42709

ИССЛЕДОВАНИЕ ДИОДНЫХ ОГРАНИЧИТЕЛЕЙ И ДИОДНЫХ ФОРМИРОВАТЕЛЕЙ

Лабораторная работа

Физика

Краткие теоретические сведения Основная функция положительных диодных ограничителей заключается в том чтобы повторять амплитуду входного напряжения если она не превышает заданный порог а при превышении – поддерживать амплитуду выходного напряжения на пороговом уровне. Отрицательные диодные ограничители работают аналогично: амплитуда напряжения на выходе повторяет входную если она выше порогового уровня. В схемах диодных формирователей амплитуда выходного напряжения равна сумме амплитуды входного напряжения и некоторой постоянной...

Русский

2013-10-30

155.5 KB

35 чел.

Лабораторная работа №4

ИССЛЕДОВАНИЕ ДИОДНЫХ ОГРАНИЧИТЕЛЕЙ И ДИОДНЫХ ФОРМИРОВАТЕЛЕЙ

Цель работы: исследование схем диодных ограничителей и формирователей.

Краткие теоретические сведения

Основная функция положительных диодных ограничителей заключается в том, чтобы повторять амплитуду входного напряжения, если она не превышает заданный порог, а при превышении – поддерживать амплитуду выходного напряжения на пороговом уровне. Отрицательные диодные ограничители работают аналогично: амплитуда напряжения на выходе повторяет входную, если она выше порогового уровня. На рис.4.1– 4.6 приведены схемы различных ограничителей.

В схемах диодных формирователей амплитуда выходного напряжения равна сумме амплитуды входного напряжения и некоторой постоянной составляющей напряжения. Положительные диодные формирователи добавляют положительную составляющую напряжения, отрицательные – составляющую противоположного знака. Схемы с положительным и отрицательным формирователями приведены на рис.4.7 и 4.8.

Рис.4.1.Последовательный ограничитель

Рис. 4.2 - Последовательный ограничитель со смещением

Рис. 4.3. Шунтирующий ограничитель

Рис. 4.4. Шунтирующий ограничитель со смещением

Рис.4.5. Шунтирующий ограничитель на стабилитроне

Рис.4.6. Симметричный шунтирующий ограничитель

В схеме формирователя (рис.4.7) на первой отрицательной полуволне входного напряжения через диод проходит ток. Конденсатор зарядится при этом до значения напряжения Uвх max - 0.7 В, которое меньше амплитуды входного напряжения на величину прямого падения напряжения на диоде. На положительной полуволне входного напряжения диод заперт. За время, равное периоду, конденсатор незначительно разрядится и вновь подзарядится на отрицательной полуволне. В результате на конденсаторе появляется постоянная составляющая напряжения. Для такой работы формирователя необходимо, чтобы постоянная времени RC–цепи значительно превышала период входного сигнала.

Рис. 4.7. Положительный формирователь

Порядок проведения экспериментов

Результаты всех измерений и осциллограммы занести в соответствующий раздел «Результаты экспериментов».

Эксперимент 1. Измерение уровня ограничения напряжения последовательного диодного ограничителя

Соберите схему, изображенную на рис.4.1, и включите ее. Запишите максимальные значения амплитуд входного и выходного напряжения и уровень ограничения напряжения.

Эксперимент 2. Измерение уровня ограничения напряжения последовательного диодного ограничителя со смещением

а) Измерение уровня напряжения при положительном смещении. Соберите схему, изображенную на рис.4.2, и включите ее. Запишите минимальные значения амплитуд входного и выходного напряжения и уровень ограничения напряжения.

б) Измерение уровня напряжения при отрицательном смещении. Измените полярность включения источника питания 5В и включите схему. Запишите минимальные значения амплитуд входного и выходного напряжения и уровень ограничения напряжения.

Эксперимент 3. Измерение уровня ограничения напряжения в схеме шунтирующего диодного ограничителя.

Соберите схему, изображенную на рис.4.3 и включите схему. Запишите максимальное значение амплитуды входного напряжения, минимальное значение амплитуды выходного напряжения и уровень ограничения напряжения.

Эксперимент 4. Измерение уровня ограничения напряжения в схеме шунтирующего диодного ограничителя со смещением

а) Измерение уровня напряжения при положительном смещении. Соберите схему, изображенную на рис.4.4. Включите схему. Запишите минимальные значения амплитуд входного и выходного напряжения и уровень ограничения напряжения.

б) Измерение уровня напряжения при отрицательном смещении. Измените полярность включения источника питания 5В и включите схему. Запишите минимальные значения амплитуд входного и выходного напряжения и уровень ограничения напряжения.

Эксперимент 5. Измерение уровня ограничения напряжения в схеме шунтирующего ограничителя на стабилитроне

Соберите схему, изображенную на рис.4.5. Включите схему. Запишите максимальное значение амплитуды входного напряжения, положительный и отрицательный уровни ограничения напряжения.

Эксперимент 6. Измерение уровня ограничения напряжения в схеме симметричного шунтирующего ограничителя на стабилитронах

Соберите схему, изображенную на рис.4.6. Включите схему. Запишите максимальное значение амплитуды входного напряжения, положительный и отрицательный уровни ограничения напряжения.

