42673

Изучение термоэлектрического метода измерения температур. Введение компенсации температуры холодных спаев термопары

Лабораторная работа

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Подключаем термопару градуировки ХА к измерительному прибору. Опускаем ее в измеряемую среду. Измеряем термо- ЭДС ЕАВ(tt0’)в соответствии с «Порядком работы с образцовым прибором ПП 63». Результат записываем в таблицу №1 п.1.

Русский

2013-10-30

101 KB

4 чел.

Министерство общего и профессионального образования

Российской Федерации

Пермский Государственный Технический Университет

Березниковский Филиал

Кафедра ХТ

ЛАБОРАТОРНАЯ  РАБОТА 1

по курсу: «Технологические измерения и приборы»

Изучение термоэлектрического метода измерения температур.

Введение компенсации температуры холодных спаев термопары

Выполнил: студенты гр. АТП-00

Ерыпалова М.Н.

Сарварова С.И.

Быкова Л.А.

Ямов Ю.А.

Проверил: ст. преподаватель

кафедры ХТ

Краев С.Л.

г. Березники, 2003


Порядок выполнения работы
.

  1.  Подключаем термопару градуировки ХА к измерительному прибору.
  2.  Опускаем ее в измеряемую среду.
  3.  Измеряем термо- ЭДС ЕАВ(tt0’)в соответствии с «Порядком работы с образцовым прибором ПП 63».  Результат записываем в таблицу №1 п.1.

  1.  По градуировочной таблице определяем температуру измеряемой среды. Результат записываем в таблицу №1 п.2.
  2.  Далее измеряем температуру измеряемой среды по ртутному термометру. Результат записываем в таблицу №1 п.3.
  3.  Сравниваем результаты измерения термопарой и ртутным термометром. Результат записываем в таблицу №1 п.4.
  4.  Измеряем температуру холодных спаев термопары по ртутному термометру (температура воздуха в помещении). Результат записываем в таблицу №1 п.5.
  5.  По градуировочной таблице определяем величину ЕАВ(t0’t0). Результат записывам в таблицу №1 п.6.
  6.  Вводим поправку на температуру холодных спаев:

Е АВ(tt0) = Е АВ(tt0’) ± ЕАВ(t0’t0). Результат записываем в таблицу №1 п.7.

  1.  По градуировочной таблице определяем температуру измеряемой среды. Результат записываем в таблицу №1 п.8.
  2.  Сравниваем результаты измерения термопарой (п.8) и ртутным термометром (п.3). Результат записываем в таблицу №1 п.9.

Таблица

Термо-ЭДС

Е АВ(tt0’), мВ

Температура

Т1,0С

Температура

Т2,0С

Т1 – Т2

Температура холодных спаев Т3,0С

Термо-ЭДС

ЕАВ(t0’t0), мВ

Е АВ(tt0)

Температура Т, 0С

Т – Т2

1

2

3

4

5

6

7

8

9

2,0

50

72

22

24

0,96

2,96

73

1

Выводы по выполненной работе

Мы измеряли температуру термометром и термоэлектрическим преобразователем. При измерении термометром получили Т2 = 720С, а при измерении термоэлектрическим преобразователем получили Т1 = 50 0С. Таким образом, мы получили большую погрешность, поэтому вводим поправку, учитывая температуру холодных спаев.

С у четом поправки Т1 = 73 0С. В результате мы получили расхождение в 1 0С за счет погрешности прибора.

 


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

21153. Неисправности винчестера 81.5 KB
  Изза сложности работ с парами металла понадобилось много лет для разработки технологии обеспечивающей практически идеальную поверхность диска при разумной стоимости. Эти дорожки содержат специальные файлы DOS основной каталог диска и информацию о распределении дискового пространства. Если головка упадет на эту область DOS не сможет читать с диска вообще и фактически все данные окажутся потерянными несмотря на то что каждый байт данных лежит нетронутый гдето на диске.
21155. Основные определения ПП 122.5 KB
  Печатная плата: 1 крепежные отверстия; 2 концевые печатные контакты; 3 монтажное отверстие; 4 место маркировки ПП; 5 печатный проводник; 6 ориентирующий паз. Односторонняя печатная плата ОПП ПП на одной стороне которой выполнены элементы проводящего рисунка рис. Двусторонняя печатная плата ДПП ПП на обеих сторонах которой выполнены элементы проводящего рисунка и все требуемые соединения в соответствии с электрической принципиальной схемой рис.
21156. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ПРОЦЕСС В ЭЛЕКТРОННОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ 141.5 KB
  Технологии производства полупроводниковой продукции с субмикронными размерами элементов основана на чрезвычайно широком круге сложных физикохимических процессов: получение тонких плёнок термическим и ионноплазменным распылением в вакууме механическая обработка пластин производится по 14му классу чистоты с отклонением от плоскостности не более 1 мкм широко применяется ультразвук и лазерное излучение используются отжиг в кислороде и водороде рабочие температуры при плавлении металлов достигают более 1500 C при этом диффузионные печи...
21157. Технология Hyper-Threading 701.5 KB
  Фактически технология HyperThreading позволяет организовать два логических процессора в одном физическом. После активации каждый из логических процессоров может самостоятельно и независимо от другого процессора выполнять свою задачу обрабатывать прерывания либо блокироваться. Таким образом от реальной двухпроцессорной конфигурации новая технология отличается только тем что оба логических процессора используют одни и те же исполняющие ресурсы одну и ту же разделяемую между двумя потоками кэшпамять и одну и ту же системную шину....
21158. Технология изготовления печатных плат 70.5 KB
  [2] Процесс изготовления печатной платы [3] Сравнительные характеристики методов производства и обоснование применяемого в данном проекте. [10] Основные характеристики: [11] Основы безопасности производства печатных плат. Особенностями производства ЭВМ на современном этапе являются: Использование большого количества стандартных элементов. Массовое производство стандартных блоков с использованием новых элементов унификация элементов создают условия для автоматизации их производства.
21159. Транзисторы сегодня и завтра 519.5 KB
  Принцип работы транзистора Традиционной планарный транзистор представляет собой крохотную кремневую пластинку обогащенную примесью ртипа и называемую подложкой. Такое состояние транзистора условно называют открытым. Однако прогресс стремителен и современные транзисторы вполне уверенно выдерживают частоты в 263 ТГц За счет чего были достигнуты столь впечатляющие улучшения Чтобы ответить на этот вопрос давайте сначала рассмотрим основные недостатки обычного планарного транзистора. 1 Фотография транзистора предназначенного для...