43549

Контроль толщины металлических пленок в процессе изготовления и в готовых структурах

Курсовая

Производство и промышленные технологии

При измерении толщины пленки взвешиванием считают, что плотность нанесенного вещества равна плотности массивного. Под эффективной толщиной пленки понимают толщину, которую она имела бы, если бы образующее ее вещество было равномерно распределено по поверхности с плотностью, равной плотности массивного вещества.

Русский

2013-11-05

1.5 MB

10 чел.

Кафедра: «ЭРЭиЭС»

Курсовая работа

На тему:

«Контроль толщины металлических пленок в процессе изготовления и в готовых структурах»

Выполнила студент группы 07-МТЭ

Смирнова В.В.

  Преподаватель

Сахаров Ю.Г.

Брянск 2011
Содержание

Введение....................................................…………………………………

3

1 Микровзвешивание………………………………………………………

4

2 Многолучевая интерферометрия……………………………………….

6

3 Радиоизотопный метод………………………………………………….

9

4  Измерение толщины по спектрам отражения и прохождения электромагнитной волны………………………………………………….

13

16

5  Рентгеноспектральный флуоресцентный анализ……………………..

Список использованной литературы..........................................................

20


            
ВВЕДЕНИЕ

Металлизация в производстве транзисторов и интегральных схем играет существенную роль в обеспечении надёжности приборов. Так, в [1] приводятся данные, что на долю металлизации приходится 26% отказов, на долю дефектов сборки в корпус приходится 17% отказов, на долю внутренних выводов приходится 23% отказов. В связи с этим важную роль играет операция контроля качества металлизации. Контроль качества металлизации сводится к оценке коэффициента запыления ступеньки окисла слоем алюминиевой металлизации. Дополнительно оцениваются следующие характеристики:

- наличие обрывов и закороток коммутационных шин;

- наличие утонений и выступов на коммутационных шинах;

- наличие микротрещин и пустот в металлизации.

 


1  Микровзвешивание

Метод микровзвешивания, в основном используемый в производстве гибридных ИМС, состоит в определении приращения массы ∆m подложки после нанесения на нее пленки. При этом среднюю толщину пленки определяют по формуле

dn=∆m/(FПpМ)

где FП - площадь пленки на подложке; pМ - удельная масса нанесенного вещества.

Этот метод несложен, но требует, чтобы форма подложки была простой, а ее поверхность - в хорошем состоянии. Кроме того, на точность измерения влияет удельная масса нанесенного материала, которая может изменяться в зависимости от условий технологических режимов (остаточного давления, загрязнений молекулами газа и др.).

При измерении толщины пленки взвешиванием считают, что плотность нанесенного вещества равна плотности массивного. Под эффективной толщиной пленки понимают толщину, которую она имела бы, если бы образующее ее вещество было равномерно распределено по поверхности с плотностью, равной плотности массивного вещества.

Чувствительность метода взвешивания составляет 1-10 мкм/м2 и зависят от чувствительности весов и площади пленки на подложке.

Пример оборудования

Микровесы Sartorius LE26P, ME36S (Германия)

Особенности

LE26P:

  •  Монолитная весовая ячейка и удобная 50-мм чаша.
  •  Автоматическая калибровка isoCAL.
  •  Протоколирование в соответствии с ISO/GLP.
  •  Прикладные программы.
  •  Интерфейс RS-232.

ME36S:

  •  Полностью автоматическая ветрозащитная витрина.
  •  Функция SQmin.
  •  Новая функция S.U.R.E.
  •  Автоматическая калибровка isoCAL.
  •  Графический дисплей с подсказками.
  •  Прикладные программы.
  •  Интерфейс RS-232.

Технические характеристики:

Параметры / Модель

LE26P

ME36S

Наибольший предел взвешивания (НПВ), г

5

21

31

Дискретность отсчета (d), мг

0,002

0,01

0,001

Гиря для калибровки весов

встроенная

встроенная

Время установления показаний, сек

10

14-18

Габаритные размеры весов (ДхШхВ), мм

213x342x270

Размер чаши весов, мм

50

30


2  Многолучевая интерферометрия

Метод многолучевой интерферометрии применяется для измерения толщины непрозрачных пленок. Основан на наблюдении в микроскоп интерференционных полос, возникающих при рассмотрении в монохроматическом свете двух поверхностей, расположенных под углом друг к другу.

