49417

Получение полупроводниковой гетероструктуры с заданными характеристиками методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Курсовая

Физика

Определение толщин составляющих гетероструктуру слоёв их уровня легирования. Расчёт составов эпитаксиальных слоёв гетероструктуры 1. Определение ширины запрещённой зоны эпитаксиальных слоёв: = 2. Определение составов эпитаксиальных слоёв: 1 Искомый состав слоя получается исходя из требований на изопериодичность структуры и чувствительности к определённой длине волны электромагнитного излучения.

Русский

2013-12-27

634.07 KB

54 чел.

Министерство образования и науки РФ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»  им. В. И. Ульянова (Ленина)

Кафедра МНЭ

Курсовая работа

на тему:  «Получение полупроводниковой гетероструктуры с заданными характеристиками методом молекулярно-пучковой эпитаксии»

Выполнил   Шалапанов А.А.

Группа         7281

Преподаватель  Александрова О.А.

Оценка             _________

Дата защиты    _________

Санкт-Петербург

2012

Содержание курсового проекта

Страницы

 Задание на курсовой проект   

  1.  Краткое описание принципа работы проектируемого прибора                                                  4         

  1.   Описание технологического процесса и его аппаратурного оформления                                5

  1.  Расчет составов и толщин эпитаксиальных слоев гетероструктуры, обеспе-

чивающих её изопериодность и работу в заданном спектральном диапазоне

(на заданной длине волны). Определение толщин составляющих гетерострукту-

ру слоёв, их уровня легирования. Построение зонной диаграммы гетероструктуры              8

  1.  Расчет параметров деформированного состояния гетероструктуры

(деформаций и упругих напряжений) при комнатной температуре и в

условиях эпитаксии. Расчет критической толщины гетероструктуры                                      11

  1.  Определение входных параметров технологического процесса на

основании расчета гетерогенных равновесий или термодинамического

анализа процесса эпитаксии                                                                                                           18

  1.  Расчет скорости роста и времени выращивания слоев заданной толщины                              25

  1.  Рекомендации по легированию и расчет процесса легирования слоев                                     27

  1.  Список использованной литературы                                                                                             33

Краткое описание принципа работы проектируемого прибора.

Цель курсовой работы - расчёт лазера, работающего  на длине волны 0,65  мкм,  на основе двойной гетероструктуры. Двойные гетероструктуры получили широкое применение в создании лазеров потому, что в них легко можно осуществить локализацию электронного и светового потоков. Гетеропереходы в ДГС обладают следующими свойствами:

1. Эффект широкозонного «окна» позволяет с минимальными потерями вывести излучение, генерируемое в области гетероперехода, через его широкозонную часть.

2. Эффект односторонней инжекции. В гетеропереходах преимущественно реализуется инжекция носителей зарядов из широкозонной части в узкозонную. Инжекции из узкозонной в широкозонную область препятствует наличие дополнительного энергетического барьера.

3. Эффект «сверхинжекции». В гетеропереходе за счет наличия разрывов в зоне проводимости или в валентной зоне при достаточно большом напряжении смещения возможно образование «отрицательного» барьера для электронов (дырок). Узкий положительный потенциальный барьер на гетерогранице электроны свободно проходят за счет туннельного эффекта, попадая затем в потенциальную яму.

4. Волноводный эффект. Вследствие разницы показателей преломления материалов, составляющих гетеропереход, будет наблюдаться отражение света от гетерограницы. Как правило, показатель преломления узкозонного материала больше, чем широкозонного, поэтому световые лучи, распространяющиеся в узкозонной части под малыми углами к гетерогранице, будут испытывать полное внутреннее отражение. Если узкозонная активная область расположена между двумя широкозонными областями, то световое излучение в ней может распространяться так же, как в волноводе.

В ДГС-лазерах (n-p-p+) активная область представляет собой тонкий слой узкозонного полупроводника, расположенного между двумя широкозонными n- и p-областями, выполняющими функции эмиттеров. Из широкозоннойn-области в активнуюp-область инжектируются электроны. За счет эффекта сверхинжекции концентрация электронов в активной области оказывается больше, чем в n-эмиттере. Одновременно потенциальный барьер на границе р-р+ препятствует движению инжектированных электронов, запирая (локализуя) их в пределах узкозонной активной области. Аналогичная ситуация наблюдается для дырок. Таким образом в ДГС-лазере осуществляется электронное ограничение.

