48350

Методы формирования и классификация электронно-дырочных переходов

Доклад

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Электроннодырочный переход полученный методом вплавления в полупроводник металла или сплава содержащего донорные или акцепторные примеси называют сплавным переходом а переход полученный в результате диффузии атомов примеси в полупроводник – диффузионным. Диффузионный рппереход образованный в результате диффузии примеси сквозь отверстие в защитном слое нанесенном на поверхность полупроводника называют планарным рппереходом. Электроннодырочный переход образованный в результате конверсии полупроводника вызванной обратной диффузией...

Русский

2013-12-09

32 KB

9 чел.

Методы формирования и классификация электронно-дырочных переходов

Среди разнообразных методов формирования р-п-переходов наибольшее значение имеют два: метод вплавления и метод диффузии прмесей.

Электронно-дырочный переход, полученный методом вплавления в полупроводник металла или сплава, содержащего донорные или акцепторные примеси, называют сплавным переходом, а переход, полученный в результате диффузии атомов примеси в полупроводник – диффузионным.

Диффузионные р-п-переходы могут быть нескольких разновидностей.

Диффузионный р-п-переход, образованный в результате диффузии примеси сквозь отверстие в защитном слое, нанесенном на поверхность полупроводника, называют планарным р-п-переходом.

Основой такой технологии является фотолитография.

Электронно-дырочный переход, образованный в результате конверсии полупроводника, вызванной обратной диффузией примеси в соседнюю область, или активацией атомов примеси, называют конверсионным р-п-переходом.

При производстве полупроводниковых приборов широко используют эпитаксиальное наращивание – наращивание монокристаллических слоев полупроводника на поверхности монокристаллической подложки того же, а иногда и другого по химическому составу полупроводника.

При эпитаксиальном наращивании в зависимости от использовано примеси можно получить эпитаксиальный слой с тем же типом электропроводности, что и исходный полупроводник, но с другим удельным сопротивлением, а можно – эпитаксиальный слой с другим типом электропроводности, называемый эпитаксиальным р-п-переходом.

Перспективным методом формирования р-п-переходов является метод ионного внедрения или ионной имплантации.

Суть этого метода состоит в бомбардировке полупроводника ионами примеси с энергией в несколько десятков кэВ.

Перспективность этого метода заключается в возможности проводить управляемое легирование полупроводника точно дозированным количеством почти любых химических элементов при относительно низкой температуре полупроводника.

По характеру распределения концентрации примеси различают резкие и плавные р-п-переходы.

Переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно меньше толщины р-п-перехода, называют резким р-п-переходом.

Такие переходы получают обычно при методе вплавления примеси.

Переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно сравнима или больше толщины р-п-перехода, называют плавным р-п-переходом.

По соотношению концентраций основных носителей заряда или соответствующих примесей в р- и п-областях различают симметричные и несимметричные р-п-переходы.

У симметричных р-п-переходов концентрации основных носителей заряда в прилегающих к переходу р- и п-областях приблизительно равны у несимметричных существует их неравенство.

В полупроводниковых приборах чаще всего используются несимметричные р-п-переходы, которые обозначаются р+-п или п+. 

Изотипные и анизотипные гетеропереходы

Гетеропереходом называют контакт двух полупроводников различного вида и разного типа проводимости, например, pGenGaAs.

Отличие гетеропереходов от обычного p-n перехода заключается в том, что в обычных p-n переходах используется один и тот же вид полупроводника, например, pSinSi.

Поскольку в гетеропереходах используются разные материалы, необходимо, чтобы у этих материалов с высокой точностью совпадали два параметра: температурный коэффициент расширения (ТКР)  и постоянная решетки.

С учетом сказанного количество материалов для гетеропереходов ограничено. Наиболее распространенными из них являются  германий Ge, арсенид галлия GaAs, фосфид индия InP, четырехкомпонентный раствор InGaAsP.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

28758. КУЛЬТУРА В ПОСЛЕВОЕННЫЕ ГОДЫ 24.87 KB
  Во время одной из встреч с деятелями литературы и искусства Н. Но тема репрессий сталинских лагерей не ушла из литературы. В начале 60х годов усилилось разоблачение €œидейных шатаний€ деятелей литературы и искусства. Общественный подъем этого времени содействовал становлению творчества деятелей литературы и искусства нового поколения.
28761. Атмосфера Серебряного века 14.98 KB
  Понятие это не столько научное сколько эмоциональное вызывающее тут же ассоциации с другим коротким периодом истории русской культуры с золотым веком пушкинской эпохой русской поэзии первая треть XIX века. Серебряный век как период и образ мышления Искусство и философия Серебряного века отличались элитарностью интеллектуализмом. Поэтому нельзя отождествлять всю поэзию конца XIX начала XX века с Серебряным веком.
28764. Объединение русских земель вокруг Москвы (XIV - первая треть XVI в.). Социально-экономический и политический строй русского государства, его особенности 145.38 KB
  Социальноэкономический и политический строй русского государства его особенности. Образование единого централизованного государства в результате объединения русских земель вокруг Москвы на протяжении XIV XV веков представляло собой весьма сложное и противоречивое явление. Проблеме формирования единого Российского государства уделено внимание в фундаментальных исследованиях крупнейших российских историков Н. Соловьёв в большей степени обращал внимание на объективные исторически подготовленные причины формирования Российского государства на...
28765. Начало эпохи Великих географических открытий и первые колониальные захваты. НОВОЕ ВРЕМЯ как особая фаза всемирно-исторического процесса 488.57 KB
  Поскольку контроль над Южной Атлантикой оказался в руках португальцев Алькасовасское соглашение 1479 Испания желавшая установить прямые контакты со странами Востока приняла предложение генуэзского мореаплавателя Колумба об организации экспедиции на запад. Магальяйнша Магеллан фернан об организации экспедиции с целью обогнуть американский континент с юга и через Тихий океан добраться до Азии. Сам Аламинос участвовал ранее в четвертой экспедиции Колумба. Начальник экспедиции и его кормчий приступили к снаряжению трех кораблей в...
28766. Реформация и ее экономические, политические, социокультурные причины. Религиозные войны в Европе 329.55 KB
  Её началом принято считать выступление доктора богословия Виттенбергского университета Мартина Лютера: 31 октября 1517 года он прибил к дверям виттенбергской Замковой церкви свои 95 тезисов в которых выступал против существующих злоупотреблений католической церкви в частности против продажи индульгенций[прим. Интересы и чаяния зарождающегося класса капиталистов по итогам Реформации нашли проявление в основании протестантских церквей призывающих к скромности экономии и накоплению капитала а также формировании национальных государств в...