43412

УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ СИГНАЛОВ ЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ

Курсовая

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Выходная группа каскадов –двухтактный эмиттерный повторитель на составных квазикомплементарных транзисторах работающих в режиме АВ. наметились два направления в конструировании любительских УМСЗЧ – проектирование ультролинейных усилителей имеющих коэффициент гармоник порядка тысячных долей процента но весьма сложных в регулировке и налаживании и создание сравнительно простых усилительных устройств обычно на одном – двух операционных усилителях и двух – четырёх транзисторах легко повторяемых но не позволяющих получить требуемое для...

Русский

2013-11-05

551 KB

16 чел.

 МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ  ФЕДЕРАЦИИ

ТАГАНРОГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ РАДИОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

Факультет Информационной Безопасности

Кафедра РЭС ЗиС

ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ  ЗАПИСКА

к  курсовому  проекту

«УСИЛИТЕЛЬ  МОЩНОСТИ  СИГНАЛОВ

ЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ»

Выполнил:                                                студент  гр.И-49 Мамутов Б.В.

Проверил:                                                 профессор каф. РЭС ЗиС Афанасьев К.Л.

Таганрог  2001г.


ЛИСТ ЗАМЕЧАНИЙ


ОГЛАВЛЕНИЕ

Техническое задание         

Введение            

1Выбор принципиальной электрической схемы УМСЗЧ   

2Расчёт принципиальной электрической схемы УМСЗЧ   

Расчёт оконечного каскада и напряжения источника питания  

Расчёт предоконечного каскада            

Расчёт промежуточного каскада           

Расчёт входного каскада              

Расчёт цепи ООС               

Расчёт конденсаторов              

Проверка устойчивости усилителя            

Расчёт коэффициента гармоник            

3Тепловой расчет радиаторов для транзисторов оконечногокаскада

Заключение                

Список литературы               

Приложение                

Перечень элементов и схема электрическая принципиальная          

Входные и выходные ВАХ используемых транзисторов        


ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ

Данный усилитель содержит входной резистивный по схеме с общим эмиттером каскад. Промежуточный каскад  выполнен по схеме с общим эмиттером и динамической нагрузкой. Выходная группа каскадов –двухтактный эмиттерный повторитель на составных квазикомплементарных транзисторах, работающих в режиме АВ.

Исходные данные для расчёта следующие:

эффективный диапазон частот, ограниченный усилением

                                                                     не менее 50 – 30000 Гц

неравномерность ЧХ усиления относительно уровня сигнала на  частоте  1000Гц                                                       не более ±0,5 дБ

номинальная ЭДС источника сигнала                                        0,5 В

номинальное сопротивление источника сигнала                    1,6 кОм

входное сопротивление не менее                                              8 кОм

номинальная выходная мощность                                                8 Вт

максимальная мощность, отдаваемая в нагрузку                        15 Вт

номинальное сопротивление нагрузки                                        8 Ом

температура окружающей среды                                          tmin -10°C

                                                                                    tmax 30°C


ВВЕДЕНИЕ

Современная звуковоспроизводящая аппаратура не может обойтись без использования усилителя мощности сигналов звуковой частоты (УМСЗЧ). Непосредственно подключаемая к УМЗСЧ акустические системы (АС) позволяют человеку прослушивать различные фонограммы в полном объёме (при использовании высококачественной аппаратуры). Ко входу УМСЗЧ могут подключаться различные источники сигналов: магнитофон, тюнер, CD-проигрыватель  и т.д. Основная роль УМСЗЧ в бытовом аудио комплексе – это усиление электрических сигналов до нужного уровня (мощности) и передача их на преобразователь электрический сигнал / звуковой сигнал, т.е. на АС.

При построении выходных каскадов УМСЗЧ выбирают один из двух (наиболее используемых) режимов работы, точнее – это режимы А и АВ. Режим А наиболее высококачественный, но он имеет малый КПД.

