ID: 41671

Название работы: Снятие ВАХ полупроводникового диода

Категория: Лабораторная работа

Предметная область: Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Описание: Обратный ток диода значительно меньше прямого тока обратите внимание на различный масштаб измерения для прямого и обратного тока. Снимите последовательно зависимость Inp=fUnp а затем Iобр=fUo6p для диода. Полученные данные округлённые до сотых значений ампера при прямом включении и до десятых мкА при обратном включении диода занесите в таблицу 1.

Язык: Русский

Дата добавления: 2013-10-24

Размер файла: 100.29 KB

Работу скачали: 60 чел.

Лабораторная работа № 1

Тема: Снятие ВАХ полупроводникового диода

Цель работы: Изучение свойств полупроводникового диода путём снятия и исследования ВАХ.

Краткие теоретические сведения

Диод проводит прямой ток только тогда, когда падение напряжения на нём превысит величину напряжённости потенциального барьера. Потенциальный барьер германиевых диодов составляет (0,3 ÷ 0,4)В, для кремниевых диодов - (0,6 ÷ 0,8)В. Обратный ток диода значительно меньше прямого тока (обратите внимание на различный масштаб измерения для прямого и обратного тока). Обратный ток существует за счёт неосновных носителей зарядов и увеличивается с повышением температуры.

Программа исследования

1. Найдите в библиотеке САПР элементы, соответствующие схеме.
2. Последовательно соберите схемы, сначала согласно рисунку 1, а при втором этапе исследования, согласно рисунку 2. Подключите измерительные приборы.
3. Сделайте снимок построенной схемы.
4. Снимите последовательно зависимость Inp=f(Unp) , а затем, Iобр=f(Uo6p) для диода. Напряжения источника питания (Uист.пит.) задавать в его свойствах (Properties).
5. Полученные данные (округлённые до сотых значений ампера при прямом включении и до десятых мкА при обратном включении диода) занесите в таблицу 1.
6. Постройте ВАХ диода
7. Определите прямое и обратное сопротивления диода.
8. Напишите вывод. Вывод должен содержать описание теоретических положений, подтверждённых экспериментально в процессе выполнения работы.

Таблица 1
Прямое включение			Обратное включение
Uист. пит.В1	Uпр	Iпр	Uист. пит.В2	Uобр	Iобр
В	В	A	В	В	мкA
0,2	0.2	0	40	40	0.5
0,4	0.4	0	50	50	0.7
0,6	0.6	0	60	60	0.8
0,7	0.7	0.01	80	80	1.1
0,75	0.75	0.03	100	100	1.3
0,8	0.8	0.11	120	120	1.6
0,85	0.85	0.28	140	140	1.9
0,9	0.9	0.62	160	160	2.1
0,95	0.95	1.15	180	180	2.4
1	1	1.83	200	200	2.7
			220	220	3

Контрольные вопросы

1. В чём отличие точечных диодов от плоскостных?
2. Каковы основные параметры полупроводниковых диодов?
3. Как влияет температура на характеристики и параметры полупроводниковых диодов?
4. Какова область применения точечных и плоскостных диодов?
5. Какой диод исследовался вами в данной работе?

а) точечный, б) плоскостной, в) германиевый, г) кремниевый.

Вывод: