43049

Разработка специализированного цифрового узла

Курсовая

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Интегральные микросхемы, содержащие в своем составе десятки, сотни, тысячи, а в последнее время многие десятки и сотни тысяч и даже миллионы компонентов, позволили по-новому подойти к проектированию и изготовлению цифровых устройств. Надежность отдельной микросхемы мало зависит от количества элементов и близка к надежности одиночного транзистора, а потребляемая мощность в пересчете на отдельный компонент резко уменьшается по мере повышения степени интеграции.

Русский

2013-11-01

672.5 KB

7 чел.

Министерство образования Российской Федерации

Восточно-Сибирский Государственный

Технологический Университет

кафедра ЭВС

КУРСОВОЙ ПРОЕКТ

по дисциплине «Схемотехника ЭВМ»

на тему: «Разработка специализированного цифрового узла»

Вариант 1.20/2

Выполнил: студент группы 628

Дибров М.

Оценка_____Дата защиты___________

Руководитель: Могнонов П. Б.         5

г. Улан – Удэ

2012 г.

ЗАДАНИЕ НА КУРСОВОЙ

ПРОЕКТ

Задание на курсовой проект

Разработать распределитель тактовых импульсов,формирующий на выходах Zi в автоколебательном режиме из 24 входных импульсов (с выхода ГТИ) последовательности, показанные в таблице 1.

Возможны варианты реализаций на основе сдвигающего, реверсивного сдвигающего регистров, двоичного счетчика с дешифратором, реверсивного двоичного счетчика с дешифратором и др.

Таблица 1.

N

Номера импульсов, проходящих на выход распределителя

Z1

Z2

Z3

Z4

Z5

Z6

Z7

Z8

Z9

Z10

24

1,19

2,18,

20,24

3,17,

21,23

4,16,

22

5,15

6,14

7,13

8,12

9,11

10


Содержание


Задание на курсовой проект……………….……………………...1

Содержание…………………………………………………………….……...3

Введение……………………………………………………………….…...5

Сравнительный анализ возможных вариантов реализации……………………………………………….……………......9

Описание возможных вариантов реализации……………...….............10

Выбор наилучшего варианта реализации…………………………......12

Выбор и описание используемой системы элементов…13

Выбор типа системы элементов и конкретной серии………………...15

Описание  используемых элементов……………………………….......17

РАЗРАБОТКА ПРИНЦИПИАЛЬНОЙ СХЕМЫ УЗЛА………..……….……18

РАЗРАБОТКА СХЕМЫ ГЕНЕРАТОРА ТАКТОВЫХ ИМПУЛЬСОВ……..22

ЗАКЛЮЧЕНИЕ………………………………..………………………………..24

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ……………………………….26

ПРИЛОЖЕНИЯ…………………………………………………………………28


Введение


Широкое внедрение цифровой техники во многие  отрасли науки и техники тесно связано с появлением интегральных микросхем. Цифровые устройства, собранные на дискретных транзисторах и диодах, имели значительные габариты и массу, ненадежно работали из-за большого количества элементов и особенно паяных соединений.      Интегральные микросхемы, содержащие в своем составе десятки, сотни, тысячи, а в последнее время многие десятки и сотни тысяч и даже миллионы компонентов, позволили по-новому подойти к проектированию и изготовлению цифровых устройств. Надежность отдельной микросхемы мало зависит от количества элементов и близка к надежности одиночного транзистора, а потребляемая мощность в пересчете на отдельный компонент резко уменьшается по мере повышения степени интеграции.

         Спустя 10 лет практически все серийные ЭВМ строились не на транзисторах, а на цифровых ИС. Тогда же появились первые разработки ЭВМ четвертого поколения, отличающиеся широким внедрением больших интегральных микросхем (БИС). Именно свойства и характеристики БИС определяют технические характеристики перспективных        ЭВМ. Среди современных БИС особое место занимают микропроцессоры (МП). Освоение в производстве МП, представляющих собой ИС с повышенной функциональной гибкостью, позволяет по-новому организовать обработку цифровых сигналов и поэтому надеяться на широкое внедрение цифровых методов обработки информации даже там, где применение электроники ранее не давало существенного эффекта. На базе микропроцессорных комплектов создаются достаточно емкие как универсальные, так и специализированные вычислительные устройства. В двадцатилетней  истории развития технологии и схемотехники цифровых ИС можно условно выделить четыре этапа.

