43274

УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ СИГНАЛОВ ЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ

Курсовая

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

По входным характеристикам выбираем рабочую точку транзистора оконечного каскада для режима АВ. Мощность потребляемая базовой цепью от предыдущего транзистора Расчет коллекторной цепи второго транзистора. Изза нелинейности характеристик транзистора целесообразно выбирать: Максимальный ток коллектора: Амплитуда переменного напряжения на коллекторе: а максимальное напряжение между коллектором и эмиттером: Мощность потребляемая коллекторной цепью транзистора от источника питания: Мощность рассеиваемая на коллекторе: Выбор второго...

Русский

2013-11-04

294 KB

4 чел.

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ  ФЕДЕРАЦИИ

ТАГАНРОГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ РАДИОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

РТФ

Кафедра РПрУ и ТВ

Пояснительная записка

к  курсовому  проекту

«УСИЛИТЕЛЬ  МОЩНОСТИ  СИГНАЛОВ

ЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ»

Выполнил: Нестеренко И.А.

                   гр. Р-83                                                                                         

Проверил: Кравец А.В.  

Таганрог  2005г.


ЛИСТ ЗАМЕЧАНИЙ


Содержание

Лиси замечаний……………………………………………………………2

Содержание…  …………………………………………………………………...3

Техническое задание……………………………………………………...4

Введение…………………………………………………………………….5 Выбор принципиальной электрической схемы УМСЗЧ………….....8

Расчёт регулятора тембра…………………………………………….....9

Расчёт регулятора громкости……………………………………...…..12

Расчёт принципиальной электрической схемы УМЗЧ……………..15

Расчёт оконечного каскада и напряжения источника питания……15

Расчёт промежуточного каскада……………………………………….17    

Расчёт входного каскада………………………………………………..18     

Расчёт конденсаторов……………………………………………………19     

Расчёт коэффициента гармоник………………………………………..22      

Моделирование УЗЧ в среде Micro-Cap 7.0.0………………………..23     

Список литературы……………………………………………………….26               

      


Кафедра РПрУ и ТВ

ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ

на курсовое проектирование

Студенту   Нестеренко И.А.                                    группа Р-83

По курсу «Схемотехника аналоговых электронных устройств»

     Тема: «Усилитель звуковой частоты»

Техническое задание:

  1.  Выходная мощность, Вт …………………………………………8
  2.  Сопротивление нагрузки, Ом……………………………………4
  3.  Входное напряжение, мВ………………………………………...60
  4.  Сопротивление источника сигнала, Ом…………………………4000
  5.  Нижняя граничная частота, Гц…………………………………..50
  6.  Верхняя граничная частота, кГц…………………………………16
  7.  Уровень частотных искажений, Мн=Мв………………………...0.7
  8.  Коэффициент нелинейных искажений, %.....................................1
  9.  Предусмотреть регулировку громкости и регулировку тембра по ВЧ и НЧ.

       Руководитель                                                                              Кравец А.В.

ВВЕДЕНИЕ

Расчет напряжения источника питания.

        Необходимое напряжение питания усилителя:

, где PHmax-отдаваемая мощность в нагрузку,

RH – сопротивление нагрузки, UK min- напряжение на коллекторе, соответствующее началу прямолинейного участка статистических характеристик коллекторного тока (для транзисторов средней и большой мощности UK min=1…3В)

Выберем напряжение питания 50В, что вполне удовлетворяет условию.

  1.  Расчет коллекторной цепи транзисторов оконечного каскада.

Амплитуда напряжения на эмиттере :

Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером:

Импульс тока коллектора:

Максимальная мощность рассеяния на коллекторе :

В УЗЧ из трех каскадов наиболее трудно подобрать мощные транзисторы оконечного каскада с высокой предельной частотой коэффициента передачи тока . Поэтому оконечный каскад обычно является узкополосным, но предельная частота его транзисторов должна быть в 2…3 раза выше верхней рабочей частоты, т.е.:

                         Выбор транзисторов оконечного каскада.

По рассчитанным данным

выбираем транзисторы оконечного каскада.

Наиболее подходящая комплементарная пара КТ818Г, КТ819Г.