Показатель преломления узкозонного активного слоя больше, чем показатели преломления прилегающих широкозонных областей. На гетерограницах наблюдаются скачки показателя преломления и активный слой ведет себя как волновод, локализуя излучение, распространяющееся в плоскости p-n-перехода, таким образом реализуется оптическое ограничение.

Описание технологического процесса и его аппаратурного оформления.

В данной курсовой работе рассчитывается технологический процесс получения ДГС лазера. Необходимость изготовления тонких слоев для создания активных структур предъявляет исключительно высокие требования как к технологической, так и к измерительной части при их изготовлении. По существу необходимо выращивать и контролировать структуры с точностью до одного атомного слоя. Это удается достичь с помощью современных эпитаксиальных технологий.

Под молекулярно-пучковой эпитаксией (МПЭ) понимают метод эпитаксиального выращивания многослойных монокристаллических пленок полупроводников (диэлектриков или металлов), основанный на химическом взаимодействии одного или нескольких молекулярных пучков различной интенсивности и состава с поверхностью нагретой монокристаллической подложки в условиях сверхвысокого вакуума (СВВ). МПЭ – метод получения эпитаксиальных слоев и квантоворазмерных структур, отличающийся высокой прецизионностью и чистотой.

Технологические возможности:

  1.  Получение атомарно-гладких поверхностей за счет послойного механизма роста;
  2.  Получение сверхтонких слоев (вплоть до моноатомных) и гетероструктур на их основе;
  3.  Получение гетероструктур со сложным профилем легирования;
  4.  Получение структур с квантовыми ямами и квантовыми точками.

Необходимые условия МПЭ:

  1.  СВВ обеспечивает доставку молекул  от источника до подложки без столкновения между молекулами вещества между собой, с молекулами остаточных  с и стенками камеры (режим молекулярного пучка). В режиме молекулярного потока вероятность пробега молекулы без соударений ε = ехр (-L/ λ) >0,95, λ- длина свободного пробега частицы; L-геометрические размеры камеры роста. В молекулярном режиме скорость процесса лимитируется скоростью испарения вещества при его прямолинейной доставке к поверхности подложки со скоростью теплового движения молекул.
  2.  СВВ позволяет контролировать осаждение гетероструктур на мономолекулярном уровне на атомарно-чистую поверхность подложки.
  3.  Использование сверхчистых материалов молекулярных пучков: в диапазоне 6N-7N (99.99995%) для базовых элементов и 5N-6N для легирующих материалов.
  4.  Конструктивные материалы должны быть химически- и термостойкие, с малым газоотделением вплоть до температур ~1500°C (pBN, Ta, Mo, W, кварц).

Рисунок 3. Схема метода молекулярно-пучковой эпитаксии и источники молекулярных пучков

Основные элементы:

  1.  вакуумная камера (10-10 мм.рт.ст) с изолированной шлюзовой камерой;
  2.  источники молекулярных пучков (ИМП);
  3.  заслонки источников;
  4.  многостепенной манипулятор с держателем образца и нагревателем;
  5.  средства контроля роста.

Средства откачки:

  1.  Магнито-разрядные насосы (200-400 л/c);
  2.  Криогенные насосы (гелиевые, замкнутого цикла (1000-1500л/c);
  3.  Титаново-сублимационные (5000-20000 л/с);
  4.  Турбо-молекулярные (100-2000л/c);
  5.  Азотные криопанели.

Первоначально молекулярные источники представляли собой одинаковые испарительные ячейки из pBN, графита или кварца, в которые загружались элементарные материалы (As, Ga, Al, Si и т.д.), с резистивным нагревом Ta-спиралью и тепловыми экранами из Ta или Мо.

