43259

Разработка усилителя низкой частоты

Курсовая

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Рассчитаем максимальное напряжение в нагрузке по формуле: В Определим максимальный ток протекающий через нагрузку: Рассчитаем требуемый коэффициент усиления усилителя по формуле: Определим ориентировочное количество каскадов предварительного усиления по следующей формуле: Полученное по формуле количество каскадов округляют до ближайшего целого нечетного числа так как схема с ОЭ дает сдвиг фаз 180 n = 3 Выходной каскад ставится на выходе усилителя и обеспечивает усиление мощности полезного сигнала в нагрузку.4...

Русский

2013-11-04

5.43 MB

55 чел.

Курсовой проект содержит 34 листа, 16 иллюстраций, 1 таблицу.

Цель: - углубить знания студентов по курсам, связанным с темой курсового проекта;

- привить навыки самостоятельной работы с технической литературой;

- научить составлять, рассчитывать и анализировать электронные схемы.

В курсовом проекте содержится краткое описание усилителей низкой частоты, их классификация, применение, основные технические решения. Также разработана структурная и электрическая принципиальная схема усилителя, и произведен ее расчет.


Содержание

1. Введение

2. Основная часть

 2.1 Аналитический обзор  

 2.2 Составление структурной схемы усилителя

 2.3 Разработка электрической принципиальной схемы усилителя  

2.4  Электрический расчет  

2.5 Анализ спроектированного усилителя

3. Заключение   

4. Перечень использованной литературы   

 


1 Введение

 

Электронные низкочастотные   усилители предназначены для усиления сигналов, частоты которых лежат в интервале низкой частоты. Они применяются в разнообразных по назначению устройствах, различающихся по полосе рабочих частот, характеру нагрузки, условиям применения (используются для усиления информационного сигнала в измерительной технике и дефектоскопии; автоматике, телемеханике и аналоговой вычислительной технике; в других отраслях электроники).

Их особенности, требования к  показателям во многом определяются характером нагрузки и условиями применения. Нагрузка, в большинстве случаев, носит комплексный характер,представляет собой электромагнитное или электростатическое устройство. Условия применения определяют диапазон изменений температур окружающей среды, в котором усилительное устройство должено сохранять полную работоспособность, вид механических воздействий, требования к весовым и энергетическими показателями.

Требования к низкочастотным усилителям с широким диапазоном рабочих частот  связаны, в главным образом, с интервалом рабочих частот, в рамках которого заданный сигнал должен усиливаться с допустимыми нелинейными и частотными искажениями. Низкочастотный усилитель с узкой или фиксированной рабочей частотой  используется, в основном, для работы на демодуляторы или двухфазные индукционные двигатели. Основные требования к ним связаны с ФЧХ. Однако отмеченные особенности низкочастотных усилителей так же не исключают общего подхода и к проектированию.

Транзисторные усилители имеют довольно-таки небольшую верхнюю граничную частоту усиления, если в оконечном каскаде использован мощный транзистор. Вместе  комплексными цепями связи это приводит к значительным частотным искажениям сигнала который мы хотим усилить. Нелинейность ВАХ транзистора есть источником больших нелинейных искажений на выходе усилителя. Свойства (физические) транзистора в качестве усилительного элемента определяют низкое входное и высокое (при работе транзистора в активной области) выходное R усилительного каскада.

         Развитие усилительных устройст крепко переплетено с появлением и усовершенствованием усилительных элементов – изначально ламп, позже транзисторов и интегральных схем, а так же других электронных приборов, которые могут усиливать электрические сигналы.

Ламповая усилительная техника берёт своё начало от появления  вакуумного диода(1904г), изобретенного американцем, инженером Флемингом, и вакуумного триода (Ли  де  Форест  в  1907г.)  

В развитие техники и теории усилителей внесли свой вклад и наши специалисты. В.И. Коваленков создал усилитель на триоде( 1910г).  Резкий скачек в улучшении технических характеристик усилителей произошел в результате применения в них отрицательной обратной связи(1927г. американский инженер Х. Блек.)

