предполагать только передачу операционной системе данных от аппаратных компонентов так и сложным...
35148. редства удалённого выполнения заданий в Windows 38 KB
  Планировщик заданий Windows осуществляет настройку как для локального компьютера так и для удаленной системы. На удаленных системах эта возможность обеспечивается совместной работой нескольких служб и программ: Планировщик заданий это стандартная служба Windows управляющая планировщиком заданий. Создание заданий на локальном компьютере осуществляется через: ПускВсе программыСтандартныеНазначенные задания Создание заданий на удаленном компьютере осуществляется через: Сетевое окружениеОтобразить компьютеры рабочей группывыбираем...
35149. Средства удалённого доступа к сети в Windows 40 KB
  в ОС Windows XP имеются встроенные инструменты для организации таких подключений : Remote Desktop Удаленный рабочий стол Remote ssistnce Удаленный помощник. Remote ssistnce Remote ssistnce позволяет пригласить другого пользователя друга знакомого специалиста для оказания помощи. При этом приглашенный участник в отличие от использования Remote Desktop может наблюдать за действиями пользователя. При этом Remote ssistnt самостоятельно управляет настройками соединения подстраивая объем передаваемых данных под возможности канала...
35150. Виртуальные частные сети. Архитектура и протоколы 42.5 KB
  VPN англ. В зависимости от применяемых протоколов и назначения VPN может обеспечивать соединения трёх видов: узелузел узелсеть и сетьсеть. Уровни реализации Обычно VPN развёртывают на уровнях не выше сетевого так как применение криптографии на этих уровнях позволяет использовать в неизменном виде транспортные протоколы такие как TCP UDP. Пользователи Microsoft Windows обозначают термином VPN одну из реализаций виртуальной сети PPTP причём используемую зачастую не для создания частных сетей.
35151. Методы повышения надёжности хранения данных. Технология RAID 50.5 KB
  Технология RID Одна из причин ведущих к утрате информации аппаратные сбои и поломки. RID это акроним от Redundnt rry of Independent Disks. Этим набором устройств управляет специальный RIDконтроллер контроллер массива который инкапсулирует в себе функции размещения данных по массиву; а для всей остальной системы позволяет представлять весь массив как одно логическое устройство ввода вывода. В зависимости от уровня RID проводится или зеркалирование или распределение данных по дискам.
35152. Цели и задачи администрирования 25 KB
  чтобы предоставить пользователям ИС наилучшее возможности по эффективному использованию ресурсов ИС при объективных ограничениях. 3 квалифицируемая помощь пользователям. Здесь задача состоит в том чтобы реализовать в ИС выбранную стратегию ИБ на базе 1 или нескольких политик безопасности обеспечить использование ИС только санкционированным пользователям предусмотреть резервное копирование и восстановления отдельных ресурсов или всей ИС.
35153. Сетевое администрирование. Основные понятия. Сетевые ОС 26.5 KB
  Компьютерные сети – это совокупность компьютеров связанных коммуникационной системой необходимым программным обеспечением позволяющей пользователям и приложениям получить доступ к ресурсам компьютеров сети. клиентская часть средство запроса на доступ к удаленным серверам транспортные средства сетевой ОС обеспечивающие передачу доступных между компьютерами Среди компонентов сети выделяют сетевые службы – это программные модули работающие в установленном режиме которые предоставляют доступ к конкретным ресурсам компа через сеть....
35154. Модели управления доступом к ресурсам 27 KB
  Основными компонентами ролевой модели разрешения права пользователя Разрешение – определяет тип доступа к объекту или его свойству дается пользователям или группам . разрешения применяются к защищенным объектам Рекомендуется назначать разрешения группам. Существуют группы разрешений которые являются основными или обязательными чтение разрешения смена разрешения смена владельца удаление разрешения Существует специальный вид разрешения – владения которое назначается при создании объектов. Какие бы разрешения не были установлены для...
35155. Администрирование сетей Microsoft. Средства анализа состояния сети в Windows 29 KB
  Средства анализа состояния сети в Windows. Базовые принципы: 1 необходимо иметь точную схему и документацию сети: текущая топологическая схема подробная информация обо всем его сетевом оборудовании его конфигурации и использующихся протоколах IPадресах каналах связи WU сервера и сегментах пользовательских локальных сетей. 2 перед изменениями в сети а так же после этих изменений необходимо оценивать работу в сети для того чтобы делать выводы об отрицательном или положительном влиянии внешних изменений . В Windows отдается приоритет...