45927

Способы базирования заготовок с базами в виде плоских поверхностей

Доклад

Производство и промышленные технологии

Базирование главной базы имеет 3 точки осуществляется на: 3 штыря опоры 2 пластины опорные штыри в сочетании с плавающими и сблокированными опорами на плоскость опорного элемента. При этом погрешность базирования близко равно 0. Для необработанных баз следует учитывать дополнительно погрешность связанную с отклонением плоскостности базы.

Русский

2013-11-18

329.69 KB

5 чел.

75)Способы базирования заготовок с базами в виде плоских поверхностей.

Базирование главной базы (имеет 3 точки) осуществляется на: 3 штыря (опоры), 2 пластины, опорные штыри в сочетании с плавающими и сблокированными опорами, на плоскость опорного элемента. При этом погрешность базирования близко равно 0. Для необработанных баз следует учитывать дополнительно погрешность связанную с отклонением плоскостности базы. При обработке опор с одной установки после их сборки с корпуса погрешность=0, данное требование оговаривается на СБ чертеже приспособления.

При базировании дополнительных баз применяется 2 штыря или 1 пластина если надо лишить заготовку 2 степеней свободы. Если надо лишить 1 степень свободы применяется 1 штырь, 1 штырь может быть замене 1 с блокированной или с плавающей опорой. Погрешность базирования доп. баз зависит от точности взаимного расположения баз. Расчет сводится к решению геометрических  задач.

Опорные штыри стандартизованы по ГОСТ 13440 тип 1 , 13441 тип 2 , ГОСТ 13442 тип 3Штыри применяются для необработанных баз, тип 1 можно использовать для обработанных баз.

Пластины применяются 2 типов по ГОСТ 4743-68. Пластины с косыми пазами тип 2 применяется при горизонтальном их расположении.

Опорные штыри в сочетании с плавающими или с блокированными опорами применяются при установки в приспособлении не жестких заготовок, когда возможна их деформация под влиянием усилий закрепления, а при обработке под влиянием сил резания, также когда конфигурация заготовки не позволяет разместить соотв. образом 3 опорные штыря. Каждая из плавающих или блок. опор заменяют 1 штырь, но контактирует с базой в 2 или в 3 точках.

Базирование на плоскости опорного элемента применяется для ориентирования чисто и точно обработанных баз (малая шероховатость и малое отклонение от плоскостности). Пример: установка тонких пластин на магнитной плите при шлифовании. Такой способ базирования часто применяется и для заготовок, имеющих кольцевую плоскую поверхность фланца.

Иногда не удается применять стандартные опорные элементы, тогда разрабатываются специальные конструкции: 1)пластина с 2 опорными участками (для баз малой протяженности), 2)опорный штырь с отверстием (для уменьшения массы или когда надо иметь выход режущего инструмента), 3)кольцевая плоскость совмещенная с пальцем.

Если в процессе закрепления или обработки заготовка может подвергаться перекосу, то вместо 3 опорных штырей используют 4. Чтобы 4 штыря выполняли функцию 3 штырей после их сборки с корпусом в обязательном порядке обрабатывают в 1 действительный размер (шлифуют одновременно) все 4 штыря. Требование об одновременной обработки всех опор в 1 действительный размер оговаривают на СБ чертеже приспособления.  


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

49329. Цепи постоянного тока 136.43 KB
  Оглавление Цель курсовой работы Постановка задачи Расчет схемы Определение токов и напряжений в ветвях методом контурных токов Определение токов и напряжений в ветвях методом узловых потенциалов Баланс мощности Определение номинальных значений пассивных элементов цепи R LC Моделирование Список использованной литературы Целью курсовой работы является закрепление и...
49332. Синтезирование непрерывной системы управления с астатизмом второго порядка методом желаемой передаточной функции с заданными передаточной функцией объекта 303.87 KB
  Целью выполнения курсовой работы является применение теоретических положений теории управления для синтеза непрерывной системы управления методом желаемой передаточной функции...
49336. Тензометрическая аппаратура 6.05 MB
  Фотоэффект проявляется в электронных переходах двух типов: собственных фундаментальных и примесных рисунок 1. Рисунок 1.1 Собственные 1 и примесные 2 3 фотопереходы электронов в полупроводнике Ел уровень ловушки Рисунок 1. Вблизи этой границы χ растет очень быстро изменяясь как правило на 34 порядка при увеличении энергии кванта на 01 эВ рисунок 1.
49337. Технология и организация строительства дренажной насосной станции 3.52 MB
  Состав сооружений, конструктивные особенности насосной станции тип и число основного и вспомогательного оборудования определяется с учетом назначения насосной станции и технологическими требованиями к ней.