43790

Изучение элементов диодной оптопары: светодиода и фотодиода

Реферат

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Оптронами называют такие оптоэлектронные приборы в которых имеются источник и приемник излучения светоизлучатель и фотоприемник с тем или иным видом оптической и электрической связи между ними конструктивно связанные друг с другом. Яркость излучения L величина равная отношению силы света к площади светящейся поверхности. Максимальное спектральное распределение λmx длина волны излучения соответствующая максимуму спектральной характеристики излучения СИД. Характеристики светодиодов Цвет свечения характеризуется спектральными...

Русский

2013-11-06

462.73 KB

36 чел.

Изучение элементов диодной оптопары: светодиода и фотодиода

Цель: изучение параметров и характеристик светодиодов и фотодиодов.

1. Оптроны

Оптронами называют такие оптоэлектронные приборы, в которых имеются источник и приемник излучения (светоизлучатель и фотоприемник) с тем или иным видом оптической и электрической связи между ними, конструктивно связанные друг с другом.

Принцип действия оптронов любого вида основан на следующем. В излучателе энергия электрического сигнала преобразуется в световую, в фотоприемнике, наоборот, световой сигнал вызывает электрический отклик. Электрический сигнал на излучатель может поступать как от внешнего источника, так и по цепи электрической связи от фотоприемника. Световой сигнал на фотоприемник может поступать также как извне, так и по цепи оптической связи от излучателя. Таким образом, и светоизлучатель и фотоприемник могут выступать в качестве элементов электрической и оптической цепей. Возможность реализации прямых и обратных, положительных и отрицательных связей между этими элементами по цепям обоих видов предопределяет ширину функциональных возможностей оптронов.

Практически распространение получили лишь оптроны, у которых имеется прямая оптическая связь от излучателя к фотоприемнику и, как правило, исключены все виды электрической связи между этими элементами.

По степени сложности структурной схемы среди изделий оптронной техники выделяют две группы приборов. Оптопара (говорят также «элементарный оптрон») представляет собой оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучающего и фотоприемного элементов, между которыми имеется оптическая связь, обеспечивающая электрическую изоляцию между входом и выходом. Оптоэлектронная интегральная микросхема представляет собой микросхему, состоящую из одной или нескольких оптопар и электрически соединенных с ними одного или нескольких согласующих или усилительных устройств.

По конструктивному исполнению оптроны обычно ничем не отличаются от полупроводниковых приборов и интегральных схем. Таким образом, рассматриваемые здесь оптопары и оптоэлектронные микросхемы представляют собой приборы с электрическими входными и выходными сигналами, отличающиеся тем, что внутри них связь входа с выходом осуществляется с помощью световых сигналов. В электронной цепи такой прибор выполняет функцию элемента связи, в котором в то же время осуществлена электрическая (гальваническая) развязка входа и выхода (Рисунок 1). Детальный анализ оптронов показывает, что при умелом использовании внешних электрических связей эти приборы могут обладать и другими функциональными возможностями.

Рисунок 1 – Электрическая схема диодного оптрона

Отличительные особенности оптронов. Достоинства этих приборов базируются на общем оптоэлектронном принципе использования электрически нейтральных фотонов для переноса информации. Основные из них следующие:

— возможность обеспечения идеальной электрической (гальванической) развязки между входом и выходом: для оптронов не существует каких-либо принципиальных физических или конструктивных ограничений по достижению сколь угодно высоких напряжений и сопротивлений развязки и сколь угодно малой проходной емкости;

— возможность реализации бесконтактного оптического управления электронными объектами и обусловленные этим разнообразие и гибкость конструкторских решений управляющих цепей;

— однонаправленность распространения информации по оптическому каналу, отсутствие обратной реакции приемника на излучатель;

— широкая частотная полоса пропускания оптрона, отсутствие ограничения со стороны низких частот (что свойственно импульсным трансформаторам); возможность передачи по оптронной цепи как импульсного сигнала, так и постоянной составляющей;

— возможность управления выходным сигналом оптрона путем воздействия (в том числе и неэлектрического) на материал оптического канала и вытекающая отсюда возможность создания разнообразных датчиков, а также разнообразных приборов для передачи информации;

— возможность создания функциональных микроэлектронных устройств с фотоприемниками, характеристики которых при освещении изменяются по сложному заданному закону;

— невосприимчивость оптических каналов связи к воздействию электромагнитных полей, что в случае «длинных» оптронов (с протяженным волоконно-оптическим световодом между излучателем и приемником) обусловливает их защищенность от помех и утечки информации, а также исключает взаимные наводки;

— физическая и конструктивно-технологическая совместимость с другими полупроводниковыми и микроэлектронными приборами.

