39465

МЕТОДИКА РОЗРАХУНКУ ПIДСИЛЮВАЧА НИЗЬКОЇ ЧАСТОТИ

Книга

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Провести розрахунок однотактного підсилювача низької частоти на біполярному транзисторі який задовольняє наступним вимогам: 1. Живлення підсилювача здійснюється від випрямлювача. При виборі схеми каскаду вирішальними є слідуючи вимоги: можливо більш проста i надійна схема; низький коефіцієнт гармонік; забезпечення живлення від випрямлювача відсутність вимог по ККД; нормальна робота підсилювача в широкому діапазоні температур. В підсилювачах звукової частоти найчастіше використовуються резистивнi каскади.

Русский

2013-10-04

514.5 KB

4 чел.

МЕТОДИКА РОЗРАХУНКУ ПIДСИЛЮВАЧА НИЗЬКОЇ ЧАСТОТИ.

Технічне завдання на розрахунок.

Провести розрахунок однотактного підсилювача низької частоти на біполярному транзисторі, який задовольняє наступним вимогам:

1. Номінальна вихідна потужність Рн=   Вт.

2. Опір навантаження Rн=   Ом.

3. Ємність навантаження Сн=   мкФ.

4. Коефіцієнт нелінійних спотворень Кг≤   %.

5. Смуга робочих частот: fн÷fв=...÷... Гц.

6. Коефіцієнт частотних спотворень(для всіх завдань Мнв=1,41).

7. Діапазон зміни температури Тмiн÷Тмакс=...÷...°С.

8. ЕРС джерела вхідного сигналу Ес=   мВ.

9. Внутрішній опір джерела вхідного сигналу Rc=   Ом.

10. ЕРС джерела живлення Ек=   В.

Живлення підсилювача здійснюється від випрямлювача.

Підсилювач повинен мати можливо більш просту i надійну схему.

1. Вибір схеми включення транзистора.

При виборі схеми каскаду вирішальними є слідуючи вимоги:

- можливо більш проста i надійна схема;

- низький коефіцієнт гармонік;

- забезпечення живлення від випрямлювача, відсутність вимог по ККД;

- нормальна робота підсилювача в широкому діапазоні температур.

В підсилювачах звукової частоти найчастіше використовуються резистивнi каскади. До їх переваг відносяться:

- простота конструкції;

- невеликі розміри та маса;

- невелика собівартість;

- не відчувають дії змінного магнітного поля;

- добре підсилюють в широких діапазонах частот.

З тим, щоб зменшити число каскадів попереднього підсилення, коефіцієнт підсилення кожного з них повинен бути можливо більшим. З 3-х схем включення найбільш розповсюдженою є схема з загальним емітером, так як її застосування дозволяє отримати найбільшу потужність в навантаженні в порівнянні з іншими схемами включення (для однакової потужності вхідного сигналу). В однотактних схемах при потужності в навантаженні менше 1 Вт застосовується схема емiтерної термостабiлiзацiї. Схема колекторної температурної стабiлiзацiї статичного режиму ефективна для зміни температури навколишнього середовища не більш ніж на 20-30 °С.

Для покращення частотної характеристики всього підсилювача, схема першого каскаду повинна вибиратися в залежності від величини вихідного опору джерела сигналу Rc, враховуючи слідуючи рекомендації: для Rc<10 кОм - схема з ЗЕ, для Rc>10 кОм – схема з ЗК.

2. Вибір схеми вхідного кола підсилювача.

Найбільш поширені на практиці два види вхідного кола: резистивно-ємнiсне та трансформаторне. Резистивно - ємнісне вхідне коло має невеликі розміри, вартість, не вносить додаткових спотворень за рахунок наводок (особливо при живленні підсилювача від мережі змінного струму). Разом з тим воно не забезпечує узгодження вхідного опору підсилювача з опором джерела сигналу i використовується в тих випадках, коли джерело сигналу має достатній запас по потужності. Крім того резистивне ємнісне коло є несиметричним (один з виводів джерела сигналу з’єднаний з корпусом). Трансформаторне вхідне коло дозволяє  отримати симетричний вхід та зробити узгодження з джерелом сигналу з тим, щоб отримати більше відношення сигнал/шум. Але ж трансформаторне коло має великі розміри, масу та вартість, вносить додаткові частотні спотворення на верхніх частотах i не може бути реалізоване в інтегральному виконанні, а при живленні від мережі змінного струму можуть відчуватися наведення від змінного магнітного поля.

