41195

КОНТРОЛЬ ПАРАМЕТРОВ ПЛЕНОК И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ РЕЖИМОВ ИХ НАНЕСЕНИЯ

Лекция

Физика

Наиболее важен контроль в камере так как в зависимости от его результатов регулируются режимы процесса роста пленки что позволяет устранить операции подгонки ее параметров после нанесения. Метод микровзвешивания в основном используемый в производстве гибридных ИМС состоит в определении приращения массы Δm подложки после нанесения на нее пленки. При этом среднюю толщину пленки определяют по формуле: где площадь пленки на подложке; удельная масса нанесенного вещества. При измерении толщины пленки взвешиванием считают что плотность...

Русский

2013-10-23

143.5 KB

49 чел.

Лекция 11

КОНТРОЛЬ ПАРАМЕТРОВ ПЛЕНОК И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ РЕЖИМОВ ИХ НАНЕСЕНИЯ

Получение высококачественных пленок с заранее заданными и воспроизводимыми параметрами предопределяет необходимость строгого контроля при их нанесении. Особенности контроля параметров тонкопленочных элементов определяются малыми толщинами наносимых пленок (от нескольких десятков до сотен нанометров). Параметры пленок контролируют непосредственно в процессе их нанесения в вакуумной рабочей камере, и после нанесения, т. е. вне камер. Наиболее важен контроль в камере, так как в зависимости от его результатов регулируются режимы процесса роста пленки, что позволяет устранить операции подгонки ее параметров после нанесения.

Рассмотрим основные способы измерения и контроля таких параметров пленок, как толщина, электрическое сопротивление, адгезия и важнейшего технологического режимаскорости нанесения. В зависимости от назначения пленок обычно определяют метод их контроля и контролируют один или два параметра.

Измерение толщины пленок. Толщину пленок измеряют такими наиболее распространенными методами, как микровзвешивание и многолучевая интерферометрия.

Метод микровзвешивания, в основном используемый в производстве гибридных ИМС, состоит в определении приращения массы Δm подложки после нанесения на нее пленки. При этом среднюю толщину пленки определяют по формуле:

где площадь пленки на подложке; удельная масса нанесенного вещества.

Этот метод несложен, но требует, чтобы форма подложки была простой, а ее поверхность в хорошем состоянии. Кроме того, на точность измерений влияет удельная масса нанесенного материала, которая может изменяться в зависимости от условий технологических режимов (остаточного давления, загрязнений молекулами газа и др.).

При измерении толщины пленки взвешиванием считают, что плотность нанесенного вещества равна плотности массивного. Под эффективной толщиной пленки понимают толщину, которую она имела бы, если бы образующее ее вещество было равномерно распределено по поверхности с плотностью, равной плотности массивного вещества.

Чувствительность метода взвешивания составляет 1—10 мкм/м и зависит от чувствительности весов и площади пленки на подложке

Метод многолучевой интерферометрии, применяемый для измерения толщины непрозрачных пленок, основан на наблюдении в микроскоп интерференционных полос, возникающих при рассмотрении в монохроматическом свете двух поверхностей, расположенных под углом друг к другу.

Перед измерением получают на образце так называемую ступеньку резкую боковую границу пленки на подложке. Для этого маскируют часть подложки при осаждении пленки или химически удаляют часть осажденной пленки. В микроскоп наблюдают сдвиг интерференционных полос (рис.17). Чередующиеся светлые и темные интерференционные полосы с шагом L на поверхности, как пленки, так и подложки смещаются относительно друг друга у их границы на значение l.

Рис.  17. Сдвиг интерференционных полос

Измеряя с помощью микроинтерференционного микроскопа смещение какой-либо определенной полосы, рассчитывают толщину пленки по формуле

где длина волны монохроматического света, равна 0,54 мкм; - шаг между соседними интерференционными полосами; l смещение интерференционной полосы.

Точность этого метода измерения толщины пленки составляет 15—30 нм.

Если пленка прозрачная, в месте "ступеньки" на нее и подложку осаждают дополнительно непрозрачную, хорошо отражающую свет металлическую пленку (например, алюминия), толщина которой, чтобы уменьшить вносимую погрешность, должна быть много меньше толщины измеряемой пленки.