Оптронам присущи и определенные недостатки:

— значительная потребляемая мощность, обусловленная необходимостью двойного преобразования энергии (электричество — свет — электричество) и невысокими КПД этих переходов;

— повышенная чувствительность параметров и характеристик к воздействию повышенной температуры и проникающей ядерной радиации;

— более или менее заметная временная деградация (ухудшение) параметров;

— относительно высокий уровень собственных шумов, обусловленный, как и два предыдущих недостатка, особенностями физики светодиодов;

— сложность реализации обратных связей, вызванная электрической разобщенностью входной и выходной цепей;

— конструктивно-технологическое несовершенство, связанное с использованием гибридной непланарной технологии (с необходимостью объединения в одном приборе нескольких отдельных кристаллов из различных полупроводников, располагаемых в разных плоскостях).

Перечисленные недостатки оптронов по мере совершенствования материалов, технологии, схемотехники частично устраняются, но тем не менее еще длительное время будут носить достаточно принципиальный характер. Однако их достоинства столь высоки, что обеспечивают уверенную внеконкурентность оптронов среди других приборов микроэлектроники.

2. Светодиоды

Светодиод (СИД) представляет собой полупроводниковый диод с р-n-переходом, протекание тока через который вызывает интенсивное некогерентное излучение. Работа светодиода основана на спонтанной рекомбинационной люминесценции избыточных носителей заряда, инжектируемых в активную область (базу) светодиода. Для светодиодов характерны два механизма излучательной рекомбинации: межзонная рекомбинация свободных электронов и дырок в прямозонных полупроводниках (квантовые переходы зона-зона); рекомбинация электронов и дырок в составе экситонов, связанных с примесными изоэлектронными центрами (ловушками) в непрямозонных полупроводниках.

2.1. Параметры светодиодов

Сила света Iv — излучаемый диодом световой поток, приходящий на единицу телесного угла в направлении, перпендикулярном к плоскости излучающего кристалла. Указывается при заданном значении прямого тока и измеряется в канделах (кд).

Яркость излучения L — величина, равная отношению силы света к площади светящейся поверхности. Она измеряется в канделах на квадратный метр (кд/м2) при заданном значении прямого тока через диод.

Постоянное прямое напряжение Uпр — значение напряжения на светодиоде при протекании постоянного прямого тока.

Максимально допустимый постоянный прямой ток Iпр max — максимальное значение постоянного прямого тока, при котором обеспечивается заданная надежность при длительной работе диода.

Максимально допустимое обратное напряжение Uобр max — максимальное значение постоянного напряжения, приложенного к диоду, при котором обеспечивается заданная надежность при длительной работе.

Максимально допустимое обратное импульсное напряжение Uобр имп — максимальное пиковое значение обратного напряжения на светодиоде, включая как однократные выбросы, так и периодически повторяющиеся.

Максимальное спектральное распределение λmax — длина волны излучения, соответствующая максимуму спектральной характеристики излучения СИД.

2.2. Характеристики светодиодов

Цвет свечения характеризуется спектральными характеристиками излучения диодов. Диоды на основе фосфида галлия имеют спектральные характеристики с двумя выраженными максимумами в красном и зеленом участках спектра. В зависимости от количества активирующих примесей, внедренных в структуру излучающего кристалла при изготовлении, соотношение между значениями максимумов изменяется в сторону красного или зеленого цвета. При достижении этого соотношения 10:1 и выше получают красный или зеленый цвет излучения. При соотношениях максимумов 10:4 получают светодиоды желто-оранжевого цвета свечения.

Излучение диода характеризуется диаграммой направленности, которая определяется конструкцией диода (Рисунок 2), наличием линзы, оптическими свойствами защищающего кристалл материала. Излучение СИД может быть узконаправленным или рассеянным.

Рисунок 2 – Схема включения светодиода

Эффективность работы СИД характеризуется зависимостями параметров оптического излучения от прямого тока через элемент от длины волны излучения. Зависимость потока излучения Ф, Вт, от прямого тока Iпр называется излучательной (яркостной) характеристикой (Рисунок 3).

В справочной литературе излучательной характеристикой называют также зависимость яркости L, кд/м2, от прямого тока, а зависимость силы света от прямого тока — световой характеристикой.

В качестве параметра электрического режима выбран прямой ток через светодиод, а не напряжение на нем. Это связано с тем, что у СИД p-n-переход включают в прямом направлении и его электрическое сопротивление мало. Обычно прямой ток через СИД задается внешней цепью: например, соответствующим выбором ограничивающего сопротивления Rогр (Рисунок 2).

При малых токах Iпр велика доля рекомбинации составляющей тока и коэффициент инжекции мал. С ростом прямого тока поток излучения сначала быстро увеличивается до тех пор, пока в токе диода не становится преобладающей диффузионная составляющая тока. Дальнейшее увеличение приводит к постепенному насыщению центров люминесценции и сопровождается ростом ударной рекомбинации. Поэтому при определенном токе излучательная характеристика имеет максимум. Максимальная сила излучения зависит от площади и геометрии излучающего p-n-перехода и от размеров электрических контактов.

Рисунок 3 – Излучательная характеристика светодиода

2.3. Определение и оценка параметров светодиодов

Параметры светодиодов как элементов цепей постоянного тока определяются их вольт-амперными характеристиками (ВАХ). Различия прямых ветвей ВАХ связаны с разницей в ширине запрещенной зоны применяемых материалов. Чем меньше длина волн излучения, тем больше прямое падение напряжения на светодиоде и потери электрической энергии в нем (Рисунок 4). Обратные ветви ВАХ имеют малое допустимое обратное напряжение, так как ширина р-n-перехода в СИД невелика. При работе в схемах с большими обратными напряжениями последовательно со светодиодом необходимо включать обычный диод.

Основные параметры диодов зависят от температуры. Зависимость яркости (силы света) от температуры практически линейная. С увеличением температуры яркость (сила света) уменьшается. В интервале рабочих температур яркость может изменяться в два-три раза.

Рисунок 4 – Вольт-амперные характеристики диодов

Светодиоды обладают высоким быстродействием. Излучение нарастает за время менее 10 нс после подачи импульса прямого тока. Однако для устройств отображения, в которых обычно используются СИД, быстродействие не является критичным. Поэтому для серийных светодиодов временные параметры не приводятся.

Светодиоды широко применяются в радиоэлектронной аппаратуре в устройствах индикации: включения, готовности и работе, наличия напряжения, аварийной ситуации, достижения температурного порога, выполнения функционального задания.

Светодиоды излучают свет видимого спектра, когда через них протекает электрический ток. Приборы в металлическом корпусе со стеклянной линзой обеспечивают направленное излучение света, а изготовленные в пластмассовых корпусах, выполненных из оптически прозрачного компаунда, создают рассеянное излучение.

Хотя цвет (длина волны) излучения определяется использованным материалом, количество света, испускаемого светодиодом, зависит от тока возбуждения и быстро увеличивается с ростом плотности тока.

Положение точки перегиба любой из кривых на рисунке 5 непосредственно связано с шириной запрещенной зоны и для красных светодиодов соответствует меньшему прямому падению напряжения. Согласно рисунку 5 динамическое сопротивление красных светодиодов равно (1...2) Ом, в то время как для материалов, дающих более коротковолновое излучение, оно составляет (7...15) Ом.

По мере роста плотности тока через p-n-переход большее число электронов и дырок инжектируется в запрещенную зону. При их движении возникают вторичные эффекты, повышающие число дырок и электронов, которые могут излучательно рекомбинировать. В результате световая эффективность СИД увеличивается. Следует отметить, что красные GaP-светодиоды начинают излучать при малых плотностях тока, однако их излучение достигает насыщения при относительно низких плотностях тока по сравнению со светодиодами из других материалов.

1 – красный СИД; 2 – оранжевый СИД; 3 – желтый СИД; 4 – зеленый СИД

Рисунок 5 – Зависимость тока Iпр от напряжения Uпр

3. Фотодиоды

Фотодиод — это фотоприемник, представляющий собой полупроводниковый диод, сконструированный и оптимизированный так, что его активная структура оказывается способной эффективно воспринимать оптическое излучение. Практически для этого корпус фотодиода имеет специальное прозрачное окно, за которым располагается фоточувствительная площадка полупроводникового кристалла. Принимаются также меры по устранению с этой площадки затеняющих элементов (непрозрачных металлических электродов), сводятся до минимума толщины вспомогательных слоев полупроводника, ослабляющих фотоэффект, на фоточувствительную поверхность наносятся специальные антиотражающие покрытия и т. п.