3. Вибір схеми вихідного кола підсилювача.

Безтрансформаторне вихідне коло простіше в конструктивному відношенні, має кращі показники по відношенню до нелінійних та частотних спотворень, має здатність пропускати ширшу смугу частот, може бути реалізоване в інтегральному виконані. Разом з тим воно має ряд недоліків котрі обмежують застосування безтрансформаторних схем в апаратурі ВТЗ.

1) Вихід підсилювача несиметричний, а тому неприпустимий при роботі на трансляційних лініях.

2) Енергетичні показники (ККД, вихідна потужність) значною мірою залежать від опору навантаження.

Таким чином вимогам завдання найбільш задовольняє схема однотактного резистивного безтрансформаторного ПНЧ з включенням транзистора з ЗЕ і емiтерною термостабiлiзацiєю колекторного струму (рис.1).

    

Рис. 1

4. Попередній вибір транзистора.

Для безтрансформаторної схеми критеріями для вибору транзистору являються:

- гранична частота передачі струму fh21е;

- максимальна потужність, яка розсіюється на колекторі транзистора в режимі спокою Рк мах;

- допустима напруга на ділянці К-Е у режимі спокою Uкемах.

Визначаємо ці параметри:

- fh21е=(2÷5)fв.

к мах=4Р~. P~-коливальна потужність в колі колектора транзистора каскаду.

В свою чергу Р~=PнРвих, де КРвих - коефіцієнт передачі потужності вихідного кола підсилювача.

Враховуючи те, що вихідне коло резистивно - ємнiсне приймаємо КРвих=(0.1÷0.6).

-Uкемах=Uкеп/(0.3÷0.45), де Uкеп=(0.3÷0.4)(Ек-U) напруга на ділянці колектор-емiтер в режимi спокою.

U=0.1Ек –падіння напруги на опорі RФ.

Після визначення вище приведених параметрів, використовуючи довідники [1,2] вибирається транзистор, виписуються величини fh21е, h21е, Рк мах, Uкемах, ІКмах, копіюються сім’ї вихідних і вхідних ВАХ (рис. 4).

5. Побудування навантажувальної характеристики.

Вибираємо значення струму колектора транзистора в статичному режимі Ікп, який знаходиться в межах (1.05÷1.2)ІКm ≤ Ікп ≤ІКдоп, де ІКдоп= Рк мах/Uкеп, ІКm - амплітуда струму колектора. В свою чергу ІКm=2Р~/UКm, де UКm - амплітуда напруги в колі колектора, яка розраховується за співвідношенням UКm=UКеп - UКмін. Напруга UКмін це мінімальна напруга на ділянці колектор-емітер.

Після розрахунку Uкеп і Ікп будується навантажувальна характеристика. Для цього: - відмічаємо на вихідних ВАХ положення робочої точки 3;

- з точок, які відповідають Uкемін і Uкемакс=UКЕП+UКm встановлюються перпендикуляри до осi напруги до перетину з гілками сім’ї вихідних ВАХ в точках, які відповідають відповідно Ікмін=Ікп–ІКm і Ікмакс=Ікп+ІКm;

- через точки 1, 3, 5 (рис. 4) проводимо навантажувальну пряму. Потрібно перевірити, щоб величина коливальної потужності в колі колектора, яка чисельно дорівнює площі трикутника 1 О 3 (3 О’ 5), була не менше потрібної Р~.

Значення струмів бази в точках 1, 2, 3, які відповідають максимальному струму бази - Ібмакс, струму бази спокою - Ібп, мінімальному струму бази - Ібмін відмічаємо на вхідній статичній характеристиці. Проекції цих точок на ось напруги дають значення Uбемакс, Uбеп, Uбемін. Амплітуда напруги сигналу в колі бази Uбm=(Uбемакс-Uбемін)/2.

6. Розрахунок коефіцієнта нелінійних спотворень.

