48350

Методы формирования и классификация электронно-дырочных переходов

Доклад

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Электроннодырочный переход полученный методом вплавления в полупроводник металла или сплава содержащего донорные или акцепторные примеси называют сплавным переходом а переход полученный в результате диффузии атомов примеси в полупроводник – диффузионным. Диффузионный рппереход образованный в результате диффузии примеси сквозь отверстие в защитном слое нанесенном на поверхность полупроводника называют планарным рппереходом. Электроннодырочный переход образованный в результате конверсии полупроводника вызванной обратной диффузией...

Русский

2013-12-09

32 KB

15 чел.

Методы формирования и классификация электронно-дырочных переходов

Среди разнообразных методов формирования р-п-переходов наибольшее значение имеют два: метод вплавления и метод диффузии прмесей.

Электронно-дырочный переход, полученный методом вплавления в полупроводник металла или сплава, содержащего донорные или акцепторные примеси, называют сплавным переходом, а переход, полученный в результате диффузии атомов примеси в полупроводник – диффузионным.

Диффузионные р-п-переходы могут быть нескольких разновидностей.

Диффузионный р-п-переход, образованный в результате диффузии примеси сквозь отверстие в защитном слое, нанесенном на поверхность полупроводника, называют планарным р-п-переходом.

Основой такой технологии является фотолитография.

Электронно-дырочный переход, образованный в результате конверсии полупроводника, вызванной обратной диффузией примеси в соседнюю область, или активацией атомов примеси, называют конверсионным р-п-переходом.

При производстве полупроводниковых приборов широко используют эпитаксиальное наращивание – наращивание монокристаллических слоев полупроводника на поверхности монокристаллической подложки того же, а иногда и другого по химическому составу полупроводника.

При эпитаксиальном наращивании в зависимости от использовано примеси можно получить эпитаксиальный слой с тем же типом электропроводности, что и исходный полупроводник, но с другим удельным сопротивлением, а можно – эпитаксиальный слой с другим типом электропроводности, называемый эпитаксиальным р-п-переходом.

Перспективным методом формирования р-п-переходов является метод ионного внедрения или ионной имплантации.

Суть этого метода состоит в бомбардировке полупроводника ионами примеси с энергией в несколько десятков кэВ.

Перспективность этого метода заключается в возможности проводить управляемое легирование полупроводника точно дозированным количеством почти любых химических элементов при относительно низкой температуре полупроводника.

По характеру распределения концентрации примеси различают резкие и плавные р-п-переходы.

Переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно меньше толщины р-п-перехода, называют резким р-п-переходом.

Такие переходы получают обычно при методе вплавления примеси.

Переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно сравнима или больше толщины р-п-перехода, называют плавным р-п-переходом.

По соотношению концентраций основных носителей заряда или соответствующих примесей в р- и п-областях различают симметричные и несимметричные р-п-переходы.

У симметричных р-п-переходов концентрации основных носителей заряда в прилегающих к переходу р- и п-областях приблизительно равны у несимметричных существует их неравенство.

В полупроводниковых приборах чаще всего используются несимметричные р-п-переходы, которые обозначаются р+-п или п+. 

Изотипные и анизотипные гетеропереходы

Гетеропереходом называют контакт двух полупроводников различного вида и разного типа проводимости, например, pGenGaAs.

Отличие гетеропереходов от обычного p-n перехода заключается в том, что в обычных p-n переходах используется один и тот же вид полупроводника, например, pSinSi.

Поскольку в гетеропереходах используются разные материалы, необходимо, чтобы у этих материалов с высокой точностью совпадали два параметра: температурный коэффициент расширения (ТКР)  и постоянная решетки.

С учетом сказанного количество материалов для гетеропереходов ограничено. Наиболее распространенными из них являются  германий Ge, арсенид галлия GaAs, фосфид индия InP, четырехкомпонентный раствор InGaAsP.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

583. Графическое представление данных (построение диаграмм) 83 KB
  Основные понятия и термины, используемые при работе с диаграммами. Построение, редактирование и форматирование различных диаграмм.
584. Использование и способы работы с переменными в Visual Basic 57 KB
  Ознакомиться с типами переменных, их описанием в программе. Тип Variant, переменная этого типа может иметь любой размер.
585. Теория и практика семейного права. Нормы семейного права и семейное законодательство 94 KB
  Нормы семейного права и семейное законодательство. Цель и принцип семейного законодательства. Права и обязанности родителей и детей. Форма воспитания детей, оставшихся без попечения родителей. Обязанности детей по содержанию родителей и заботе о них.
586. Правосторонняя нижнедолевая пневмония 72 KB
  История настоящего заболевания. Осмотр системы органов дыхания, пищеварения и брюшной полости. Клинический анализ крови. Выявления поражения миокарда, нарушения проводимости, ритма, возбудимости. Подтверждения клинического диагноза, для выявления воспалительных инфильтратов в легких и туберкулезных очагов
587. Роль ТНК и экономической интеграции в современной мировой экономике 188 KB
  Понятие,специфика деятельности и причины возникновения транснациональных коорпараций. Деятельность транснациональных корпораций в условиях глобализации. Развитие транснациональных корпораций на современном этапе в Республике Беларусь. Эволюция транснациональных корпораций в системе современных международных экономических отношениях.
588. Многопролетное одноэтажное здание каркасного типа 72.5 KB
  В проекте разрабатываются архитектурные, конструктивные решения промышленного здания с учетом заданных габаритов, материалов, целевой направленности и основных нормативных требований.
589. Экономико-статистический анализ себестоимости зерна в СПК 82.33 KB
  Краткая природно-экономическая характеристика СПК Соляное. Экономико-статистический анализ себестоимости зерна. Состав, структура и динамика земельных угодий. Аналитическое выравнивание рядов динамики себестоимости зерна.
590. Імітаційне моделювання. Функція генератор випадкових (псевдо) чисел 66.5 KB
  Написати функцію генератор випадкових(псевдо) чисел. Дослідити поведінку ЛК на зміну параметрів. Побудувати графік. Реалізована функція xn+1=(axn+c) mod m. З вхідними параметрами. За допомогою функції і оримали масив 1000 значень. ПСЧ отримались в проміжку від 1 до 29.
591. Модернизация технологического процесса обработки резанием детали ствол к изделию ружье 499.5 KB
  Расчет и проектирование мерительного инструмента. Усовершенствование технологического процесса обработки резанием детали Ствол из условия улучшений ее технологических характеристик. Изучение конструкции и принципа работы макета ружья.