45927

Способы базирования заготовок с базами в виде плоских поверхностей

Доклад

Производство и промышленные технологии

Базирование главной базы имеет 3 точки осуществляется на: 3 штыря опоры 2 пластины опорные штыри в сочетании с плавающими и сблокированными опорами на плоскость опорного элемента. При этом погрешность базирования близко равно 0. Для необработанных баз следует учитывать дополнительно погрешность связанную с отклонением плоскостности базы.

Русский

2013-11-18

329.69 KB

5 чел.

75)Способы базирования заготовок с базами в виде плоских поверхностей.

Базирование главной базы (имеет 3 точки) осуществляется на: 3 штыря (опоры), 2 пластины, опорные штыри в сочетании с плавающими и сблокированными опорами, на плоскость опорного элемента. При этом погрешность базирования близко равно 0. Для необработанных баз следует учитывать дополнительно погрешность связанную с отклонением плоскостности базы. При обработке опор с одной установки после их сборки с корпуса погрешность=0, данное требование оговаривается на СБ чертеже приспособления.

При базировании дополнительных баз применяется 2 штыря или 1 пластина если надо лишить заготовку 2 степеней свободы. Если надо лишить 1 степень свободы применяется 1 штырь, 1 штырь может быть замене 1 с блокированной или с плавающей опорой. Погрешность базирования доп. баз зависит от точности взаимного расположения баз. Расчет сводится к решению геометрических  задач.

Опорные штыри стандартизованы по ГОСТ 13440 тип 1 , 13441 тип 2 , ГОСТ 13442 тип 3Штыри применяются для необработанных баз, тип 1 можно использовать для обработанных баз.

Пластины применяются 2 типов по ГОСТ 4743-68. Пластины с косыми пазами тип 2 применяется при горизонтальном их расположении.

Опорные штыри в сочетании с плавающими или с блокированными опорами применяются при установки в приспособлении не жестких заготовок, когда возможна их деформация под влиянием усилий закрепления, а при обработке под влиянием сил резания, также когда конфигурация заготовки не позволяет разместить соотв. образом 3 опорные штыря. Каждая из плавающих или блок. опор заменяют 1 штырь, но контактирует с базой в 2 или в 3 точках.

Базирование на плоскости опорного элемента применяется для ориентирования чисто и точно обработанных баз (малая шероховатость и малое отклонение от плоскостности). Пример: установка тонких пластин на магнитной плите при шлифовании. Такой способ базирования часто применяется и для заготовок, имеющих кольцевую плоскую поверхность фланца.

Иногда не удается применять стандартные опорные элементы, тогда разрабатываются специальные конструкции: 1)пластина с 2 опорными участками (для баз малой протяженности), 2)опорный штырь с отверстием (для уменьшения массы или когда надо иметь выход режущего инструмента), 3)кольцевая плоскость совмещенная с пальцем.

Если в процессе закрепления или обработки заготовка может подвергаться перекосу, то вместо 3 опорных штырей используют 4. Чтобы 4 штыря выполняли функцию 3 штырей после их сборки с корпусом в обязательном порядке обрабатывают в 1 действительный размер (шлифуют одновременно) все 4 штыря. Требование об одновременной обработки всех опор в 1 действительный размер оговаривают на СБ чертеже приспособления.  


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

47808. Информационные технологии в юридической деятельности 15.9 MB
  Основы защиты информации: Учебное пособие. Правовое обеспечение процессов информатизации представляет совокупность нормативных актов принимаемых на различных уровнях власти и управления регулирующих комплекс общественных отношений связанных с созданием и использованием информации и перспективных ИТ. Основные понятия Понятия информации в современной науке и технике Функционирование любой системы управления в технике природе обществе в первую очередь основано на сборе обработке и анализе информации поступающей из окружающей среды...
47809. ОБЩЕЕ УЧЕНИЕ О БОЛЕЗНИ ПАТОГЕНЕЗ 1.56 MB
  Главный критерий болезни нарушение трудоспособности. Болезнь нарушение жизнедеятельности организма вызванное действием чрезвычайных раздражителей характеризуются снижением работоспособности приспособляемости организма к условиям окружающей cреды и одновременным развитием не только патологических но и компенсаторноприспособительских реакций направленных на восстановление нарушенных функций и структур лежащих в основе выздоровления. психический психогенный нормальная или измененная нарушение ВНД сопровожд. Направлены...
47810. Краткий курс лекций по патологической физиологии 1.34 MB
  Патофизиология массы крови. Курс состоит из 33х лекций в которых разбираются вопросы общей патологии этиология патогенез общий адаптационный синдром иммунитет и аллергия воспаление лихорадка и гипертермия и лекций посвященных частной патофизиологии отдельных систем организма крови дыхания кровообращения печени почек пищеварения нервной и эндокринной. Хотя нужно отметить что основная масса показателей может колебаться в определенной степени например температура тела биохимический или клеточный состав крови. Возникает...
47811. Безопасность жизнедеятельности. Курс лекций 1.74 MB
  Основы физиологии труда. Вредные условия труда. Основные принципы государственной политики в ОТ охране труда. Законодательная база охраны труда в Российской Федерации.
47812. ЭКОНОМИЧЕСКАЯ ТЕОРИЯ 2.03 MB
  Потребности как предпосылка производства. Ресурсы и факторы производства Продукт как результат производства фирмы.3 Издержки производства: явные и неявные внешние и внутренние постоянные и переменные
47813. Сборник клинических задач. Лечебное дело 740 KB
  При осмотре влагалищными зеркалами: слизистая оболочка влагалища и шейки матки синюшная. Устанавливается на основании сомнительных и вероятных признаков беременности: отвращение к запахам тошнота отсутствие менструации синюшность слизистой оболочки влагалища и шейки матки увеличение тела матки. Дополнительные методы диагностики беременности: определение ХГЧ гормона хорионического гонодотропина в сыворотке крови и моче; ультразвуковое исследование матки. по величине тела матки 8 недель небеременная матка имеет размер с крупную...
47816. Физика. Учебно-методический комплекс 1.67 MB
  Общие свойства и характеристики волновых процессов. Заряды одного знака отталкиваются друг от друга заряды разных знаков притягиваются рис. Шелк Стекло = Мех Янтарь = Рис. Величина элементарного заряда по абсолютной величине в СИ: Электрические заряды присущи многим элементарным частицам в частности электронам и протонам входящим в состав различных атомов из которых построены все тела в природе.