Коефіцієнт гармонік з урахуванням четвертої гармоніки знайдемо, скориставшись методом п'яти ординат. Для цього застосуємо вхідну ВАХ транзистора i вихідну навантажувальну характеристику. Знайдемо п'ять значень струму колектора ік1, ік2, ік3, ік4, ік5 (цифрова індексація цих струмів відповідає позначенню точок навантажувальної характеристики на рис. 4, які відповідають значенням ік1=Ікмакс, ік3=Ікп, ік5=Ікмін. Значення ік2, ік4 знаходяться таким чином:

- по вхідній ВАХ знаходимо середні між значеннями іб1бмакс, іб3бп (=іб2) і Ібп, іб5бмін (=іб4) струми бази, які відповідають точкам 2 і 4 вхідної ВАХ (рис. 4) =іб2=(іб1б3)/2, =іб4=(іб3б5)/2.

-в сім’ї вихідних ВАХ наносяться гілки, які відповідають отриманим значенням іб2, іб4 і на перетині цих гілок з навантажувальною прямою отримуємо значення струмів ік2, ік4.

Далі розраховуємо амплітуди перших чотирьох гармонік струму колектора:

Iкm1=(iк1+iк2-iк4-iк5)/3;

Iкm2=(iк1-2iк3+iк5)/4;

Iкm3=(iк1-2(iк2-iк4)-iк5)/6;

Iкm4=(iк1-4(iк2+iк4)+6iк3+iк5)/12;

Відповідно коефіцієнт гармонік Кг=.

7. Розподіл заданих частотних спотворень.

Задані на увесь підсилювач частотні спотворення розподіляємо окремо на нижніх i верхніх робочих частотах по колам, які вносять ці спотворення.

Розрахунок зробимо у вигляді таблиці:

п/п

Елементи підсилювача

Мн

1.

Ср1

....

2.

Ср2

....

3.

Се

....

4.

Сф

....

5.

Сн.

1

6.

Всього

1.41

При розподілі частотних спотворень по реактивним елементам підсилювача потрібно враховувати співвідношення:МннСр1·МнСр2·МнСе·МнСф·МнСн.

8. Електричний розрахунок підсилювача.

1. Розрахунок опорів каскаду.

Опір в колі емітера.

Величину Rе розраховують задаючись значенням падіння напруги на ньому, яке лежить в межах U=(0.1÷0.3)(Ек-U). Тоді Rе=U/(ІКпбп).

По таблиці номінальних значень [1] вибираємо найближчу до розрахованої Rе номінальну величину Rеном. Далі розраховується потужність, яка розсіюється цим резистором Р=(ІКпбп)2·Rеном, вибирається тип резистора [1] і записується в специфікацію.

Наприклад МЛТ-0.125-9.1 кОм-5%. Тут Rеном=9.1 кОм, 0.125 Вт >=Р.

Опори базового подільника Rб1 та Rб2.

Для нормальної роботи схеми емiтерної термостабiлiзацiї повинна виконуватись наступна умова: струм подільника - Іпод=(2÷5)Ібп. В свою чергу

Rб2=URб2под=[Uбеп+RеномКпбп)]/Іпод.

Після розрахунку значення Rб2 вибираємо номінальну величину, розраховуємо потужність, яка розсіюється цим резистором РRб2под2·Rб2ном, вибираємо тип резистора.

Опір резистора Rб1 розраховується за співвідношенням:

Rб1=URб1/(Іподбп)=(Ек-U-Rб2номІпод)/(Іподбп).

Після розрахунку значення Rб1 вибираємо номінальну величину, розраховуємо потужність, яка розсіюється цим резистором РRб1=(Іподбп)2·Rб1ном, вибираємо тип резистора.

Примітка. За рахунок того, що опори базового подільника підключені паралельно вхідному опору транзистора, для усунення шунтування входу підсилювача еквівалентним опором базового подільника після розрахунку цих опорів потрібно перевірити умову: Rекв=Rб1номRб2ном/(Rб1ном+Rб2ном)>=5Rвх.тр, де Rвх.тр-вхідний (диференціальний) опір транзистора, який визначається графічно, тобто чисельно дорівнює котангенсу кута нахилу (до вісі напруг) дотичної в робочій точці вхідної ВАХ (рис. 4).

Опір в колі колектора.

Величина падіння напруги на опорі Rк вибирається в межах U=(0.3÷0.6)(Ек-U). Звідси Rк=UКп, а потужність, яка розсіюється цим резистором, РКп2Rкном.

Опір фільтра.

Опір фільтра розраховується за формулою Rф=U/(ІКпподбп). Відповідно потужність Р=(ІКпподбп)2Rф ном.

2. Розрахунок ємностей каскаду.

Блокувальна ємність в колі емітера.

