48350

Методы формирования и классификация электронно-дырочных переходов

Доклад

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Электроннодырочный переход полученный методом вплавления в полупроводник металла или сплава содержащего донорные или акцепторные примеси называют сплавным переходом а переход полученный в результате диффузии атомов примеси в полупроводник диффузионным. Диффузионный рппереход образованный в результате диффузии примеси сквозь отверстие в защитном слое нанесенном на поверхность полупроводника называют планарным рппереходом. Электроннодырочный переход образованный в результате конверсии полупроводника вызванной обратной диффузией...

Русский

2013-12-09

32 KB

16 чел.

Методы формирования и классификация электронно-дырочных переходов

Среди разнообразных методов формирования р-п-переходов наибольшее значение имеют два: метод вплавления и метод диффузии прмесей.

Электронно-дырочный переход, полученный методом вплавления в полупроводник металла или сплава, содержащего донорные или акцепторные примеси, называют сплавным переходом, а переход, полученный в результате диффузии атомов примеси в полупроводник – диффузионным.

Диффузионные р-п-переходы могут быть нескольких разновидностей.

Диффузионный р-п-переход, образованный в результате диффузии примеси сквозь отверстие в защитном слое, нанесенном на поверхность полупроводника, называют планарным р-п-переходом.

Основой такой технологии является фотолитография.

Электронно-дырочный переход, образованный в результате конверсии полупроводника, вызванной обратной диффузией примеси в соседнюю область, или активацией атомов примеси, называют конверсионным р-п-переходом.

При производстве полупроводниковых приборов широко используют эпитаксиальное наращивание – наращивание монокристаллических слоев полупроводника на поверхности монокристаллической подложки того же, а иногда и другого по химическому составу полупроводника.

При эпитаксиальном наращивании в зависимости от использовано примеси можно получить эпитаксиальный слой с тем же типом электропроводности, что и исходный полупроводник, но с другим удельным сопротивлением, а можно – эпитаксиальный слой с другим типом электропроводности, называемый эпитаксиальным р-п-переходом.

Перспективным методом формирования р-п-переходов является метод ионного внедрения или ионной имплантации.

Суть этого метода состоит в бомбардировке полупроводника ионами примеси с энергией в несколько десятков кэВ.

Перспективность этого метода заключается в возможности проводить управляемое легирование полупроводника точно дозированным количеством почти любых химических элементов при относительно низкой температуре полупроводника.

По характеру распределения концентрации примеси различают резкие и плавные р-п-переходы.

Переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно меньше толщины р-п-перехода, называют резким р-п-переходом.

Такие переходы получают обычно при методе вплавления примеси.

Переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно сравнима или больше толщины р-п-перехода, называют плавным р-п-переходом.

По соотношению концентраций основных носителей заряда или соответствующих примесей в р- и п-областях различают симметричные и несимметричные р-п-переходы.

У симметричных р-п-переходов концентрации основных носителей заряда в прилегающих к переходу р- и п-областях приблизительно равны у несимметричных существует их неравенство.

В полупроводниковых приборах чаще всего используются несимметричные р-п-переходы, которые обозначаются р+-п или п+. 

Изотипные и анизотипные гетеропереходы

Гетеропереходом называют контакт двух полупроводников различного вида и разного типа проводимости, например, pGenGaAs.

Отличие гетеропереходов от обычного p-n перехода заключается в том, что в обычных p-n переходах используется один и тот же вид полупроводника, например, pSinSi.

Поскольку в гетеропереходах используются разные материалы, необходимо, чтобы у этих материалов с высокой точностью совпадали два параметра: температурный коэффициент расширения (ТКР)  и постоянная решетки.