Примерно во второй половине 30-х годов создаются широкополосные усилители гармонических и импульсных сигналов, предназначенные для телевидения, радиолокации и т.д. Значительное место в разработке широкополосных усилителей занимает Г.В. Брауде и О.Б. Лурье( предложил проведение их анализа и расчета на основе использования переходных ВАХ).

Транзисторная усилительная аппаратура получила возможность своего развития после того, как американскими учеными Дж. Бардин, У. Браттейном и У. Шокли был изобретён трехэлектродный полупроводниковый усилительный элемент(1948г. ) – транзистор, ставший быстро набирать популярность и вытеснять электронную лампу.

Стремление к дальнейшему совершенствованию усилителей, улучшению их показателей, привело, в конце 60-х гг., к созданию усилителей в основе которых положены интегрально-планарные технологии. Усилители, выполненные с помощью этих технологий, имеют небольшие размеры и малое энергопотребление, обладают довольно высокой  степенью надежности, отличными экономическими и качественными показателями. В разработку методов анализа и расчета усилителей с использованием интегральных микросхем внесли значительный вклад такие ученые, как Л. Хьюльсман, Дж. Грешь, Р. Видлар, Дж. Лэнк, И. Достал. В наши дни быстрыми темпами развивается оптоэлектроника, представляющая радел,  который объединяет в себе как оптические, так и электронные явления, с созданием на этой основе различных  новых приборов, схем и систем. В частности, все чаще используется волоконно-оптические системы связи, в состав которой входят и усилители. Большой вклад в развитие технического прогресса вообщем и усилительной техники в частности внесло создание ЭВМ. Проектирование электронных схем, а так же и электронных усилителей, представляет собой достаточно новую область науки и техники – схемотехническое проектирование.

2.1 Аналитический обзор

Современные  усилители низкой частоты выполняются преимущественно на биполярных и полевых транзисторах в дискретном или интегральном исполнении, причем усилители в микроисполнении отличаются от своих дискретных аналогов, главным образом, конструктивно-техническими особенностями.

В качестве источника входного сигнала в усилителях низкой частоты могут входить микрофон, звукосниматель, предыдущий усилитель. Большинство из источников входного сигнала развивают очень низкое напряжение. Подавать его непосредственно на каскад  усиления мощности не имеет смысла, т. к.  при слабом управляющем напряжении невозможно получить значительные изменения выходного тока, а следовательно, выходной мощности. Поэтому в состав структурной схемы усилителя, кроме выходного каскада, отдающего требуемую мощность,  входят и каскады предварительного усиления.

Эти каскады принято классифицировать по характеру сопротивления нагрузки в выходной цепи транзистора. Наибольшее применение получили резистивные усилительные каскады, сопротивлением нагрузки которых служит резистор. В качестве нагрузки транзистора может быть использован и трансформатор. Такие каскады называют трансформаторными. Однако в следствии большой стоимости, значительных размеров и массы трансформатора, а также из-за неравномерности амплитудно-частотных характеристик трансформаторные каскады предварительного усиления применяются весьма редко.

В каскадах предварительного усиления на биполярных транзисторах чаще других используется схема с общим эмиттером, которая обладает высоким коэффициентом усиления по напряжению и мощности, сравнительно большим входным сопротивлением и допускает использование одного общего источника питания для цепей эмиттера и коллектора.

Простейшая схема резистивного усилительного каскада с общим эмиттером и питанием от одного источника показана на рис 1.

Рисунок

Данная схема получила название схемы с фиксированным базовым током. Смещение фиксированным током базы отличается минимальным числом деталей и малым потреблением тока от источника питания. Кроме того, сравнительно большое сопротивление резистора Rб практически не влияет на величину входного сопротивления каскада. Однако этот способ смещения пригоден лишь тогда, когда каскад работает при малых колебаниях температуры транзистора. Кроме того, большой разброс и нестабильность параметров даже у однотипных транзисторов делают режим работы каскада неустойчивым при смене транзистора, а также с течением времени.