Управление потоками легколетучих соединений (As, Se, S) посредством изменения Т источника, и, следовательно, затруднено в силу инерционности изменения Т при низких рабочих температурах. Для этого используют источники с регулируемой апертурой а, из коррозионно стойкого материала Ti, что дает возможность регулировки интенсивности потока на несколько порядков (3-4) за несколько секунд.

Современный подход к конструированию источников молекулярных пучков заключается в максимальном приспособлении конструкции к свойствам испаряемого материала (легко летучий, тугоплавкий, газ и т.д.) с целью:

  1.  обеспечения быстрого и точного регулирования интенсивности молекулярного потока,

  1.  предотвращения взаимодействия испаряемого материала с конструктивными материалами источника в вакууме и различных газовых средах,

  1.  обеспечения оптимальной активации молекул и атомов для их эффективного встраивания в растущую пленку.

Методики insitu контроля процесса роста:

  1.  Измерители интенсивности молекулярных потоков (ионные, кварцевые);

  1.  Масс-спектрометрия потоков и остаточной атмосферы;

  1.  Дифракция электронов быстрых энергий на отражении при энергии первичного пучка 10-30 кЭв (планарность поверхности и стехиометрия слоя);

  1.  Лазерная интерферометрия (hν<Eg; d=Nλ/(2nfcosθf));

  1.  Инфракрасная пирометрия температуры ростовой поверхности;

  1.  Оптическая эмиссионная спектроскопия плазменного разряда и измерение интегральной интенсивности свечения плазмы.

Расчётная часть

1. Расчёт составов эпитаксиальных слоёв гетероструктуры

1. Определение ширины запрещённой зоны эпитаксиальных слоёв:

=>

2. Предварительные расчёты:

1) Справочные данные:

2) В приближении теоретической модели параметр "с", входящий в уравнение концентрационной зависимости ширины запрещённой зоны твёрдого раствора, будет рассчитываться следёющим образом:

3) Постоянные решётки при произвольной температуре определяются следующим образом:

3. Уравнения характеристических концентрационных зависимостей:

1) Параметр решётки твёрдого раствора (согласно закону Вегарда):

2) Энергетические зазоры в твёрдом растворе:

4. Определение составов эпитаксиальных слоёв:

1) Искомый состав слоя получается, исходя из требований на изопериодичность структуры и чувствительности к определённой длине волны электромагнитного излучения.

Слой 1. Активная область  (AlGaAs)

- состав рабочего слоя

Слой 2. Широкозонный  эмиттер   (GaInP)

- состав слоя ШЭ

2) Проверка на наличие прямой структуры зон:

Слой 1

Слой 2

=> Оба слоя найденного состава являются прямозонными полупроводниками.

3) Рассчёт показателей преломления слоев:

- показатель преломления рабочего слоя

- показатель преломления слоя ШЭ

- разность показателей преломления

обеспечивает волноводный эффект

Толщина активной области должна быть порядка /n (при длине волны 0,65 мкм 0.19 мкм).

Во избежание просачивания излучения в широкозонную область толщина слоя, образующего волновод должна быть больше /n, h>0.19 мкм.

Для усиления эффекта олносторонней инжекции уровни легирования активной и широкозонной  области выбираются следующим образом: Nакт порядка, а Nшэ порядка.

Состав слоёв структуры со схематическим изображением ШЗЗ и показателя преломления

2. Расчёт параметров деформированного состояния гетероструктуры

При температуре эпитаксии есть рассогласование параметров решёток подложки и эпитаксиальных слоёв. После охлаждения структуры до комнатной температуры возможно     усиление  напряжённого состояния ввиду различия температурных коэффициентов линейного расширения.

В связи с этим следует рассчитать основные параметры, характеризующие напряжённое состояние гетероструктуры, при комнатной температуре и температуре эпитаксии. При этом предполагается, что рост эпитаксиальных слоёв происходит в направлении [001].

1. Справочные данные и предварительные расчёты:

Для расчета коэффициентов упругости в многокомпонентных твердых растворах используют методы линейной интерполяции.