При разработке УМСЗЧ с максимальной выходной мощностью более 15 Вт первостепенное значение приобретает необходимость получения возможно большего КПД усилителя при достаточно малых нелинейных искажениях.

Известно, что хороший КПД имеет выходной каскад усилителя мощности, работающий в режиме В. Однако ему свойственны большие нелинейные искажения. Поэтому используется режим АВ с немного меньшим КПД, но с меньшими нелинейными искажениями.

В конце 80-х – начале 90-х гг. наметились два направления в конструировании любительских УМСЗЧ – проектирование ультролинейных усилителей, имеющих коэффициент гармоник порядка тысячных долей процента, но весьма сложных в регулировке и налаживании, и создание сравнительно простых усилительных устройств (обычно на одном – двух операционных усилителях и двух – четырёх транзисторах), легко повторяемых, но не позволяющих получить требуемое для высококачественного звучания значение коэффициента гармоник менее 0,04 % [10] во всём воспроизводимом диапазоне частот и при любой мощности, не превышающей номинальную.

Второе направление получило большую популярность. Но при построении таких УМСЗЧ встаёт вопрос и о дешевизне конструкции. Оказывается вполне приемлемо вместо операционных усилителей использовать дифференциальный каскад, построенный на транзисторах.

1 ВЫБОР ПРИНЦИПИАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СХЕМЫ УМСЗЧ ПО ЗАДАННОЙ ТИПОВОЙ СТРУКТУРЕ

      Так как усилитель имеет небольшую мощность, он выполнен по бес трансформаторной схеме, что позволяет уменьшить габариты, массу, стоимость и расширить полосу пропускания устройства.

Так как выходная группа каскадов является основными потребителем энергии источников питания, они включены в режиме АВ, обеспечивая высокий коэффициент полезного действия. При этом для уменьшения нелинейных искажений применена двухтактная схема. Данная схема выполнена на составных квазикомплементарных транзисторах, что упрощает схемные построения. Однако существуют трудности при выборе типа комплиментарных транзисторов, которые преодолены путём включения на выходе устройства более мощных транзисторов одинаковой проводимости. В приведённой схеме также использован источник питания с заземлённой средней точкой. То есть нагрузка подключена между точкой соединения выходных транзисторов и средней точкой источника питания. При таком включении отпадает необходимость в применении разделительного конденсатора на выходе усилителя. Предоконечные транзисторы разной проводимости образуют фазоинверсный каскад. Верхнее плечо схемы представляет собой составной эмиттерный повторитель, охваченный глубокой ООС через сопротивление нагрузки. Нижнее плечо схемы состоит из двух каскадов с общим эмиттером, охваченные цепью ООС также через сопротивление нагрузки. Несмотря на не идентичность схемных построений плеч усилителя, их асимметрия не сказывается на нелинейных искажениях сигнала из-за наличия глубокой ООС.

Для создания режима работы по постоянному току и задания смещения между базами предоконечных транзисторов применён отдельный транзистор, соединяющий промежуточный и предоконечный каскады.

В качестве промежуточного каскада предварительного усиления использованы каскады с общим эмиттером и динамической нагрузкой. К их достоинствам относятся простота конструкции, минимальные размеры и вес, невысокая стоимость деталей, нечувствительность к воздействию переменного магнитного поля, а также хорошая равномерность усиления и небольшие фазовые сдвиги в широком диапазоне частот. Последнее обстоятельство является благоприятным с точки зрения устойчивости при охвате усилителя глубокой ООС, что и сделано в данном случае. Для обеспечения высокого коэффициента усиления каскада включены по схеме с общим эмиттером. Резисторы в эмиттерных цепях каскадов служат для термостабилизации. Резисторы в коллекторных цепях выступают в качестве нагрузок каскадов.

Входная цепь представляет собой одно из широко используемых конфигураций в усилителях постоянного тока, резистивный по схеме с общим эмиттером каскад.


2 РАСЧЁТ ПРИНЦИПИАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СХЕМЫ УМСЗЧ

В данной работе вычисления проводились в соприкосновение с         литературой [8].

Расчёт оконечного каскада и напряжения источника питания

Максимальное напряжение и ток на выходе усилителя [4]

где Pн.max – максимальная мощность, отдаваемая в нагрузку Rн.

Необходимое напряжение питания усилителя [4]

где Uбэ.max5 и Uбэ.max7 – соответственно напряжение база – эмиттер транзисторов VT5, VT7 при максимальном значении тока, протекающего через нагрузку; U2.min – минимальное значение напряжения U2 . Последнее выражение подразумевает идентичность параметров обоих плеч двухтактного каскада. Зададимся значениями Uбэ.max5=Uбэ.max7=     =1В, U2.min=3,5В и R13=R14=0,05Rн=0,4Ом (типичные значения), тогда

Поскольку схема двухтактного каскада симметрична, дальнейший расчёт оконечного каскада будет проводиться только для одного (верхнего по схеме) плеча, подразумевая, что полученные результаты справедливы также и для нижнего плеча.

Максимальное напряжение коллектор – эмиттер транзистора VT7

             Максимальный ток коллектора транзистора VT7

где Iк0.7 – начальный ток покоя транзистора VT7 оконечного каскада, работающего в режиме АВ. Согласно [2]

              Мощность, потребляемая от источника питания оконечным каскадом [1]

              Максимальная мощность рассеяния на коллекторе транзистора VT7 [1]

Поскольку входное сопротивление громкоговорителей носит комплексный характер, то выходные транзисторы оконечного каскада должны удовлетворять условиям

                                    (У.1)

                                    (У.2)

где Iк.max – максимально допустимый ток коллектора; P*к.max –по уровню минус 1,5 дБ.

         По рассчитанным значениям Uкэ.max7, Iк.max7, Pк.max7, fh21э.7 и в соответствии с условиями (У.1–У.4) выбираем транзистор КТ819В (корпус ТО220) с параметрами максимально допустимая мощность рассеяния на коллекторе транзистора.

Чтобы транзистор не вышел из строя из-за электрического пробоя необходимо, чтобы максимально допустимое напряжение коллектор – эмиттер

                                                  (У.3)

Частотные свойства транзисторов оконечного каскада определяются из условия

                                                                    (У.4)

где fh21э – предельная частота коэффициента передачи тока базы; fв – верхняя рабочая частота усилителя:Iк.max=10А;Uкэ.max =70В;P*к.max=1,5 Вт; h21э.min = 15;

где fт – граничная частота коэффициента передачи тока базы. Этот же тип транзистора используется в качестве VT8. Так как Рк.max7 превышает максимально допустимую мощность рассеяния на коллекторе без теплоотвода необходимо применение радиаторов.

       Сопротивление резистора R11 определяется из выражения [2]

где R17 –входное сопротивление эмиттерного повторителя на транзисторе VT7

Ближайшее номинальное значение из ряда Е24 равно 560 Ом.

На выходных характеристиках выбранного транзистора строится нагрузочная прямая и по известному значению Iк0.7 определяется начальный ток базы Iб0.7 ≈ 10 мА, а по входным характеристикам – напряжение смещения базы Uбэ0.7 ≈ 0,7 В(рисунок 4). По этим же характеристикам определяется Iб.max7 ≈ 170 мА и уточняется значение Uбэ.max7 ≈ 1,4 В.