Эксперимент 7. Измерение постоянной составляющей амплитуды  выходного напряжения в схеме положительного диодного формирователя

Соберите схему, изображенную на  рис.4.7, и включите ее. Измерьте максимальные и минимальные значения амплитуд входного и выходного напряжения. По показаниям осциллографа найдите среднее значение (постоянную составляющую) амплитуды выходного напряжения.

Эксперимент 8. Измерение постоянной составляющей амплитуды  выходного напряжения в схеме положительного диодного формирователя при увеличении амплитуды входного напряжения

Установите амплитуду генератора в схеме (рис.4.7) равной 8В и включите схему. Измерьте максимальные и минимальные значения амплитуд входного и выходного напряжения. По показаниям осциллографа найдите среднее значение (постоянную составляющую) амплитуды выходного напряжения.

Эксперимент 9. Измерение постоянной составляющей выходного напряжения в схеме положительного формирователя при уменьшении амплитуды входного напряжения

Установите амплитуду генератора в схеме (рис.4.7) равной 2В и включите схему. Измерьте максимальные и минимальные значения амплитуд входного и выходного напряжения. По показаниям осциллографа найдите среднее значение (постоянную составляющую) амплитуды выходного напряжения.

Эксперимент 10. Измерение постоянной составляющей выходного напряжения в схеме отрицательного формирователя

Соберите схему, изображенную на рис. 4.8. Включите схему. Измерьте максимальные и минимальные значения амплитуд входного и выходного напряжения. По показаниям осциллографа найдите среднее значение (постоянную составляющую) амплитуды выходного напряжения.

Результаты экспериментов

Эксперимент 1. Измерение уровня ограничения напряжения в схеме последовательного диодного ограничителя

- осциллограммы входного и выходного напряжения,

- максимальное значение амплитуды входного напряжения,

- максимальное значение амплитуды выходного напряжения,

- уровень ограничения напряжения.

Эксперимент 2. Измерение уровня ограничения напряжения в схеме последовательного диодного ограничителя со смещением

а) Измерение уровня напряжения при положительном смещении. 

- осциллограммы входного и выходного напряжения,

- минимальное значение амплитуды входного напряжения,

- минимальное значение амплитуды выходного напряжения,

- уровень ограничения напряжения.

б) Измерение уровня напряжения при отрицательном смещении.

- осциллограммы входного и выходного напряжения,

- минимальное значение амплитуды входного напряжения,

- минимальное значение амплитуды выходного напряжения,

- уровень ограничения напряжения.

Эксперимент 3. Измерение уровня ограничения напряжения в схеме шунтирующего диодного ограничителя

- осциллограммы входного и выходного напряжения,

- максимальное значение амплитуды входного напряжения,

- минимальное значение амплитуды выходного напряжения,

- уровень ограничения напряжения

Эксперимент 4. Измерение уровня ограничения напряжения в схеме шунтирующего диодного ограничителя со смещением

а) Измерение уровня напряжения при положительном смещении.

- осциллограммы входного и выходного напряжения,

- минимальное значение амплитуды входного напряжения,

- минимальное значение амплитуды выходного напряжения,

- уровень ограничения напряжения.

б) Измерение уровня напряжения при отрицательном смещении.

- осциллограммы входного и выходного напряжения,

- минимальное значение амплитуды входного напряжения,

- минимальное значение амплитуды выходного напряжения,

- уровень ограничения напряжения.

Эксперимент 5. Измерение уровня ограничения напряжения в схеме шунтирующего ограничителя на стабилитроне

- осциллограммы входного и выходного напряжения,

- максимальное значение амплитуды входного напряжения,

- положительный уровень ограничения напряжения,

- отрицательный уровень ограничения напряжения.

Эксперимент 6. Измерение уровня ограничения напряжения в схеме симметричного шунтирующего ограничителя на стабилитронах

- осциллограммы входного и выходного напряжения,

- максимальное значение амплитуды входного напряжения,

- положительный уровень ограничения напряжения,

- отрицательный уровень ограничения напряжения.

Эксперимент 7. Измерение постоянной составляющей амплитуды выходного напряжения в схеме положительного диодного формирователя

а) осциллограммы входного и выходного напряжения,

б) минимальное значение амплитуды входного напряжения,

в) максимальное значение амплитуды входного напряжения,

г) минимальное значение амплитуды выходного напряжения,

д) максимальное значение амплитуды выходного напряжения,

е) постоянная составляющая амплитуды выходного напряжения.

Эксперимент 8. Измерение постоянной составляющей амплитуды выходного напряжения в схеме положительного диодного формирователя при увеличении амплитуды входного напряжения

Привести данные по п.п. а)-е) эксперимента 7.

Эксперимент 9. Измерение постоянной составляющей амплитуды выходного напряжения в схеме положительного диодного формирователя при уменьшении амплитуды входного напряжения

Привести данные по п.п. а)-е) эксперимента 7.

Эксперимент 10. Измерение постоянной составляющей амплитуды выходного напряжения в схеме отрицательного диодного формирователя

Привести данные по п.п. а)-е) эксперимента 7.