          Первый (60-е годы) - разработка базовых серий ИС малой степени интеграции, выполняющих простые логические функции. Их применение стандартизовало многие процессы проектирования вычислительных средств. Были внедрены новые приёмы конструирования РЭА.

         Второй этап (70-е годы) - разработка ИС средней степени интеграции, таких как счетчики, регистры, дешифраторы, матрицы ЗУ с числом эквивалентных элементов не более 1000. Функциональный состав разработанных на предыдущем этапе серий постоянно расширяется именно за счет ИС.

         Массовое производство ИС малой и средней степени интеграции стало отправным пунктом для выпуска первых БИС с числом элементов до 10 тыс. Этот (условно - третий) этап развития относится к концу 70-х годов.

         На четвертом этапе имеются технологические возможности изготавливать серийно БИС с числом элементов, на порядок большим.

        За 30 лет развития цифровых микросхем базовые электронные ключи развивались в следующей последовательности: резистивно-транзисторная логика (РТЛ), резистивно-ёмкостная транзисторная логика (РЕТЛ), диодно-транзисторная логика (ДТЛ), транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ), эмиттерно-связанная логика (ЭСЛ), транзисторно-транзисторная логика с диодами Шотки (ТТЛШ), интегральная инжекционная логика (ИЛ). В этих обозначениях словом “логика” заменяется понятие  “электронный ключ”.

        Наряду с биполярными схемами широкое распространение получили цифровые микросхемы на МОП- структурах (на транзисторах p- и n- типов с обогащенным каналом, КМОП- схемы  на дополняющих транзисторах). Серии РТЛ, РЕТЛ и ДТЛ хотя и продолжают выпускаться промышленностью, но используются только для комплектации серийной РЭА и не  применяются в новых разработках. Наиболее широкое распространение в современной аппаратуре получили серии микросхем  ТТЛ, ТТЛШ, ЭСЛ и схемы на МОП- структурах.

         Темпы и объёмы вложений в микроэлектронику предопределили быстрый переход от больших интегральных схем (БИС) к сверхбольшим (СБИС), осуществлённый за счёт уменьшения размеров элементов. Снижение норм проектирования (размеров элементов) СБИС - это не только погоня за повышением технических характеристик вычислительных систем, но и снижение затрат на производство электронной аппаратуры.

          Микроэлектроника является одной из наиболее быстро развивающихся областей науки и техники. Непрерывно улучшаются технические показатели и расширяются функциональные возможности микроэлектронных изделий - интегральных микросхем.

Важнейшей задачей, решаемой с помощью методов и средств микросхемотехники, является схемотехническая разработка новых типов интегральных схем. Исходное техническое задание на проектирование микросхемы содержит описание функций, которые она должна выполнять в электронной аппаратуре, и требования к её основным параметрам (мощность, быстродействие и т.д.)

          В  современной микросхемотехнике используются различные варианты схем логических элементов и аналоговых каскадов. Поэтому на первом этапе схемотехнического проектирования микросхемы обычно производится выбор элементной базы из числа уже разработанных вариантов схем логических элементов или аналоговых каскадов.

         Проектирование и производство микросхем сильно зависят от разработанной технологии, на базе которой будут изготовляться микросхемы.

         При проектировании новых типов интегральных микросхем микросхемотехника решает задачу разработки схемных и структурных решений, учитывающих и использующих специфические особенности интегральной технологии для наилучшего выполнения требований технического задания. Развитие микросхемотехники и технологии изготовления микросхем обеспечивает улучшение характеристик радиоэлектронной аппаратуры и расширения её функциональных возможностей, стимулируя дальнейшее внедрение микроэлектроники во все сферы человеческой деятельности.


Сравнительный анализ возможных вариантов реализации.


Описание  возможных  вариантов  реализации  разрабатываемого узла на уровне  функциональной  схемы  без  конкретизации логического базиса.