Расчёт предоконечного каскада

Максимальный и начальный токи коллектора транзистора VT5:       

         

       С незначительной погрешностью можно считать, что

                                                                  

Максимальная мощность рассеяния коллектора транзистора VT5[4]:

                             

По рассчитанным данным и в соответствии с условиями (У.1–У.4) в качестве VT5 выбираем транзистор КТ815В (в корпусе ТО220) с параметрами: Uкэ.max = 60 В; Iк.max = 1,5 А; P*к.max = 1 Вт; h21э.min6 = 40; fh21э = 75 кГц. В качестве VT6 выбираем транзистор КТ816В (в корпусе ТО220) с аналогичными параметрами. Так как условие У.2 не выполняется, транзисторы VT5,VT6 необходимо установить на радиаторы.

Начальный и максимальный токи базы транзистора VT5:

                           

               

С помощью входных ВАХ (рисунок 5)определяем: Uбэ0.5 ≈ 0,65 В; Uбэ.max5≈ 0,9 В

Расчёт промежуточного каскада

Ток Iк0.3 источника тока на транзисторе выбирается из условия [4]

Определим напряжения смещения между базами транзисторов VT5, VT6

  Зададимся значением тока, протекающего через резисторы R8, R9 равным ( ). Тогда

Максимальный ток коллектора транзистора VT4

Максимальная мощность рассеяния коллектора транзистора VT4

В качестве VT4 следует выбирать транзистор с возможно большим значением h21э, так как его дифференциальное сопротивление по переменному току определяется выражением [3]

В качестве VТ4 выбираем транзистор КТ315Г с параметрами:  Uкэ.max = 35 В; Iк.max = 100 мА; P*к.max = 150 мВт; h21э = 50 – 350. По входным характеристикам при Iк0.4 = 40 мА определяем Uбэ0.4 = 0,7 В (рисунок 6).

       В качестве R9 может быть выбран переменный резистор из ряда Е6 сопротивлением 470 Ом ,R8=0,75 кОм. Для лучшей термостабилизации тока Iк0.7 и Iк0.8 транзистор VT4 размещают на радиаторе выходного транзистора.

При расчётах обычно принимают

Следовательно

Максимальный ток коллектора транзистора VT2:

Максимальное напряжение коллектор – эмиттер транзистора VT4

Максимальная мощность рассеяния на коллекторе транзистора VT2 [2]

По рассчитанным данным и в соответствии с условием (У.3), а также с условиями:

выбираем транзистор КТ502Д с параметрами: Iк.max=0,15А;            P*к.max = 0,5 Вт; Uкэ.max = 60 В; fh21э ≈42 кГц; h21э = 40…120.     

В качестве VT3 выбираем транзистор КТ503Д  с параметрами, аналогичными параметрам транзистора VT2.

Начальное и амплитудное значения тока базы транзистора VT2

где

                                  

По входным характеристикам определяем Uбэ02 =Uбэ03 =0,7 В (рисунок7). Зададимся значением тока, протекающего через резистор R5:

Тогда

                         

Ближайшее номинальное значение из ряда Е24 равно 6,2кОм.

Определяем значение сопротивления резистора R6

  

После определения значений Uбэ.max7, Uбэ.max5, Iк.max2, R7 и Uкэs2 следует уточнить напряжение питания усилителя. При этом

где

где Uкэs2 –напряжение насыщения транзистора VT2 при Iк02 =20 мА

Тогда уточнённое напряжение источника питания из формулы (2.)

Расчёт входного каскада

Ток коллектора транзистора VT1, выбирается согласно условию [4]:

Полагаем Iк0.1=1мА

Максимальное значение тока коллектора транзистора VT1:

Определим максимальное напряжение коллектор-эмиттер транзистора VT1:  

А максимальное значение мощности рассеиваемой на коллекторе равно:

В качестве VT1 выбираем транзистор КТ315Г.

       Определяем значения сопротивлений резисторов R2:

Ближайшее номинальное значение из ряда Е24 равно 3.9 кОм

Остальные параметры определяются при расчете цепи ООС.

Расчёт цепи ООС

Определяем коэффициент усиления усилителя по напряжению [4]

где U1 – номинальное входное напряжение усилителя; Pн – номинальная выходная мощность.

