4389

Использование массивов в языке С++

Реферат

Информатика, кибернетика и программирование

Использование массивов в языке С++ Одномерные массивы Массив (array) – это набор элементов, способных хранить данные одного типа. Каждый элемент хранения называется элементом массива. Объявляя массив, необходимо сначала указать тип храним...

Русский

2012-11-18

43.5 KB

8 чел.

Использование массивов в языке С++

  1.  Одномерные массивы

Массив (array) – это набор элементов, способных хранить данные одного типа. Каждый элемент хранения называется элементом массива. Объявляя массив, необходимо сначала указать тип хранимых данных, а затем имя массива и его размер. Размером массива называется количество его элементов, указываемое в квадратных скобках.

 Пример 5.1. long LongArray[25];

В примере 5.1. объявлен массив с именем LongArray из 25-ти элементов типа long. Поскольку каждой переменной типа long необходимы четыре байта, весь объявленный набор займет непрерывную область памяти размером 100 байт.

К каждому из элементов можно обратиться по его номеру, расположенному в квадратных скобках после имени массива. Номера элементов массива начинаются с нуля. Следовательно, первым элементом массива LongArray будет LongArray[0], вторым – LongArray[1], последним – LongArray[24].

При записи значения в элемент массива компилятор вычисляет необходимую область памяти на основании размера типа элемента и размера массива. Если необходимо записать значение в переменную LongArray[5], являющуюся шестым элементом массива, компилятор умножает индекс 5 на размер переменной (в данном случае 4 байта). Затем текущий указатель смещается на 20 байтов от начального адреса массива, и записывается новое значение.

Если попробовать записать значение в элемент LongArray[50], то компилятор, проигнорировав тот факт, что такого элемента не существует, вычислит смещение от начала массива (200 байт), а затем запишет значение по этому адресу. Здесь могут оказаться другие данные, и запись нового значения может иметь непредсказуемые последствия.

Небольшой массив переменных встроенных типов можно инициализировать при объявлении. Для этого после имени массива помещают знак равенства и заключенный в фигурные скобки список значений, отделяемых запятой. Например:

int IntegerArray[5] = {10, 20, 30, 40, 50};

Если размер массива не указан, но список значений присутствует, то будет создан и инициализирован массив достаточного размера, чтобы содержать все перечисленные значения. Таким образом, эта строка аналогична предыдущей:

int IntegerArray[ ] = {10, 20, 30, 40, 50};

Нельзя инициализировать количество элементов, превосходящее объявленный размер массива:

int IntegerArray[5] = {10, 20, 30, 40, 50, 60};

Такая строка приведет к ошибке во время компиляции, поскольку объявлен массив для пяти элементов, а инициализировать пытались шесть. Но следующая запись вполне допустима:

int IntegerArray[5] = {10, 20};

В данном случае объявлен массив из пяти элементов, а инициализированы только два: IntegerArray[0] и IntegerArray[1].

Массивы могут иметь любые имена, допустимые для переменных. Имена массивов и переменных не могут совпадать в пределах одной области видимости. При объявлении количества элементов можно использовать не только константу, но и перечисление. Такой подход облегчает контроль над количеством элементов всех массивов, позволяя указать их размеры в едином месте.

Листинг 5.1. Задание размера массива с помощью перечислений

#include <iostream>

int main(){

enum WeekDays {Sun, Mon, Tue, Wed, Thu, Fri, Sat, DaysInWeek};

int ArrayWeek[DaysInWeek]={10, 20, 30, 40, 50, 60, 70};

std::cout<<"The value at Tuesday is: "<<ArrayWeek[Tue]<<" \n";

std::cout<<"The value at Friday is: "<<ArrayWeek[Fri]<<" \n";

char resp;

std::cin>>resp;

return 0;

}

РЕЗУЛЬТАТ

 The value at Tuesday is: 30

The value at Friday is: 60

  1.   Многомерные массивы

Можно создать массив более одной размерности. Каждая размерность представляет собой дополнительный индекс массива. Следовательно, двумерный массив имеет два индекса, трехмерный – три и т.д. Массив может иметь любое количество размерностей, но в большинстве случаев достаточно одной или двух.

Многомерный массив можно инициализировать тем же способом, что и одномерный, например

int theArray[5][3] =

{1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12,13,14,15};

Чтобы было понятнее, значения при инициализации можно разделить фигурными скобками:

 int theArray[5] [3] = {

{1, 2, 3},

{4, 5, 6},

{7, 8, 9},

{10, 11, 12},

{13, 14, 15} };

Компилятор проигнорирует внутренние фигурные скобки, но они сделают набор чисел нагляднее.

  1.  Массивы символов (строки)

Строка в стиле С++ представляет собой массив символов, завершающийся пустым значением null. Строку можно объявлять инициализировать, как и любой другой массив, например:

Char Greeting[ ] = {‘H’,’e’,’l’,’l’,’o’, ‘ ‘, ‘W’, ‘o’,’r’,’l’,’d’, ‘\0’};

В данном случае объявлен массив символов Greeting, который инициализирован набором символов. Последний символ ‘\0’ является пустым символом (символом null). Именно он служит для функций языка С++ признаком конца строки. Хотя такой «посимвольный» подход и работоспособен, но труден для вывода и порождает слишком много ошибок. Язык С++ допускает использование более кратких форм. Например, объявление предыдущей строки может выглядеть так

Char Greeting[ ] = “Hello World”;

В последнем случае добавлять символ null в конце строки не нужно, компилятор сделает это сам (однако нужно помнить, что он там присутствует).