Активная структура фотодиода представляет собой монокристалл полупроводника, содержащий переход, контакт и барьер, в области которого имеется скачок потенциала. На рисунке 6 представлена фоточувствительная p+-i(v)-n+-структура, где i-область (или, точнее, v-, т. е. очень слабо легированная n-область) есть база фотодиода, p+-i-переход создает упомянутый скачок потенциала, а i-n+-переход представляет собой тыловой омический контакт; полярность прикладываемого к электродам внешнего напряжения соответствует нормальному включению фотодиода (обратное напряжение обычного диода).

Штриховая линия – граница области объемного заряда  

Рисунок 6 – Активная структура кремниевого p-i-n-фотодиода

Падающее на прозрачное окно фотодиода излучение с незначительными потерями достигает i-базы, в которой и поглощается с одновременной генерацией носителей заряда. При этом возможно доминирование одного из двух явлений: ионизации атомов самого полупроводника (межзонные переходы) или специально введенных в него примесей. В этой связи говорят о фотодиодах (или шире фотоприемниках), основанных на собственном или примесном фотоэффекте. Следует отметить, что интенсивность проявления примесного фотоэффекта неизмеримо меньше, чем собственного. Это обусловлено тем, что доля примесных атомов по отношению к атомам собственно полупроводника никогда не превышает 10-3…10-4 и практически лежит в интервале 10-6…10-8. Поэтому примесный фотоэффект используется в оптоэлектронике лишь в исключительных случаях, когда не удается использовать подходящий материал с собственной фотопроводимостью и когда допустимо снижение фоточувствительности. Практически примесный фотоэффект используется лишь в приборах ИК-видения; основная тенденция их развития также связана с поиском возможностей перехода на собственный фотоэффект.

Генерация фотоносителей в базе приводит к нарушению концентрационного равновесия — начинается их перемещение, дырок влево (Рисунок 6), электронов вправо. Это перемещение осуществляется благодаря механизму диффузии или если в базе имеется электрическое поле, что типично для p-i-n-структур, вследствие дрейфа. Роль p+-i-перехода, представляющего потенциальный барьер, удерживающий дырки в p+-области, а электроны в i-области, состоит в разделении генерированных электронов и дырок, что влечет за собой изменение разности потенциалов между p+- и i-областями, т. е имеет место фотовольтаическяй эффект. Во внешней электрической цепи это проявляется двояко: при малых приложенных напряжениях (условно Uфд=0) фотодиод сам генерирует некоторую ЭДС; при значительных внешних смещениях перемещение фотоносителей ведет к появлению фототока Iф, добавочного к темновому току Iт, протекающему через p+-i-n-структуру без воздействия излучения.

Добавление фототока к основному осуществляется алгебраически, т. е. со знаком «+» или «-»; оно может быть заметно, если собственный ток фотодиода мал, т. е. при обратном смещении. Сказанное объясняет вид семейства вольт-амперных характеристик фотодиода (Рисунок 7): I квадрант — протекание тока, равного Iф+IтIф (фотодиодный режим), воздействие излучения существенно; II — фотодиод выступает как источник напряжения (фотовентильный режим); III — вычитание фототока из прямого тока диода Iпр, заметное лишь при малых значениях Iпр. В оптоэлектронике применяется фотодиодный режим работы, так как именно при этом достигается высокое быстродействие; фотовентильный режим используется крайне редко, если не считать специальных случаев (в основном солнечные фотопреобразователи).

Рисунок 7 – Семейство вольт-амперных характеристик кремниевого p-i-n-фотодиода

3.1. Параметры и характеристики фотодиодов

К основным параметрам фотодиода, достаточно полно описывающим его как приемник оптических сигналов и как элемент электрической цепи, относятся:

1. Монохроматическая чувствительность sф, А/Вт, равная отношению фототока к полной мощности излучения с длиной волны λ, падающей на чувствительную площадку фотодиода:

2. Темновой ток Iт, равный току утечки фотодиода при полном затемнении и при заданном обратном напряжении.

3. Максимально допустимое обратное напряжение Uобр.макс.доп, характеризующее предельные возможности фотодиода при включении в электрическую цепь.

