42350

ИЗУЧЕНИЕ ВНУТРЕННЕГО ФОТОЭФФЕКТА. ПОЛУЧЕНИЕ СВЕТОВОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФОТОСОПРОТИВЛЕНИЯ

Лабораторная работа

Физика

Цель работы: изучение явления внутреннего фотоэффекта и работы фотосопротивления. 2 Приборы работающие на принципе внутреннего фотоэффекта называются фотосопротивлениями. Для предохранения от влияния воздуха фоточувствительная поверхность фотосопротивления покрывается тонкой пленкой лака.

Русский

2013-10-29

188.5 KB

1 чел.

Лабораторная работа 8.5.

ИЗУЧЕНИЕ ВНУТРЕННЕГО ФОТОЭФФЕКТА. ПОЛУЧЕНИЕ СВЕТОВОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФОТОСОПРОТИВЛЕНИЯ.

Библиографический список

Трофимова Т. И. Курс физики. М.: Высшая школа, 1985.

Савельев И.В. Курс общей физики. – М.: Наука, 1988. Т. 3.

Цель работы: изучение явления внутреннего фотоэффекта и работы фотосопротивления.

Приборы и принадлежности: лабораторная установка «Получение световой характеристики».

Описание метода и экспериментальной установки

Внутренний фотоэффект заключается в том, что под действием света в диэлектриках и полупроводниках могут возникать носители тока. Соответственно уменьшается их сопротивление. Это одно из явлений природы, которые объясняются с точки зрения квантовой природы света. Для этого используется зонная энергетическая теория твердых тел. При объединении атомов в твердое тело энергетические уровни атома, т.е. значения энергии, которые разрешает иметь электронам данного атома квантовая теория, расщепляются. Для того, чтобы удовлетворить принципу Паули, число расщепленных компонентов – подуровней должно быть порядка числа атомов в твердом теле, т.е. энергетические подуровни в твердом теле располагаются очень близко друг к другу – квазинепрерывно и образуют разрешенную энергетическую зону. Число, положение (по шкале энергий) и форма энергетических тел зависят от химической природы и симметрии твердого тела. В процессах фотопроводимости участвуют лишь валентные электроны кристалла, иными словами эти процессы разыгрываются в энергетической зоне валентных электронов (валентной зоне) и зоне разрешенных энергий, лежащей над ней (свободной зоне).

Для полупроводников и диэлектриков характерна полностью заполненная валентная зона. Свободная зона отстоит достаточно далеко от валентной (рис. 1). Между ними – область энергий, которые квантовая механика не разрешает иметь электронам рассматриваемого кристалла – это запрещенная зона. Диэлектрики и полупроводники отличаются друг от друга шириной запрещенной зоны – у диэлектриков она существенно больше.

Чтобы диэлектрик или полупроводник стали проводить электрический ток, надо перенести в зону проводимости хотя бы часть электронов из валентной зоны, сообщив им извне энергию. В случае фотопроводимости эта энергия доставляется падающим светом.

Для того, чтобы в полупроводнике перевести электроны в зону проводимости, энергия падающих квантов света  должна быть не менее ширины запрещенной зоны.

.                                         (1)

Эта зависимость указывает на существование красной границы внутреннего фотоэффекта

.                                            (2)

Приборы, работающие на принципе внутреннего фотоэффекта, называются фотосопротивлениями.

Фотосопротивление состоит из следующих частей (рис. 2): изолирующая подложка 1, на которую наносится тонкий слой полупроводника 2 (такие слои получают испарением в вакууме или химическим осаждением); металлические электроды 3, соединяющиеся с двумя выводными клеммами, с помощью которых фотосопротивление включается в цепь. Для предохранения от влияния воздуха фоточувствительная поверхность фотосопротивления покрывается тонкой пленкой лака. Лаковая пленка должна обладать прозрачностью в той части спектра, в которой работает фотосопротивление.

В настоящее время на практике применяются фотосопротивления из различных полупроводников. Каждое из них отличается от другого присущими ему особенностями, удовлетворяющими ту или иную область применения.