Перед измерением получают на образце так называемую ступеньку - резкую боковую границу пленки на подложке. Для этого маскируют часть подложки при осаждении пленки или химически удаляют часть осажденной пленки. В микроскоп наблюдают сдвиг интерференционных полос. Чередующиеся светлые и темные интерференционные полосы с шагом L на поверхности как пленки, так и подложки смещаются относительно друг друга у их границы на значение l.

 

Измеряя с помощью микроинтерференционного микроскопа смещение какой-либо определенной полосы, рассчитывают толщину пленки по формуле

dn=1/2∙λc(l/L)

где λc — длина волны монохроматического света, равна 0,54 мкм;

L =1/2∙λc - шаг между соседними интерференционными полосами;

l — смещение интерференционной полосы.

Точность этого метода измерения толщины пленки составляет 15 — 30 нм.

Пример установки:

Автоматизированный интерференционный микропрофилометр АИМ

Предназначен для бесконтактного автоматического измерения микрорельефа поверхности, толщины тонких пленок, а также высотных и шаговых параметров шероховатости поверхности. Автоматизированный интерференционный микропрофилометр создан на базе микроинтерферометра Линника МИИ-4М (ЛОМО), широко используемого для промышленного контроля и измерений в металлобработке, микроэлектронике, производстве тонких пленок и т.д. Для автоматизации измерений реализован метод дискретного фазового сдвига при помощи управляемого от компьютера зеркала на пьезоэлементе, встроенного в опорное плечо микроинтерферометра. Интерферограммы при различных положениях опорного зеркала с помощью встроенной ПЗС-телекамеры через устройство ввода изображения поступают в персональный компьютер, где производится их автоматическая обработка. Результаты измерений в виде тpехмеpных и двумерных профилей объекта, графиков и гистограмм отображаются на экране компьютера, а также могут быть выведены на пpинтеp для печати.

Технические характеристики:

МИКРОИНТЕРФЕРОМЕТР МИИ-4М

  •  Линейное поле зрения в плоскости предмета, мкм:

- при визуальном наблюдении с окуляром                15х 320

         - на ПЗС камере окулярного канала                      145х109

         - на ПЗС камере фотографического канала               30х23

  •  Увеличение, крат:

         - на ПЗС камере окулярного канала                             33

         - на ПЗС камере фотографического канала                  157

  •  Максимальная измеряемая глубина рельефа, мкм                   20
  •  Максимальная погрешность по глубине, в долях длины волны L      L/200
  •  Разрешение в плоскости изображения, мкм                             0,5

МИКРООБЪЕКТИВ

  •  фокусное расстояние, мм                                                        6,16
  •  числовая апертура                                                                 0,65
  •  пределы перемещения для фокусировки, мм                              3
  •  увеличение, крат                                                                           33,4

 

Представление результатов измерений:

  •  Сечения горизонтальное и вертикальное сечения профиля в любой выбранной точке
  •  Псевдоцветное изображение профиля с двумя взаимно перпендикулярными сечениями в любой выбранной точке
  •  Таблица значений высоты профиля в прямоугольной области профиле
  •  Трехмерное изображение профиля с возможностями масштабирования и вращения
  •  Протокол измерений, включающий в себя любой из перечисленных видов представления


3 Радиоизотопный метод

Радиоизотопные приборы являются неотъемлемым элементом многих систем технологического контроля и автоматизации. Многим методам контроля, основанным на ионизирующем излучении, альтернатива сегодня не найдена.

