41195

КОНТРОЛЬ ПАРАМЕТРОВ ПЛЕНОК И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ РЕЖИМОВ ИХ НАНЕСЕНИЯ

Лекция

Физика

Наиболее важен контроль в камере так как в зависимости от его результатов регулируются режимы процесса роста пленки что позволяет устранить операции подгонки ее параметров после нанесения. Метод микровзвешивания в основном используемый в производстве гибридных ИМС состоит в определении приращения массы Δm подложки после нанесения на нее пленки. При этом среднюю толщину пленки определяют по формуле: где площадь пленки на подложке; удельная масса нанесенного вещества. При измерении толщины пленки взвешиванием считают что плотность...

Русский

2013-10-23

143.5 KB

48 чел.

Лекция 11

КОНТРОЛЬ ПАРАМЕТРОВ ПЛЕНОК И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ РЕЖИМОВ ИХ НАНЕСЕНИЯ

Получение высококачественных пленок с заранее заданными и воспроизводимыми параметрами предопределяет необходимость строгого контроля при их нанесении. Особенности контроля параметров тонкопленочных элементов определяются малыми толщинами наносимых пленок (от нескольких десятков до сотен нанометров). Параметры пленок контролируют непосредственно в процессе их нанесения в вакуумной рабочей камере, и после нанесения, т. е. вне камер. Наиболее важен контроль в камере, так как в зависимости от его результатов регулируются режимы процесса роста пленки, что позволяет устранить операции подгонки ее параметров после нанесения.

Рассмотрим основные способы измерения и контроля таких параметров пленок, как толщина, электрическое сопротивление, адгезия и важнейшего технологического режимаскорости нанесения. В зависимости от назначения пленок обычно определяют метод их контроля и контролируют один или два параметра.

Измерение толщины пленок. Толщину пленок измеряют такими наиболее распространенными методами, как микровзвешивание и многолучевая интерферометрия.

Метод микровзвешивания, в основном используемый в производстве гибридных ИМС, состоит в определении приращения массы Δm подложки после нанесения на нее пленки. При этом среднюю толщину пленки определяют по формуле:

где площадь пленки на подложке; удельная масса нанесенного вещества.

Этот метод несложен, но требует, чтобы форма подложки была простой, а ее поверхность в хорошем состоянии. Кроме того, на точность измерений влияет удельная масса нанесенного материала, которая может изменяться в зависимости от условий технологических режимов (остаточного давления, загрязнений молекулами газа и др.).

При измерении толщины пленки взвешиванием считают, что плотность нанесенного вещества равна плотности массивного. Под эффективной толщиной пленки понимают толщину, которую она имела бы, если бы образующее ее вещество было равномерно распределено по поверхности с плотностью, равной плотности массивного вещества.

Чувствительность метода взвешивания составляет 1—10 мкм/м и зависит от чувствительности весов и площади пленки на подложке

Метод многолучевой интерферометрии, применяемый для измерения толщины непрозрачных пленок, основан на наблюдении в микроскоп интерференционных полос, возникающих при рассмотрении в монохроматическом свете двух поверхностей, расположенных под углом друг к другу.

Перед измерением получают на образце так называемую ступеньку резкую боковую границу пленки на подложке. Для этого маскируют часть подложки при осаждении пленки или химически удаляют часть осажденной пленки. В микроскоп наблюдают сдвиг интерференционных полос (рис.17). Чередующиеся светлые и темные интерференционные полосы с шагом L на поверхности, как пленки, так и подложки смещаются относительно друг друга у их границы на значение l.

Рис.  17. Сдвиг интерференционных полос

Измеряя с помощью микроинтерференционного микроскопа смещение какой-либо определенной полосы, рассчитывают толщину пленки по формуле

где длина волны монохроматического света, равна 0,54 мкм; - шаг между соседними интерференционными полосами; l смещение интерференционной полосы.

Точность этого метода измерения толщины пленки составляет 15—30 нм.