При реализации данного узла было разработано три варианта схемы:
А)  МИС;
Б)  СИС;
В)  БИС.
А) Реализация на основе малых интегральных схем.
В данной реализации используется RS-триггер, пятиразрядный счетчик построенный на двухступенчатых D-триггерах, дешифратор построенный на основе прямых и инверсных выходов триггеров, логические элементы И, НЕ и ИЛИ.
Запуск схемы осуществляется подачей на RS-триггер логической единицы со «START», с RS-триггера сигнал приходит на коньюнктор, где он согласуется с ГТИ.  Сигнал с общего коньюнктора поступает на счетчик, а потом двоичный код поступает на дешифратор, после дешифратора сигналы распределяются по 10 выходам узла.
Коньюнктор служит для согласования сигналов с ГТИ и с пускового триггера.
Для остановки работы используется сигнал «STOP.     
Б) Реализация на основе средних интегральных схем.
В этом варианте используется двоичный счетчик, дешифратор.
Запуск схемы также осуществляется с подачей на RS-триггер логической единицы. Входные тактовые импульсы поступают на пятиразрядный счетчик, потом на дешифратор, выходы дешифратора соединяются с соответствующими выходами узла.
В) Реализация на основе больших интегральных схем.

В данном варианте была использована ПМЛ, т.к. с помощью нее можно реализовать счетчик с дешифратором в одном корпусе.


Для данной  схемы был выбрана PLD 85C22V10. Это быстродействующая PLD с десятью макроэлементами, имеющая тактовую частоту до 71,4 МГц при использовании обратных связей и 100МГц при их отсутствии.

         При подачи сигнала с ГТИ и внешнего сигнала с «START» происходит подача тактовых сигналов на CLK ПМЛ. На выходе B0 получается выходная функция.

Функции для ручного программирования ПМЛ:

                       

                       

                       

                       

                       


Выбор наилучшего варианта реализации по заданному критерию оптимизации.

Основным критерием выбора варианта реализации в данной работе является потребляемая мощность.

С достаточной для практического применения точностью потребляемая каждым элементом мощность может быть найдена по формуле,  приведенной в методических указаниях к курсовому проекту:

,

где Сн = См + kСвх – емкость нагрузки; Свых – выходная емкость логического элемента (принимается 30 пФ); См – емкость монтажа (принимается 15 пФ); Свх – входная емкость элемента нагрузки (принимается 10 пФ или по паспортным данным); k – количество элементов нагрузки; F – частота переключения; E – напряжение питания.

Расчет мощности для каждого элемента

  1.  Для первой схемы:

     

Суммарная мощность

  1.  Для второй схемы:

Суммарная мощность

  1.  Для третьей схемы:

Суммарная мощность

Итак, согласно критерию минимальной потребляемой мощности, наиболее оптимальным является второй вариант (СИС).


Выбор и описание используемой серии элементов.


Выбор используемой системы элементов

Основными параметрами, позволяющими производить сравнение базовых ЛЭ различных серий, являются время задержки распространения сигнала tp, потребляемая логическим элементом мощность РСС и работа переключения (РСС tp).

При сравнении базовых ЛЭ чаще всего используют типовые значения параметров. По величине работы переключения и числу ЛЭ на кристалле можно судить об уровне развития технологии и схемотехнике цифровых микросхем.

Существует более десятка различных систем элементов, которые можно использовать при разработке  курсового проекта. Однако перспективными и часто используемыми системами, имеющими широкий, представительный спектр СИС, являются системы типов ТТЛ, ТТЛШ, ЭСЛ и КМОП.

Системы элементов ТТЛ являются сейчас наиболее широко используемыми. По каждому отдельно взятому параметру система не является наилучшей, однако обеспечивает их наилучшее сочетание и имеет отработанную технологию производства. Схемы ТТЛШ позволяют получить большое быстродействие, либо значительно уменьшить потребляемую мощность при некотором увеличении быстродействия. Система элементов ЭСЛ имеют очень высокое быстродействие, но потребляют значительную мощность. Системы элементов КМОП используются в устройствах с малым потреблением мощности.

Сравнение различных серий микросхем, выпускаемых отечественной промышленностью приведено в таблице 2.1.

В данном курсовом проекте критерием оптимизации является минимум потребляемой мощности. Исходя из этого, выбрана система элементов КМОП.