Подтверждением этого являются радиоизотопные толщиномеры материала. Наряду с радиоизотопными толщиномерами, в которых применяется радионуклидный источник излучения, используются и рентгеновские (источник излучения — рентгеновская трубка). Однако радиоизотопные толщиномеры имеют большой диапазон измеряемых толщин, в то время как рабочий диапазон рентгеновских толщиномеров лежит в середине рабочего диапазона радиоизотопных. Кроме того, в рентгеновских толщиномерах необходимо применять специальные схемы стабилизации напряжения и тока рентгеновской трубки. В радиоизотопных толщиномерах, напротив, радиоактивный распад идет постоянно и никакие схемы стабилизации не требуются, за исключением введения поправки на снижение активности источника со временем.

Радиоизотопные толщиномеры применяются во многих отраслях промышленности, в частности при производстве бумаги, полимерных пленок, в системах автоматического регулирования толщины металла на прокатных станах.

В аналитической лаборатории службы контроля качества ЗАО «Кремний-Эл» по интенсивности потока обратно рассеянного бета-излучения производится контроль толщины золотого покрытия ленты КМКЗ, ФМФЗ, ножек КТ-1, КТ-2, а также состава припоев типа ПОС. Для этих измерений используется радиоизотопный толщиномер выборочного контроля РТВК-2К.

Для контроля толщины покрытий и состава веществ используется поток обратно-рассеянного β-излучения.

Характер процесса рассеяния зависит от энергии исходного излучения, атомного номера и структуры рассеивающей среды, геометрических факторов и т.д. Зависимость плотности потока обратно рассеянного излучения J от толщины рассеивателя d описывается выражением:

J = Jmax(1-e-µpd)

где µ - постоянный коэффициент, зависящий от энергии излучения:

Jmax - плотность потока излучения, обратно-рассеянного от достаточно толстого рассеивателя (d = dнас).

Принцип действия основан на регистрации потока обратно-рассеянного бета-излучения. Зависимость интенсивности обратно-рассеянного бета-излучения от толщины слоя покрытия имеет линейный и экспоненциальный участки. На линейном участке изменение интенсивности излучения, регистрируемое детектором, пропорционально изменению толщины покрытия, на экспоненциальном участке - пропорционально изменению логарифма толщины покрытия. Пределы линейного и логарифмического поддиапазонов измерения зависят от энергии источника бета-излучения и условий регистрации обратно рассеянного излучения.

В процессе измерения контролируемое изделие устанавливается над отверстием сменной диафрагмы блока детектирования и фиксируется с помощью прижимного устройства.

Бета-излучение радиоизотопа 4, проходя через диафрагму 3, отражается от покрытия 2 и основы 1 исследуемого объекта. Отражённое излучение проходит через поглотитель 6, отсеивающий низкоэнергетичные частицы, и регистрируется газоразрядным счётчиком 7. Счётчик защищен свинцовым коллиматором 5 от непосредственного попадания бета-частиц, излучаемых радиоизотопом. Используются газоразрядные счётчики типа
СИ-8Б и СБМ-20, питаемые напряжением 410 В. Усиление импульсов и дальнейшая обработка информации в цифровом виде происходит в блоке УЧЦ-1К.

Настройка толщиномера в процессе эксплуатации производится применением одного из трёх способов:

- с помощью стандартных образцов поверхностной плотности или толщины покрытий контролируемого сочетания материалов;

- с помощью настроечных образцов, входящих в состав толщиномера;

- экспериментально-расчётным методом с использованием образцов из материала основы и покрытия и данных градуировки, полученных на заводе-изготовителе.

Пример установки:

Радиоизотопный толщиномер выборочного контроля РТВК-2К

Предназначен для измерения поверхностной плотности или толщины  покрытий постоянного химического состава на плоских или плоских выступающих участках изделий с размерами не более 50 x 50 x 100 мм и минимальным радиусом кривизны 10 мм в диапазоне от 1 до 1000 г/м2 или от 1/ρ до 1000/ρ мкм, где ρ – численное значение плотности материала покрытия в г/см3  при разнице атомных номеров материалов покрытия и основы не менее 15%.

Поверхностная плотность основания должна быть не менее 200, 1000 и 4000 г/м2 при использовании источников бета-излучения на основе радионуклидов прометия-147, таллия-204 и стронция-90 соответственно.