4. Время нарастания (спада) tнр(сп) фототока, определяемое по фронту (срезу) фотоответа (обычно по уровням 0,1 и 0,9 амплитуды импульса фототока) при воздействии на фотодиод идеально прямоугольного импульса излучения.

5. Граничная частота fгр, определяемая при изменении частоты модуляции оптического излучения по спаду чувствительности sф до значения 0,707 от чувствительности при немодулированном излучении.

6. Емкость фотодиода Cфд, равная сумме зарядной емкости активной структуры и паразитной емкости корпуса; во многих режимах работы именно параметр Cфд, а не tнр(сп) — определяет инерционность прибора.

7. Площадь фоточувствительной площадки А.

Основными характеристиками фотодиода являются вольт-амперная (ВАХ), спектральная и энергетическая характеристики.

ВАХ — зависимость напряжения на выходе фотодиода от выходного тока (фототока) при заданном потоке излучения. Спектральная характеристика — зависимость чувствительности фотодиода от длины волны падающего на фотодиод монохроматического излучения. Энергетическая характеристика выражает зависимость фототока от потока излучения, падающего на фотодиод. Энергетическая характеристика описывается, как правило, степенной функцией вида:

Показатель степени n характеризует линейность энергетической характеристики. При n≈1 характеристика линейна; область значений Ф (от Фmin до Фmax), в которой это условие выполняется, определяет динамический диапазон ∆Ф линейности фотоприемника. Динамический диапазон выражается в децибелах:

Длинноволновая граница спектра λгр определяет максимальную длину волны падающего на фотодиод излучения; коротковолновая граница λк обусловлена возрастанием поглощения излучения в пассивных областях структуры при уменьшении длины волны.

3.2. Влияние температуры на спектральные характеристики фотодиодов

Изменение спектральных характеристик фотодиода от температуры, в основном, обусловлено температурной зависимостью коэффициента собирания. Последняя в свою очередь определяется температурными изменениями коэффициента поглощения света, ширины запрещенной зоны полупроводника, диффузионной длины неосновных носителей, изменениями ширины области объемного заряда и режимом работы прибора. С увеличением температуры ширина запрещенной зоны полупроводника уменьшается и условия образования электронно-дырочных пар фотонами с меньшей энергией облегчаются, т. е. край собственного поглощения полупроводника смещается в длинноволновую область спектра. С понижением температуры ширина запрещенной зоны увеличивается, для ее преодоления и создания пар электрон — дырка требуются фотоны с большей энергией, а следовательно, край собственного поглощения полупроводника смещается в коротковолновую область. В связи с этим спектральная характеристика фотодиода с понижением температуры смещается в сторону коротких длин волн, с повышением температуры — в длинноволновую область. Для Si изменение ширины запрещенной зоны с температурой считается линейным с наклоном — 4•10-4 эВ/°С, для Ge зависимость ширины запрещенной зоны от температуры квадратичная.

На рисунке 8,а приведена зависимость коэффициента собирания германиевых фотодиодов от длины волны для нескольких температур, откуда видно, что с падением температуры максимум сдвигается в сторону коротких длин воли. Своеобразная форма спектральной кривой германиевых фотодиодов при низких температурах является следствием сильной температурной зависимости скорости поверхностной рекомбинации. Для кремниевых фотодиодов также наблюдается аналогичный сдвиг максимума спектральных кривых с изменением температуры, но в коротковолновой области изменение чувствительности с температурой незначительной (Рисунок 8,б).