Если пленка прозрачная, в месте "ступеньки" на нее и подложку осаждают дополнительно непрозрачную, хорошо отражающую свет металлическую пленку (например, алюминия), толщина которой, чтобы уменьшить вносимую погрешность, должна быть много меньше толщины измеряемой пленки.

Измерение электрического сопротивления пленок. Электрическое сопротивление пленок измеряют резистивным датчиком с внешним измерительным прибором. В основном этот метод применяют при контроле изготовления резисторов гибридных ИМС, и он основан на том, что по мере утолщения пленки в процессе роста сопротивление ее уменьшается. Это позволяет непосредственно при нанесении контролировать сопротивление пленки, а при достижении номинальной ее толщины прекратить процесс.

При измерениях (рис.18) предварительно изготовляют специальную контрольную подложку (свидетель) 1 из изоляционного материала (стекла, ситалла), на которую наносят плоские контактные площадки 2 из серебра или другого материала высокой проводимости. Затем эту подложку "свидетель" устанавливают в рабочую камеру как можно ближе к рабочей подложке 3. Это необходимо для того, чтобы обе подложки при нанесении пленки находились в одинаковых условиях. Резистивную пленку наносят на контрольную и рабочую подложки одновременно.

Рис. 18.

При монтаже резистивного датчика в рабочую камеру соединяют контакты "свидетеля" с измерительным мостом, в результате чего сопротивление "свидетеля" регистрируется внешним прибором. В процессе осаждения резистивного материала рост пленки происходит как на рабочих подложках, так и на контрольной, т. е. формируется "резистор-свидетель". По мере роста сопротивление пленки уменьшается и соответственно уменьшается сопротивление "резистора-свидетеля". При достижении номинального (заданного) сопротивления наносимой пленки на "свидетеле" по цепи обратной связи поступает сигнал, которым либо выключается питание испарителя, либо закрывается заслонка.

Поскольку считают, что характеристики пленок на подложке и "свидетеле" одинаковые, внешний измерительный прибор может быть отградуирован в единицах сопротивления (при постоянной температуре подложки).

Погрешность измерения сопротивления при контроле этим методом составляет примерно ± 10 % и определяется неравномерностью толщины пленки по поверхности (т. е. отличием сопротивлений "свидетеля" и рабочей подложки), а также погрешностями измерений.

Внешний измерительный прибор можно также отградуировать в единицах длины. Толщину пленки в этом случае определяют по формуле

где ρ удельное сопротивление пленки; Rсв сопротивление пленки на "свидетеле" между контактами; L. и h длина и ширина пленки на "свидетеле".

Чувствительность метода составляет 1 — 5 нм, а предельная толщина измеряемых пленок около 1 мкм.

Под толщиной пленки при этом понимают толщину, которую имел бы ее слой, если бы его удельное сопротивление было равно удельному сопротивлению массивного металла. Вследствие неопределенности значения удельного сопротивления наносимых пленок точность измерений этим методом невелика.

Измерение адгезии пленок. Сцепление (прилипание) поверхностей разнородных тел называют адгезией. Адгезия пленки к подложке зависит от материала пленки и скорости ее осаждения, а также от чистоты поверхности и температуры подложки.

В настоящее время не существует доступных промышленных методов высокоточного измерения адгезии тонких пленок к подложкам. Поэтому выполняют сравнительный контроль, при котором измеряют усилие отрыва пленки от подложки напаянным на ее поверхность металлическим цилиндром. В центре свободного торца цилиндра закрепляют гибкий тросик, связанный через рычаг с чашкой весов. Чтобы по усилию отрыва Р определить адгезию Ga, необходимо точно знать площадь контакта Fk и исключить вызывающий неравномерное распределение усилия по его площади перекос цилиндра. Рассчитывают адгезию по формуле

Обычно площадь торца цилиндра около 1 мм2. Для получения надежных данных следует измерить адгезию несколько раз, контролируя, не произошел ли отрыв по месту спая и не растворилась ли пленка в припое.

Разновидность этого метода контроль адгезии металлических пленок по отрыву от подложки с помощью тонкой золотой или алюминиевой проволоки, присоединяемой к пленке термокомпрессией. При этом площадь контакта составляет 50 — 200 мкм2, что позволяет более точно определять адгезию локальных участков пленки.