Фотосопротивления имеют ряд преимуществ: малые габариты, сравнительная простота изготовления, высокие фотоэлектрические свойства, практически неограниченные сроки работы.

Недостатком фотосопротивления является значительная зависимость его чувствительности от температуры.

Величина фототока будет определяться количеством квантов света, падающих на фотосопротивление, и их величиной .

При определенной величине  (естественно, в случае ) фототок будет расти с увеличением количества квантов до тех пор, пока в фототок не будет вовлечено все количество электронов, которое может быть переведено квантом данной величины из валентной зоны в зону проводимости. Далее фототок увеличиваться не будет, достигнет насыщения, т.е. зависимость фототока от падающего светового потока – световая характеристика фотосопротивления – является нелинейной функцией.

Эта зависимость имеет следующий аналитический вид:

,                                            (3)

где Ф – световой поток; В – чувствительность фотосопротивления (при использовании белого света В – интегральная чувствительность, при освещении монохроматическим светом В – спектральная чувствительность), т.е. В является также функцией светового потока Ф.

Установка для получения световой характеристики (рис. 4) включает в себя фотосопротивление 1, соединенное с микроамперметром 2 и источником тока, диск 3 с отверстиями, с помощью которых изменяется величина светового потока, падающего на фотосопротивление, осветительная лампа 4, помещенная в непрозрачный кожух.

Приняв лампу за точечный источник света, для освещенной поверхности, находящейся от нее на расстоянии , можно записать закон освещенности

,                                     (4)

где  - расстояние от лампы до отверстия в цилиндре, м;       

      - расстояние от отверстия до фотосопротивления, м;

      - сила света лампы, кд.

    

Световой поток, падающий на фотосопротивление, будет равен произведению освещенности на площадь отверстия в диске

,

где  - радиус отверстия, м.

Или

,         (5)

где                                    .

Перед началом измерений следует определить темновой ток , т.е. ток, текущий по электрической цепи, в которую включено фотосопротивление, когда оно затемнено. В нашем случае  определяется перекрытием прямого попадания светового потока от лампы 4 на фотосопротивление. Например, диск устанавливается так, чтобы на пути светового потока не было отверстия.

Фототок определяется как разность между измеренным по микроамперметру током (световым) и темновым током

                 (6)

Интегральная чувствительность фотосопротивления В определяется графическим дифференцированием кривой  по отдельным точкам, т.е. определением тангенса угла наклона кривой к оси ординат  в каждой экспериментальной точке.

Так как фототок зависит не только от лучистого потока, но и от величины приложенного в цепи фотосопротивления напряжения, определение интегральной чувствительности теряет всякий смысл без указания напряжения (100 – 200 В), для которого эта величина определена.

Порядок выполнения работы.

1. Ознакомиться с устройством установки и включить ее.

2. Определить темновой ток, для чего повернуть диск 3 так, чтобы установить против фотосопротивления сплошную часть диска, например, между двумя самыми маленькими отверстиями.

3. Установить против фотосопротивления наименьшее отверстие диска и записать соответствующее показание микроамперметра.

4. Повторить указанное в п. 3 для всех отверстий диска.

5. По формуле (5) рассчитать световые потоки, соответствующие каждому отверстию.

6. Построить световую характеристику фотосопротивления .

7. Для каждого значения Ф рассчитать интегральную чувствительность и построить кривую зависимости .