Толщиномер может быть применен в радиоэлектронной, электротехнической, машиностроительной, приборостроительной, авиационной и других отраслях промышленности в качестве средства неразрушающего  измерения  толщины  гальванических и  других  видов  покрытии.

Технические и эксплуатационные характеристики

Диапазон измерения  -   (1 – 1000) г/м2 или (1/ρ – 1000/ρ) мкм

                                     где ρ – плотность материала покрытия, г/см3.

Источник бета-излучения

Диапазон измерения, г/м2

линейный

логарифмический

Прометий-147 (БИП-М)

1 - 20

15 - 40

Таллий-204 (БИТ-М)

20 - 100

80 - 220

Стронций-90 + иттрий-90

(БИС-МИА-1)

80 - 400

400 - 1000

Площадь измерения                                                               0,2 – 10 мм2

Время измерения                                                                        5 – 200 с

Допустимая основная погрешность                                              10%

Время установления рабочего режима                                      30 мин

Время непрерывной работы                                                             8 ч

Напряжение питания                                                            220 В, 50 Гц

Потребляемая мощность                                                                10 ВА


4 Измерение толщины
по спектрам отражения и прохождения электромагнитной волны

Задача настоящего способа заключается в реализации неразрушающего контроля электрофизических параметров нанометровых слоев металла в структурах металл-полупроводник и металл-диэлектрик по спектрам отражения и прохождения электромагнитной волны.

Техническим результатом является расширение диапазона измеряемых толщин и класса исследуемых материалов путем увеличения диапазона изменения коэффициентов отражения и прохождения, а также увеличение чувствительности и возможность проведения измерений в узком частотном диапазоне.

Поставленная задача достигается тем, что в способе измерения параметров структуры «металлическая пленка - полупроводниковая или диэлектрическая подложка», включающем ее облучение излучением СВЧ-диапазона с помощью волноведущей системы, измерение частотной зависимости коэффициента отражения электромагнитного излучения СВЧ-диапазона от измеряемой структуры в выбранном частотном диапазоне, согласно решению перед структурой типа «металлическая пленка - полупроводниковая или диэлектрическая подложка» дополнительно размещают одномерный фотонный кристалл, состоящий из периодически чередующихся слоев с различными значениями диэлектрической проницаемости, плоскости которых перпендикулярны направлению распространения электромагнитного излучения и параллельны плоскости измеряемой структуры «металлическая пленка - подложка». Изменяют толщину или диэлектрическую проницаемость одного из слоев для нарушения периодичности структуры. В качестве параметров выбирают электропроводность или толщину металлической пленки, которые определяют по частотной зависимости коэффициента отражения для структуры «фотонный кристалл - металлическая пленка - подложка» при известных параметрах подложки. При этом второй параметр (соответственно толщину или электропроводность) металлического слоя предварительно измеряют. Для определения искомых электрофизических параметров решают обратную задачу с использованием метода наименьших квадратов.

Оригинальность предлагаемого решения заключается в использовании одномерного фотонного кристалла с нарушением периодичности, обеспечивающего широкий диапазон изменения коэффициентов отражения и прохождения и возможность проведения измерений в узком частотном диапазоне.



На рисунке изображено расположение измеряемой структуры и фотонного кристалла в волноводе, где Рпад - мощность падающего на измеряемую структуру СВЧ-излучения, Ротр - мощность отраженного от структуры СВЧ-излучения, Рпрош - мощность прошедшего через структуру СВЧ-излучения, T - коэффициент прохождения, R - коэффициент отражения, tм - толщина металлической пленки, tп - толщина полупроводниковой или диэлектрической подложки, 1 - фотонный кристалл, 2 - металлическая пленка, 3 - полупроводниковая или диэлектрическая подложка.

На рисунке - экспериментальные (дискретные кривые) и расчетные (непрерывные кривые) зависимости квадратов модулей коэффициентов отражения электромагнитной волны от структуры фотонный кристалл-металлическая пленка - поликоровая подложка: толщина металлической пленки 4 нм.