где Es =0,5В – номинальная ЭДС источника сигнала; Ri – входное сопротивление усилителя; Rs =1.6кОм– сопротивление источника сигнала. Предположим, что Ri = 8кОм. Тогда

Зададимся значением сопротивления резистора Rэкв=19Ом. Тогда[4]

Ближайшее номинальное значение из ряда Е24 равно 300 Ом. При этом должно выполнятся неравенство [1]

           

Входное сопротивление усилителя без учёта Rд (с замкнутой петлёй ООС) [1]

     

Входное сопротивление VT1 без цепи ООС по переменному току составит:

Зададимся Rвх= 16 кОм, тогда

Ом.

Из ряда Е24 выбираем ближайшее номинальное значение равное R4=82 Ом.

Эквивалентное сопротивление параллельного соединения R4 и транзистора VT1 по схеме с общей базой для сигнала ООС:

Ом,

где =1мА/25мВ – крутизна транзистора в выбранной рабочей точке, 25мВ.

кОм

Определим ток делителя:

мА.

кОм.

Напряжение на базе VT1 составит:

В,

тогда из соотношения:

                     , получим  кОм,                      тогда R1=1760 кОм.

Из ряда Е24 выбираем ближайшие номинальные значения R1=1800 кОм, R2= 39 кОм.

Проверяем входное сопротивление усилителя:

Ом.

Расчёт конденсаторов

Для расчёта конденсаторов С1, С2 необходимо определить нижнюю граничную частоту усилителя fн√2

где fн – нижняя рабочая частота усилителя;

-нормированный коэффициент усиления по напряжению на частоте fн.

Тогда [1]

мкФ,              

где коэффициент А ≥ 10. Ближайшее номинальное значение равно           10 мкФ.

Ближайшее номинальное значение равно  220 мкФ.

Проверка устойчивости усилителя

Определим глубину ООС на низких частотах

где

- коэффициент передачи цепи ООС;

               

К*- коэффициент усиления усилителя по напряжению без ООС [1];

R12-входное сопротивление промежуточного каскада на VT2.                               

R11- входное сопротивление первого каскада.

Определим частоты полюсов ЛАЧХ усилителя по методике, изложенной в [7]. Для этого используем его эквивалентную схему (рисунок 1),

Рисунок 1 – Эквивалентная схема усилителя.

 

Где R1i, C1i – входные сопротивление и ёмкость i-го каскада усилителя; R0i, C0i – выходные сопротивление и ёмкость i-го каскада;

- сопротивление эмиттерной цепи i-го каскада.

Входная ёмкость оконечного каскада [7]

   

где Ск7, Сэ7 – соответственно ёмкости коллекторного и эмиттерного переходов транзистора VT7.

Выходная ёмкость предоконечного каскада

где

Выходное сопротивление предоконечного каскада

        

где

R02 - выходное сопротивление промежуточного каскада;

          

rк2 - сопротивление коллектора транзистора VT2;

2 - коэффициент передачи тока эмиттера транзистора VT2;

Входная ёмкость предоконечного каскада (с учётом обеих плеч) [7]

Входное сопротивление предоконечного каскада

Выходная ёмкость промежуточного каскада

Входная емкость промежуточного каскада [7]

Выходные ёмкость и сопротивление первого каскада

Входная ёмкость первого каскада

             

Входные сопротивления оконечного, промежуточного и входного каскадов были определены ранее.

Определяем частоты полюсов ЛАЧХ усилителя. Частота полюса, обусловленного входной ёмкостью оконечного каскада

Частота полюса, обусловленного входной ёмкостью предоконечного каскада

Частота полюса, обусловленного входной ёмкостью промежуточного каскада при С12 = С12н

Поскольку fp < fp2, то fp2 = fp, а

Частота полюса, обусловленного входной ёмкостью первого каскада при С11 = С11н

Поскольку fp > fp2, то

Известно, что в устойчивом усилителе выполняется соотношение [2]

где х – запас по усилению.