С учетом сказанного количество материалов для гетеропереходов ограничено. Наиболее распространенными из них являются  германий Ge, арсенид галлия GaAs, фосфид индия InP, четырехкомпонентный раствор InGaAsP.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

64774. МЕТОДИКА ФОРМУВАННЯ ПРАЦЕОХОРОННИХ УМІНЬ І НАВИЧОК СТУДЕНТІВ АГРАРНИХ ВИЩИХ НАВЧАЛЬНИХ ЗАКЛАДІВ ЗАСОБАМИ ІМІТАЦІЙНОГО МОДЕЛЮВАННЯ 592 KB
  Здійснивши аналіз методики викладання нормативних дисциплін Основи охорони праці й Охорона праці в галузі у вищих аграрних навчальних закладах ми дійшли висновку що здебільшого застосовуються традиційні методи навчання які не повною мірою дозволяють сформувати високий рівень...
64775. ОЦІНЮВАННЯ ІННОВАЦІЙНОСТІ ТЕХНОЛОГІЧНИХ ПРОЦЕСІВ МАШИНОБУДІВНИХ ПІДПРИЄМСТВ 283 KB
  Зокрема потребує подальшого теоретичного та прикладного вирішення уточнення й поглиблення поняття інноваційність технологічних процесів виявлення чинників що визначають інноваційність розвиток класифікації технологічних процесів машинобудівних...
64776. Отримання порожнистих деталей із змінною товщиною стінки на базі використання способів радіально-прямого видавлювання 336.5 KB
  Для виготовлення розповсюджених в промисловості порожнистих вісесиметричних деталей із змінною товщиною стінки використовуються способи поздовжнього зворотного та прямого видавлювання витягування локальної обробки та процеси штампування...
64777. МУЗИКА Й ЖИВОПИС У ТВОРЧОСТІ О. КОБИЛЯНСЬКОЇ ТА Я. ІВАШКЕВИЧА: СИНКРЕТИЗМ ХУДОЖНЬОЇ ОБРАЗНОСТІ 162.5 KB
  Сучасність виводить синкретизм на рівень одного з основних понять філософії та культури, що зумовлено зростаючою роллю інтеграційних процесів та явищ у контексті глобалізації всього культурного життя суспільства, яке перетворює навколишній світ.
64778. ПЕДАГОГІЧНІ УМОВИ ФОРМУВАННЯ ПРОЕКТНО-ОБРАЗНОГО МИСЛЕННЯ МАЙБУТНІХ ДИЗАЙНЕРІВ У ВИЩОМУ НАВЧАЛЬНОМУ ЗАКЛАДІ 223 KB
  Сучасний етап розвитку українського суспільства ознаменувався значними трансформаціями в соціальноекономічній політичній культурній та освітній сферах що привели до переосмислення ролі дизайну як особливої діяльності яка завдяки естетичності екологічності технічності...
64779. Поліпшення паливно-економічних та екологічних показників автомобіля на основі оптимізації параметрів системи запалювання 820.26 KB
  Адаптивна настройка систем управління двигуном під конкретний режим руху автомобіля а також перерозподіл пріоритетів між ефективними показниками автомобіля залежно від умов його експлуатації є важливим експлуатаційним резервом економії палива й підвищення екологічної безпеки.
64780. ОПТИМІЗАЦІЯ ЕЛЕМЕНТІВ ТЕХНОЛОГІЇ ВИРОЩУВАННЯ СОЇ ТА КУКУРУДЗИ У ПІВДЕННО-ЗАХІДНІЙ ЧАСТИНІ СТЕПУ УКРАЇНИ 243.5 KB
  В ринкових умовах основою ефективного господарювання є інтенсивні технології вирощування сільськогосподарських культур, які базуються на використанні високопродуктивних сортів та раціональному використанні факторів життя.
64781. ФОРМУВАННЯ КОНКУРЕНТОСПРОМОЖНОСТІ ПІДПРИЄМСТВ ХЛІБОПЕКАРСЬКОЇ ГАЛУЗІ 632 KB
  З іншої сторони забезпечення конкурентоспроможності галузі та конкретних виробників хлібопекарської продукції в умовах жорсткої конкуренції є складним практичним і науковим завданням яке потребує багатоаспектного підходу із застосуванням системної теорії наукового управління.
64782. ТЕОРЕТИЧНІ ЗАСАДИ ФОРМУВАННЯ ФІНАНСОВОГО МЕХАНІЗМУ РЕСТРУКТУРИЗАЦІЇ ПІДПРИЄМСТВ ХАРЧОВОЇ ПРОМИСЛОВОСТІ 229 KB
  Процеси реорганізаційних дій зокрема і фінансової реструктуризації вимагають глибокого наукового обґрунтування. Більшість соціально-економічних індикаторів показують що в Україні реалізовано неефективний варіант реструктуризації який наклав відбиток на процес трансформації власності.