Измерение электрического сопротивления пленок. Электрическое сопротивление пленок измеряют резистивным датчиком с внешним измерительным прибором. В основном этот метод применяют при контроле изготовления резисторов гибридных ИМС, и он основан на том, что по мере утолщения пленки в процессе роста сопротивление ее уменьшается. Это позволяет непосредственно при нанесении контролировать сопротивление пленки, а при достижении номинальной ее толщины прекратить процесс.

При измерениях (рис.18) предварительно изготовляют специальную контрольную подложку (свидетель) 1 из изоляционного материала (стекла, ситалла), на которую наносят плоские контактные площадки 2 из серебра или другого материала высокой проводимости. Затем эту подложку "свидетель" устанавливают в рабочую камеру как можно ближе к рабочей подложке 3. Это необходимо для того, чтобы обе подложки при нанесении пленки находились в одинаковых условиях. Резистивную пленку наносят на контрольную и рабочую подложки одновременно.

Рис. 18.

При монтаже резистивного датчика в рабочую камеру соединяют контакты "свидетеля" с измерительным мостом, в результате чего сопротивление "свидетеля" регистрируется внешним прибором. В процессе осаждения резистивного материала рост пленки происходит как на рабочих подложках, так и на контрольной, т. е. формируется "резистор-свидетель". По мере роста сопротивление пленки уменьшается и соответственно уменьшается сопротивление "резистора-свидетеля". При достижении номинального (заданного) сопротивления наносимой пленки на "свидетеле" по цепи обратной связи поступает сигнал, которым либо выключается питание испарителя, либо закрывается заслонка.

Поскольку считают, что характеристики пленок на подложке и "свидетеле" одинаковые, внешний измерительный прибор может быть отградуирован в единицах сопротивления (при постоянной температуре подложки).

Погрешность измерения сопротивления при контроле этим методом составляет примерно ± 10 % и определяется неравномерностью толщины пленки по поверхности (т. е. отличием сопротивлений "свидетеля" и рабочей подложки), а также погрешностями измерений.

Внешний измерительный прибор можно также отградуировать в единицах длины. Толщину пленки в этом случае определяют по формуле

где ρ удельное сопротивление пленки; Rсв сопротивление пленки на "свидетеле" между контактами; L. и h длина и ширина пленки на "свидетеле".

Чувствительность метода составляет 1 — 5 нм, а предельная толщина измеряемых пленок около 1 мкм.

Под толщиной пленки при этом понимают толщину, которую имел бы ее слой, если бы его удельное сопротивление было равно удельному сопротивлению массивного металла. Вследствие неопределенности значения удельного сопротивления наносимых пленок точность измерений этим методом невелика.

Измерение адгезии пленок. Сцепление (прилипание) поверхностей разнородных тел называют адгезией. Адгезия пленки к подложке зависит от материала пленки и скорости ее осаждения, а также от чистоты поверхности и температуры подложки.

В настоящее время не существует доступных промышленных методов высокоточного измерения адгезии тонких пленок к подложкам. Поэтому выполняют сравнительный контроль, при котором измеряют усилие отрыва пленки от подложки напаянным на ее поверхность металлическим цилиндром. В центре свободного торца цилиндра закрепляют гибкий тросик, связанный через рычаг с чашкой весов. Чтобы по усилию отрыва Р определить адгезию Ga, необходимо точно знать площадь контакта Fk и исключить вызывающий неравномерное распределение усилия по его площади перекос цилиндра. Рассчитывают адгезию по формуле

Обычно площадь торца цилиндра около 1 мм2. Для получения надежных данных следует измерить адгезию несколько раз, контролируя, не произошел ли отрыв по месту спая и не растворилась ли пленка в припое.

Разновидность этого метода контроль адгезии металлических пленок по отрыву от подложки с помощью тонкой золотой или алюминиевой проволоки, присоединяемой к пленке термокомпрессией. При этом площадь контакта составляет 50 — 200 мкм2, что позволяет более точно определять адгезию локальных участков пленки.

