48350

Методы формирования и классификация электронно-дырочных переходов

Доклад

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Электроннодырочный переход полученный методом вплавления в полупроводник металла или сплава содержащего донорные или акцепторные примеси называют сплавным переходом а переход полученный в результате диффузии атомов примеси в полупроводник диффузионным. Диффузионный рппереход образованный в результате диффузии примеси сквозь отверстие в защитном слое нанесенном на поверхность полупроводника называют планарным рппереходом. Электроннодырочный переход образованный в результате конверсии полупроводника вызванной обратной диффузией...

Русский

2013-12-09

32 KB

17 чел.

Методы формирования и классификация электронно-дырочных переходов

Среди разнообразных методов формирования р-п-переходов наибольшее значение имеют два: метод вплавления и метод диффузии прмесей.

Электронно-дырочный переход, полученный методом вплавления в полупроводник металла или сплава, содержащего донорные или акцепторные примеси, называют сплавным переходом, а переход, полученный в результате диффузии атомов примеси в полупроводник – диффузионным.

Диффузионные р-п-переходы могут быть нескольких разновидностей.

Диффузионный р-п-переход, образованный в результате диффузии примеси сквозь отверстие в защитном слое, нанесенном на поверхность полупроводника, называют планарным р-п-переходом.

Основой такой технологии является фотолитография.

Электронно-дырочный переход, образованный в результате конверсии полупроводника, вызванной обратной диффузией примеси в соседнюю область, или активацией атомов примеси, называют конверсионным р-п-переходом.

При производстве полупроводниковых приборов широко используют эпитаксиальное наращивание – наращивание монокристаллических слоев полупроводника на поверхности монокристаллической подложки того же, а иногда и другого по химическому составу полупроводника.

При эпитаксиальном наращивании в зависимости от использовано примеси можно получить эпитаксиальный слой с тем же типом электропроводности, что и исходный полупроводник, но с другим удельным сопротивлением, а можно – эпитаксиальный слой с другим типом электропроводности, называемый эпитаксиальным р-п-переходом.

Перспективным методом формирования р-п-переходов является метод ионного внедрения или ионной имплантации.

Суть этого метода состоит в бомбардировке полупроводника ионами примеси с энергией в несколько десятков кэВ.

Перспективность этого метода заключается в возможности проводить управляемое легирование полупроводника точно дозированным количеством почти любых химических элементов при относительно низкой температуре полупроводника.

По характеру распределения концентрации примеси различают резкие и плавные р-п-переходы.

Переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно меньше толщины р-п-перехода, называют резким р-п-переходом.

Такие переходы получают обычно при методе вплавления примеси.

Переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно сравнима или больше толщины р-п-перехода, называют плавным р-п-переходом.

По соотношению концентраций основных носителей заряда или соответствующих примесей в р- и п-областях различают симметричные и несимметричные р-п-переходы.

У симметричных р-п-переходов концентрации основных носителей заряда в прилегающих к переходу р- и п-областях приблизительно равны у несимметричных существует их неравенство.

В полупроводниковых приборах чаще всего используются несимметричные р-п-переходы, которые обозначаются р+-п или п+. 

Изотипные и анизотипные гетеропереходы

Гетеропереходом называют контакт двух полупроводников различного вида и разного типа проводимости, например, pGenGaAs.

Отличие гетеропереходов от обычного p-n перехода заключается в том, что в обычных p-n переходах используется один и тот же вид полупроводника, например, pSinSi.

Поскольку в гетеропереходах используются разные материалы, необходимо, чтобы у этих материалов с высокой точностью совпадали два параметра: температурный коэффициент расширения (ТКР)  и постоянная решетки.

С учетом сказанного количество материалов для гетеропереходов ограничено. Наиболее распространенными из них являются  германий Ge, арсенид галлия GaAs, фосфид индия InP, четырехкомпонентный раствор InGaAsP.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

66483. Проект ЯЭУ ледокола с эффективной мощностью (мощность на винтах) 40МВт 4.19 MB
  Произведен расчет тепловой схемы установки оборудования I контура. Произведен тепловой гидравлический и прочностной расчеты ПГ расчет ГЦН I контура. Техническое освидетельствование один раз в год; оборудование реакторной установки должно охлаждаться водой третьего контура с температурой не выше 40оС...
66485. Мероприятия по снижению затрат в области энергоснабжения здания конторы ООО «Агрофирмы Тукса» 1.78 MB
  Граница балансовой принадлежности тепловых сетей по первому фланцу до запорной арматуры со стороны тепловой сети на элеваторном узле. Расчётные расходы теплоносителя вода 9060 определяются на основании проекта путём деления тепловой нагрузки...
66486. Исследование влияния дыхательных упражнений по методу Бутейко на процесс оздоровления школьников 116 KB
  Лечебная физкультура известна человечеству с давних времен. Широко применялась она в Египте, Риме, использовалась также некоторыми северными народами, в том числе и среди народов, населявших территорию нашей страны. Однако обоснованное применение физкультуры при инфаркте миокарда появилось сравнительно недавно.
66487. Разработка компьютерной программы при оформлении документации очного отделения - «Учебная часть РПТ» 1.54 MB
  Применение ЭВМ в учебном процессе является естественным продолжением многолетнего процесса внедрения в обучение технических средств. Обладающие высоким быстродействием, большой памятью, способностью перерабатывать информацию, поступающую одновременно от многих пользователей...
66489. Психокоррекция энуреза у детей дошкольного и младшего школьного возраста 298 KB
  В младшем школьном возрасте проблема энуреза напрямую соприкасается с проблемой адаптации к началу обучения в школе и закономерно влияет на успешность ребенка в учебной деятельности, в овладении новыми способами межличностных коммуникаций со сверстниками.
66490. СТРАТЕГІЯ УПРАВЛІННЯ АКТИВАМИ ТОРГІВЕЛЬНОГО ПІДПРИЄМСТВА 1.65 MB
  Мета роботи - розробка стратегії управління обіговими активами підприємства. Методика дослідження: методи фінансового аналізу, економіко-статистичні та економетричні методи. Одержані насідки та їх новизна: обгрунтування тактики стратегії управління активами підприємства.
66491. Исследование ономастического пространства поэзии Владимира Высоцкого 341 KB
  Ономастика как лингвистическая наука изучает основные закономерности истории, развития и функционирования имен собственных. Обладая своим материалом и методикой изучения его, ономастика не может не быть самостоятельной дисциплиной.