При объявлении строковой переменной необходимо удостовериться, что ее размер достаточен для выполнения поставленной задачи. Длину строки составляет количество символов строки, включая символы пробела и завершающий нулевой символ. Например, строка Hello World занимает 12 байт: Hello – 5 байт, пробел – 1, World – 5 и символ null – еще один.

Можно также создавать и неинициализированные символьные массивы. Однако при этом следует удостовериться, что в буфер будет записано данных не больше его вместимости. Для этого используется метод cin.get().

Листинг 5.2. Заполнение массива максимальным количеством символов с помощью метода cin.get()

// Применение метода cin.get()

#include <iostream>

using namespace std;

int main(){

char buffer[80];

cout<<"Enter the string: ";

cin.get(buffer, 79);

cout<<"Here's the buffer: "<<buffer<<endl;

char resp;

cin>>resp;

return 0;

}

Первый аргумент метода cin.get() – это буфер, объявленный ранее как массив символов (букв). Второй аргумент – максимально количество вводимых символов. В данном случае – 79, чтобы учесть завершающий символ null. Третий параметр (символ завершения ввода) необязателен, поскольку по умолчанию признаком завершения является новая строка. При вводе пробелов, символов табуляции или других непечатаемых символов они также войдут в состав строки. Символом новой строки заканчивается ввод. Ввод 79-ти символов также приведет к завершению ввода.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

29766. Классификация полупроводниковых материалов. Собственные и примесные полупроводники. Примеси в полупроводниках 29.49 KB
  Примеси в полупроводниках. Преднамеренное введение примеси называется легированием соответствующие примеси – легирующие а полупроводник – легированным или примесным. Кроме легирующих примесей существуют случайные или фоновые примеси непреднамеренно вводимые в полупроводник в процессе его производства и обработки. Фоновые примеси как правило ухудшают основные свойства материала и затрудняют управление ими.
29767. Монокристаллический кремний. Его применение, получение и свойства 36.46 KB
  Применение полупроводникового кремния. тонн кремния ежегодно Япония США Германия. Это базовый материал микроэлектроники который потребляет 80 полупроводникового кремния. Более 90 всех солнечных элементов изготавливаются из кристаллического кремния.
29768. Поликристаллический кремний. Применение, свойства, получение 26.53 KB
  Применение поликристаллического кремния Поликристаллический кремний весьма распространённый материал в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем. Возможность получения поликристаллического кремния с электрическим сопротивлением отличающимся на несколько порядков а также простота технологии привели к тому что он используется в технологии интегральных схем с одной стороны в качестве высокоомного материала затворов нагрузочных резисторов а с другой в качестве низкоомного материала межсоединений. Достоинства разводки на основе...
29770. Полупроводниковые соединения типа 29.44 KB
  Лазеры на основе соединений типа используются в телекоммуникационных устройствах волоконнооптических линий связи принтерах устройствах записи и считывания CD и DVD дисках. Свойства соединений типа Соединения типа образуются в результате взаимодействия элементов 3ей А подгруппы периодической системы с элементами 5ой В подгруппы за исключением висмута и таллия. Соединения типа классифицируются по элементу пятой группы т.
29771. Полупроводниковые соединения типа. Свойства соединений типа 23.32 KB
  Применение соединений типа Наиболее широкое применение соединения находят в качестве люминофоров и материалов для фоторезистов. Изготовление фоторезистов на основе соединений типа связано прежде всего с использованием сульфида кадмия селенида кадмия твёрдые растворы на основе . На основе полупроводников типа изготавливают датчики различного диапазона излучения.
29772. Диэлектрические материалы 37.85 KB
  Пассивные – это электроизоляторные и конденсаторные материалы. Пассивные неорганические диэлектрики применяемые в электронной технике можно разделить на стекловидные диэлектрики керамику монокристаллические диэлектрические материалы органические и композиционные материалы. Активные диэлектрики – это материалы свойствами которых можно управлять в широких пределах с помощью внешних воздействий.
29773. Классификация и особенности материалов электронной техники. Структура материалов. Обозначение кристаллографических плоскостей и направлений кристалла 25.27 KB
  Структура материалов. Классификация и особенности материалов электронной техники. Электрофизические свойства являются одним из основных свойств материалов определяют их применение в электронной технике.
29774. Способы представления сложных структур. Типичные кристаллические структуры материалов, применяемых в электронной технике 87.11 KB
  Структура типа алмаз. Элементарные полупроводники кремний и германий кристаллизуются в структуру типа алмаз. В структуре типа алмаз атомы образуют плотнейшую ГЦК решётку в которой половина 4 из 8ми тетраэдрических пустот заняты атомами того же сорта. Структура типа алмаз может быть представлена как две взаимно проникающие подрешётки типа ГЦК которые смещены относительно друг друга по пространственным диагоналям на её длины.