Измерение скорости нанесения пленок. Наиболее распространен контроль скорости нанесения пленок методом кварцевого датчика, который иногда называют резонансно-частотным. В качестве датчика при этом методе используют включенный в контур генератора частоты кварцевый элемент.

Принцип действия кварцевого датчика основан на зависимости частоты генерируемых сигналов от изменения массы кварцевого элемента при нанесении на его поверхность пленки. С увеличением массы кварцевого элемента его резонансная частота падает. Для линейного участка зависимости частоты от массы нанесенной пленки справедливо следующее соотношение:

где т0 и fо масса и резонансная частота кварцевого элемента до нанесения пленки; Δm и Δf изменение массы кварцевого элемента и резонансной частоты после нанесения пленки.

Таким образом, по изменению скорости (сдвига) резонансной частоты, фиксируемому измерительным прибором, определяют скорость роста пленки.

Основной частью кварцевого датчика (рис. 19) является кварцевый элемент 5 круглой или квадратной формы, на обе поверхности которого для подачи напряжения наносят тонкие слои золота или серебра. Кварцевый элемент крепится на изоляторе 4 и закрывается кожухом 3, который вставляется в массивный медный держатель 2, охлаждаемый по трубке 1 проточной водой. В кожухе и держателе имеется сквозное отверстие 6 для пропускания потока частиц наносимого материала к кварцевому элементу.

Рис. 19.

Необходимость эффективного охлаждения держателя объясняется тем, что кристаллы кварца очень чувствительны к изменениям температуры. При нанесении пленок источники излучают значительное количество теплоты, что вызывает повышение температуры кварцевого элемента. Нестабильность температуры кварцевого элемента является основной причиной неконтролируемого изменения частоты. Для исключения погрешностей измерений из-за нестабильности температуры датчика держатель охлаждают.

Этим методом можно также с учетом геометрических размеров кварцевого элемента и массы нанесенной пленки измерить ее толщину, используя следующую формулу:

где Fп площадь кварцевого кристалла, покрытая пленкой наносимого вещества; ρп плотность наносимой пленки.

Точность измерения толщины тонких металлических и диэлектрических пленок в интервале от 10 нм до 5 мкм составляет ± 10%.

Выпускаемые серийно приборы позволяют задавать требуемую толщину пленки, после нанесения которой подается сигнал, останавливающий процесс. Для выполнения точных измерений приборы градуируют отдельно для каждого материала.

Максимально допустимая суммарная толщина пленки, наносимой на кварцевый датчик, определяется максимальным сдвигом частоты и примерно составляет 20 мкм алюминия. Максимальное значение измеряемой толщины можно увеличить, перекрывая периодически кварцевый элемент экраном.

Существенным недостатком метода является то, что помимо градуировки по осаждаемому материалу необходима также периодическая чистка кварцевых элементов от осажденной пленки.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