а – зависимость коэффициента собирания германиевых фотодиодов

от длины волны; б – спектральные характеристики

кремниевого фотодиода

Рисунок 8 – Влияние температуры на параметры фотодиодов

Кроме изменения ширины запрещенной зоны полупроводника с температурой наблюдается также изменение коэффициента поглощения света и соответственно изменение глубины проникновения света в полупроводник. С понижением температуры коэффициент поглощения света уменьшается, что увеличивает глубину проникновения фотонов излучения в полупроводник. С повышением температуры глубина проникновения света уменьшается. В связи с этим в зависимости от температуры поглощение света происходит в различных областях фотодиода и кривая изменения коэффициента собирания, а соответственно и спектральная характеристика при изменении температуры имеют различный характер. Если при комнатной температуре поглощение коротковолнового излучения происходит в базе фотодиода ближе к поверхности, то с понижением температуры поглощение будет происходить либо в базе ближе к р-n переходу, либо в области объемного заряда перехода; при этом создаваемые светом электронно-дырочные пары будут разделяться р-n переходом, не успевая рекомбинировать. Соответственно с уменьшением потерь на объемную и поверхностную рекомбинацию чувствительность к коротковолновой области спектра с понижением температуры увеличивается. Особенно сильно подобное изменение чувствительности проявляется для фотодиода с тонкой базой, с увеличением же толщины базы этот эффект выражен более слабо. С повышением температуры чувствительность в коротковолновой области спектра уменьшается, так как увеличивается число фотонов, поглощаемых вблизи поверхности, и соответственно увеличиваются потери на рекомбинацию. Длинноволновое излучение при низких температурах проникает глубже в полупроводник. При этом создаваемые фотонами света электроны и дырки, рекомбинируя друг с другом, погибают, не успевая дойти до р-n перехода, в результате чего чувствительность уменьшается.

С повышением температуры чувствительность в длинноволновой области спектра увеличивается, так как увеличивается число фотонов, поглощаемых вблизи р-n перехода.

На рисунке 9 приведена экспериментальная зависимость чувствительности кремниевого фотодиода от температуры для двух длин волн излучения: 1 — для длины волны λ=0,85 мкм, соответствующей максимуму спектральной кривой, и 2 — для длины волны λ=0,95 мкм. Температурная зависимость чувствительности имеет линейный характер, причем для длинноволнового излучения наблюдается более резкая зависимость от температуры. Такое отличие в изменении чувствительности для двух длин волн можно объяснить различным характером поглощения света. Для длины волны λ=0,85 мкм поглощение происходит, в основном, в области объемного заряда, где отсутствует рекомбинация носителей, а для λ=0,95 мкм свет поглощается за областью р-n перехода (в коллекторе), где имеет место рекомбинация носителей.

1 – для λ=0,85 мкм; 2 – для λ=0,95 мкм

Рисунок 9 – Экспериментальная зависимость чувствительности

в относительных единицах кремниевого фотодиода от температуры

для двух длин волн излучения

Спектральные характеристики фотодиода с глубокими энергетическими уровнями изменяются с температурой в зависимости от режима работы фотоприемника (ФП). При низких температурах (-100 °С) толщина области объемного заряда довольно большая (примерно 300 мкм). При работе ФП в фотовольтаическом режиме поле в этой области настолько мало, что время пролета носителей в ней соизмеримо, а иногда и больше времени жизни неосновных носителей. В результате большая часть создаваемых светом носителей рекомбинирует друг с другом, не влияя на величину фототока. Спектральная чувствительность в этом случае значительно меньше, чем у обычных кремниевых ФП (рисунок 10, кривая 4). В фотодиодном режиме работы поле в области объемного заряда сильно возрастает, создаваемые светом носители двигаются под действием поля, не успевая рекомбинировать, и чувствительность ФП увеличивается в несколько раз (рисунок 10, кривая 3). Для такого ФП с широкой областью объемного заряда снижение чувствительности в длинноволновой области спектра вызвано уменьшением коэффициента поглощения света в кремнии. Максимум спектральных кривых ФП в этом случае смещается с изменением температуры незначительно.

1 – при U=0 В, T=+20 °С; 2 – при U=50 В, T=+20 °С;

3 – при U=50 В, T=-100 °С; 4 – при U=0 В, T=-100 °С

Рисунок 10 – Спектральные характеристики ФП с

глубокими уровнями при различных температурах

Заключение: в ходе выполнения данного отчета были изучены характеристики и параметры светодиодов и фотодиодов.

Литература

1. Игнатов, А.Н. Оптоэлектронные приборы и устройства: учебное пособие / А.Н. Игнатов. – Москва: Эко-Трендз, 2006. – 272 с.  

2. Носов, Ю.Р. Оптоэлектроника / Ю.Р. Носов. – 2-е изд., перераб. и доп. – Москва: Радио и связь, 1989. – 360 с.

3. Носов, Ю.Р. Оптроны и их применение / Ю.Р. Носов, А.С. Сидоров. – Москва: Радио и связь, 1981. – 280 с.  

