42350

ИЗУЧЕНИЕ ВНУТРЕННЕГО ФОТОЭФФЕКТА. ПОЛУЧЕНИЕ СВЕТОВОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФОТОСОПРОТИВЛЕНИЯ

Лабораторная работа

Физика

Цель работы: изучение явления внутреннего фотоэффекта и работы фотосопротивления. 2 Приборы работающие на принципе внутреннего фотоэффекта называются фотосопротивлениями. Для предохранения от влияния воздуха фоточувствительная поверхность фотосопротивления покрывается тонкой пленкой лака.

Русский

2013-10-29

188.5 KB

1 чел.

Лабораторная работа 8.5.

ИЗУЧЕНИЕ ВНУТРЕННЕГО ФОТОЭФФЕКТА. ПОЛУЧЕНИЕ СВЕТОВОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФОТОСОПРОТИВЛЕНИЯ.

Библиографический список

Трофимова Т. И. Курс физики. М.: Высшая школа, 1985.

Савельев И.В. Курс общей физики. – М.: Наука, 1988. Т. 3.

Цель работы: изучение явления внутреннего фотоэффекта и работы фотосопротивления.

Приборы и принадлежности: лабораторная установка «Получение световой характеристики».

Описание метода и экспериментальной установки

Внутренний фотоэффект заключается в том, что под действием света в диэлектриках и полупроводниках могут возникать носители тока. Соответственно уменьшается их сопротивление. Это одно из явлений природы, которые объясняются с точки зрения квантовой природы света. Для этого используется зонная энергетическая теория твердых тел. При объединении атомов в твердое тело энергетические уровни атома, т.е. значения энергии, которые разрешает иметь электронам данного атома квантовая теория, расщепляются. Для того, чтобы удовлетворить принципу Паули, число расщепленных компонентов – подуровней должно быть порядка числа атомов в твердом теле, т.е. энергетические подуровни в твердом теле располагаются очень близко друг к другу – квазинепрерывно и образуют разрешенную энергетическую зону. Число, положение (по шкале энергий) и форма энергетических тел зависят от химической природы и симметрии твердого тела. В процессах фотопроводимости участвуют лишь валентные электроны кристалла, иными словами эти процессы разыгрываются в энергетической зоне валентных электронов (валентной зоне) и зоне разрешенных энергий, лежащей над ней (свободной зоне).

Для полупроводников и диэлектриков характерна полностью заполненная валентная зона. Свободная зона отстоит достаточно далеко от валентной (рис. 1). Между ними – область энергий, которые квантовая механика не разрешает иметь электронам рассматриваемого кристалла – это запрещенная зона. Диэлектрики и полупроводники отличаются друг от друга шириной запрещенной зоны – у диэлектриков она существенно больше.

Чтобы диэлектрик или полупроводник стали проводить электрический ток, надо перенести в зону проводимости хотя бы часть электронов из валентной зоны, сообщив им извне энергию. В случае фотопроводимости эта энергия доставляется падающим светом.

Для того, чтобы в полупроводнике перевести электроны в зону проводимости, энергия падающих квантов света  должна быть не менее ширины запрещенной зоны.

.                                         (1)

Эта зависимость указывает на существование красной границы внутреннего фотоэффекта

.                                            (2)

Приборы, работающие на принципе внутреннего фотоэффекта, называются фотосопротивлениями.

Фотосопротивление состоит из следующих частей (рис. 2): изолирующая подложка 1, на которую наносится тонкий слой полупроводника 2 (такие слои получают испарением в вакууме или химическим осаждением); металлические электроды 3, соединяющиеся с двумя выводными клеммами, с помощью которых фотосопротивление включается в цепь. Для предохранения от влияния воздуха фоточувствительная поверхность фотосопротивления покрывается тонкой пленкой лака. Лаковая пленка должна обладать прозрачностью в той части спектра, в которой работает фотосопротивление.

В настоящее время на практике применяются фотосопротивления из различных полупроводников. Каждое из них отличается от другого присущими ему особенностями, удовлетворяющими ту или иную область применения.

Фотосопротивления имеют ряд преимуществ: малые габариты, сравнительная простота изготовления, высокие фотоэлектрические свойства, практически неограниченные сроки работы.

Недостатком фотосопротивления является значительная зависимость его чувствительности от температуры.

Величина фототока будет определяться количеством квантов света, падающих на фотосопротивление, и их величиной .

При определенной величине  (естественно, в случае ) фототок будет расти с увеличением количества квантов до тех пор, пока в фототок не будет вовлечено все количество электронов, которое может быть переведено квантом данной величины из валентной зоны в зону проводимости. Далее фототок увеличиваться не будет, достигнет насыщения, т.е. зависимость фототока от падающего светового потока – световая характеристика фотосопротивления – является нелинейной функцией.

Эта зависимость имеет следующий аналитический вид:

,                                            (3)

где Ф – световой поток; В – чувствительность фотосопротивления (при использовании белого света В – интегральная чувствительность, при освещении монохроматическим светом В – спектральная чувствительность), т.е. В является также функцией светового потока Ф.