Значення ємності Се визначається із співвідношення Се=1/(2πfнRвх.тр).

По таблиці номінальних значень [1] вибираємо номінальну величину Сеном≥Се, тип конденсатора [1] і записуємо в специфікацію. Наприклад: К50-3-5мкФ-12В.

Розділювальна ємність Ср2.

Розділювальна ємність вихідного кола підсилювача розраховується із співвідношення Ср2=1/(2πfн(Rк+Rн)). Після вибору номінальної величини і типу конденсатора записуємо в специфікацію.

Розділювальна ємність вхідного кола Ср1.

Розділювальна ємність вхідного кола підсилювача розраховується із співвідношення Ср1=1/(2πfн(Rс+Rвх.е)), де Rвх.е- вхідний опір каскаду при включенні транзистора з ЗЕ. Вхідний опір каскаду Rвх.е з урахуванням опору базового подільника розраховується із співвідношення 1/Rвх.е=1/Rвх.тр+1/Rб1ном+1/Rб2ном.

Після вибору номінальної величини і типу конденсатора записуємо в специфікацію.

Ємність фільтру.

Ємність фільтру Сф визначається із співвідношення Сф=10/2πfнRф. Після вибору номінальної величини і типу конденсатора записуємо в специфікацію.

9. Розрахунок коефіцієнтів підсилення по напрузі і струму.

Коефіцієнти підсилення по напрузі і струму згідно визначення відповідно дорівнюють: КU=Uвихm/Uвхm, КІвихmвхm.

Амплітуда струму сигналу у вхідному колі, з урахуванням втрат в базовому подільнику, розраховується за слідуючим співвідношенням: Івхmбm+Uбm(1/Rб1ном+1/Rб2ном), де Ібm=(ІбМаксбМін)/2, Uбm- амплітуда напруги сигналу на базі транзистора.

Амплітуду напруги сигналу у вхідному колі Uвхm, враховуючи шунтування опору резистора в колі емітера практично нульовим ( в смузі пропускання ) опором Се, можна прийняти рівною Uбm.

В вихідному колі підсилювача, враховуючи схему заміщення вихідного кола ( в смузі пропускання ), можна прийняти, що амплітуда напруги на навантаженні -Uвихm дорівнює значенню UКm. Амплітуда струму в навантаженні може бути розрахованою за формулою: Івихmкm-Uкm(1/Rкном+1/Rвих тр), де Rвих тр - вихідний опір транзистора, який розраховується графічно, тобто чисельно дорівнює котангенсу кута нахилу (до вісі напруг) дотичної в робочій точці вихідної ВАХ (рис. 4).

10. Розрахунок частотної характеристики підсилювача.

Якісно частотна характеристика підсилювача ПНЧ розраховується за співвідношенням, яке отримується з аналізу схеми заміщення вихідного кола (рис. 2) по змінній складовій сигналу.

Рис. 2

В цій схемі заміщення ми нехтуємо конденсатором Ср1, що не впливає на якісний вигляд нормованої АЧХ і дозволяє отримувати приблизні значення граничних частот. Відповідно до схеми заміщення частотну характеристику можна отримати як К(f)= Uвих/І, тобто, як залежність від частоти коливань комплексного опору вихідного кола ПНЧ. Виходячи з цього:

,

де    , , .

Розрахунок частотної характеристики за цими співвідношеннями проводиться на ЕОМ із складанням програми на будь – якій мові програмування ( за вибором курсанта ). Значення Rк, Rвих тр, Ср2 беруться розраховані номінальні, Rн, Сн – із завдання. В результаті повинні бути побудовані АЧХ - |К(f)| і ФЧХ – θ(f)=arg(К(f)) підсилювача. Приклад отриманих характеристик приведений на рис. 3. Потрібно відмітити, що у побудовах бажано застосовувати логарифмічний масштаб по осі частот, так як характеристики будуються в широкому діапазоні частот ( рекомендується 0 – 20 кГц ). З графіків необхідно визначити граничні частоти смуги пропускання підсилювача (fвгр та fнгр визначаються на нормованій АЧХ по рівню 0.707), порівняти їх із завданням і зробити висновки. Графіки привести на окремому аркуші курсової роботи.

Рис. 3

11. Перевiрка виконання вимог поставлених до підсилювача.

1. Підсилювач повинен забезпечувати задану потужність в навантаженні при амплітуді напруги вхідного сигналу Uвхmс.