КТ818А

КТ819А

1,5/60(при наличии теплоотвода), Вт

1,5/60(при наличии теплоотвода), Вт

до 15 А

до 15 А

80 В

80 В

3 мГц

3 мГц

15

15

100 Ом

100 Ом

          Расчет базовой цепи транзисторов оконечного каскада.

По входным характеристикам выбираем рабочую точку транзистора оконечного каскада для режима АВ. По выходным характеристикам определяем  амплитуду базового тока .

Рис. Входная характеристика КТ819В(КТ818В)

Рис. Выходная характеристика КТ819В(КТ818В)

Для получения на нагрузке мощность , необходимо получить на выходе :

Следовательно амплитуда переменного напряжения  :

Амплитуду базового тока:

Проверить правильность выбора рабочей точки можно с помощью треугольника мощности:

 ,

где

  1.  Расчет базовой цепи транзисторов оконечного каскада.

Мощность, потребляемая базовой цепью от предыдущего транзистора

  1.  Расчет коллекторной цепи второго транзистора.

Полезная мощность которую отдает транзистор V2, должна быть на 10…20% больше той, которая потребляется базовой цепью транзисторов оконечного каскада, т.е.

так как часть мощности теряется в цепи смещения.

Амплитуда переменной составляющей тока коллектора:

Транзистор V2 работает в режиме A, поэтому постоянная составляющая тока коллектора равна току в рабочей точке. Из-за нелинейности характеристик транзистора целесообразно выбирать:

Максимальный ток коллектора:

Амплитуда переменного напряжения на коллекторе:

,

а максимальное напряжение между коллектором и эмиттером:

Мощность, потребляемая коллекторной цепью транзистора от источника питания:

Мощность, рассеиваемая на коллекторе:

  1.  Выбор второго транзистора.

По рассчитанным необходимо выбрать транзистор V2, с максимально возможным коэффициентом передачи тока. Наиболее подходящий транзистор - КТ818А.

КТ818А

1,5/60(при наличии теплоотвода), Вт

до 10 А

25 В

3 мГц

15

100 Ом

8. Расчет резистора  в коллекторной цепи транзистора V2.

9.Расчет базовой цепи второго транзистора.

 По характеристикам выбираем рабочую точку транзистора V2 в режиме А и определяем ток в рабочее точке, а также амплитуду тока базы.

Амплитуда переменного тока базы

Амплитуда переменного напряжения на базе:

,

а мощность сигнала потребляемая базовой цепью:

    

10. Расчет сопротивлений .

Так как  тогда

По выходной характеристике V2 определяем

  1.  

Расчет коллекторной и базовой цепи первого транзистора и его выбор.

Полезная мощность которую отдает транзистор V1, должна быть на 10…20% больше той, которая потребляется базовой цепью V2, т.е.

так как часть мощности теряется в цепи смещения.

Амплитуда переменной составляющей тока коллектора:

Транзистор V1 работает в режиме A, поэтому постоянная составляющая тока коллектора равна току в рабочей точке. Из-за нелинейности характеристик транзистора целесообразно выбирать:

Максимальный ток коллектора:

Амплитуда переменного напряжения на коллекторе:

,

а максимальное напряжение между коллектором и эмиттером:

Мощность, потребляемая коллекторной цепью транзистора от источника питания:

Мощность, рассеиваемая на коллекторе:

         Максимальное значение между коллектором и эмиттером

Выбираем транзистор КТ608А.

КТ608А

1,5  Вт

 0,4 А

60 В

200 мГц

20…80

150 Ом

По характеристикам выбираем рабочую точку транзистора V1 в режиме А и определяем ток в рабочее точке, а также амплитуду тока базы.

Амплитуда переменного тока базы

Амплитуда переменного напряжения на базе:

,

  1.  Расчет цепи отрицательной обратной связи.