Установка для получения световой характеристики (рис. 4) включает в себя фотосопротивление 1, соединенное с микроамперметром 2 и источником тока, диск 3 с отверстиями, с помощью которых изменяется величина светового потока, падающего на фотосопротивление, осветительная лампа 4, помещенная в непрозрачный кожух.

Приняв лампу за точечный источник света, для освещенной поверхности, находящейся от нее на расстоянии , можно записать закон освещенности

,                                     (4)

где  - расстояние от лампы до отверстия в цилиндре, м;       

      - расстояние от отверстия до фотосопротивления, м;

      - сила света лампы, кд.

    

Световой поток, падающий на фотосопротивление, будет равен произведению освещенности на площадь отверстия в диске

,

где  - радиус отверстия, м.

Или

,         (5)

где                                    .

Перед началом измерений следует определить темновой ток , т.е. ток, текущий по электрической цепи, в которую включено фотосопротивление, когда оно затемнено. В нашем случае  определяется перекрытием прямого попадания светового потока от лампы 4 на фотосопротивление. Например, диск устанавливается так, чтобы на пути светового потока не было отверстия.

Фототок определяется как разность между измеренным по микроамперметру током (световым) и темновым током

                 (6)

Интегральная чувствительность фотосопротивления В определяется графическим дифференцированием кривой  по отдельным точкам, т.е. определением тангенса угла наклона кривой к оси ординат  в каждой экспериментальной точке.

Так как фототок зависит не только от лучистого потока, но и от величины приложенного в цепи фотосопротивления напряжения, определение интегральной чувствительности теряет всякий смысл без указания напряжения (100 – 200 В), для которого эта величина определена.

Порядок выполнения работы.

1. Ознакомиться с устройством установки и включить ее.

2. Определить темновой ток, для чего повернуть диск 3 так, чтобы установить против фотосопротивления сплошную часть диска, например, между двумя самыми маленькими отверстиями.

3. Установить против фотосопротивления наименьшее отверстие диска и записать соответствующее показание микроамперметра.

4. Повторить указанное в п. 3 для всех отверстий диска.

5. По формуле (5) рассчитать световые потоки, соответствующие каждому отверстию.

6. Построить световую характеристику фотосопротивления .

7. Для каждого значения Ф рассчитать интегральную чувствительность и построить кривую зависимости .

Таблица 1

Сила света  кд.              Темновой ток  мкА

Номер отвер-стия i

Радиусы отвер-стий , мм

Световой поток Ф, лм

Фототок , мкА

Интегральная чувстви-тельность, В

1

2

3

PAGE  36


EMBED Equation.3  

EMBED Equation.3  

EMBED Equation.3  

EMBED Equation.3  

EMBED Equation.3  

EMBED Equation.3  

Рис. 1. Схема расположения энергетических зон валентной (1) и свободной (зоны проводимости) (2): а – в металлах; б – в полупроводниках; в – в диэлектриках

Рис. 2. Устройство фотосопротивления

Рис. 3. Световая характеристика фотосопротивления

Рис. 4. Схема экспериментальной установки


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

27204. Международные отношения в кон. 1930-х гг. Мюнхенский сговор и пакт Молотова – Ребентропа 35 KB
  Герм. Главной задачей Герм. несправедливости у некоторохых стран уже вызывало сочуствиеГерм. в Герм.
27205. Роль Западных стран антигитлеровской коалиции во 2 МВ 42 KB
  1 сен. 1939 г. нем. войска без объявления войны вторглись в Польшу. Герм. планировала молниеносный исход войны (Блицкриг), рассчитывая на применение новейшей воен. техники и современной стратегической тотальной войны. В нач. военно-воздуш. силы Герм. уничтожили Польские аэродромы и больш. часть военной авиации
27207. Продумайте приемы работы с историческими документами 29 KB
  документы гос. документы международного характера договоры соглашения деловая переписка гос. документы связанные с политической борьбой программы воззвания речи политиков прокламации декларации 4. документы исторического характера хроники анналы летописи исторические сочинения 5.
27208. Продемонстрируйте возможности использования художественной литературы в процессе обучения истории 23 KB
  продемонстрируйте возможности использования художественной литературы в процессе обучения истории КАКИЕ ВИДЫ МОЖНО ИСПОЛЬЗОВАТЬ ПОЧЕМУ ВАЖНО Т. Основными приемами работы с художественной литературой являются: включение образов художественной литературы в изложение учителя в котором материал художественного произведения воспринимается не как литературная цитата а как неотделимый элемент красочного изложения; краткий пересказ художественного произведения; краткие стихотворные цитаты.
27209. Продумайте приемы работы со справочной литературой 22 KB
  Продумайте приемы работы со справочной литературой энциклопедии словари ЗАЧЕМ Для повышения интереса для углубления для любознательности. Приемы учитель разница понятий для сравнения из словарей.
27210. Покажите использование наглядного метода обучения 21.5 KB
  На репродукцию: орудия труда иллюстрации портреты схемы Творческий ученый портрет высказывание.
27211. Продумайте технологию разработки презентации урока 29 KB
  Продумайте технологию разработки презентации урока.лаконичность Этапы создания презентации 1.создание слайдов Подготовка и структурирование материала разработка графических материалов формирование информационных компонентов отлажка презентации 3.реализация и анализ презентации перевод пед.