2. Отриманий коефіцієнт підсилення по потужності КРUКІ повинен бути більшим ніж вимагається, що дорівнює Рнвх, де Рвх= Ес2/4Rс.

3. Спроектований підсилювач задовольняє задані вимоги по величині частотних спотворень на нижній частоті смуги пропускання тому, що величини всіх ємностей вибрані з запасом.

4. Розрахований коефіцієнт нелінійних спотворень (коефіцієнт гармонік) Кг повинен бути менше заданого.

5. Коефіцієнт частотних спотворень спроектованого підсилювача на верхній частоті смуги пропускання - МВ повинен бути менше заданого МВзад. З урахуванням частотних спотворень, які вносяться транзистором - МВтр, МВВтр·МВСн, де МВСн - складова коефіцієнта частотних спотворень за рахунок конденсатора Сн, яка розраховується за співвідношенням: МВСн=.

Значення МВтр розраховується за формулою: МВтр=.

Заключення по курсовій роботі.

······

Спецiфiкацiя елементної бази підсилювача.

№пп

Позначення на схемі

Найменування

Кількість

Примітка

Резистори ГОСТ 2825-67

1.

R1

МЛТ-0,125-150±5%

1

2.

······

······

······

Конденсатори ГОСТ 21415-75

3.

С1

К50-3-5 мкФ-9 В

1

4.

······

······

······

Транзистори

5.

VT1

ГТ-108 А

1

6.

······

······

······

Вхідні і вихідні ВАХ транзистора.

····

Рис. 4

Література.

·····


Додаток 1

Шкала номінальних значень опорів і ємностей

Точн.

5%

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

Точн.

10%

10

12

15

18

22

27

33

39

47

56

68

82

Точн.

20%

10

15

22

33

47

68

Примітка. Номінали опорів і ємностей більше 100 отримуються множенням цієї шкали на 10, 100, 1000 і т. п.

Додаток 2

а) Основні дані дротових постійних резисторів типу МЛТ (металізовані, лаковані, теплостійкі), типу МОН (металоокисні, низькоомні)

Тип

Номінальна потужність, Вт

Границі номінальних значень величини опору

Допустимі відхили від номінального значення, %

МЛТ-0,25 МЛТ-0,5 МЛТ-1 МЛТ-2

0,25 0,5 1,0 2,0

100 Ом - 3 МОм

100 Ом - 5,1 МОм

100 Ом - 10 МОм

100 Ом - 10 МОм

5; 10; 20;

УЛМ

0.12

27 0м - 1 МОм

5; 10; 20;

МОН-0,5 МОН-1

МОН-2

0,5

1

2

1 Ом - 100 Ом

1 Ом - 100 Ом

1 Ом - 100 Ом

5; 10;

б) Основні дані конденсаторів постійної ємності типа К50-6 (малогабаритні, електролітичні)