Способ осуществляется следующим образом. Облучают структуру излучением СВЧ-диапазона с помощью волноведущей системы, измеряют частотную зависимость коэффициента отражения электромагнитного излучения СВЧ-диапазона от измеряемой структуры в выбранном частотном диапазоне. Перед структурой типа «металлическая пленка - полупроводниковая или диэлектрическая подложка» дополнительно размещают одномерный фотонный кристалл, состоящий из периодически чередующихся слоев с различными значениями диэлектрической проницаемости, плоскости которых перпендикулярны направлению распространения электромагнитного излучения и параллельны плоскости измеряемой структуры «металлическая пленка-подложка». Изменяют толщину или диэлектрическую проницаемость одного из слоев фотонного кристалла для нарушения периодичности структуры. В качестве параметров выбирают электропроводность или толщину металлической пленки, которые определяют по частотной зависимости коэффициента отражения от структуры «металлическая пленка-подложка», перед которой размещен фотонный кристалл, при известных параметрах подложки, при этом второй параметр (соответственно толщину или электропроводность) металлического слоя предварительно измеряют.


5 Рентгеноспектральный флуоресцентный анализ

Метод основан на анализе спектра, полученного путём воздействия на исследуемый материал рентгеновским излучением.

Во время облучения рентгеновскими лучами атом каждого химического элемента образца излучает энергию (вторичное излучение), по спектру которой элемент может быть однозначно определен. Детектор рентгенофлуоресцентного прибора регистрирует вторичное излучение, определяет его энергию и интенсивность и представляет в виде спектра. Оценка спектра с помощью специальных алгоритмов дает возможность определить из каких элементов состоит образец, их %-ное содержание, а также толщину материала.

После попадания на детектор вторичного рентгеновского излучения, оно преобразовывается в импульс напряжения, который обрабатывается электроникой и после этого передается на компьютер.

Спектр содержит качественную и количественную информацию о тех элементах, из которых состоит образец. По пикам полученного спектра можно качественно определить, какие элементы присутствуют в образце. Информация о толщине покрытия и концентрации элементов в каждом покрытии получают из анализа спектра.

Соотношение между толщиной слоя измеряемого материала и интенсивностью излучения можно определить несколькими методами:

  •  Опытным путем – с использованием калибровочных эталонов.
  •  Теоретически – с использованием метода фундаментального параметра.
  •  Комбинацией обоих методов.

Рентгеноспектральный анализ делится на 2 вида:

1) Эмиссионный;

2) Флуоресцентный.

В эмиссионном анализе анализируемое вещество является анодом рентгеновской трубки, что существенно усложняет аппаратуру и вызывает определённые технические трудности проведения экспериментов. На этом принципе работают приборы микрорентгеноспектрального микроанализа, построенные на базе электронного микроскопа (например, МАР-З). Непременной составной частью установок данного типа являются разборные высоковакуумные системы, в рабочей области которых помещаются исследуемые образцы.

В флуоресцентном методе исследования вещество бомбардируется рентгеновскими лучами, вызывающими вторичное рентгеновское излучение, которое называют флуоресцентным. Измеренные интенсивности линий характеристическою спектра непосредственно связаны с концентрациями определяемых элементов. Характеристические спектры флуоресценции аналогичны характеристическим спектрам первичного рентгеновского излучения. Различие состоит в том, что величина фона в спектрах флуоресценции значительно ниже, чем в первичных спектрах, где на    характеристические линии накладывается непрерывный тормозной спектр. Вследствие этого чувствительность флуоресцентного анализа выше, чем чувствительность анализа по первичным спектрам.

Основными преимуществами метода являются:

- универсальность, т.е. возможность определения почти всех химических элементов (за исключением наиболее легких) на едином приборе по единой схеме в широком диапазоне концентраций;

- отсутствие необходимости вакуумирования рабочей области с исследуемыми образцами упрощает как устройство установки, так и процесс измерения;

- простота подготовки проб к анализу для некоторых приборов, возможность обойтись вообще без подготовки проб;

- высокая точность анализа, ограничиваемая, в принципе, лишь представительностью проб и надежностью данных о составе стандартных образцов, используемых для градуировки;

-  высокие   производительность   и   экспрессность:    время, необходимое для подготовки  и  выполнения   анализа, в зависимости от типа прибора, количества определяемых 4 элементов и требований к точности анализа измеряется минутами или даже секундами.