Система элементов КМОП используется в устройствах с малым потреблением мощности. Цифровые ИС на КМОП-структурах отличаются рядом преимуществ по сравнению с другими: они имеют малую мощность потребления в статическом режиме (единицы микроватт), относительно высокое быстродействие, хорошую помехоустойчивость и достаточно большую нагрузочную способность. Мощность, потребляемая схемой на КМОП-транзисторах, расходуется в основном во время переходного процесса на заряд выходных паразитных ёмкостей транзистора. Потому с увеличением частоты переключения схемы,  а также при увеличении выходной эквивалентной ёмкости потребляемая мощность возрастает.

Таблица 2.1 Сравнение различных серий микросхем, выпускаемых

отечественной промышленностью

Технология

Схемотехническое исполнение

ИС

Рсс,

мВт/ЛЭ

tp, тип нс/ЛЭ (Сн=15пФ)

Работа переключения (Рссtp), пДж

Биполярная

ТТЛ

(Si)

K155, KM155,

K133, KM133

10

10

100

ТТЛШ

(Si)

530, KP531, KM531

KP1531

533, K555, KM555

1533, KP1533

19

4

2

1

3

2

9,5

4

57

8

19

4

ЭСЛ

(Si)

100, К500

К1500

25

40

2

0,75

50

30

Униполярная

КМОП

(Si)

К564, К561

1564

КР1554

0,0025

0,0025

0,0025

45

10

3,5

0,1

0,025

0,008

НОПТШ

(GaAs)

К6500

3...6

0,1

0,3...0,6

 

Основные достоинства системы элементов КМОП:

  •  не потребляет статический ток (в любом статическом состоянии);
  •  может быть выполнена на транзисторах с низкоомным сопротивлением, т.е. повышается быстродействие ключей;
  •  может быть построена на транзисторах с минимальными размерами, поскольку к соотношению сопротивлений их каналов не предъявляется никаких требований;
  •  имеет высокую помехоустойчивость до 45% от Uпит;
  •  сохраняет работоспособность при уменьшении напряжения питания в широких пределах.

Основные недостатки:

  •  сложность технологии производства, но в последнее время этот недостаток сглаживается, и стоимость КМОП-элементов снижается;
  •  мощность, потребляемая схемой на КМОП-транзисторах, расходуется, в основном, во время переходного процесса на заряд выходных паразитных ёмкостей и собственных ёмкостей транзистора.

,

   где -  ёмкость нагрузки; -  рабочая частота;  - напряжение источника питания.

Описание элементов используемой серии

  1.  К561ТР2: 4 RS-триггера.

  1.  К176ИЕ2: 5-разрядный счетчик

  1.  К1561ЛИ2: 4 логических элемента 2И

  1.  К1564ИД3: 4-разрядный дешифраторъ

  1.  КР1554ЛЛ1: 4 логических элемента 2ИЛИ

  1.  К561ЛН2: 6 логических элементов НЕ с буферным выходом


Разработка принципиальной схемы узла


На данном этапе осуществляется переход от  выбранной функциональной схемы к схеме принципиальной электрической.

Применение микросхем серии К561 имеет свои особенности. Ни один из входов микросхем не может быть оставлен неподключенным,  даже если логический элемент в микросхеме не использован. В КМОП элементах неиспользованные входы должны быть подключены либо к источнику питания, либо к  “земле” с учетом функциональных особенностей той или иной микросхемы. В микросхемах серии К561 неиспользованные входы должны быть подключены к  “земле”.

Для надежной работы схемы и для обеспечения помехоустойчивости напряжения питания в цифровых устройствах обязательно фильтруются. Как правило, используется простейший способ фильтрации с помощью конденсатора. В этих целях воспользуемся  низкочастотным электролитическим конденсатором (типа К52, К53 или подобным ему) значительной емкости 5-30 мкФ по каждой из шин питания и по одному высокочастотному конденсатору (типа КМ5, КМ6) емкостью 0,1-1 мкФ на каждые 2-5 корпусов микросхем.

Для данной схемы были использованы 4 конденсатора КМ6 с емкостью 0,1мкФ и конденсатор К52 с емкостью 10мкФ.