Измерение скорости нанесения пленок. Наиболее распространен контроль скорости нанесения пленок методом кварцевого датчика, который иногда называют резонансно-частотным. В качестве датчика при этом методе используют включенный в контур генератора частоты кварцевый элемент.

Принцип действия кварцевого датчика основан на зависимости частоты генерируемых сигналов от изменения массы кварцевого элемента при нанесении на его поверхность пленки. С увеличением массы кварцевого элемента его резонансная частота падает. Для линейного участка зависимости частоты от массы нанесенной пленки справедливо следующее соотношение:

где т0 и fо масса и резонансная частота кварцевого элемента до нанесения пленки; Δm и Δf изменение массы кварцевого элемента и резонансной частоты после нанесения пленки.

Таким образом, по изменению скорости (сдвига) резонансной частоты, фиксируемому измерительным прибором, определяют скорость роста пленки.

Основной частью кварцевого датчика (рис. 19) является кварцевый элемент 5 круглой или квадратной формы, на обе поверхности которого для подачи напряжения наносят тонкие слои золота или серебра. Кварцевый элемент крепится на изоляторе 4 и закрывается кожухом 3, который вставляется в массивный медный держатель 2, охлаждаемый по трубке 1 проточной водой. В кожухе и держателе имеется сквозное отверстие 6 для пропускания потока частиц наносимого материала к кварцевому элементу.

Рис. 19.

Необходимость эффективного охлаждения держателя объясняется тем, что кристаллы кварца очень чувствительны к изменениям температуры. При нанесении пленок источники излучают значительное количество теплоты, что вызывает повышение температуры кварцевого элемента. Нестабильность температуры кварцевого элемента является основной причиной неконтролируемого изменения частоты. Для исключения погрешностей измерений из-за нестабильности температуры датчика держатель охлаждают.

Этим методом можно также с учетом геометрических размеров кварцевого элемента и массы нанесенной пленки измерить ее толщину, используя следующую формулу:

где Fп площадь кварцевого кристалла, покрытая пленкой наносимого вещества; ρп плотность наносимой пленки.

Точность измерения толщины тонких металлических и диэлектрических пленок в интервале от 10 нм до 5 мкм составляет ± 10%.

Выпускаемые серийно приборы позволяют задавать требуемую толщину пленки, после нанесения которой подается сигнал, останавливающий процесс. Для выполнения точных измерений приборы градуируют отдельно для каждого материала.

Максимально допустимая суммарная толщина пленки, наносимой на кварцевый датчик, определяется максимальным сдвигом частоты и примерно составляет 20 мкм алюминия. Максимальное значение измеряемой толщины можно увеличить, перекрывая периодически кварцевый элемент экраном.

Существенным недостатком метода является то, что помимо градуировки по осаждаемому материалу необходима также периодическая чистка кварцевых элементов от осажденной пленки.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

