41993

ИССЛЕДОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ РАБОЧЕЙ ТОЧКИ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА В СХЕМЕ С ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ

Лабораторная работа

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Краткие теоретические сведения Задание тока базы с помощью резистора Схема транзисторного каскада с общим эмиттером представлена на рис. В этом режиме ток коллектора максимален и не управляется током базы: DCIб IкIKH 5.1 где IKH – ток коллектора насыщения определяется сопротивлением Rк в цепи коллектора и напряжением источника питания Ек: IKHEK RK. Для...

Русский

2013-10-26

692.5 KB

43 чел.

Лабораторная работа №2 (часть 1)

ИССЛЕДОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ РАБОЧЕЙ ТОЧКИ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА В СХЕМЕ С ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ

Цель работы: исследование параметров рабочей точки биполярного транзистора (БТ) и условий для перевода БТ в режим насыщения и отсечки.

Краткие теоретические сведения

Задание тока базы с помощью резистора

Схема транзисторного каскада с общим эмиттером представлена на рис. 5.1. Режим, в котором работает каскад, можно определить, построив его нагрузочную линию на выходной характеристике БТ. Данный способ позволяет описать поведение транзистора в режиме насыщения, усиления и отсечки. 

Режим насыщения. В этом режиме ток коллектора максимален и не управляется током базы:

DCIб>IкIKH                                                                                           (5.1)

где  IKH – ток коллектора насыщения, определяется сопротивлением Rк в цепи коллектора и напряжением источника питания Ек:

IKHEK/RK.                  (5.2)

Этот режим характеризуется низким падением напряжения коллектор – эмиттер (порядка 0.1 В). Для перевода транзистора в этот режим необходимо в базу БТ подать ток, больший чем ток насыщения базы Iбн:

Iбн= IKH /DC.      (5.3)

Рис. 5.1

Рис. 5.2

Ток насыщения базы задается с помощью резистора Rбн с сопротивлением, равным:

,     (5.4)

где Uбэ0 – пороговое напряжение перехода база-эмиттер.

Для кремниевых транзисторов     Uбэ0 ≈  0.7 В.

В режиме усиления ток коллектора меньше тока Iкн и описывается уравнением нагрузочной прямой:

. UКЭ = ЕК - IКRК     (отсюда ) (5.5)

Рабочая точка в статическом режиме задается током базы и напряжением на коллекторе. Она определяется точкой пересечения нагрузочной прямой и выходной характеристики БТ. Ток базы транзистора определяется как ток через сопротивление в цепи базы Rб (см. рис. 5.1):

.     (5.6)

Ток коллектора вычисляется по формуле:

Iк = DCIб.     (5.7)

Напряжение коллектор-эмиттер определяется из уравнения нагрузочной прямой:

UкэкIкRк.     (5.8)

В режиме отсечки ток коллектора равен нулю и не создает на резисторе Rк падения напряжения. Следовательно, напряжение Uкэ максимально и равно напряжению источника питания Ек. Ток коллектора с учетом тепловых токов определяется из следующего выражения:

Iк = Iкэ0 +DC Iб =(DC +1)Iкб0+DC Iб +DC (Iкб0 +Iб ), (5.9)

где Iкэ0, Iкб0 – обратные токи переходов коллектор-эмиттер и коллектор-база соответственно. Коэффициент нестабильности тока коллектора (S) из-за влияния тепловых токов в схеме определяется как:

.   (5.10)

Как следует из этого выражения, при рассматриваемом способе задания тока базы коэффициент нестабильности зависит от статического коэффициента передачи, который для транзисторов одного и того же типа может сильно различаться.

Задание тока базы с помощью делителя напряжения

Схема задания тока базы БТ с помощью делителя напряжения в каскаде с общим эмиттером представлена на рис.5.2. Аналогично п.1 рассмотрим режимы насыщения, усиления и отсечки.