Ориентировочный расчет максимального времени переходных процессов в схеме


При составлении временных диаграмм находится и отображается случай такого сочетания входных сигналов и режимов работы, при которых переходный процесс в схеме наиболее длителен. При этом необходимо учитывать, что переходные процессы в узле могут идти при переключении входного сигнала (чаще всего с выхода ГТИ) из логического 0 в логическую 1 (задержка t01) или обратного перехода (задержка t10). Используя временные диаграммы в указанном режиме, можно аналитически выразить максимальную задержку в схеме через задержки отдельных элементов. Задержки элементов указаны в технических характеристиках и это позволяет определить численное значение максимального времени задержек.

Максимальная задержка схемы при переходном процессе с "1" на "0".

Tmax/2 = tDD1 + tDD2 + tDD3 + tDD4 + tDD6 =

= 125нс + 500нс + 30нс + 1800нс + 125нс  = 2580 нс.

Таким образом период работы схемы равен Tmax =5160 нс, а частота Fmax=193,7кГц.


Разработка схемы генератора тактовых импульсов


Создание ГТИ для больших вычислительных устройств и систем является самостоятельной сложной инженерной задачей. Подобные ГТИ строятся, как правило, на дискретных компонентах, обеспечивают значительную выходную мощность, высокую стабильность временных соотношений качественные перепады выходного сигнала. Для простых узлов использование подобных ГТИ нецелесообразно.

В качестве схемы ГТИ использован вариант, предложенный в методическом пособии к курсовому проектированию.

Рассчитает номиналы элементов для ГТИ, изображенного на рис. 5.1. Резистор R1 предназначен для защиты микросхемы от пробоя, его номинал выбирается в 2-3 раза больше номинала R2. В данной схеме времязадающими являются элементы R2  и С1, причём сопротивление R2 из-за отсутствия входных токов может варьироваться в широких пределах.

Возьмём R1=100кОм. Выберем МЛТ–0,125 100кОм.

F = 1/(2,3∙R1∙C1) = 193,7кГц

R1∙C1 = 1/(2,3∙193,7кГц) =1/406,4кГц

С1=1/(R1∙406,4кГц) =1/(100кОм∙406,4кГц) = 24,6пФ

Выбран конденсатор типа К10-23 емкостью 25пФ (16 В).

R1=300 кОм. Выберем МЛТ–0,125 300 кОм.


Заключение

Целью данного курсового проекта была разработка распределителя импульсов формирующий на 10 выходах импульсы в автоколебательном режиме из 24 входных импульсов (с выхода ГТИ).

В ходе выполнения данной работы были спроектированы три функциональные схемы разрабатываемого узла, из которых была выбрана одна, исходя из критерия минимум потребляемой мощности. Выбран тип логики и построена принципиальная схема, на реальных элементах серии К176, К561, КР1561 и КР1564. Микросхемы выбирались по главному критерию - минимум потребляемой мощности.


Список литературы


1. . П.Б. Могнонов. Схемотехника ЭВМ, учебное пособие, Улан-Удэ, 1997.

2. Б.Н. Файзулаев, Б.В. Тарабрин. Применение интегральных микросхем в электронной вычислительной технике. Справочник, М.: «Радио и связь», 1986.

3. В.Л. Шило. Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы. Справочник, М.: «Радио и связь», 1990.

4. Методические указания к курсовому проекту по дисциплине «Схемотехника ЭВМ», сост.: Могнонов П.Б., Улан-Удэ, 2006.

5  Б.В. Тарабрин. Справочник «Интегральные микросхемы», М.: Энергоатомиздат, 1985.

6. Э.И. Гитис, Е.А. Пискунов. Аналого-цифровые преобразователи, М.: Энергоиздат, 1981.


Приложения


Перечень элементов

Обозначение

Наименование

Количество

Примечание

Конденсаторы

С1

К10-25пФ-16В

1

С2, C3, С4

КМ6-0,1мкФ-20В

3

Керамические

C5

К52-10мкФ

1

Электролитический

Микросхемы

DD1

К561ТР2

1

DD3

КР1561ЛИ2

1

DD2

К176ИЕ2

1

DD6,DD7

КР1564ЛЛ1

11

DD5,DD8

КР561ЛН2

4

DD4.1, DD4.2

КР1564ИД3

2

Резисторы

R1

МЛТ–0,125 100кОм

1

R2

МЛТ–0,125 300кОм

1


Изм.

Лист

№ докум.

Подп.