Более эффективной является схема с фиксированным напряжением смещения на базе, представленная на рис 2.

В этой схеме резисторы  и  подключенные параллельно источнику питания Ек составляют делитель напряжения. Делитель, образованный резисторами  и  должен обладать достаточно большим сопротивлением, иначе входное сопротивление каскада окажется малым.

При построении схем транзисторных усилителей приходится принимать меры для стабилизации положения рабочей точки на характеристиках. Основной дестабилизирующий фактор – влияние температуры. Существуют

Рисунок

различные способы термостабилизации режима работы транзисторных каскадов. Наиболее распространенные из них реализуются с помощью схем, показанных на рис 3-5.

Рисунок   -  c терморезистором

Рисунок  -  с диодом

Рисунок  - с цепочкой эмиттерной стабилизации RэСэ

В схеме на рис 3 терморезистор с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления включен в базовую цепь таким образом, что при повышении температуры происходит уменьшение отрицательного напряжения на базе за счет уменьшения сопротивления терморезистора. При этом происходит уменьшение тока базы, а следовательно, и тока коллектора.

Одна из возможных схем термостабилизации с помощью полупроводникового диода  показана на рис 4. В этой схеме диод включен в обратном направлении, а температурная характеристика обратного тока диода должна быть аналогична температурной характеристике обратного тока коллектора транзистора. При смене транзистора стабильность ухудшается из-за разброса величины обратного тока коллектора.

Наибольшее распространение получила схема термостабилизации режима, показанная на рис 5. В этой схему навстречу фиксированному прямому напряжению смещения, снимаемому с резистора  включено напряжение, возникающее на резисторе Rэ при прохождении через него тока эмиттера. Пусть, например, при увеличении температуры постоянная составляющая коллекторного тока возрастет. Увеличение тока коллектора приведет к увеличению тока эмиттера и падению напряжения на резисторе Rэ. В результате напряжение между эмиттером и базой уменьшиться, что приведет к уменьшению тока базы, а следовательно, тока коллектора. В большинстве случаев резистор Rэ шунтируется конденсатором  большой емкости. Это делается для отвода переменной составляющей тока эмиттера от резистора Rэ.

2.2 Составление структурной схемы усилителя

Структурная схема представлена на рис 6.

Рисунок

ВхК      -      входной каскад

КПУ1   - первый каскад предварительного усиления

КПУ2   - второй каскад предварительного усиления

КПУ3   - третий каскад предварительного усиления

ВыхК    -     выходной каскад

Входной каскад ставится на входе усилителя для увеличения входного сопротивления усилителя.

Рассчитаем максимальное напряжение в нагрузке по формуле:

В          

Определим максимальный ток протекающий через нагрузку:

 

Рассчитаем требуемый коэффициент усиления усилителя по формуле:

 

Определим ориентировочное количество каскадов предварительного усиления по следующей формуле:

 

Полученное по формуле количество каскадов округляют до ближайшего целого нечетного числа, так как схема с ОЭ дает сдвиг фаз 180

n = 3

Выходной каскад ставится на выходе усилителя и обеспечивает усиление мощности полезного сигнала в нагрузку.


2.3 Разработка принципиальной электрической

схемы усилителя

Схемная реализация входного каскада представлена на рис 7.

Рисунок

Это схема дифференциального каскада. Я решил выбрать диф. каскад по следующим причинам:

  •  дифференциальный каскад обеспечивает повышенную температурную стабильность предварительного усиления
  •  к дифференциальному каскаду проще подключить обратную связь
  •  у дифференциального каскада сравнительно большое входное сопротивление.

Схемная реализация каскада предварительного усиления представлена на рис 8. Это схема усилителя на биполярном транзисторе включенном по схеме с общим эмиттером. Я выбрал эту схему так как у нее сравнительно большие коэффициенты усиления по напряжению и по току, а также большое входное сопротивление. Недостаток этой схемы – сдвиг фаз между входным и выходным сигналом равен 180.

Схемная реализация выходного каскада представлена на рисунке.