Таблица 1

Сила света  кд.              Темновой ток  мкА

Номер отвер-стия i

Радиусы отвер-стий , мм

Световой поток Ф, лм

Фототок , мкА

Интегральная чувстви-тельность, В

1

2

3

PAGE  36


EMBED Equation.3  

EMBED Equation.3  

EMBED Equation.3  

EMBED Equation.3  

EMBED Equation.3  

EMBED Equation.3  

Рис. 1. Схема расположения энергетических зон валентной (1) и свободной (зоны проводимости) (2): а – в металлах; б – в полупроводниках; в – в диэлектриках

Рис. 2. Устройство фотосопротивления

Рис. 3. Световая характеристика фотосопротивления

Рис. 4. Схема экспериментальной установки


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

120. Системний аналіз - Календарне планування. Розрахунок мережевої моделі 56.5 KB
  Розрахунок мережевої моделі дозволяє визначити критичні та некритичні операції. Операція критична, якщо затримка початку її виконання або збільшення тривалості приводить до збільшення тривалості програми в цілому. В противному випадку – некритична операція, характеризується тим, що різниця в часі між пізнім закінченням і раннім початком більша ніж тривалість операції. Виникає резерв часу, який може бути використаний з точки зору оптимізації ресурсів.
121. Системний аналіз - Матричні ігри 94.5 KB
  Системний аналіз - матричні ігри. Точка мінімаксу визначаєтьсяі як найнижча точка огинаючої зверху.
122. Завдання для контрольної роботи по курсу Основи системного аналізу об’єктів та процесів комп’ютеризації 235.5 KB
  Контрольна робота складається з двох частин: теоретичної та практичної. I. В теоретичній частині потрібно дати розгорнуту відповідь на одне з наступних питань відповідно варіанту. II. В практичній частині необхідно розв’язати наступні задачі.
123. ПРИЙНЯТТЯ РІШЕНЬ В УМОВАХ НЕВИЗНАЧЕНОСТІ 195.5 KB
  Якщо існування функцій розподілу ймовірностей, які характеризують степінь неповноти або неточності інформації про вихідні дані задачі прийняття рішень не гарантується, то таку ситуацію класифікують як прийняття рішень в умовах невизначеності.
124. АНАЛІЗ КОНФЛІКТНИХ СИТУАЦІЙ. ЕЛЕМЕНТИ ТЕОРІЇ ІГОР 295.5 KB
  В теорії ігор супротивники – гравці. Кожен з гравців має деяку множину (скінченну або нескінченну) можливих дій (стратегій). Результати в грі задаються функціями, що залежать від стратегій кожного з гравців. Гра з двома гравцями, у якій виграш одного з гравців дорівнює програшу другого, називається грою з нульовою сумою. У такій грі достатньо задати результати у вигляді платежів одного з гравців.
125. Основы гражданской обороны. Структура и место в обществе 186 KB
  Концепция современной войны значительно уменьшает вероятность ковровых бомбежек с массовым поражением населения и огромными разрушениями жилого фонда, что требовало эвакуации граждан в пригородную зону.
126. Основные понятия системного анализа и его критерии 540.5 KB
  Системный анализ - наука, занимающаяся проблемой принятия решения в условиях анализа большого количества информации различной природы. Из определения следует, что целью применения системного анализа к конкретной проблеме является повышение степени обоснованности принимаемого решения, расширение множества вариантов, среди которых производится выбор, с одновременным указанием способов отбрасывания заведомо уступающим другим.
127. Системи керування Базами Даних 61 KB
  Microsoft SQL Server — комерційна система керування базами даних, що розповсюджується корпорацією Microsoft. Мова, що використовується для запитів — Transact-SQL, створена спільно Microsoft та Sybase. Transact-SQL є реалізацією стандарту ANSI/ISO щодо структурованої мови запитів (SQL) із розширеннями. Використовується як для невеликих і середніх за розміром баз даних, так і для великих баз даних масштабу підприємства. Багато років вдало конкурує з іншими системами керування базами даних.
128. Свой сайт самостоятельно SQL. 10 минут на урок. 51.75 MB
  Данная книга поможет вам в кратчайшие сроки освоить SQL — самый популярный язык баз данных. Начиная с простых запросов на выборку данных, автор урок за уроком рассматривает все более сложные темы, такие как использование операций объединения, подзапросы, хранимые процедуры, индексы, триггеры и ограничения. На изучение материала каждого урока вам потребуется не более 10 минут. Благодаря этой книге вы быстро научитесь самостоятельно составлять запросы к базам данных на языке SQL без чьей-либо помощи.