Определим максимальное значение fp2.max, при котором проектируемый усилитель сохраняет устойчивость,                            если |x| = 12 дБ (по 3 дБ на каскад)

Поскольку fp2 > fp2.max, усилитель неустойчив. Обеспечение устойчивости усилителя достигается уменьшением значения fp2 с помощью корректирующей ёмкости С3, подключаемой между коллектором и базой транзистора VT2. Значение ёмкости С3 можно определить из выражения [7]

где К2 – коэффициент усиления по напряжению промежуточного каскада

.

Определяем верхнюю граничную частоту усилителя с замкнутой петлёй обратной связи

Неравномерность АЧХ на верхней рабочей частоте fв усилителя

много меньше заданной в техническом задании.

Расчёт коэффициента гармоник

Расчёт коэффициента гармоник усилителя с разомкнутой петлёй ООС проводится при номинальном значении выходной мощности. При этом считают, что нелинейные искажения вносятся в основном каскадами со второго по четвёртый, поскольку они работают в режиме большого сигнала.

Вначале определим зависимость Iк7 = f(Iб7) в пяти точках нагрузочной прямой транзистора VT7 согласно рисунку 2. Далее по входной характеристике найдём соответствующие этим точкам значения напряжения Uбэ7.

Таким образом получаем:          

Таблица 1 - Зависимости Iк7 = f(Iб7) и Uбэ7 = f(Iб7)

1

2

3

4

5

Iб7, мА

70

60

50

30

10

Iк7, А

2,8

2,4

2

1,4

0,65

Uбэ7, В

0,95

0,9

0,86

0,77

0,68

 

Рисунок 2 – Выходные характеристики транзистора VT7 и нагрузочная прямая

Теперь для тех же точек найдём значения эмиттерного и практически совпадающего с ним коллекторного токов транзистора VT5

По выходным характеристикам транзистора VT6 определяем зависимость Iк5 = f(Iк5). Наконец по входной характеристике находим соответствующие значения Uбэ5.

Таблица 2 - Зависимости Iб5 = f(Iк5) и Uбэ5 = f(Iб5)

(•)

1

2

3

4

5

Iк5, мА

73,5

63,3

53,2

32,9

12,5

Iб5, мА

1,84

1,58

1,33

0,823

0,313

  Uбэ5, В

0,63

0,62

0,62

0,61

0,61

ЭДС эквивалентного источника сигнала Ес определяют из выражения

Таблица 3 – Мгновенные значения ЭДС эквивалентного источника сигнала

(•)

1

2

3

4

5

Ес, В

17,3

15

12,8

9,17

4,84

Построим сквозную характеристику коллекторного тока транзистора VT7 при гармонической форме ЭДС эквивалентного источника сигнала Ес.

   По сквозной передаточной характеристике определяем пять значений тока, соответствующих амплитудным значениям и половинам полуволн ЭДС, а также значению нуля: Imax = 2,6 A; I0,5 = 2,1 A; I0 = 1,6 A; I-0,5 = 1,2 A; Imin = 0,8 A. В соответствии с этими значениями находим амплитуды четырёх первых гармоник [11]

                     

Более высокие гармоники являются менее интенсивными, и их можно не учитывать. После этого можно определить коэффициент гармоник (с разомкнутой петлёй ООС)

Коэффициент гармоник с учётом ООС [5]

Рисунок 3 – Сквозная передаточная характеристика и гармоническая форма ЭДС эквивалентного источника сигнала.

ТЕПЛОВОЙ РАСЧЁТ РАДИАТОРОВ ДЛЯ ТРАНЗИСТОРОВ ОКОНЕЧНОГО КАСКАДА

Учитывая, что оба транзистора оконечного каскада усилителя VT7 и VT5 идентичны и напряжения, падающие на них одинаковы, то мощности потерь в этих транзисторах будут равны. Следовательно, будут равны и площади необходимых радиаторов.