Режим насыщения. Ток коллектора в режиме насыщения:

IKHEK/ (RK+Rэ).     (5.11)

Независимо от сопротивления резисторов R1 и R2 делителя напряжения ток насыщения базы определяется из выражения:

Iбн= IKH /DC,      (5.12)

а напряжение  на базе

.   (5.13)

Это же напряжение задается делителем напряжения. Зная Ек и Uб, можно определить отношение сопротивлений плеч делителя:

.     (5.14)

Суммарное сопротивление делителя обычно выбирается так, чтобы ток, протекающий через него, был примерно в 10 раз меньше тока коллектора. Составив систему уравнений и решив ее, можно найти сопротивления R1 и R2 плеч делителя, которые обеспечивают ток базы, необходимый для перевода транзистора в режим насыщения.

Режим усиления. Ток коллектора в усилительном режиме описывается уравнением нагрузочной прямой:

,    (15)

где Uэ = IэRэ,  Iэ — ток эмиттера.

Ток базы определяется из выражения:

Iб= IK /DC.                 (16)

Ток коллектора связан с током эмиттера следующим выражением:

Iк =IэIб .                (17)

Напряжение на базе транзистора равно:

Uб = Iэ Rэ + Uбэ0.     (18)

Далее рассчитываются сопротивления R1 и R2 делителя напряжения. Суммарное сопротивление делителя должно обеспечивать больший по сравнению с током базы ток делителя (обычно ток делителя берут в 10 раз меньше тока коллектора).

Рабочая точка определяется пересечением нагрузочной прямой и выходной характеристики транзистора. При известных значениях сопротивлений R1 и R2 ток базы транзистора

,     (19)

где Uб напряжение на базе транзистора. Если DC Rэ>>R2, то:

,            (20)

.         (21)

Ток эмиттера определяется по падению напряжения на сопротивлении Rэ в цепи эмиттера:

.     (22)

Значение напряжения Uкэ вычисляется по закону Кирхгофа:

UкэкIкRкIэ Rэ.     (23)

Коэффициент нестабильности тока коллектора (S) из-за влияния тепловых токов в схеме при условии, что Uэ > Uбэ0 определяется как:

.  (24)

Как следует из этого выражения, при данном способе задания тока базы коэффициент нестабильности определяется элементами схемы и практически не зависит от характеристик транзистора, что улучшает стабильность рабочей точки.

Задание тока базы с помощью резистора в цепи база-коллектор

Схема задания тока базы с помощью резистора в цепи база-коллектор в каскаде с общим эмиттером представлена на рис.5.3.

Ток коллектора в усилительном режиме описывается уравнением:

.          (33)

Рабочая точка определяется точкой пересечения нагрузочной прямой и выходной характеристики транзистора. Ток базы определяется из выражения:

.          (34)

 Рис.5.3

Как видно из выражения, ток базы зависит от напряжения коллектор-эмиттер, что делает схему менее чувствительной к разбросу значений статического коэффициента передачи устанавливаемых в нее транзисторов.

Ток коллектора в схеме определяется по формуле:

.          (35)

Значение напряжения коллектор-эмиттер:

UкэкIкRк.           (36)

Статический коэффициент передачи тока:

DC=Iк / Iб.                        (37)

Коэффициент нестабильности тока коллектора (S) из-за влияния тепловых токов в схеме с резистором в цепи база-коллектор:

.             (38)

Как следует из выражения, коэффициент нестабильности этой схемы несколько выше, чем у схем с сопротивлением Rэ в цепи эмиттера.

Порядок проведения экспериментов

Эксперимент 1. Исследование параметров рабочей точки при задании тока базы с помощью одного резистора

а) Собрать схему, изображенную на рис.5.1. Включить схему. Записать результаты измерений для тока базы, тока коллектора, напряжения коллектор-эмиттер и напряжения база-эмиттер.