23397. Моделювання систем в середовищі MATLAB + Simulink +Stateflow 540.5 KB
  НАВЧАЛЬНОМАТЕРІАЛЬНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ наочні посібники схеми таблиці ТЗН та інше Діапроектор дидактичні слайди НАВЧАЛЬНІ МАТЕРІАЛИ Вступ Моделювання систем в середовищі MATLAB Simulink Stateflow Одной из перспективных концепций в явном или неявном виде реализуемой в настоящее время для решения задач анализа и разработки сложных систем является концепция создания универсальной моделирующей среды. Система моделирования реализующая эту концепцию должна отвечать следующим требованиям: четко выделенная модульность структуры;...
23398. Уніфікована мова моделювання UML 125 KB
  підпис прізвище €œ ____ €œ _____________ 2011 року ЛАБОРАТОРНЕ ЗАНЯТТЯ № 8 з навчальної дисципліни __моделювання комп’ютерних мереж напряму підготовки _______інформаційні технології________ освітньокваліфікаційного рівня ____cпеціаліст_____________ спеціальності _____ ком’пютерні системи та мережі_________ Тема Уніфікована мова моделювання UML повна назва лекції Лабораторне заняття №8 розроблено стар. ПЛАН ПРОВЕДЕННЯ ЗАНЯТТЯ ТА РОЗРАХУНОК ЧАСУ Вступ...
23399. Методи штучного інтелекту 326 KB
  підпис прізвище €œ ____ €œ _____________ 2011 року ЛАБОРАТОРНЕ ЗАНЯТТЯ № 9 з навчальної дисципліни __моделювання комп’ютерних мереж напряму підготовки _______інформаційні технології________ освітньокваліфікаційного рівня ____cпеціаліст_____________ спеціальності _____ ком’пютерні системи та мережі_________ Тема Методи штучного інтелекту повна назва лекції Лабораторне заняття №8 розроблено стар. вчена ступінь та звання прізвище та ініціали автора Обговорено на засіданні...
23400. Етапи моделювання систем 80 KB
  То же самое можно сказать и о моделировании. Конечный этап моделирования принятие решения на основании знаний об объекте. Цепочка выглядит следующим образом: Прототип объект процесс Моделирование Принятие решения Моделирование творческий процесс. Содержание этапов определяется поставленной задачей и целями моделирования.
23401. Системи і проблеми 267 KB
  Системы и проблемы. Методы системного анализа Понятие системы тесно связано с понятием проблемы. Любую проблему можно представить как отражение процесса функционирования реальной физической системы естественного или искусственного происхождения в которой при контролируемом входном воздействии создаваемая выходная реакция отличается от требуемой реакции. Первый из них связан с более глубоким познанием действующей системы и направлен на ее развитие эволюцию прежде всего в плане коррекции совершенствования общего процесса ее...
23402. Імітаційне моделювання 78 KB
  Етапи процесу побудови математичної моделі складної системи Формулируются основные вопросы о поведении системы ответы на которые мы хотим получить с помощью модели. Из множества законов управляющих поведением системы выбираются те влияние которых существенно при поиске ответов на поставленные вопросы. В пополнение к этим законам если необходимо для системы в целом или отдельных ее частей формулируются определенные гипотезы о функционировании. Трудности при построении математической модели сложной системы: Если модель содержит много...
23403. Імітаційне моделювання систем масового обслуговування 162.5 KB
  вчена ступінь та звання прізвище та ініціали автора Обговорено на засіданні кафедри ПМК Протокол № __________ €œ ____ €œ _____________ 2011 року Київ Навчальні цілі: Вивчення основних понять моделювання ознайомлення з поняттями системи та моделі співвідношенням між моделлю та системою класифікацією моделей видами моделей технологію моделювання; Виховні цілі: Формування у студентів інженернотехнічного кругозору методами імітаційного моделювання для побудови комп’ютерних систем та мереж вміння ставити та вирішувати складні...
23404. Етапи розробки комп’ютерної імітаційної моделі системи 162 KB
  НАВЧАЛЬНОМАТЕРІАЛЬНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ наочні посібники схеми таблиці ТЗН та інше Діапроектор дидактичні слайди НАВЧАЛЬНІ МАТЕРІАЛИ Етапи розробки імітаційної моделі системи Независимо от способа исходного описания исследуемой системы и внешней среды следует выделить следующие этапы создания ИМ в обобщенном виде представленные на рис. Составление содержательного описания объекта моделирования включая: определение объекта имитации как системы; определение целей моделирования; установление перечня количественных показателей эффективности...
23405. Мови та інструментальні засоби ІМ і CASE-технології 79 KB
  НАВЧАЛЬНОМАТЕРІАЛЬНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ наочні посібники схеми таблиці ТЗН та інше Діапроектор дидактичні слайди НАВЧАЛЬНІ МАТЕРІАЛИ Універсальні мови високого рівня Современные ЭВМ вычислительные комплексы и сети являются мощными средствами исследования сложных систем с использованием технологий имитационного моделирования. Соответствующим образом осуществляется развитие и инструментальных программных средств обеспечивающих решение широкого спектра задач методами имитационного моделирования. Эти средства можно условно разделить на три...