Мощность потерь биполярного транзистора в основном выделяется в коллекторном переходе, для данных транзисторов (КТ819В) максимально допустимая температура перехода Тп.max = 125˚С. тепловой поток, передаваясь от коллекторного перехода к окружающей среде, имеющей температуру Тс = -10….300С (в данном случае), создаёт на своём пути перепад температур, пропорциональный передаваемой мощности (она равна мощности потерь в транзисторе Рпот = Рк.max = 6 Вт) и тепловому сопротивлению Rт пути передачи:

Полное тепловое сопротивление Rт равно сумме тепловых сопротивлений участков переход – корпус, корпус – радиатор и радиатор – среда:

Обычно Rкр пренебрежительно мало, Rпк составляет 1…10˚С/Вт,              а Rрс = 1/αтПр, где Пр – площадь полной поверхности радиатора; αт – его коэффициент теплоотдачи. Последний зависит от многих факторов. Для вертикальной алюминиевой пластины без специальной обработки поверхности αт ≈ 13 Вт/(м²·˚С).

На основании приведённых соотношений требуемая площадь полной поверхности радиатора для одного транзистора [6].

(2.108)

        Из сказанного выше следует что исходная площадь для обоих транзисторов  будет равна 2 Пр =0,04 см2.


ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В результате произведённых вычислений был рассчитан усилитель мощности сигналов звуковой частоты. Данный усилитель содержит входной резистивный каскад по схеме с общим эмиттером. Промежуточный каскад выполнен по схеме с общим эмиттером и динамической нагрузкой. Выходная группа каскадов – двухтактный эмиттерный повторитель на составных квазикомплементарных транзисторах, работающих в режиме АВ.

Были рассчитаны параметры элементов, использованных в нашей схеме. Транзисторы выбирались с запасом по основным параметрам. Резисторы и транзисторы выбирались в соответствии с рядами номинальных значений.

В ходе работы были приобретены навыки по расчету усилителя мощности сигналов звуковой частоты, а также навыки в работе с программами Word и Visio.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

  1.  Варакин Л.Е. Бестрансформаторные усилители мощности: Справочник. М.: РиС, 1984. 128 стр.
  2.  Проектирование транзисторных усилителей звуковых частот / Под ред. Безладнова Н.Л. М.: Связь, 1978. 368 стр.
  3.  Шкритек П. Справочное руководство по звуковой схемотехнике. Пер. с нем. М.: Мир,1991. 446 стр.
  4.  Проектирование усилительных устройств на транзисторах / Под ред. Войшвилло Г.В. М.: Связь, 1972. 384 стр.
  5.  Проектирование и применение операционных усилителей / Под ред. Грэма Дж. И др. М.: Мир, 1974. 510 стр.
  6.  Крикотин С.В. Методические указания к курсовому проекту по курсу «Усилительные устройства БРЭА» Таганрог: ТРТУ. 1999. 24 стр.
  7.  Вопросы интенсификации дипломного проектирования: Учебное пособие для вузов радио и электротехнических специальностей /Под ред. В.Г. Кабарухина. Таганрог: ТРТИ,№110,1988.186 стр.


Входные и выходные характеристики используемых транзисторов

Входная и выходная характеристики транзистора КТ819В

 