б) Для схемы вычислить базовый ток, напряжение коллектор-эмиттер. Ток коллектора вычислить, используя значение тока базы, полученное в п. а) и значение DC, посчитанное в эксперименте 1 п. б) лабораторной работы 3.

в) Построить нагрузочную прямую по постоянном току на выходной характеристике транзистора 2N3904, полученной в эксперименте 3 предыдущей лабораторной работы. Используя значения токов и напряжений, полученные в пункте а), определить рабочую точку (А) на нагрузочной линии и отметить её положение на графике.

Эксперимент 2. Исследование параметров рабочей точки при задании тока базы с помощью делителя напряжения

а) Собрать схему, изображенную на рис.5.2. Включить схему. Записать результаты измерений для тока базы, тока коллектора, тока эмиттера, напряжения коллектор-эмиттер и напряжения на базе. Вычислить коэффициент передачи DC.

б) Для схемы по формулам (11) – (24) вычислить значение напряжения в точке Uб (18). Вычислить IЭ и рассчитать IК по полученному значению тока эмиттера (Uбэ0 0.7В), вычислить значение напряжения UКЭ по полученным ранее токам коллектора и эмиттера.

в) Построить нагрузочную прямую по постоянному току на выходной характеристике транзистора 2N3904. Используя значения токов и напряжений, полученных в пункте а), определить рабочую точку (А) и отметить её положение на графике.

Эксперимент 4. Исследование параметров рабочей точки при задании тока базы с  помощью резистора в цепи база-коллектор

а) Собрать схему, изображенную на рис.5.3. Включить схему. Записать результаты измерений для тока базы, тока коллектора, тока эмиттера и напряжения коллектор эмиттер. Вычислить статический коэффициент передачи.

б) По формулам вычислить ток коллектора.

в) Построить нагрузочную прямую на выходной характеристике транзистора 2N3904. По результатам, полученным в предыдущем пункте, определить рабочую точку (А) и отметить её положение на графике.

Результаты экспериментов

Результаты всех измерений и осциллограммы занести в соответствующий раздел «Результаты эксперимента»..

Эксперимент 1. Исследование параметров рабочей точки при задании тока базы с помощью резистора

а) Ток базы_____ Ток коллектора______ Напряжение база-эмиттер_____

Напряжение коллектор-эмиттер_____

б) Ток базы_____ Ток коллектора_____ Напряжение коллектор-эмиттер_____

в), г), д) Определение рабочей точки каскада.

Отметьте на графике положение рабочей точки до и после изменения коэффициента передачи транзистора по постоянному току.

Ток базы_____ Ток коллектора_____ Напряжение Uкэ_____

ж) Сопротивление в цепи базы

Ток базы_____ Ток коллектора_____ Напряжение Uкэ _____

Эксперимент 2. Исследование параметров рабочей точки при задании тока базы с помощью делителя напряжения

а) Ток базы______  Ток коллектора______  Ток эмиттера_______

Напряжение на базе транзистора

Напряжение коллектор-эмиттер

Статический коэффициент передачи DC

б) Напряжение в точке Uб

Ток эмиттера____Ток коллектора____Напряжение коллектор-эмиттер___

в), г), д). Определение рабочей точки каскада.

Отметьте на графике положение рабочей точки до и после изменения коэффициента передачи транзистора по постоянному току.

Ток базы___ Ток коллектора____ Напряжение коллектор-эмиттер____

ж) Отношение R1/R2

Напряжение на базе______ Ток базы_____ Ток коллектора_____

Напряжение коллектор – эмиттер ________

Эксперимент 3. Исследование параметров рабочей точки при задании тока базы с помощью резистора в цепи база – коллектор

а) Ток базы_____ Ток коллектора_____ Ток эмиттера_____

Напряжение Uкэ_____

Статический коэффициент передачи DC _____

б) Ток коллектора

в), г), д) Определение рабочей точки каскада.

Отметьте на графике положение рабочей точки.