Слой a/1

Слой b/2

Температурные коэффициенты линейного расширения слоёв гетероструктуры:

2. Расчёт деформированного состояния для слоёв AlGaAs и GaInP  при температуре эпитаксии:

1). Постоянные решётки слоёв при:

2) Расчёт параметров напряжённого состояния:

Слой a/1

Слой b/2

Химическое рассогласование параметров решётки:

Рассогласование параметров решетки в направлении, перпендикулярном гетерогранице:

Упругие деформации в плоскости роста эпитаксиального слоя:

Упругие деформации в направлении роста эпитаксиального слоя:

Упругие механические напряжения:

Плотность упругой энергии:

3) Расчёт критической толщины гетероструктуры

При превышении определённой толщины в структуре возникают механические напряжения и возможность появления дислокаций. Расчёт последней при температуре эпитаксии приведён ниже.

Данный расчёт производится в рамках модели Мэтьюза-Блэксли, в которой критическая толщина определяется из соотношения энергий упругой и пластической деформации (энергии образования дислокаций).

a) Предварительные расчёты и справочные данные

Экспериментальные исследования и теоретические расчеты показывают, что в соединениях А3В5 энергетически выгодно образование полных 60-градусных дислокаций несоответствия с вектором Бюргерса, определяемым как b = 0.5*a[110]. При этом при эпитаксии на плоскость (100) угол θ составляет 54,74 градуса.

- угол между плоскостью скольжения дислокации и плоскостью межфазной границы

- угол между вектором Бюргерса и осью дислокации

Модуль вектора Бюргерса:

Также необходимо для дальнейшего расчёта определить коэффициент Пуассона рассматриваемых слоёв:

b) Расчёт критической толщины слоёв

В рамках теоретической модели Мэтьюза-Блэксли суммарная толщина эпитаксиальных слоёв определяется из следующего уравнения:

3. Расчёт критической толщины гетероструктуры  при температуре 300 K:

a) Предварительные расчёты и справочные данные

- толщина активного слоя (AlGaAS)

- толщина широкозонного эмиттера (GaInP)

- толщина буферного слоя между контактом и ШЭ  (GaAs)

- толщина всей структуры (4 слоя)

b) Расчёт критической толщины слоёв

Расчёт деформированного состояния для слоёв AlGaAs и GaInP  при температуре 300 K:

1). Постоянные решётки слоёв при:

2) Расчёт параметров напряжённого состояния:

Слой a/1

Слой b/2

Химическое рассогласование параметров решётки:

Рассогласование параметров решетки в направлении, перпендикулярном гетерогранице:

Упругие деформации в плоскости роста эпитаксиального слоя:

Упругие деформации в направлении роста эпитаксиального слоя:

Упругие механические напряжения:

Плотность упругой энергии:

3) Расчёт критической толщины слоёв

a) Предварительные расчёты и справочные данные

Модуль вектора Бюргерса:

b) Расчёт критической толщины слоёв

3. Расчёт критической толщины гетероструктуры  при температуре 300 K:

a) Предварительные расчёты и справочные данные

b) Расчёт критической толщины слоёв

Чтобы выполнялось условие: , - нужно уменьшить толщину активного слоя до .

Уменьшение толщины активного слоя нежелательно, потому что  при h < λ/n наблюдается резкое снижение коэффициента оптического ограничения, а следовательно уменьшение интенсивности изучения.

3. Расчёт термодинамических параметров процесса

1) Справочные и предварительные расчёты

Геометрические параметры установки МЛЭ

Рис. 11. Схема расположения источников

             молекулярных пучков.

2) Общие сведения о процессе

Активная область (AlGaAs)

Число независимых компонентов: Al, Ga, AlAs, GaAs, As2, As4  => К = 6

Число элементов в системе: Al, Ga,  As  => Э = 3

Число независимых химических реакций: S = К - Э = 3

Химические реакции, протекающие в системе:

Al (тв) + 0.5*As2 (газ) = AlAs (тв)                        (1)

Ga (тв) + 0.5*As2 (газ) = GaAs (тв)                      (2)

As4 (газ) = 2*As2 (газ)                                         (3)

Широкозонный эмиттер (GaInP)