Входная и выходная характеристики КТ815В или КТ816В

Входная и выходная характеристики транзистора КТ315Г

Входная и выходная характеристики транзистора КТ502

EMBED PBrush  

EMBED Visio.Drawing.4  


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

74418. Бесполое и половое размножение мхов 33.5 KB
  Оплодотворение возможно лишь в воде часто покрывающей невысокие дерновинки мхов. Оплодотворенная яйцеклетка покрывается оболочкой начинает тотчас же делиться и дает спорофит сидящую на ножке коробочку который у мхов имеет специальное название спорогоний; в клетках его находится диплоидное число хромосом рис. Вначале из спор у лиственных мхов вырастают ветвистые нити похожие на водоросли и называемые протонемой; на них образуются почки каждая из которых может дать листостебельный мох развивающий впоследствии снова половые органы ...
74419. Образовательные ткани 37 KB
  В отличие от животных высшие растения растут и образуют новые клетки в течение всей своей жизни, хотя обычно с некоторыми перерывами. У многих растений средних широт, например, перерывы (периоды покоя) обусловливаются наступлением зимнего периода покоя.
74420. Определение цветка. Части цветка 38 KB
  Главный или боковые часто очень укороченные стебли и никогда не образуется на листьях. Ось цветка укороченная стеблевая часть его называется цветоложемили тором...
74421. ОСОБЫЕ ТИПЫ ПРИРОСТА СТЕБЛЕЙ В ТОЛЩИНУ 30.5 KB
  Общей чертой строения стебля лиан является раздробленность древесинного тела на участки с мягкими податливыми паренхимными участками в промежутках. На рисунке 156 слева изображена схема поперечного сечения молодого четырехлетнего стебля лианы из семейства бигнониевых. Хорошо видно что в четырех участках стебля древесины откладывается значительно меньше чем луба и паренхимы. Это создает необходимую для этих экологических форм растений гибкость стебля.
74422. Первичная кора корня 36 KB
  У большинства двудольных и голосеменных в связи с вторичным утолщением корня происходит также сбрасывание всей первичной коры поэтому экзодерма не бывает резко выражена. Величина клеток обычно возрастает в направлении от экзодермы к средней части первичной коры а затем уменьшается в направлении к эндодерме рис. У некоторых растений у касатика опробковению подвергаются кроме экзодермы еще 23 наружных слоя первичной коры.
74423. СТРОЕНИЕ СТЕБЛЯ ОДНОДОЛЬНЫХ 38.5 KB
  У большинства однодольных система листовых следов определяет основные черты анатомического строения стеблей в гораздо большей мере нежели у голосеменных и двудольных что отчасти объясняется отсутствием вторичного прироста. Из основания каждого листа у однодольных в стебель входит значительное число закрытых проводящих пучков коллатерального строения. Таким образом все сосудистые пучки однодольных представляют собой листовые следы.
74424. Осевой цилиндр корня 39 KB
  В осевом цилиндре корня можно различать сложный радиальный проводящий пучок и паренхиму ткань периферическая часть которой в виде кольца клеток называется перициклом рис. Эти клетки удлиняются в радиальном направлении делятся тангентальными перегородками и образуют корнеродную дугу со слоями клеток функционирующими по тому же типу как в кончике корня. Заложение боковых корешков происходит весьма близко к конусу нарастания образующего их корня выход же их наружу на значительном расстоянии.
74425. Строение типичного зеленого листа 58 KB
  В пластинке листа уже с помощью лупы можно различить 4 группы тканей: 1 покровную кожицу или эпидермис; 2 основную питательную мезофилл1; 3 проводящую сосудистоволокнистые пучки жилки; 4 механическую придающую листу жесткость определяющую положение листа в пространстве. Эпидермис стебля переходит на черешок и пластинку листа. Местами преимущественно на нижней стороне листа в эпидермисе находятся устьица.
74426. Флоэма 39 KB
  При изучении формирования члеников ситовидной трубки можно видеть что сначала членик представляет живую тонкостенную клетку с протоплазмой ядром лейкопластами и центральной вакуолей через полость которой проходят тяжи протоплазмы. Клетка членик ситовидной трубки растет; замыкающие пленки пор при этом растягиваются утоньшаются; в них образуются мелкие перфорации; в остальной части клеточная оболочка значительно утолщается под микроскопом она сильно блестит. Денатурация протоплазмы обнаруживается тем что членики трубки уже не...