4. Бузанова, Л.К. Полупроводниковые фотоприемники / Л.К. Бузанова, А.Я. Глиберман. – Москва: Энергия, 1976. – 64 с.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

27423. Методика обучения конструктивным видам искусства: архитектура и дизайн в жизни человека (8 класс). Интегрированный подход 52.5 KB
  Методика обучения конструктивным видам искусства: архитектура и дизайн в жизни человека 8 класс. Язык этого вида искусства всегда строился и строится на организации пространства здания города села парка и проживания в нём человека. но возникновение этого вида искусства прочно связано с промышленностью с расцветом индустриального производства. Выход за рамки одного искусства одного предмета.
27424. История художественного образования.Обучение искусству в древних цивилизациях:Др.Египет, др.Греция, Античный Рим 48 KB
  Общеобразовательная система художественного образования строилось на обучении рисунку так как написание иероглифов требовало определенных навыков. Система образования имела строгие требования к дисциплине. Система художественного образования в Древней Греции.
27425. Обучение искусству в эпоху Средневековья. Зависимость образовательность моделей с существующими в данной формации духовным (религиозным) идеалом и назначением человека.Школа-монастырь.Методы обучения рисованию в Древней Руси 34 KB
  Методы обучения рисованию в Древней Руси. Основа обучения в этот период – механическое копирование. Итак в эпоху средневековья: основной метод обучения – копирование по образцам способствовавшее развитию ремесленного труда; процесс обучения – самостоятельная работа в составе артели мастеров. службы школыобщежития для подготовки мальчиков к монашеству школы обучения грамоте и церков.
27426. Методы обучения искусству в эпоху Просвещения. Влияние западной школы академического рисования на становление и развитие российской художественной школы 32.5 KB
  Методы обучения искусству в эпоху Просвещения. Хронологическими рамками Просвещения принято считать 1688–1789 гг. Русское Просвещение унаследовало проблематику Европейского Просвещения но осмысливало и развивало ее вполне самобытно в контексте с исторической ситуацией сложившейся в российском обществе того времени. Идеи Просвещения вначале были восприняты знаменитым царемреформатором Петром Великим и его сподвижниками.
27427. Становление и развитие методики обучения рисованию в российских школах XIX в.Школа А.Венецианова; училище технического рисования графа С.Строганова 40.5 KB
  Венецианова; училище технического рисования графа С.Строганова; курс рисования А.Чистякова; школа Ашбе: геометральный и натуральный методы рисования. он на свои деньги основал бесплатную Строгановскую школу рисования в которой училось искусствам и ремеслам 360 человек в том числе и бедные дети горожан и крепостные.
27428. Понятие образования и образовательных моделей. Историческая реконструкция образовательных моделей как форм организации содержания образования и технологии воспроизводства культуры 15.02 KB
  Историческая реконструкция образовательных моделей как форм организации содержания образования и технологии воспроизводства культуры Образование это процесс и результат приобщения человека к знаниям о мире ценностям опыту накопленному предшествующими поколениями.Модели образования История зафиксировала различные модели образования каждая из которых имеет свои положительные тенденции и сыграла определенную роль. Модель образования как государственноведомственной организации.
27429. Методика обучения как педагогическая наука. Предмет методики. Современное понимание содержания и структуры образования. Специфика художественного образования и обучения искусству 30 KB
  Современное понимание содержания и структуры образования. Специфика художественного образования и обучения искусству. Содержание образования – это социальный опыт деятельности. В содержание образования входит 4 компонента: знания; умения навыки; опыт эмоциональноценностных отношений; опыт творческой деятельности.
27430. Методы обучения искусству в эпоху Возрождения. Школа-мастерская.Ченнино Ченнини, Альберта, Леонардо да Винчи, А.Дюрер.Методы обрубовки.Метод завесы 38 KB
  Методы обучения искусству в эпоху Возрождения. Постановка обучения в эпоху Возрождения представляла собой следующие этапы. После 6 – 8 лет обучения ученик мог остаться в мастерской в качестве помощника но мог и перейти к другому мастеру. Основа обучения – рисунок.
27431. Особенности развития художественного образования в России и за рубежом конца 19-начала 20 в. История становления современной системы художественного образования в общеобразовательной школе. Истоки многообразия концепций и подходов 39 KB
  Особенности развития художественного образования в России и за рубежом конца 19начала 20 в. История становления современной системы художественного образования в общеобразовательной школе. – определяется приоритетным значением в среде художественнопедагогической общественности как в нашей стране так и за рубежом идея всеобщего эстетического и художественного воспитания. Ведущим в данный период развития художественного образования становится лозунг от ребёнка к методу.