Контрольные вопросы и задания

  1.  Какая связь между током коллектора и током эмиттера?
  2.  Изменяется ли положение рабочей точки при изменении статического коэффициента передачи тока?
  3.  Какое условие необходимо выполнить, чтобы перевести транзистор в режим отсечки?
  4.  Чему равно напряжение коллектор-эмиттер в режиме насыщения?
  5.  В чем преимущество схемы со смещением в цепи базы над схемой со смещением в цепи эмиттера?
  6.  В чем преимущество схемы с делителем напряжения в цепи базы над схемой со смещением в цепи эмиттера?
  7.  Какую роль играет сопротивление Rэ в цепи эмиттера для стабильности работы схем? В чем она заключается?
  8.  Какая из всех описанных выше схем обладает большей стабильностью?

Лабораторна  робота №2 (часть 2)

ИССЛЕДОВАНИЯ СХЕМЫ ДВУХТАКТНОГО УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА

Цель работы: Исследования режимов работы двухтактных усилительных каскадов, измерение основных параметров.

Краткие теоретические сведения

Режимы работы усилительных устройств

Режимы работы определяются подаваемым смещением на базу биполярного транзистора (БТ). Различают режимы А,B,С,D,АB.

Рис.7.1. Характеристики и сигналы в усилителе, работающем в режиме А

Режим А. Рабочую точку выбирают в середине проходной динамической характеристики каскада (рис.7.1); при этом ток в выходной цепи протекает в течение всего периода выходного сигнала. Режим характеризуется минимальными нелинейными искажениями.

В этом режиме большой ток покоя IK0, а следовательно, низкий КПД, который составляет 20-30%. Режим используют в предварительных каскадах усиления.

Режим В. Рабочую точку задаем в начале проходной характеристики (рис.7.2), при этом ток в выходной цепи протекает в течение половины периода выходного сигнала.

Ток течет в выходной цепи только полпериода. КПД достаточно высок и составляет 60-70%. Т.к. используем начало характеристики (а оно нелинейно), то возникают большие нелинейные искажения. Режим используют только в двухтактных схемах усиления.

Рис.7.2. Характеристики и сигналы в усилителе, работающем в режиме В

Рис.7.3. Характеристики и сигналы в усилителе, работающем в режиме С

Режим С. Рабочую точку (рис.7.3)  выбирают левее начала координат проходной динамической характеристики. Угол отсечки    Θ< 900. КПД высок (η≈ 90%), т.к. ток покоя IК0≈ 0. Т.к. используем начало характеристики, то большие  нелинейные искажения. Применяют в высокочастотных усилителях мощности совместно с резонансными устройствами, позволяющими выделять в результирующем сигнале 1-ю гармонику входного сигнала.   

Режим D. Импульсный режим. Транзистор работает как электронный ключ, т.е. БТ либо открыт, либо закрыт. Гармонические сигналы усиливать не может. Используют в импульсных усилителях мощности. КПД ≈ 95%.

Режим АВ. Угол отсечки  . Это промежуточный режим между режимами А и В. Рабочая точка расположена на переходе от нелинейного участка характеристики к линейному. Режим используют для уменьшения нелинейных искажений усиливаемого сигнала, которые возникают на начальном участке  ВАХ  БТ.

Схемы двухтактных бестрансформаторных усилительных каскадов.

Схема  двухтактного каскада усилителя мощности с двумя источниками питания приведена на рис. 7.4.

Рис.7.4. Схема двухтактного  усилителя мощности

Схема построена на комплементарных транзисторах. В этих схемах проявляется эффект ступеньки (рис.7.5). Чтобы устранить эффект ступеньки, нужно установить режим работы АВ, т.е. на базы БТ подать небольшое смещение (  0,5 В). Это можно сделать путем введения в схему делителя напряжения (из резисторов или диодов). Схемы с делителями изображены на рис.7.6. При использовании диодов следует установить такой ток в делителе, чтобы падение напряжения на каждом диоде было равно необходимому смещению.