Контрольные вопросы и задания

1) В чем отличие между уровнями ограничения амплитуды напряжения в схемах последовательного диодного ограничителя без смещения и со смещением?

2) Что определяет уровень ограничения амплитуды напряжения в схеме диодного ограничителя со смещением?

3) Почему в схеме на рис. 4.1 различаются минимальные амплитуды входного и выходного напряжений?

4) В чем отличие между амплитудами выходного напряжения в схемах на рис.4.1 и на рис. 4.3?

5) Чем определяется уровень ограничения амплитуды напряжения в схеме шунтирующего диодного ограничителя?

6) Чем определяются положительный и отрицательный уровни ограничения амплитуды напряжения в схеме на рис.4.5?

7) Чем определяются положительный и отрицательный уровни ограничения амплитуды напряжения в схеме на рис.4.6?

8) Чем отличаются осциллограммы входного и выходного напряжения схемы положительного диодного формирователя?

9) Сравните влияние амплитуды прямого падения напряжения на диоде для положительного диодного формирователя при низком и высоком уровне напряжении на входе?

10) Сравните амплитуды выходного напряжения схем отрицательного и положительного диодных формирователей?

PAGE  3


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

42011. Вычислительные машины, системы и сети 1.32 MB
  Цель работы Изучение преобразования Фурье и его основных свойств а также методики получения быстрого преобразования Фурье БПФ. Теоретические сведения Ортогональные функции Для лучшего понимания вопроса о рядах Фурье дадим определение ортогональным функциям.
42012. Топливо и его использование. Лабораторный практикум 672.5 KB
  Приборы и оборудование: шкаф сушильный электрический с терморегулятором, обеспечивающий устойчивую температуру нагрева от 40 до 110 ºС, с отверстиями для естественной вентиляции; пронумерованные бюксы стеклянные с крышками для определения влаги в лабораторной или аналитической пробе; противни из неокисляющегося металла для подсушивания проб; эксикаторы, наполненные свежепросушенным силикагелем или другими высушивающими веществами; весы микроаналитические с пределом взвешивания до 0,001 г.
42013. Физика шпаргалка на казахском языке 1.42 MB
  Физика пәнінде оптиканың орны және басқа пәндермен байланысын көрсетіңіз. Жарықтың электромагниттік табиғатын көрсетіңіз. Абсолют және салыстырмалы сыну көрсеткіші. ЭМ толқындар шкаласы. Монохромат жарықтың интерференциясы. Когеренттіліктің ұзындығы және уақыты. Интерференциялық аспаптар...
42014. Традиції в архітектурі, курс лекцій 241.5 KB
  Традиція – це елементи соціальної i культурної спадщини, що переходять від покоління до покоління i зберігаються протягом тривалого часу. Традиція поширюється на широку область соціальних явищ, але найбільше значення вона має в релігії, мистецтві (в тому числі в архітектурі), в науці.
42015. Ассиметричная криптосистема Эль-Гамаля. Криптосистемы, основанные на эллиптических кривых 212 KB
  Криптосистемы основанные на эллиптических кривых. Ознакомиться с принципом функционирования криптосистем основанных на эллиптических кривых. Освоить реализации обмена ключами с использованием эллиптических кривых а также процедуру шифрования дешифрования использующую данный метод. Рассмотреть принцип организации опроцедуры шифрования и обмена ключами с использованием эллиптических кривых.
42016. Метрологія та вимірювальна техніка та напряму. Метрологія, стандартизація та сертифікація 799 KB
  До звіту включають: мету роботи; лабораторне завдання; протокол повірки; висновки з оцінкою проведеного експерименту та поясненням отриманих результатів. Мета роботи – набуття навичок дослідження основних метрологічних характеристик МХ засобів вимірювальної техніки практичне засвоєння методики повірки генераторів сигналів низької частоти ГНЧ закріплення знань з принципів побудови та застосування повірочного обладнання.1 Завдання на самостійну...
42017. Электротехнические дисциплины. Методические указания 1.41 MB
  Принятые обозначения I – действующее значение тока А; U – действующее значение напряжения В; Im – амплитудное значение тока А; Um – амплитудное значение напряжения В; E – действующее значение ЭДС В; Em – амплитудное значение ЭДС В; R – сопротивление резистора Ом; L – индуктивность катушки индуктивности Гн; C – емкость конденсатора Ф; r – активное сопротивление Ом; G – проводимость См; g – активная проводимость См; Z – полное сопротивление Ом; Y – полная проводимость См; z – комплексное...
42018. ТЕХНОЛОГИЯ КОНСТРУКЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ 3.21 MB
  Изучение технологии и оборудование холодной сварки. Изучение технологии и оборудование электрической контактной сварки. Лабораторная работа 5 ИЗУЧЕНИЕ ТЕХНОЛОГИИ И ОБОРУДОВАНИЯ ХОЛОДНОЙ СВАРКИ Цель – изучить оборудование и усвоить технологические приёмы выполнения холодной сварки. Краткие теоретические сведения Сущность процесса холодной сварки металлов Холодная сварка выполняется в большинстве случаев без нагрева.