Рентгеноспектральный флуоресцентный анализ является одним из важнейших методов определения элементного состава промышленных и природных материалов.

Пример установок:

FISCHERSCOPE® X–RAY XUV

  •  Преимущественные области применения

Измерение толщины покрытий и анализ состава материалов для элементов в диапазоне от Z = 11 (Na) до Z = 92 (U). Контакты, печатные платы, растровое сканирование покрытий очень тонкими пучками, тонкие провода.

  •  Рентгеновская трубка

Микрофокусная родиевая трубка. Может быть дополнена шестью первичными фильтрами.

  •  Минимальный размер измеряемого пятна

0,15 мм

  •  Эффективное фокусное расстояние

0 – 80 мм

  •  Программируемые XY перемещения

100 × 100 ×  100 мм;

точность = 0,01 мм

  •  Фокусировка измеряемого пятна

Автофокусировка

  •  Увеличение (применительно к монитору 19”)

Оптическое: 20 – 45х  

Цифровое: по шагам 1, 2, 3 и 4х  

Всего: 20 – 180х


СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

  1.  Технология СБИС: В 2-х кн. Кн.2. Пер. с англ./Под ред. С. Зи. – М.: Мир, 1986
  2.  Нанесение пленок в вакууме. В.Е.Минайчев – Издательство «Высшая школа», 1989
  3.  Методы исследования материалов и структур электроники: Учебное пособие. С.В.Смирнов – Томск: Томский межвузовский центр дистанционного образования, 2006
  4.  Измерения толщины нанометровых слоев металла и электропроводности полупроводника в структурах металл-полупроводник по спектрам отражения и прохождения электромагнитного излучения. Д.А.Усанов, А.В. Скрипаль – Журнал технической физики, том 76, вып.5, 2006
  5.  Проводящие и отражающие свойства тонких металлических пленок. И.В. Антонец, Л.Н. Котов - Журнал технической физики, том 74, вып.11, 2004
  6.  Щука А.А. Наноэлектроника. М.: Физматкнига, 2007.


Изм
.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Лист

2

Разраб.

Смирнова

 Провер.

Сахаров

 Реценз.

Н. Контр.

Утверд.

Курсовая работа по дисциплине

«Методы исследований»

Лит.

Листов

7-МТЭ

Изм.

Лист

№ докум.

Подпись

Дата

Лист

3

Курсовая работа

1

2

3

4

5

6

7

+

-

Рисунок  – Радиоизотопный толщиномер выборочного контроля РТВК-2К

1 – преобразователь радиоизотопный УДЛБ-1К; 2 -  измеритель средней частоты УЧЦ-1К

Курсовая работа

4

Лист

Дата

Подпись

№ докум.

Лист

Изм.

Курсовая работа

5

Лист

Дата

Подпись

№ докум.

Лист

Изм.

Курсовая работа

6

Лист

Дата

Подпись

№ докум.

Лист

Изм.

Курсовая работа

7

Лист

Дата

Подпись

№ докум.

Лист

Изм.

Курсовая работа

8

Лист

Дата

Подпись

№ докум.

Лист

Изм.

Курсовая работа

9

Лист

Дата

Подпись

№ докум.

Лист

Изм.

Курсовая работа

10

Лист

Дата

Подпись

№ докум.

Лист

Изм.

Курсовая работа

11

Лист

Дата

Подпись

№ докум.

Лист

Изм.

Курсовая работа

12

Лист

Дата

Подпись

№ докум.

Лист

Изм.

Курсовая работа

13

Лист

Дата

Подпись

№ докум.

Лист

Изм.

Курсовая работа

14

Лист

Дата

Подпись

№ докум.