  1.  Расчет делителя в цепи базы первого транзистора.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

29770. Полупроводниковые соединения типа 29.44 KB
  Лазеры на основе соединений типа используются в телекоммуникационных устройствах волоконнооптических линий связи принтерах устройствах записи и считывания CD и DVD дисках. Свойства соединений типа Соединения типа образуются в результате взаимодействия элементов 3ей А подгруппы периодической системы с элементами 5ой В подгруппы за исключением висмута и таллия. Соединения типа классифицируются по элементу пятой группы т.
29771. Полупроводниковые соединения типа. Свойства соединений типа 23.32 KB
  Применение соединений типа Наиболее широкое применение соединения находят в качестве люминофоров и материалов для фоторезистов. Изготовление фоторезистов на основе соединений типа связано прежде всего с использованием сульфида кадмия селенида кадмия твёрдые растворы на основе . На основе полупроводников типа изготавливают датчики различного диапазона излучения.
29772. Диэлектрические материалы 37.85 KB
  Пассивные – это электроизоляторные и конденсаторные материалы. Пассивные неорганические диэлектрики применяемые в электронной технике можно разделить на стекловидные диэлектрики керамику монокристаллические диэлектрические материалы органические и композиционные материалы. Активные диэлектрики – это материалы свойствами которых можно управлять в широких пределах с помощью внешних воздействий.
29773. Классификация и особенности материалов электронной техники. Структура материалов. Обозначение кристаллографических плоскостей и направлений кристалла 25.27 KB
  Структура материалов. Классификация и особенности материалов электронной техники. Электрофизические свойства являются одним из основных свойств материалов определяют их применение в электронной технике.
29774. Способы представления сложных структур. Типичные кристаллические структуры материалов, применяемых в электронной технике 87.11 KB
  Структура типа алмаз. Элементарные полупроводники кремний и германий кристаллизуются в структуру типа алмаз. В структуре типа алмаз атомы образуют плотнейшую ГЦК решётку в которой половина 4 из 8ми тетраэдрических пустот заняты атомами того же сорта. Структура типа алмаз может быть представлена как две взаимно проникающие подрешётки типа ГЦК которые смещены относительно друг друга по пространственным диагоналям на её длины.
29775. Дефекты в кристаллах. Классификация дефектов. Точечные, линейные и поверхностные дефекты 30.5 KB
  Линейные дефекты К линейным дефектам кристаллической решётки относятся дислокации. Различают краевые и винтовые дислокации. Линия дислокации в этом случае – это граница экстраплоскости. Винтовую дислокацию в кристалле можно определить как сдвиг одной части кристалла относительно другой но в отличие от краевой дислокации линия винтовой дислокации параллельна вектору сдвига.
29776. Цепь посылки вызова от ТА-57 на станцию ЦБ по структурной схеме 210.5 KB
  Кроме того оборудование комплекса позволяет образовать типовые каналы ТЧ 03 34 кГц каналы служебной связи 16; 192; 2275 кбит с прозрачные телеграфные каналы до 200 бод а также синхронные контрольные каналы 2037 и 4074 бит с. Кроме указанных выше цифровых каналов на каждой ступени образуются следующие дополнительные каналы: прозрачные телеграфные каналы ПТК; служебные телеграфные каналы СТК; синхронные контрольные каналы СКК; синхронные каналы служебной связи СКСС. Телеграфные каналы образуемые комплексом...
29777. Цепь дистанционного управления радиостанцией П-193М по структурной схеме 37.5 KB
  В качестве каналообразующей аппаратуры применяется аппаратура П331 П331МСкорость цифрового сигнала поступающего с аппаратуры П331 П331М может составлять 48 480 и 2048 кбит с.3 мкм; код линейного сигнала СМI; линейная скорость передачи 2048 кбит с независимо от скорости передачи входного сигнала; скорость передачи канала УСС 48 кбит с с ЭППЧ 03 21 кГц; Структурная схема аппаратуры П336Л. Цифровой сигнал от аппаратуры каналообразования ЦСП П331 П331М со скоростью передачи 48 кбит с ИО2 ИТ А или 480 кбит с...
29778. Назначение, ТТХ и состав (по общей схеме) телефонного коммутатора П-194М 149 KB
  Основные ТТХ П194М Число абонентских линий: П194М рассчитан на включение 40 абонентских линий в том числе: 3 соединительных линий линий № 3840 к станциям ЦБ или АТС; 10 соединительных линий линий № 1120 к радиостанциям УКВ с дистанционным управлением; 20 соединительных линий линий к КОА ДС с возможностью включения и выключения удлинителей. На вертикальной лицевой панели коммутатора размещены: пять вертикальных плат с 40 абонентскими комплектами; платы с гнездами для циркулярных соединений; ключи комплектов...