Это схема двухтактного усилителя мощности работающего в режиме В. Двухтактный усилитель мощности обладает более низким коэффициентом нелинейных искажений, чем однотактный усилитель мощности. Также важным преимуществом двухтактной схемы является ее малая чувствительность к пульсациям питающих напряжений. Недостатком данной схемы является трудность подбора одинаковых транзисторов.

Электрическая принципиальная схема.

2.4 Электрический расчет

Рассчитаем максимальное напряжение в нагрузке по формуле:

В           

Определим максимальный ток протекающий через нагрузку:

 

Рассчитаем требуемый коэффициент усиления усилителя по формуле:

 

Определим ориентировочное количество каскадов предварительного усиления по следующей формуле:

 

Полученное по формуле (8)  количество каскадов округляют до ближайшего целого нечетного числа, так как схема с ОЭ дает сдвиг фаз 180

n = 3

Рассчитаем напряжение питания усилителя по формуле:

 

где  - падение напряжения на переходе коллектор-эмиттер выходного транзистора в режиме насыщения, В;

- падение напряжения на резисторе, установленном в эмиттерной цепи выходного каскада, В;

Для большинства мощных транзисторов  = 0,5..2 В. Предварительно можно принять  = 1 В. Зададимся падением напряжения на резисторе, установленном в эмиттерной цепи:  = 1 В

Подставим рассчитанные напряжения в формулу и определи напряжение питания усилителя:

= 46,72 В

Полученную величину округлим до ближайшего целого числа, а затем примем из стандартного ряда:

= 48 В

Зная напряжение питания усилителя и максимальный ток протекающий через нагрузку, выберем транзисторы для выходного каскада по следующим условиям:

Ikmax Iнmax + Ikп

Uкэmax  2 Ek

По справочной литературе [5] выбираем следующие транзисторы:

VT8          KT827A    

VT9  KT825A    

Со следующими параметрами:

Uкэmax8 = 100 В   Ikmax8 = 20 А  

Характеристики транзистора: 

Так как усилитль работает в режиме В,ток коллектора покоя будет=0, напряжение на переходе база-эмиттер:

Рассчитаем сопротивление резисторов R10 и R9  по формуле:

 Ом

Приведем рассчитанное сопротивление к ряду Е24:

0,015   Ом  (резистор PR65)

Определим ток базы покоя транзисторов выходного каскада:

 

Определим максимальный ток базы  транзисторов выходного каскада:

 

Определим ориентировочный максимальный ток коллектора  VT5:

Ikmax5 = 10IБmax8 = 1014,910-3 = 149 mA  

    Зная  максимальный ток базы транзистора VT8 и напряжение питания, выберем транзисторы для реализации защиты по току:

Ikmax Iбmax8

Uкэmax  2 Ek

По справочной литературе выбираем следующие транзисторы:

VT6          KТ815г   

VT7          KT814г    

Со следующими параметрами:

Uкэmax7 = 100 В   Ikmax7 =  1,5А

Поставим резисторы Rд вместе с конденсатором Сд ограничивающие напряжение питания до 30 вольт(их расчёт произведём позже).

    Зная максимальный ток коллектора и напряжение питания, выбираем транзистор VT5 по следующим критериям:

Ikmax Iкmax5

Uкэmax  2 Ek

     

           VT5 КТ208м 

                                                        

    Характеристики транзистора:

ток коллектора  VT5:

    Рассчитаем ток коллектора покоя VT5 по формуле:

 

                   Статический коэффициент передачи тока:

    Определим ток базы покоя для VT5 по формуле:

 

    Напряжение база – эмиттер:

    

   Рассчитаем резистор  по формуле:

 

   Приведем рассчитанное сопротивление к ряду Е24:

  (резистор ПЭВ-50)

    Рассчитаем максимальный ток базы транзистора VT5:

            

    Рассчитаем ориентировочный максимальный ток коллектора для транзистора VT4 по формуле:

      

    Зная максимальный ток коллектора и напряжение питания, выбираем трансформатора VT4 исходя из следующих условий:

Ikmax Iкmax4

Uкэmax  2 Ek

          VT4 КТ 215В          

    Характеристики : 

минимальный ток коллектора транзистора VT4:

 Определим ток коллектора покоя для VT4:

   

По рис 20 определим статический коэффициент передачи тока:    

   Определим ток базы покоя для транзистора VT4 по формуле:

   

    определим напряжение базы – эмиттер  

    Рассчитаем максимальный ток базы транзистора VT4:

     

    Определим значение резистора по формуле:

     (28)

Приведем рассчитанное сопротивление к ряду Е24:

(Резистор SMD.110)

Рассчитаем мощность рассеиваемую на резисторе:

 

    Определим ориентировочный ток коллектора покоя транзистора VT3

       

      Зная ток коллектора и напряжение питания выберем

транзистор VT3 по следующим критериям:

Ikmax Iкmax3

Uкэmax  2 Ek

VT3      КТ 214В - 1                          

                                                      

Характеристики транзистора:

          Минимальный ток коллектора:

 Рассчитаем ток коллектора покоя транзистора VT3:

   

  По рис 18 определим статический коэффициент передачи тока:

Определим ток базы покоя транзистора VT3:

        

Рассчитаем максимальный ток базы транзистора VT3:

       

определим напряжения база – эмиттер:

Определим сопротивление  по формуле:

        

Приведем рассчитанное сопротивление к ряду Е24:

(SMD.270)

Рассчитаем мощность рассеиваемую на резисторе:

Рассчитаем значение резистора по формуле:

         

Приведем рассчитанное сопротивление к ряду Е24:

       (SMD.300)

Рассчитаем мощность рассеиваемую на резисторе:

Определим ориентировочный ток коллектора транзисторов VT1  и VT2 по формуле:

    

      Зная максимальный ток коллектора и напряжение питания выберем транзисторы VT1 и VT2 по следующим критериям:

Ikmax Iкmax1

Uкэmax  2 Ek

      

VT1,VT2      КТ 60  

Характеристики транзисторов:

определим минимальный ток коллектора:

Рассчитаем ток коллектора покоя транзисторов VT1 и VT2:

    

определим статический коэффициент передачи тока:

Определим ток базы покоя для транзистора VT1:

      

Рассчитаем максимальный ток базы для транзистора VT1:

    

Определим ток, протекающий через резистор  :

     

определим напряжение коллектор – эмиттер:

Определим значение резистора  по формуле:

       

Приведем рассчитанное сопротивление к ряду Е24:

    (SMD.1500)

Рассчитаем мощность рассеиваемую на резисторе:

Рассчитаем Rд и Сд ограничивающие напряжение питания:

=2.3мкФ

определим  входное сопротивление транзисторов:

определим входное сопротивление усилителя:

     

Определим максимальное отклонение температуры от среднего значения:

   

Рисунок

Определим изменение напряжения база – эмиттер для транзистора VT2 с изменением температуры. Зная, что при изменении температуры на  напряжение изменяется на 2.3мВ. Следовательно:

  

Изменение напряжения коллектор – эмиттер равно 0.7В

 

Определим коэффициент обратной связи по постоянному току:

 

Определим значение сопротивления резистора :

   

Приведем рассчитанное сопротивление к ряду Е24:

Определим коэффициент усиления по току усилителя при помощи схемы  замещения представленной на рис. 11  

      

По схеме замещения определим  коэффициент разветвления:

Определим коэффициент усиления по напряжению:

Рассчитаем  коэффициент усиления по напряжению усилителя с обратной связью:

   

- коэффициент обратной связи по переменному току равен :

 

Определим значение сопротивления резистора :

 

Приведем рассчитанное сопротивление к ряду Е24:

Разобьём данный нам коэффициент частотных искажений на 2 части:

 

Мнвх=103/20

Мнос=103/20

Мв=106/20
Рассчитаем ёмкость конденсатора С1 по формуле:

 

Рассчитаем ёмкость конденсатора С2 по формуле:

  

Рассчитаем ёмкость конденсатора С3 по формуле:

  

Определим коэффициент петлевого усиления по переменному току:

  

Рассчитаем коэффициент нелинейных искажений для выходного каскада методом двух ординат:

Uвых изменяем от 0 до Uнmax                                

  для рассчитанных значений тока эмиттера определяем статический коэффициент передачи тока. Затем рассчитаем ток коллектора:

   

    Для рассчитанных значений тока коллектора определяем ток базы:

  

определяем напряжение база-эмиттер для рассчитанных токов базы. Рассчитываем входное напряжение:

     

Построим график зависимости Uн от Uвх

Uн               I э          h 21э   Iк                    I б               Uбэ           U вх         

0

0,01

750

0,01

1,33333E-05

0,6

0,6012

4

1,01

750

1,01

0,001346667

0,6

4,7212

8

2,01

750

2,01

0,00268

0,6

8,8412

12

3,01

750

3,01

0,004013333

0,6

12,9612

16

4,01

750

4,01

0,005346667

0,6

17,0812

20

5,01

750

5,01

0,00668

0,6

21,2012

24

6,01

750

6,01

0,008013333

0,6

25,3212

28

7,01

750

7,01

0,009346667

0,6

29,4412

32

8,01

750

8,01

0,01068

0,6

33,5612

36

9,01

750

9,01

0,012013333

0,6

37,6812

40

10,01

750

10,01

0,013346667

0,6

41,8012

44,72

11,19

750

11,19

0,01492

0,6

46,6628

Определим половину максимального входного напряжения и для этого значения по графику  определим значение напряжения на нагрузке:

 

Коэффициент нелинейных искажений для входного каскада:

   

Рассчитаем коэффициент нелинейных искажений усилителя с отрицательной обратной связью:

  

Для расчета коэффициента полезного действия усилителя требуется определить суммарный ток потребляемый усилителем в режиме покоя по формуле:

I0 = Iкп1 + Iкп3 + I4кп + Iкп5 + Iкп8 = 0,1327905   

Коэффициент полезного действия усилителя рассчитывается по формуле:

   


2.5 Анализ спроектированного усилителя

Для спроектированного усилителя начертим амплитудно-частотную характеристику, а также фазо-частотную характеристику.

Амплитудно-частотная характеристика (АЧХ) – зависимость амплитуды сигнала на выходе устройства от частоты входного сигнала неизменной амплитуды.

Фазо-частотная характеристика (ФЧХ) – зависимость ыазового сдвига между гармоническими колебаниями на входе и выходе устройства от частоты входного сигнала.

Рассчитаем данные для построения АЧХ и ФЧХ:

G = 20lgku = 20lg 5609 = 74.97   

 

 

 

-с ООС

3. Заключение

Спроектированный усилитель работает на двуролярном питании 35 В при температуре окружающей среды от  -10 С до 50С. Имеет подосу пропускания от 300 Гц до 10000 кГц(в задании сказано сделать верхнюю частоту 6000Гц,этого можно добится путем увиличения конденсатора), а также коэффициент нелинейных искажений  %.  В спроетированном усилителе предусмотрена защита выходного каскада по току.

 

Достоинства усилителя – большие коэффициенты усиления по току

( кi = 6723901) и по напряжению (кu = 5609). Также сравнительно большое входное сопротивление.

Недостатком спроектированного усилителя является подборка элементов, так как очень трудно подобрать одинаковые транзисторы. Также недостатком данного усилителя является сравнительно большое количество элементов, что приводит к трудностям при настройке схемы усилителя.


4. Перечень ссылок

       Титце У.,Шенк К. Полупроводниковая схемотехника:Справочное руководство.,1982.-512 с.,ил.

       Перельман.,Справочник,1981

Расчет электронных схем. Примеры и задачи. /Г.И. Изъюрова М.: Высш. шк., 1987. – 325 с.; ил.

ТерещукР.М.,Полупроводниковые приёмно усилительные устройства:СПРАВОЧНИК РАДИОЛЮБИТЕЛЯ.

Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. 9-е изд., перераб. К.: Техника, 1980. – 464 с.;ил.

Полупроводниковые приборы. Транзисторы малой мощности./А.А. Зайцев:Под ред А.В. Голомедова. – М.: Радио и связь,
КубК-а 1994. – 384с.;ил.

Методические указания к выполнению курсового проекта по курсу « Аналоговая схемотехника».Бизянов Е.Е. – Алчевск, ДГМИ 1999.- 35с.

Министерство образования и науки Украины

Донбасский государственный технический университет

Кафедра электронных систем

Курсовой проект

На тему

«Разработка усилителя низкой частоты»

по дисциплине

«Устройства аналоговой электроники»

Разработал                                                                          студент гр ЭС-09-1

                                                                                               Филоненко К.Ю.

Проверил                                                                               Бондаренко А.Ф.

Алчевск 2011


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

57365. Лічба предметів. Повторення складу чисел 3 і 4. Порівняння чисел у межах 4 36.5 KB
  Кожна тваринка перед тим як виступити запропонує нам завдання. Цікаві завдання клоуна Першим виступати буде клоун. Готуючись до виступу клоун поспішав і переплутав всі завдання. Завдання 1 Порахувати зелені кульки у клоуна.
57366. Число і цифра 5. Написання цифри 5. Порівняння чисел у межах 5. Попереднє і наступне число. Порядкова і кількісна лічба 37.5 KB
  Мета: показати утворення числа 5 ознайомити з цифрою 5; вчити писати цифру 5; вдосконалювати навички лічби в межах 5 розвивати вміння порівнювати числа в межах 5; розвивати логічне мислення увагу спостережливість.
57367. Порівняння чисел у межах 5. Попереднє і наступне числа. Склад числа 5. Монета 5 к. Написання цифр 34.5 KB
  Мета: продовжувати роботу над формуванням вміння порівнювати числа; закріплювати знання попереднього й наступного чисел вміння їх визначати; ознайомити з новою монетою 5 к. Порахувати числа від 1 до 5.
57369. Ознайомлення з дією додавання. Знак «+». Складання прикладів на додавання за предметними малюнками. Написання цифр 33.5 KB
  Мета: вчити учнів складати приклади на додавання; ознайомити зі знаком вчити читати цей знак; формувати вміння обчислювати приклади на додавання записувати приклади в зошит...
57370. Складання прикладів на додавання за малюнками монет. Порівняння чисел. Поняття на, над, під. Порівняння за віком (молодий — старий) 32.5 KB
  Мета: формувати в учнів вміння складати приклади на додавання на основі малюнків; вправляти учнів у засвоєнні результатів додавання в межах 5 на основі складу чисел; розвивати мислення.
57371. Число і цифра 8. Написання цифри 8. Порівняння чисел у межах 8. Послідовність чисел у межах 8. Додавання у випадку трьох доданків 36.5 KB
  Мета: ознайомити з числом і цифрою 8; пояснити утворення числа 8; вчити писати цифру 8; закріплювати нумерацію чисел у межах 8; розвивати логічне мислення вдосконалювати навички усної лічби. Фронтальне опитування Назвати числа від 1 до 7; від 3 до 7; від 1 до 5.
57372. Склад числа 10. Послідовність чисел у межах 10. Складання й розв’язання прикладів на додавання. Написання цифр 32.5 KB
  Мета: показати утворення числа 10 шляхом складання окремих групп предметів закріпити у дітей знання усної нумерації чисел першого десятка формувати навички кількісної та порядкової лічби; розвивати увагу уяву логічне мислення.
57373. Повторення складу числа 10. Складання прикладів за малюнками предметів та монет. Розпізнавання геометричних фігур. Написання цифр 31.5 KB
  Мета: продовжити роботу над формуванням у дітей вміння порівнювати числа в межах 10; закріплювати знання складу числа 10; вдосконалювати навички усної лічби; розвивати логічне мислення. Повторення складу числа 10 На дошці силуети будинків.