Дата

Разраб.

Проверил

Н. контр.

Литер.

Лист

Листов

ВСГТУ ЭТФ

Дибров М.

Утв.

Могнонов П.Б.

1

2

 

Д 627.3.3.008.012.ПЗ

Д 627.3.3.008.012.ПЗ

 Лист

2

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Изм.

Лист

№ докум.

одп.

Дата

Разраб.

Проверил

Н. контр.

Литер.

Лист

Листов

ВСГТУ ЭТФ

Дибров М.

Утв.

Могнонов П.Б.

3

2

 

Д 627.3.3.008.012.ПЗ

Д 627.3.3.008.012.ПЗ

 Лист

4

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Изм.

Лист

№ докум.

Подп.

Дата

Разраб.

Проверил

Н. контр.

Литер.

Лист

Листов

ВСГТУ ЭТФ

Дибров М.

Утв.

Могнонов П.Б.

5

4

 

Д 627.3.3.008.012.ПЗ

Д 627.3.3.008.012.ПЗ

 Лист

6

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Д 627.3.3.008.012.ПЗ

 Лист

7

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Д 627.3.3.008.012.ПЗ

 Лист

8

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Изм.

Лист

№ докум.

Подп.

Дата

Разраб.

Проверил

Н. контр.

Литер.

Лист

Листов

ВСГТУ ЭТФ

Дибров М.

Утв.

Могнонов П.Б.

9

3

 

Д 627.3.3.008.012.ПЗ

Д 627.3.3.008.012.ПЗ

 Лист

10

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Д 627.3.3.008.012.ПЗ

 Лист

11

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Д 627.3.3.008.012.ПЗ

 Лист

12

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Изм.

Лист

№ докум.

Подп.

Дата

Разраб.

Проверил

Н. контр.

Литер.

Лист

Листов

ВСГТУ ЭТФ

Дибров М.

Утв.

Могнонов П.Б.

13

5

 

Д 627.3.3.008.012.ПЗ

Д 627.3.3.008.012.ПЗ

 Лист

14

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Д 627.3.3.008.012.ПЗ

 Лист

15

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Д 627.3.3.008.012.ПЗ

 Лист

16

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Д 627.3.3.008.012.ПЗ

 Лист

17

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Изм.

Лист

№ докум.

Подп.

Дата

Разраб.

Проверил

Н. контр.

Литер.

Лист

Листов

ВСГТУ ЭТФ

Дибров М.

Утв.

Могнонов П.Б.

18

1

 

Д 627.3.3.008.012.ПЗ

Д 627.3.3.008.012.ПЗ

 Лист

19

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Изм.

Лист

№ докум.

Подп.

Дата

Разраб.

Проверил

Н. контр.

Литер.

Лист

Листов

ВСГТУ ЭТФ

Дибров М.

Утв.

Могнонов П.Б.

20

2

 

Д 627.3.3.008.012.ПЗ

Д 627.3.3.008.012.ПЗ

 Лист

21

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Изм.

Лист

№ докум.

Подп.

Дата

Разраб.

Проверил

Н. контр.

Литер.

Лист

Листов

ВСГТУ ЭТФ

Дибров М.

Утв.

Могнонов П.Б.

22

1

 

Д 627.3.3.008.012.ПЗ

Д 627.3.3.008.012.ПЗ

 Лист

23

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

DD1.2

DD1.3

DD1.1

С1

R2 

R1

Выход

1

1

1

Изм.

Лист

№ докум.

Подп.

Дата

Разраб.

Проверил

Н. контр.

Литер.

Лист

Листов

ВСГТУ ЭТФ

Дибров М.

Утв.

Могнонов П.Б.

24

1

 

Д 627.3.3.008.012.ПЗ

Д 627.3.3.008.012.ПЗ

 Лист

25

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Изм.

Лист

№ докум.

Подп.

Дата

Разраб.

Проверил

Н. контр.

Литер.

Лист

Листов

ВСГТУ ЭТФ

Дибров М.

Утв.

Могнонов П.Б.

26

2

 

Д 627.3.3.008.012.ПЗ

Д 627.3.3.008.012.ПЗ

 Лист

27

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Изм.

Лист

№ докум.

Подп.

Дата

Разраб.

Проверил

Н. контр.