Число независимых компонентов: In, Ga, InP, GaP, P2, P4  => К = 6

Число элементов в системе: Al, Ga,  As  => Э = 3

Число независимых химических реакций: S = К - Э = 3

Химические реакции, протекающие в системе:

In (тв) + 0.5*P2 (газ) = InP (тв)                         (1)

Ga (тв) + 0.5*P2 (газ) = GaP (тв)                      (2)

P4 (газ) = 2*P2 (газ)                                         (3)

3) Расчёт равновесных давлений компонентов на поверхности подложки

а) Задание давления паров компонентов 3-й и 5-й групп в падающем потоке

Для реализации более менее точного контроля состава растущего твёрдого раствора рекомендуются следующие значения давлений паров компонентов в падающем потоке:

=>

=>

b) Определение давлений компонентов 5-й группы

Исходя из уравнения материального баланса:

Активная область (AlGaAs)

используя выражение для константы равновесия химической реакции  

приходим к квадратному уравнению относительно давления компонента 5-й группы:

Решения данного уравнения имеет следующий вид:

Широкозонный эмиттер (InGaP)

с) Определение активностей бинарных соединений, входящих в состав эпитаксиального слоя

Параметры межатомного взаимодействия в твёрдой фазе для бинарных соединений (справочные данные):

Для рассматриваемого в данной работе четверного твёрдого раствора расчёт коэффициентов активностей производится при помощи следующих соотношений:

Активности бинарных компонентов определяются согласно следующему соотношению:

Для эпитаксиальных слоёв соответствующих составов коэффициенты активности принимают следующие значения:

Соответствующие значения активностей бинарных соединений рассматриваемых эпитаксиальных слоёв:

d) Определение давления компонент паров 3-й группы

Используя справочные значения константы равновесия для реакций (1)-(3) и выражая её через давления и активности участвующих в реакции веществ, можно определить значения равновесного давления компонентов 3-й группы.

Активная область (AlGaAs)

AlAs

GaAs

Для проектируемых эпитаксиальных слоёв различного состава давления компонентов 3-й группы имеют следующие значения:

Данные давления на несколько порядков меньше давлений этих компонентов в потоках (см. выше.), что положительно сказывается на процесс роста эпитаксиальных слоёв, так как скорость десорбции мала.

Широкозонный эмиттер (InGaP)

4) Расчёт давлений компонентов в потоке

Давление в потоках изначально выбираются для реализации такого режима роста, когда состав растущего слоя определяется давлением компонентов 3-й группы. Необходимые давления компонентов 3-й и 5-й групп в потоках уже были выбраны ранее. Теперь же необходимо конкретизировать, какие давления имеют отдельные компоненты 3-й группы, исходя из состава растущего слоя.

Выбранные выше давления в потоке

В соответствии с сотавом слоя, давления компонентов 3-й группы определяются по следующим формулам:

Активная область (AlGaAs)

Широкозонный эмиттер (InGaP)

Конкретные значения давлений, необходимых для роста рассматриваемых слоёв приведены ниже:

5) Расчёт давлений и температур в эффузионных ячейках

Согласно законам Кнутцена, связь между давлениями в эффузионной ячейке, падающем потоке и давлением на подложке выражается следующим уравнением:

При расчётах возможно сделать следующие допущения:

а) и = 1

б) пренебречь существенно меньшими давлениями в разностях, стоящих в левой и правой частях равенства.

В этом случае уравнение перепишется в следующем виде:

=>

Полученное уравнение вместе с известной (справочной) зависимостью равновесного давления компонента от температуры составляют систему из 2-х уравнений, позволяющих определить давления и температуры в ячейке Кнутцена.