Схема двотактного підсилювального каскаду с одним источником питания показана на рис. 7.7.

У даній схемі використовується включення транзисторів із загальним колектором (эмиттерный повторитель). Кожний із транзисторів зі своїми элементами складає плече каскаду.

Рис.7.5. Искажения формы сигналов в двухтактном усилителе

Рис.7.6.Схемы двухтактных бестрансформаторных усилителей мощности с  делителями напряжения

Принцип работы каскада состоит в следующем. При подаче положительной полуволны входного сигнала транзистор VT1 открывается, а транзистор VT2 остается закрытым, в результате через нагрузку (Rн) будет протекать ток (снизу – вверх). При этом заряжается конденсатор С2. При подаче  отрицательной полуволны входного сигнала транзистор VT1 закрывается , а VT2 открывается,  и через нагрузку протекает ток в другом направлении, т.е. выходной сигнал адекватно отражает изменение входного сигнала. Таким образом, усиления сигнала в рассмотренном усилителе происходит в два такта работы устройства. Если первый такт сопровождается усилением одной полуволны сигнала транзистором VT1, то второй такт сопровождается усилением второй полуволны с помощью транзистора VT2, на протяжении которого происходит разряд емкости С2 (емкость С2 работает в этот полупериод как источник питания).

 

Рис.7.7.Схема двухтактного усилительного каскада с одним источником питания

Порядок проведения экспериментов

Результаты всех измерений и осциллограммы занести в соответствующий раздел «Результаты эксперимента».

Эксперимент 1. Исследования усилителя мощности при работе его в режиме В.

а) Собрать схему, приведенную на рис.7.8.

б) Установить переключатели SA2 и SA3 в произвольное положение. Переключателем SA1 перемкнуть резисторы R2 и R3.

в) Измерить (на постоянном токе) напряжения в точках 1, 2, 3, 4  и 5 схемы.

г) Установить частоту генератора 10 кГц і напругу 1В. Включить схему. Проконтролировать с помощью осциллографа наличие на выходе схемы усиленного сигнала с искажениями типа “ступенька”. Зарисовать осциллограммы напряжений в точках 1, 2, 3, 4  и 5 схемы.

д) Определить угол отсечения для каждой осциллограммы и режима работы каждого из транзисторов схемы.

Эксперимент 2. Исследование работы усилителя мощности в режиме АВ.

а) Оставить переключатели SA2 и SA3 в установленном в эксперименте 1 положении. Переключателем SA1 включить резисторы R2 и R3.

б) Выполнить п.п. в), г) и д) эксперимента 1.  

Рис.7.8. Схема исследуемого усилителя

Эксперимент 3. Исследование влияния емкостей С2 и С3 на АЧХ  усилителя мощности в режиме  В (АВ).

а) Установить переключатели SA2 и SA3 в нижнее положение. Переключателем SA1 установить заданный режим (А или АВ).

б) Снять амплитудно-частотную характеристику (АЧХ) усилителя, установив Uвх=1 В. Частоту входного сигнала изменять в соответствии с данными табл. 7.1. С помощью вольтметра измерить выходное напряжение Uвых усилителя. Данные занести в табл.7.1.

в) Вычислить значения KU(f) и Y(f) для каждой частоты. Полученные данные и результаты расчетов занести в табл.7.1. Методика расчетов приведена в лабораторной работе №6.

Результаты экспериментов

Эксперимент 1. Исследования усилителя мощности при работе его в режиме В.

в) Напряжения  в точках 1, 2, 3, 4  и 5 схемы :  

U1=        B,  U2=        B, U3=        B, U4=        B, U5=        B.

г) Осциллограммы напряжений в точках 1, 2, 3, 4  и 5 схемы.

д) Кут відсічення для кожної осцилограми:

Θ1=     град, Θ2=     град, Θ3=     град, Θ4=     град, Θ5=     град.