Номінальна напруга

Номінальна ємність, мкФ

6

50

100

200

500

10

10

20

-

50

100

200

500

15

1

-

5

10

20

30

50

100

200

500

1000

2000

4000

25

1

-

5

10

20

-

50

100

200

500

1000

2000

4000

50

1

2

5

10

20

-

50

100

200

-

-

-

-


Додаток 3

fгр,

МГц

h21е

Ікmax,

А

Ік50,

мА

Uкеmax,

В

Cк, пФ

rбСк, пс

Rпс, СВт

Rпк, СВт

Rкmax/

R*max, Вт

Tnmax, С

Будова

КТ502А

25

40-120

0,3

25

10

0,5/-

150

p-n-p

КТ502Б

25

80-240

0,3

25

10

0,5/-

150

p-n-p

КТ502В

25

40-120

0,3

40

10

0,5/-

150

p-n-p

КТ502Г

25

80-240

0,3

40

10

0,5/-

150

p-n-p

КТ503А

25

40-120

0,3

25

10

0,5/-

150

p-n-p

КТ503Б

25

80-240

0,3

25

10

0,5/-

150

p-n-p

КТ503В

25

40-120

0,3

40

10

0,5/-

150

p-n-p

КТ503Г

25

80-240

0,3

40

10

0,5/-

150

p-n-p

КТ315А

250

20-90

0,1

110-3

25

7

300

0,67С/mW

0,15/-

120

p-n-p

КТ315Б

250

50-350

0,1

110-3

20

7

500

0,67С/mW

0,15/-

120

p-n-p

КТ315Г

250

50-350

0,1

110-3

35

7

500

0,67С/mW

0,15/-

120

p-n-p

КТ36

250

20-90

0,05

110-3

25

500

0,67С/mW

0,15/-

120

p-n-p

КТ36

250

50-350-

0,05

110-3

25

9

500

0,67С/mW

0,15/-

120

p-n-p

КТ361Г

250

50-350

0,05

110-3

25

7

500

0,67С/mW

0,15/-

120

p-n-p

ГТ321А

60

20-60

0,2

0,510-3

50

80

600

0,25С/mW

0,16/-

80

p-n-p

ГТ321Б

60

40-120

0,2

0,510-3

50

80

600

0,25С/mW

0,16/-

80

p-n-p

ГТ321В

60

80-200

0,2

0,510-3

50

80

600

0,25С/mW

0,16/-

80

p-n-p

КТ342А

300

100-250

0,05

110-3

30

0,5С/mW

0,25/-

150

p-n-p

КТ342Д

300

50-125

0,05

110-3

60

0,5С/mW

0,25/-

150

n-p-n

КТ602А

150

20-80

0,075

7010-3

120

4

300

150

45

0,85/-2,8

120

n-p-n

КТ602Б

150

≥50

0,075

7010-3

120

4

300

150

45

0,85/-2,8

120

n-p-n

КТ602В

150

15-80

0,075

7010-3

80

4

300

150

45

0,85/-2,8

120

n-p-n

КТ602Г

150

≥50

0,075

7010-3

80

4

300

150

45

0,85/-2,8

120

n-p-n

КТ604А

10-40

0,2

250

300

150

40

0,8/-3

150

n-p-n

КТ604Б

30-12

0,2

250

300

150

40

0,8/-3

150

n-p-n

КТ606А

350

0,4

60

-

44

2,5/-

85

n-p-n

КТ606В

350

0,4

60

-

44

2,5/-

85

n-p-n

П609

1500

40-120

0,3

25

1,5/-

p-n-p

П609А

1500

80-240

0,3

25

1,5/-

p-n-p

КТ802А

10

≥15

5

60

150

2,5

50(tg50C)

150

n-p-n

КТ805А

20

15

5

160

8

10/-

150

n-p-n

КТ814А

3

40

1,5

5010-3

25

1/10

125

p-n-p

КТ814Б

3

40

1,5

5010-3

40

1/10

125

p-n-p

КТ814В

3

40

1,5

5010-3

60

1/10

125

p-n-p

КТ814Г

3

30

1,5

5010-3

80

1/10

125

p-n-p

КТ815А

3

40

1,5

5010-3

25

1/10

125

n-p-n

КТ815Б

3

40

1,5

5010-3

40

1/10

125

n-p-n

КТ815В

3

40

1,5

5010-3

60

1/10

125

n-p-n

КТ815Г

3

30

1,5

5010-3

80

1/10

125

n-p-n

КТ816А

3

25

3

10010-3

25

1/25

150

p-n-p

КТ816Б

3

25

3

10010-3

45

1/25

150

p-n-p

КТ816В

3

25

3

10010-3

60

1/25

150

p-n-p

КТ816Г

3

25

3

10010-3

80

1/25

150

p-n-p

КТ817А

3

25

3

10010-3

25

1/25

150

n-p-n

КТ817Б

3

25

3

10010-3

45

10

1/25

150

n-p-n

КТ817В

3

25

3

10010-3

60

10

1/25

150

n-p-n

КТ817Г

3

25

3

10010-3

80

10

1/25

150

n-p-n

КТ818А

3

15

10

1

25

10

1,5/60

125

p-n-p

КТ818Б

3

20

10

1

40

10

1,5/60

125

p-n-p

КТ818В

3

15

15

1

60

10

2/100

125

p-n-p

КТ818Г

3

12

15

1

80

10

2/100

125

p-n-p

КТ819А

3

15

10

1

25

10

1,5/60

125

n-p-n

КТ819Б

3

20

10

1

40

7

1,5/60

125

n-p-n

КТ819В

3

15

15

1

60

2/100

125

n-p-n

КТ819Г

3

12

15

1

80

2/100

125

n-p-n

*- при наявності тепловідводу.