45300. Спутниковые системы связи. Принцип действия, классификация. Примеры спутниковых систем связи 47.5 KB
  Спутниковые системы связи. Примеры спутниковых систем связи. СС отличаются орбитами спутников: формой круговая эллиптическая высота над Землёй наклон к экватору экваториальные полярные наклонные. На ней несколько сотен спутников что потребовало международного регулирования.
45301. Классификация и особенности транкинговых систем связи. Системы подвижной радиосвязи: принципы построения и функционирования, диапазоны частот, методы аналоговой и цифровой модуляции, методы кодирования, управление в СПС 104.5 KB
  Используемый частотный диапазон 400 450 800 900 1800 1900 МГц 2. Возможность роуминга Эстафетная передача Принцип выбора базовой станции с наибольшим уровнем сигнала MPS800 усовершенствованная мобильная телефонная служба диапазон частот 800МГц. Система работает в диапазоне 824894 МГц и имеет 666 дуплексных каналов при ширине полосы каждого канала 30КГц. Диапазон частот 825890 МГц.
45302. Характеристики систем подвижной связи. Стандарт сотовых систем связи (ССС). Пути усовершенствования ССС 45 KB
  Характеристики систем подвижной связи. Стандарт сотовых систем связи ССС. Системы подвижной радиосвязи предназначены для связи между движущимся абонентом и абонентом ТФОП или между двумя движущимися абонентами. Виды систем связи подвижной службы К основным видам ССПС относятся: региональные мобильные системы наземной связи; глобальные мобильные системы спутниковой связи; системы персонального радиовызова СПРВ.
45303. Стандарт GSM: услуги, архитектура, назначение узлов MSC, кодирование и модуляция, интерфейсы, каналы сигнализации и трафика, хэндовер, протоколы, частотный план структура кадров трафика и управления, речевое кодирование 1.08 MB
  Стандарт GSM: услуги архитектура назначение узлов MSC кодирование и модуляция интерфейсы каналы сигнализации и трафика хэндовер протоколы частотный план структура кадров трафика и управления речевое кодирование. Система сотовой связи стандарта GSM. Разработка GSM началась в 1982 году группой из 26 Европейских национальных телефонных компаний. В 1989 году Европейский Телекоммуникационный Институт Стандартов ETSI взял ответственность за дальнейшее развитие GSM.
45304. Стандарт CDMA: услуги, архитектура, кодирование и модуляция, прямые и обратные каналы трафика и управления, хэндовер и управление мощностью, борьба с многолучевостью. Кодирование в прямом и обратном каналах. Достоинства и недостатки CDMA 4.39 MB
  Стандарт CDM: услуги архитектура кодирование и модуляция прямые и обратные каналы трафика и управления хэндовер и управление мощностью борьба с многолучевостью. Достоинства и недостатки CDM. CDM англ. 1995 год – коммерческая эксплуатация первой СПС с CDM.
45305. Перспективный план нумерации для ЕСЭ РФ. Отличия нумерации в СПС, нумерация в GSM. Перспективы развития плана нумерации 342.1 KB
  Перспективный план нумерации для ЕСЭ РФ. Отличия нумерации в СПС нумерация в GSM. Перспективы развития плана нумерации. Под системой нумерации понимается совокупность правил позволяющих идентифицировать сети их фрагменты а также вызывающих и вызываемых пользователей.
45306. Сотовые сеты связи третьего поколения. Концепция, отличительные черты, услуги. Основные стандарты, их характеристика, пути развития. Цели проекта IMT-2000 92.86 KB
  Радиоинтерфейсы: IMTDS – использует DSCDM и FDD IMTMC – использует MCCDM и FDD IMTTC – использует TDM CDM и TDD IMTSС – использует TDM и FDD IMTFT – MCTDM и FDD TDD IMT dvnced – для систем связи с одновременной передачей нескольких ортогональных несущих OFDM и FDD. Характеристика систем 3 поколения Системы основанные на CDM WCDM: Разработана японской фирмой REB. Сети GSM не могут быть модернизированы для работы с WCDM хотя например GPRS может многократно транслироваться через сеть CDM. Отличия от CDM One – отсутствие...
45307. Система UMTS: архитектура, состав и назначение узлов UTRAN и CN. Контроллер радиосети RNC. Центр коммутации, типы каналов: логические, транспортные, физические. Частотный план, кодирование речи, управление мощностью 164.12 KB
  Центр коммутации типы каналов: логические транспортные физические. UE должно обеспечивать: передачу речи с принятым для системы набором скоростей услуги служб видеоконференции и приложений видеотелефонии использующие как коммутацию каналов так и пакетов; услуги Internet со скоростями 4736 кбит с в обычном режиме и с mx возможной скоростью в режиме best effort негарантированное обслуживание с наилучшими из возможных в данный момент характеристиками; удаленный доступ к локальным сетям; приложения электронной почты. Контроллер...
45308. Развитие сетей UMTS. Требования к системе в Release-7. Переход к сетям LTE. Требования к системе в Release 8-10 501.5 KB
  Переход к сетям LTE. Начавшиеся работы над Relese 9 определяют вторую фазу развития системы LTE. По мнению специалистов ETSI и 3GPP качественно изменения в Releses 9 и 10 по отношению к базовому для системы LTE Relese 8 можно представить в виде диаграммы рис. Совершенствование функциональных возможностей LTE в Relese 9 будет заключаться в реализации двух диапазонной или многодиапазонной передачи данных в одном физическом канале дальнейшем расширении возможностей сети радиодоступа EUTRN внедрении новых сценариев высокоскоростной...