48350

Методы формирования и классификация электронно-дырочных переходов

Доклад

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Электроннодырочный переход полученный методом вплавления в полупроводник металла или сплава содержащего донорные или акцепторные примеси называют сплавным переходом а переход полученный в результате диффузии атомов примеси в полупроводник – диффузионным. Диффузионный рппереход образованный в результате диффузии примеси сквозь отверстие в защитном слое нанесенном на поверхность полупроводника называют планарным рппереходом. Электроннодырочный переход образованный в результате конверсии полупроводника вызванной обратной диффузией...

Русский

2013-12-09

32 KB

11 чел.

Методы формирования и классификация электронно-дырочных переходов

Среди разнообразных методов формирования р-п-переходов наибольшее значение имеют два: метод вплавления и метод диффузии прмесей.

Электронно-дырочный переход, полученный методом вплавления в полупроводник металла или сплава, содержащего донорные или акцепторные примеси, называют сплавным переходом, а переход, полученный в результате диффузии атомов примеси в полупроводник – диффузионным.

Диффузионные р-п-переходы могут быть нескольких разновидностей.

Диффузионный р-п-переход, образованный в результате диффузии примеси сквозь отверстие в защитном слое, нанесенном на поверхность полупроводника, называют планарным р-п-переходом.

Основой такой технологии является фотолитография.

Электронно-дырочный переход, образованный в результате конверсии полупроводника, вызванной обратной диффузией примеси в соседнюю область, или активацией атомов примеси, называют конверсионным р-п-переходом.

При производстве полупроводниковых приборов широко используют эпитаксиальное наращивание – наращивание монокристаллических слоев полупроводника на поверхности монокристаллической подложки того же, а иногда и другого по химическому составу полупроводника.

При эпитаксиальном наращивании в зависимости от использовано примеси можно получить эпитаксиальный слой с тем же типом электропроводности, что и исходный полупроводник, но с другим удельным сопротивлением, а можно – эпитаксиальный слой с другим типом электропроводности, называемый эпитаксиальным р-п-переходом.

Перспективным методом формирования р-п-переходов является метод ионного внедрения или ионной имплантации.

Суть этого метода состоит в бомбардировке полупроводника ионами примеси с энергией в несколько десятков кэВ.

Перспективность этого метода заключается в возможности проводить управляемое легирование полупроводника точно дозированным количеством почти любых химических элементов при относительно низкой температуре полупроводника.

По характеру распределения концентрации примеси различают резкие и плавные р-п-переходы.

Переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно меньше толщины р-п-перехода, называют резким р-п-переходом.

Такие переходы получают обычно при методе вплавления примеси.

Переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно сравнима или больше толщины р-п-перехода, называют плавным р-п-переходом.

По соотношению концентраций основных носителей заряда или соответствующих примесей в р- и п-областях различают симметричные и несимметричные р-п-переходы.

У симметричных р-п-переходов концентрации основных носителей заряда в прилегающих к переходу р- и п-областях приблизительно равны у несимметричных существует их неравенство.

В полупроводниковых приборах чаще всего используются несимметричные р-п-переходы, которые обозначаются р+-п или п+. 

Изотипные и анизотипные гетеропереходы

Гетеропереходом называют контакт двух полупроводников различного вида и разного типа проводимости, например, pGenGaAs.

Отличие гетеропереходов от обычного p-n перехода заключается в том, что в обычных p-n переходах используется один и тот же вид полупроводника, например, pSinSi.

Поскольку в гетеропереходах используются разные материалы, необходимо, чтобы у этих материалов с высокой точностью совпадали два параметра: температурный коэффициент расширения (ТКР)  и постоянная решетки.

С учетом сказанного количество материалов для гетеропереходов ограничено. Наиболее распространенными из них являются  германий Ge, арсенид галлия GaAs, фосфид индия InP, четырехкомпонентный раствор InGaAsP.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

22819. Зовнішня політика УНР. Берестейській договір та його наслідки 33 KB
  У зовнішній політиці Директорії вдалося розширити міжнародні зв'язки УНР її визнали Угорщина Чехословаччина Голландія Італія. Не визнали УНР країни Антанти й відроджена Польща яка претендувала на Правобережну Україну. Не визнавши гетьманської адміністрації дипломати країн Антанти не збиралися визнавати й поновлену УНР.
22820. Проголошення ЗУНР та її злука з УНР 30 KB
  у Львові відбулося загальне собранне укр. політичних діячів Галичини і Буковини що обрало керівний орган Національний Рада що заявив про прагнення об'єднати усе західноукр. Национальный Рад увів війська у Львів і в Східну Галицню проголосив 18 листопада 1918 р утворення Западноукрдинской Народної республіки ЗУНР Президент Е. Було зроблене таке: для захисту республіки утворив власну Укр.
22821. Ассортимент товаров. Определения. Характеристика товарного ассортимента. Структура ассортимента. Формирование ассортимента. Ассортиментная политика 21.33 KB
  Одной из важнейших товароведных характеристик товаров является ассортиментная характеристика, которая определяет принципиальные различия между товарами разных видов и наименований. Ассортимент товара - перечень товаров, объединенных по какому-либо признаку и удовлетворяющие потребности человека.
22822. Качество товара, определения. Требования к качеству товара. Классификация свойств и показателей качества. Потребительская ценность продукции: базовая и дополнительная и их влияние на 16.84 KB
  Качество — одна из основополагающих характеристик товара, которая оказывает решающее влияние на создание потребительских предпочтений и формирование конкурентоспособности.
22823. Органічна хімія, конспект лекцій 887 KB
  Значення органічної хімії. Вивчення основних теоретичних положень органічної хімії сприяє формуванню, розширенню і поглибленню фундаментальних, загальнопрофесійних, спеціальних знань, а також активному формуванню предметних і професійних компетенцій, спрямованих на виконання виробничих функцій.
22824. Обязательная сертификация в законе «О техническом регулировании». Ее сущность, объекты, участники. Организация обязательной сертификации 19.03 KB
  Порядок передачи сведений о выданных сертификатах соответствия в единый реестр выданных сертификатов устанавливается федеральным органом исполнительной власти по техническому регулированию...
22825. Государственный контроль и надзор за соблюдением обязательных требований технических регламентов 16.81 KB
  Государственный контроль (надзор) за соблюдением требований технических регламентов осуществляется федеральными органами исполнительной власти, органами исполнительной власти субъектов Российской Федерации
22826. Релаксаційні коливання у схемі з неоновою лампою 86 KB
  Якщо напруга досягне певної величини яка називається напругою запалювання U3 лампа спалахне і струм стрибком досягне скінченої величини I3. Коли напруга спаде до величини U3 лампа не погасне. За другим правилом Кірхгофа для цього кола маємо 1 де Uk напруга на конденсаторі та неоновій лампі яка підключена до нього паралельно.15 видно що напруга на конденсаторі монотонно зростає із швидкістю яка залежить від величини добутку RC.
22827. КАТЕГОРІЙНО-ПОНЯТІЙНИЙ АПАРАТ З БЕЗПЕКИ ЖИТТЄДІЯЛЬНОСТІ, ТАКСОНОМІЯ НЕБЕЗПЕК 92 KB
  Виходячи з сучасних уявлень безпека життєдіяльності є багатогранним обєктом розуміння і сприйняття дійсності, який потребує інтеграції різних стратегій, сфер, аспектів, форм і рівнів пізнання. Складовими цієї галузі є різноманітні науки про безпеку. У всьому світі велика увага приділяється вивченню дисциплін