Режим роботи транзисторів VT1_______ ,  VT2________

Эксперимент 2. Исследование работы усилителя мощности в режиме АВ.

в) Напряжения  в точках 1, 2, 3, 4  и 5 схемы :  

U1=        B,  U2=        B, U3=        B, U4=        B, U5=        B.

г) Осциллограммы напряжений в точках 1, 2, 3, 4  и 5 схемы.

д) Кут відсічення для кожної осцилограми:

Θ1=     град, Θ2=     град, Θ3=     град, Θ4=     град, Θ5=     град.

Режим роботи транзисторів VT1_______ ,  VT2________

Эксперимент 3. Исследование влияния емкостей С2 и С3 на АЧХ  усилителя мощности в режиме  В (АВ).

б) Uвх=1 В, Rn=

Таблиця 7.1

                            

Частота

Конденсатор С2=10мкФ

Конденсатор С3=1мФ

Режим В

Режим АВ

UВЫХ

KU(f)

Y(f)

UВЫХ

KU(f)

Y(f)

20 Гц

50 Гц

250 Гц

500 Гц

1 кГц

5 кГц

10 кГц

50 кГц

100 кГц

200 кГц

500 кГц

1 МГц

50 МГц

100 МГц

500 МГц

АЧХ усилителя (Y(f)) с емкостью С2 и АЧХ усилителя с емкостью С3 (на одном графике).

Анализ полученных данных.

СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА

Все приведенные в руководстве к данной лабораторной работе схеми с краткими пояснениями принципов их работы и необходимыми формулами.

 Результаты измерений и расчетов, сведенные в таблицу.

Амплитудно-частотные характеристики.

Выводы по результатам работы с анализом полученных данных.

Литература:  [1. c.108-113].

Контрольные вопросы и задания

1. Сравните режимы классов А, В и АВ по величине выходной мощности, кпд, нелинейных искажений.

2. В каком режиме (А или В) работают транзисторы усилителей мощности, приведенных на рис. 7.9?

Почему для питания транзисторов схемы, которая приведена на рис. 7.9, а, необходимо двухполярное  напряжение питания? Какую роль выполняет конденсатор Со в схеме на рис. 7.9, б?

3.Можно ли на выходе усилителей мощности (рис. 7.9, а, б)  получить сигнал, больший по абсолютному значению, чем входной? Изменится ли фаза входного сигнала при прохождении через усилитель?

4. Какая природа искажений типа «ступенька»?

5. Какие преимущества двухтактного каскада перед однотактным?

6. На вход усилители мощности (рис. 7.9, а), работающего на нагрузку Rн=9.2 Ом, поступает гармонический сигнал с амплитудой Uвх=10 В. Определить мощность, отдаваемую схемой в нагрузку, приняв максимальное напряжение на эмиттерном переходе открытого транзистора Uбэ max=0.8 В.

Рис.7.9

Список литературы

  1.  Батушев В.А. Электронные приборы.–М.:ВШ.,1980.-383с.
  2.  Дулин В. Н. Электронные приборы. — М.: «Энергия», 1977.
  3.  Шишков Атанас И. Первые шаги в радиоэлектронике. –София: Техника,1986.-176с.
  4.  Руденко В.С. и др. Основы промышленной электроники.–К.:Вища шк.,1985.-400с.
  5.  Криштафович А.К., Трифонюк В.В. Основы промышленной электроники.–М.:ВШ.,1985.-287с.
  6.  Скаржепа В.А., Луценко А.Н. Электроника и микросхемотехника.Ч.1.Электронные устройства информационной автоматики..–К.:Выща шк.,1989.-431с.
  7.  Жеребцов И. П. Основы электроники. — Л.: Энергоатомиздат, 1989.
  8.  Опадчий Ю.Ф. и др.Аналоговая и цифровая электроника.–М.: Горячая линия - Телеком, 2002.-768с.
  9.  Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы , Справочник / А. В. Баюков и др. Под ред. Н. Н. Горюнова. — М.: Энергоатомиздат, 1987.
  10.  Лавриненко В. Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. — К.: Технiка, 1984.- 424с.
  11.  Терещук Р. М. и др. Полупроводниковые приемно-усилительные устройства: Справочник радиолюбителя. — К.: Наук. думка, 1989.
  12.  Основы аналого – дискретной схемотехники: Лабораторные работы. - К. КИИГА, 1994. – 64с.
  13.  Электротехника и электроника в экспериментах и упражнениях: Практикум на Electronics Workbench: В 2 т./Под общей ред. Д.И.Панфилова–т.2: Электроника. –М.: ДОДЭКА, 2000.–288с.
  14.  Карлащук В.И. Электронная лаборатория на IBM PC. – М.:Солон-Р, 2000.-506с.