Таким образом, необходимо решить систему уравнений вида:

a) Решение систем уравнений для активной области (AlGaAs)

:

- начальные приближения

Al

- решения системы уравнений

- начальные приближения

Ga

- решения системы уравнений

б) Решение систем уравнений для широкозонного эмиттера (GaInP)

- начальные приближения

Ga

- решения системы уравнений

- начальные приближения

In

- решения системы уравнений

- начальные приближения

P

- решения системы уравнений

Ga

In

P

И

Т

О

Г

4. Расчёт скорости роста и времени выращивания слоёв заданной толщины

1) Расчёт скорости роста слоёв гетероструктуры

Справочные параметры, необходимые для дальнейших расчётов:

На основании этих данных рассчитываются плотности и молярные массы бинарных соединений:

Скорость процесса роста эпитаксиальной плёнки заданного состава определяется из следующего соотношения:

Скорости роста  эпитаксиальных слоёв:

Слой 1

Слой 2

2) Расчёт времени роста слоёв гетероструктуры

Механические напряжения накладывают пределы на её толщину (при температуре эпитаксии).

Исходя из указанных функциональных ограничений на толщину структуры, а также ограничения, связанного с особенностями технологии (hкр ), толщинам эпитаксиальных слоёв были присвоены следующие значения :

Время роста 1-го и 2-го эпитаксиальных слоёв:

Слой 1

Слой 2

5. Расчёт процесса легирования слоёв

1) Задание уровней легирования слоёв

Рекомендации по легированию:

- высокая предельная растворимость, на уровне

- близость к единице коэффициента конденсации

- низкий коэффициент диффузии

- отсутствие сегрегации на поверхности и в объеме

- отсутствие уровней в запрещённой зоне

- примесь не должна проявлять амфотерный характер

Исходя из указанных выше рекомендаций, предлагаются следующие значения концентрации примеси в эпитаксиальных слоях:

- 1-й слой ("широкозонное окно") n-типа

- 2-й слой (активный слой) p-типа

- 3-й слой ("широкозонноеокно") p-типа

В качестве веществ, играющих роль акцепторной или донорной примеси, предлагается использовать кремний (донор) и марганец (акцептор), так как они обладают коэффициентом конденсации, равным единице, и удовлетворяют заданным уровням легирования (имеют достаточную предельную растворимость).

2) Расчёт процесса легирования

a) Определение давления примеси в потоке

Кaк уже было указано процесс роста слоя определяется потоком компонентов 3-й группы. Поэтому можно приближённо считать, что отношение давлений в потоке соответствует отношению концентраций соответствующих атомов в растущем слое. Определив концентрацию элементов 3-й группы через постоянную решётки рассматриваемого твёрдого раствора, можно определить концентрацию атомов примеси в потоке.

- концентрация атомов 3-й группы в растворе

b) Определение давления и температуры компонентов в эффузионных ячейках

Для расчёта используется тот же алгоритм, что был использован ранее для определения параметров ячейки Кнутцена при рассмотрении компонентов твёрдого раствора.  Т. е. составляется система из 2-х уравнений, где первое представляет собой уравнение Кнутцена, а второе - известную (справочную) температурную зависимость равновесного давления над источником примеси.

- начальные приближения

Si

- решения системы уравнений

- начальные приближения

Mn

- решения системы уравнений

Si

Mn

И

Т

О

Г

6. Итоговые результаты расчёта процесса роста гетероструктуры

Активный слой

Широкозонный эмиттер

Температура

Давление

Температура

Давление

Скорость роста

Время роста

Скорость роста

Время роста

Тип примеси

Концентрация примеси

Тип примеси

Концентрация примеси

p (Mn)

n (Si)

Толщина

Ширина запрещённой зоны

=>

Постоянная решётки

Список использованной литературы

1. Пихтин А.Н. Оптическая и квантовая электроника. – М.: Высш. шк., 2001.

2. С. ЗИ. Физика полупроводниковых приборов. – М.: Мир, 1984.

3. Александрова О. А.,  Мошников В. А.    Физика   и   химия   материалов оптоэлектроники  и  наноэлектроники:  Практикум. СПб.: Изд-во   СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2007.

Приложение.