Лист

Изм.

Курсовая работа

15

Лист

Дата

Подпись

№ докум.

Лист

Изм.

Курсовая работа

16

Лист

Дата

Подпись

№ докум.

Лист

Изм.

Курсовая работа

17

Лист

Дата

Подпись

№ докум.

Лист

Изм.

Курсовая работа

18

Лист

Дата

Подпись

№ докум.

Лист

Изм.

Курсовая работа

19

Лист

Дата

Подпись

№ докум.

Лист

Изм.

Курсовая работа

20

Лист

Дата

Подпись

№ докум.

Лист

Изм.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

73946. Финансы, конспект лекций 2.73 MB
  Исследование системы финансовых экономических отношений возникающих по поводу образования и использования фондов денежных средств сложный процесс. Finnci1 в переводе означают наличность доход ; в широком смысле денежные средства денежные обороты . Главное назначение финансов состоит в том чтобы путем создания денежных доходов и фондов обеспечить не только потребности государства и предприятий в денежных средствах но и контроль за расходованием финансовых ресурсов. Национальный доход страны равен валовому общественному продукту...
73947. Разрывные нарушения. Трещиноватость, кливаж 41.5 KB
  Понятия о согласном и несогласном залегании осадочных пород. Они выражаются в нарушении сплошности горных пород т.Разрывы со смещением горных пород. Часто сместитель может представлять целую зону раздробленных пород; иметь выпуклую или вогнутую форму быть волнистыми.
73949. Основы работы с базами данных: создание псевдонима, создание таблицы, изменение структуры таблицы 308 KB
  База данных (БД) - это структурированный набор постоянно хранимых данных. Постоянность означает, что данные не уничтожаются по завершении программы или пользовательского сеанса, в котором они были созданы.
73950. Геодезические работы при проектировании изысканий сооружений линейного типа (нивелирование трасс линейных сооружений) 1.69 MB
  На стадии предварительных изысканий трассирование подводящих сетей выполняют камеральным путем пользуясь имеющимися картами с целью получения плана и профиля трассы в масштабе карты. Для составления рабочего проекта производят окончательные изыскания трассы с закреплением ее на местности с необходимой детализацией элементов. Цель этой стадии изысканий получить план профиль трассы в требуемом масштабе; установить геометрические параметры трассы для строительства. Трассирование – комплект геодезических работ по проложению разбивке и...
73951. Геодезические наблюдения за деформациями зданий и сооружений 890 KB
  Определение крена вертикальной оси. Определение крена вертикальной оси Геометрическая сущность измерения крена сводится к определению взаимного положения двух точек сооружения которые по техническим условиям проекта должны лежать на одной отвесной линии. Определение крена с помощью измерения линейной величины. Определение крена по вертикальной нити теодолита.
73952. Геодезические работы при вертикальной планировке строительной площадки 1.43 MB
  В результате проектирования находят отметки проектной поверхности определяют рабочие отметки показывают высоту насыпи или глубину выемки в каждой точке проекта по формуле В завершении вычисляют объем земляных работ и составляют картограмму перемещения земляных масс. Проектирование горизонтальной площадки с соблюдением баланса земляных работ метод вертикальной планировки по квадратам Последовательность геодезических работ на строительной площадке: Построение на строительной площадке сетки квадратов Создание развитие высотного съемочного...
73953. Геодезические работы в строительстве 2.45 MB
  Геодезические работы в строительстве. Организация геодезических работ в строительстве Геодезическая основа строительства Перенос на местность здания или сооружения. Организация геодезических работ в строительстве Виды геодезических работ в строительстве. На строительномонтажной площадке выполняются следующие геодезические работы.
73954. ЭЛЕМЕНТЫ ГЕОДЕЗИЧЕСКИХ РАЗБИВОЧНЫХ РАБОТ 1.29 MB
  Перенесение на местность проектных расстояний Построение проектного угла Вынесение на местность проектных отметок Построение линии с проектным углом I вопрос. Построение линии проектной длины А С обычной технической точностью когда относительные погрешности...