Литер.

Лист

Листов

ВСГТУ ЭТФ

Дибров М.

Утв.

Могнонов П.Б.

28

5

 

Д 627.3.3.008.012.ПЗ


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

76944. Понятие и система субъектов административного права. Административная правосубъектность 27.29 KB
  Понятие и система субъектов административного права. Субъект административного права лицо или организация которые в соответствии с действующим законодательством РФ могут быть участниками сторонами регулируемых административных управленческих общественных отношений. Главное что объединяет многообразные субъекты административного права это административная правоспособность. Субъекты административного права могут быть индивидуальными и коллективными.
76945. Граждане Российской Федерации как субъекты административного права. Права, обязанности и гарантии реализации прав граждан в сфере государственного управления 26.91 KB
  Граждане Российской Федерации как субъекты административного права. Права обязанности и гарантии реализации прав граждан в сфере государственного управления. Гражданин как субъект административного права это участник общественных отношений выступающий в качестве носителя содержащихся в нормативных актах конкретных прав и обязанностей которыми он наделен для реализации своих жизненных потребностей участия в управлении делами общества и государства. Административноправовой статус гражданина – это составная часть правового статуса личности...
76946. Особенности административно-правового статуса иностранных граждан и лиц без гражданства 28.5 KB
  Правовое положение иностранных граждан на территории РФ регулируется российским законодательством а также международными договорами. Законы РФ распространяются на всех лиц находящихся на ее территории. Правовое положение иностранных граждан регламентируется Конституцией законами России международными договорами правилами пребывания иностранных граждан на территории РФ и транзитного проезда иностранных граждан через территорию РФ. Законодательство различает иностранных граждан постоянно проживающих и временно пребывающих на территории...
76947. Понятие и признаки органов исполнительной власти РФ, система органов исполнительной власти, их классификация 29.22 KB
  Понятие и признаки органов исполнительной власти РФ система органов исполнительной власти их классификация. Орган исполнительной власти государственное учреждение обладающее относительной самостоятельностью структурной организацией наделенное государственно-властными полномочиями исполнительно-распорядительного характера и действующее в пределах определенной территории. Признаки органа исполнительной власти: является государственным учреждением; вместе с органами законодательной и судебной власти входит в систему органов...
76948. Президент Российской Федерации и исполнительная власть 27.36 KB
  Назначает и отзывает после консультаций с соответствующими комитетами или комиссиями палат Федерального Собрания дипломатических представителей РФ в иностранных государствах и международных организациях; Федеральные министерства федеральные службы и федеральные агентства руководство деятельностью которых осуществляет Президент РФ: Министерство внутренних дел РФ подведомственная ему Федеральная миграционная служба Министерство РФ по делам гражданской обороны чрезвычайных ситуаций и ликвидации последствий стихийных бедствий Министерство...
76949. Правительство Российской Федерации: порядок формирования, состав, основные полномочия 25.06 KB
  Правительство РФ – это коллегиальный орган состоящий из Председателя Правительства РФ заместителей Председателя Правительства РФ и федеральных министров. ФКЗ О Правительстве РФ по сути является документом составляющим вместе с Конституцией РФ правовую базу деятельности Правительства РФ. Председатель Правительства РФ назначается Президентом РФ с согласия Государственной Думы и освобождается от неё на основаниях предусмотренных законом. Заместители Председателя Правительства РФ и федеральные министры назначаются на должность и...
76950. Федеральные органы исполнительной власти России: понятие, система, структура, правовое положение, функции 26.71 KB
  Федеральные органы исполнительной власти России: понятие система структура правовое положение функции. В систему федеральных органов исполнительной власти входят федеральные министерства федеральные службы и федеральные агентства. Правовое положение или правовой статус органов исполнительной власти подразумевает что все они действуют на основе законов и других нормативных актов осуществляют нормотворческую деятельность совершают действия возложенные на них нормативными актами имеют полномочия компетенцию а также обладают...
76951. Органы исполнительной власти субъектов Российской Федерации 27.14 KB
  Органы исполнительной власти субъектов Российской Федерации.государственная и территориальная целостность Российской Федерации. распространение суверенитета Российской Федерации на всю ее территорию; верховенство Конституции и федеральных законов на всей территории Российской Федерации...