Таблица 1. Входные параметры технологического процесса

Входные параметры

Al0,3Gas0,7As

Al0,1Ga0,9As

TuAs, K

521

PuAs, Па

0,312

TuSi, K

1198

PuSi, Па

1.096*10-4

TuMg, K

485

PuMg, Па

1.281*10-5

TuAl, K

1295

1244

PuAl, Па

0,132

0,043

TuGa, K

1129

1139

PuGa, Па

0,302

0,389


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

34408. Методы экстраполяции и их характеристика 28 KB
  Методы экстраполяции относятся к формализованным методам. Методы экстраполяции являются наиболее распространенными и проработанными. Применяются следующие методы: м.
34409. Методы моделирования 32.5 KB
  Моделирование предполагает конструирование модели на основе предварительного изучения объекта или процесса выделения его существенных характеристик или признаков. Прогнозие с использованием моделей включает разработку модели ее экспериментальный анализ сопоставление результатов прогнозных расчетов на основе модели с фактическими данными состояния объекта или процесса корректировку и уточнение модели. Различают: а по уровню управления эконми и соцми процессами: макроэккие...
34410. Экономико- математические методы, используемые в ПиП экономических и социальных процессов 28 KB
  Важнейшими методами являются : метод межотраслевого баланса методы оптимизации симплексметод и др. корреляционнорегрессионный метод. метод межотраслевого баланса базируется на принципах разработки межотраслевого баланса позволяет осуществлять прогнозие развития экономики и ее отраслевой структуры исходя из конечных потребностей.
34411. Метод экономического анализа, его сущность и роль в ПиП 29.5 KB
  При проведении экономического анализа следует соблюдать системный подход. Сущность метода экономического анализа заключается в том что экономический процесс или явление расчленяется на составные части и выявляются взаимная связь и влияние этих частей друг на друга и на ход развития всего процесса. Процесс экономического анализа подразделяется на ряд стадий постановку проблемы определение целей и критериев оценки; подготовку информации для анализа; изучение и аналитическую обработку информации; разработку рекомендаций о возможных вариантах...
34412. Балансовый и нормативный методы ПиП, их взаимосвязь и направления совершенствования 29.5 KB
  В непроизводственной сфере применяются нормы характеризующие необходимый размер общей и жилой площади на 1 жителя потребление воды на 1 человека и др. В практике ПиП применяется система норм и нормативов включая нормы расхода сырьевых и топливноэнергетических ресурсов; нормы затрат труда; нормы и нормативы использования основных производственных фондов; нормативы капитальных вложений и капитального строительства; нормы и нормативы характеризующие эффективность общественного производства; финансовые нормы и нормативы; социальные нормы ....
34413. Программно-целевой метод планирования, его сущность и область применения 30 KB
  На втором этане выдается задание на разработку программы для решения определенной проблемы. На третьем этапе разрабатываются задания и мероприятия для реализации программы. Четвертый этап предполагает расчет основных показателей и ресурсного обеспечения программы. Определяются затраты материальных трудовых финансовых ресурсов необходимых для реализации программы.
34414. Принципы организации ПиП 29.5 KB
  Организация прогнозирования и планирования охватывает систему органов планирования на всех уровнях управления народным хозяйством определение их функций установление порядка разработки прогнозов и планов доведение важнейших показателей до исполнителей и организацию обеспечения их выполнения. Научными основами организации прогнозирования и планирования являются принципы т. В современных условиях важнейшими принципами организации планирования являются: децентрализация и демократизация; демонополизация; экономически выгодное участие...
34415. Органы ПИП 46 KB
  К центральным экономическим органам относятся: Министерство экономики; Министерство финансов; Министерство труда; Министерство статистики и анализа; Министерство предпринимательства и инвестиций; Министерство по управлению государственным имуществом и приватизации. Министерство экономики подчиняется Совету Министров и в своей деятельности руководствуется законодательством республики и положением которым определены его задачи и функции.; методическое и научное обеспечение проведения экономических реформ; разработка принципов...
34416. Порядок разработки планов-прогнозов и утверждения важнейших показателей 38 KB
  Порядок и сроки разработки плановпрогнозов экономического и социального развития определяются правительством. Основой разработки годовых плановпрогнозов являются: Национальная стратегия устойчивого социальноэкономического развития; Программа социальноэкономического развития на среднесрочную перспективу; Программы и решения президента и правительства по важнейшим направлениям экономического развития межгосударственные соглашения. Всю работу по составлению планапрогноза можно подразделить на ряд этапов: Аналитическая...