PAGE  20


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

15276. Основи програмування мовою Асемблер 183.5 KB
  Лабораторна робота № 1 Тема: Основи програмування мовою Асемблер. Мета роботи: Вивчити функціональні можливості середовища емулятора Emu8086. Набути навичок зі складання та налагодження програм мовою асемблер з використанням середовища емулят...
15277. Вивчити програмну модель мікропроцесора і8086 153 KB
  Лабораторна робота № 2 Тема: Основи програмування мовою Асемблер. Мета роботи: Вивчити програмну модель мікропроцесора і8086. Навчитися інтерпретувати стан регістрів мікропроцесора з використанням емулятора. Засвоїти правила запису інформ
15278. Засвоїти способи адресування операндів в мікропроцесорі і8086 161 KB
  Лабораторна робота № 3 Тема: Основи програмування мовою Асемблер. Мета роботи: Засвоїти способи адресування операндів в мікропроцесорі і8086. Набути навичок з використання різних способів адресування операндів при складанні програм мовою асемблера. Ко...
15279. Команди і директиви мови Асемблер 122.5 KB
  Лабораторна робота № 4 Тема: Команди і директиви мови Асемблер. Мета роботи: Набути навичок застосування асемблерних команд передачі інформації. Засвоїти способи адресування операндів вказаних груп команд та алгоритми їх виконання.
15280. Застосування асемблерних команд з реалізації арифметичних, логічних операцій і операцій зсуву 156 KB
  Лабораторна робота № 5 Тема: Команди і директиви мови Асемблер. Мета роботи: Набути навичок застосування асемблерних команд з реалізації арифметичних логічних операцій і операцій зсуву. Засвоїти способи адресування операндів вказаних гру
15281. Застосування асемблерних команд передачі управління. Алгоритми їх виконання 110.5 KB
  Лабораторна робота № 6 Тема: Команди і директиви мови Асемблер. Мета роботи: Набути навичок застосування асемблерних команд передачі управління. Засвоїти алгоритми їх виконання. Короткі теорет
15282. Алгоритми функціонування ланцюгових команд та способи формування адреси операнда-джерела і адреси операнда-призначення 145.5 KB
  Лабораторна робота № 7 8 Тема: Команди і директиви мови Асемблер. Мета роботи: Засвоїти алгоритми функціонування ланцюгових команд та способи формування адреси операндаджерела і адреси операндапризначення за якими розташовуються ланцюго
15283. Технологія та прийоми програмування мовою Асемблер 142 KB
  Лабораторна робота № 9 Тема: Технологія та прийоми програмування мовою Асемблер. Мета роботи: Набути навичок роботи з масивами при програмуванні мовою Асемблера. Навчитися описувати одновимірні масиви в програмі; ініціювати масив; орган...
15284. Налагодження програми мовою Асемблер з оброблення двовимірних масивів 149 KB
  Налагодження програми мовою Асемблер з оброблення двовимірних масивів Лабораторна робота № 10 Тема: Технологія та прийоми програмування мовою Асемблер. Мета роботи: Набути навичок роботи з масивами при програмуванні мовою Асемблера.