Додаток 4

КТ602

Вихідні характеристики (СЕ)

Вхідні характеристики


КТ604

Вихідні характеристики (СЕ)

Вхідні характеристики


КТ802А

Вихідні характеристики (СЕ)

Вхідні характеристики


КТ805

Вихідні характеристики (СЕ)

Вхідні характеристики


КТ814 (815)

Вихідні характеристики (СЕ)

Вхідні характеристики


КТ818 (817)

Вихідні характеристики (СЕ)

Вхідні характеристики


КТ818 (819)

Вихідні характеристики (СЕ)

Вхідні характеристики


КТ502А, КТ502Д, КТ502В, КТ502Е

(КТ503А, КТ503Д, КТ503В, КТ503Е)

Вихідні характеристики (СЕ)

КТ502Б, КТ502Г

(КТ503Б, КТ503Г)

Вихідні характеристики (СЕ)


КТ502А÷КТ502Е

(КТ503А÷КТ503Е)

Вхідні характеристики


Rс

Cp1

Rб1

Rб2

Ср2

Сф

Rф

Rе

Се

VT

+

_

Rн

Сн

g22

Rк

Rн

І

Сн

Ср2

вих

1

2

3

4

5

0`

0

Uке

Uкемакс

Uкеп

Uкeмiн

Uкm

Uкm

Ікмiн

Ікп

Ікмакс

Ікm

Ікm

Ік

1

2

3

4

5

Uбмакс

Uбе

Uбеп

Uбm

Uбm

Uбмiн

Ібмiн

Іб-0,5

Ібп

Іб+0,5

Ібмакс

Іб

Іб=1300 мкА

1200

1100

1000

900

800

700

600

500

400

200

0

10

20

30

40

50

60

70

10

20

30

40

50

ік, мА

Uке, В

300

іб, мА

Uбе,В мА

0,7

0,8

0,9

1,0

4

6

8

14

16

18

20

2

0

Uке=10В

ік, мА

Uке, B

іб=1,50

1,25

1,00

0,75

0,50

0,25 мА

60

40

20

0

40

80

120

160

200

240

Uбе, В

іб, мА

0

1

2

3

0,5

1,0

1,5

Uке=5В

ік, мА

Uке, В

іб=25мкА

50

75

100

150

200

60

50

30

20

10

0

1

2

4

40

3

Uбе, В

іб, А

3

2

0

1

0,1

0,2

Uке, В

ік, А

250 мА

200 мА

150 мА

100 мА

50 мА

іб=25мА мА

6

5

4

3

2

1

0

20

40

60

80

100

іб, А

Uбе, В

Uке=0

10В

20В

1,4

1,2

1,0

0,8

0,6

0,2

0,4

0

0,5

1

1,5

2

2,5

ік, мА

Uке, В

іб=30мА

35

25

20

15

10

5

2

4

6

8

0

2005

4005

6005

8005

іб, мкА

Uбе, В

0,8

0,6

0,4

0,2

101

5

1021

5

1031

5

1041

Uк=2 В

ік, А     

Uке, В

іб=5 мА

10

15

20

25

30

35

40

45

8

6

4

2

0

0,4

0,8

1,2

1,6

іб, мА

Uбе, В

Uке=8 В

10

1

0,1

0,4

0,6

0,4

ік, мА

Uке, В

іб=800 мА

700

900

1000

600

500

400

300

250

200

150

100

50

40

20

8

6

4

2

0

2

4

6

8

10

10

Uбе, В

іб, А

2,0

1,6

1,2

0,8

0,4

0

0,2

0,4

0,6

0,8

1,0

0

Uке=5В

Uке, В

ік, мА     

іб=20 мкА

40

60

80

100

8

6

4

2

0

2

4

6

8

10

Uке, В

ік, мА     

іб=10 мкА

20 мкА

30

40

8

6

4

2

0

2

4

6

8

Uбе, В

іб, мкА

0,8

0,6

0,4

0,2

10-1

100

101

102

103

Uке=5В

1▪


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

25825. Дефекты языка 13.97 KB
  Дефекты языка. К аномалиям развития языка относится прежде всего полное его отсутствие или аглоссия; недоразвитие языка микроглоссия или ненормально большой язык макроглоссия. Сравнительно частым дефектом развития является врождённое укорочение уздечки языка. При этом дефекте движения языка могут быть затруднены т.
25826. Дефекты челюстей и зубов. Прикусы: нормальный и патологический. Аномалии прикуса 15.92 KB
  Дефекты челюстей и зубов. Неправильное звукопроизношение особенно у детей вызывается различными дефектами строения челюстей которые ведут к аномалиям прикуса: – прогнатией – когда верхняя челюсть сильно выдается вперед; – прогенией – когда нижняя челюсть выступает вперед; – открытым передним прикусом – когда между верхними и нижними зубами при их смыкании остается промежуток; – боковым прикусом – когда при смыкании боковых зубов остаётся промежуток. Диастема аномалия положения зубов; чрезмерно широкий промежуток между резцами верхней...
25827. Нервно-мышечные нарушения полости рта 14.1 KB
  Одной из причин поражения лицевого нерва является воспаление среднего уха т. Из других причин необходимо отметить его травматические поражения и простудное воздействие. Паралич лицевого нерва бывает как правило односторонним что приводим к асимметричной деформации лица: на стороне поражения не закрывается глаз не поднимается бровь угол рта и щека опущены книзу отведение губ и оскаливание зубов невозможны весь рот перетянут на противоположную сторону. губы на стороне поражения не смыкаются и воздух свободно выходит через...
25828. Аудит расчетов с подотчетными лицами 45.5 KB
  Не все организации расплачиваются по безналичному расчету перечисляя деньги со своего счета на счет продавца. Для этого деньги выдаются из кассы сотрудникам под отчет. Если при покупке были израсходованы не все деньги то остаток сотрудник должен вернуть в кассу. Если же сотрудник переплатил добавил свои деньги то сумма переплаты организация должна ему компенсировать.
25829. Аудит расчетов с покупателями и заказчиками 29 KB
  Основная цель аудита установить правильность ведения учета расчетов с покупателями и заказчиками за реализованную отгруженную продукцию выполненные работы оказанные услуги. В ходе аудита расчетов с покупателями и заказчиками должны быть решены следующие задачи: проверка правильности оформления первичных документов по реализации продукции выполнению работ оказанию услуг с целью подтверждения обоснованности возникновения дебиторской задолженности; подтверждение своевременности погашения и правильности отражения на счетах...
25830. Аудит расчетов с поставщиками и подрядчиками 43 KB
  Цели и задачи аудита расчетов с поставщиками и подрядчиками Основная цель проверки установить правильность ведения расчетов с поставщиками и подрядчиками за полученные товарноматериальные ценности принятые выполненные работы и оказанные услуги. В ходе аудита расчетов с поставщиками и подрядчиками должны быть решены следующие задачи: проверка правильности оформления первичных документов по прибытию товарноматериальных ценностей и получению услуг с целью подтверждения обоснованности возникновения кредиторской задолженности; ...
25831. Аудит расчетов с разными дебиторами и кредиторами 29.5 KB
  Проверка достоверности учета финансовохозяйственных операций ФХО связанных с расчетами с лицами признаваемыми на уровне законодательства о бухучете разными дебиторами и кредиторами а также проверка соответствия ФХО требованиям нормативных правовых актов НПА РФ. ГК РФ; НК РФ; НПА регулирующие правоотношения с разными дебиторами и кредиторами; законодательство о бухучете в т. Основные вопросы проверки: 1 наличие договорных отношений с разными дебиторами и кредиторами соответствие их оформления требованиям НПА РФ; 2 реальность...
25832. Аудит в условиях компьютерной обработки данных 51.5 KB
  Использование технических средств приводит к изменению отдельных элементов организации бухгалтерского учета и внутреннего контроля: для проверки хозяйственных операций наряду с традиционными первичными учетными документами используются и первичные учетные документы на машиночитаемом носителе; постоянные нормативносправочные показатели могут быть проверены по данным хранящимся в памяти компьютера или на машиночитаемых носителях информации; вместо традиционных ручных форм счетоводства может применяться форма учета ориентированная на...
25833. Аудит учета затрат, включаемых в себестоимость продукции (работ, услуг) 40.5 KB
  Себестоимость продукции один из показателей эффективности производства выявляющий во что обходится организации изготовление и сбыт продукции. Себестоимость широко применяется для экономического обоснования решений о производстве новой или прекращении выпуска старой продукции; для определения эффективности мероприятий научнотехнического прогресса рентабельности продукции резервов снижения затрат и др. Все затраты организации на производство определяют производственную себестоимость продукции.