49763

Автоматизация конструирования и технологической подготовки производства РЭС

Курсовая

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

На рисунках 1 и 2 представлены условнографическое отображение микроконтроллера PIC16C8404 P и чертеж его корпуса соответственно. Рисунок 1 – Условнографическое отображение микроконтроллера PIC16C8404 P. На рисунках 1 и 2 представлены условнографическое отображение микросхемы КМ155ИД11 и чертеж её корпуса соответственно. Рисунок 1 – Условнографическое отображение микросхемы КМ155ИД11.

Русский

2014-01-08

263.93 KB

3 чел.

Московский Авиационный Институт

(Национальный Исследовательский Университет)

Кафедра 404

Пояснительная записка

к курсовому проекту по дисциплине

«Автоматизация конструирования и технологической подготовки производства РЭС»

Выполнил:

Гореликов Л.Ф.

группа 04-503

Принял:

Кусов П.Г.

Москва 2012

1 Интегральные микросхемы

  1.  PIC16C84-04/P.

Описание: 8-битный микроконтроллер общего назначения выпускаемый компанией Microchip Technology Inc.

Технические характеристики: Память программ - 1.75 Кб, 68 RAM, 13 I/O, 4 МГц, PDIP18.

На рисунках 1 и 2 представлены условно-графическое отображение микроконтроллера PIC16C84-04/P и чертеж его корпуса соответственно.

Рисунок 1 – Условно-графическое отображение микроконтроллера PIC16C84-04/P.

Рисунок 2 – Чертеж корпуса микроконтроллера PIC16C84-04/P.

  1.  КМ155ИД11.

Описание: Микросхема представляет собой дешифратор на 3 входа и 8 выходов для управления шкалой заполнения. Содержит 123 интегральных элемента, выпускается в корпусах типа 2.

Технические характеристики: Uпит=5В, U0<0,4В, U1=1,4…2,2В.

На рисунках 1 и 2 представлены условно-графическое отображение микросхемы КМ155ИД11 и чертеж её корпуса соответственно.

Рисунок 1 – Условно-графическое отображение микросхемы КМ155ИД11.

Рисунок 2 – Чертеж корпуса микросхемы КМ155ИД11.

  1.  К561ЛП2.

Описание: Микросхема представляет собой 4 логических элемента «Исключающее ИЛИ», содержит 65 интегральных элемента. Выпускается в корпусах типа 2 и 4.

Технические характеристики: Uпит=3..15В, U0<0,01..2,9В, U1=3,6…9,99В.

На рисунках 1 и 2 представлены условно-графическое отображение микросхемы К561ЛП2 и чертеж её корпуса соответственно.

Рисунок 1 – Условно-графическое отображение микросхемы К561ЛП2.

Рисунок 2 – Чертеж корпуса микросхемы К561ЛП2.

  1.  К561ТМ2.

Описание: Микросхема представляет собой 2 D-триггера с динамическим управлением. Установка триггеров по входам R и S принудительная, поэтому сигналы синхронизации С и информационного входа D не изменяют состояние триггера на выходе во время действия сигналов R и S. Содержит 128 интегральных элемента, выпускается в корпусах типа 2 и 4.

Технические характеристики: Uпит=3..15В, U0<0,8..1В, U1=4,2…9В.

На рисунках 1 и 2 представлены условно-графическое отображение микросхемы К561ТМ2 и чертеж её корпуса соответственно.

Рисунок 1 – Условно-графическое отображение микросхемы К561ЛП2.

Рисунок 2 – Чертеж корпуса микросхемы К561ЛП2.

  1.  КР142ЕН5-9.

Описание: Микросхема представляет собой стабилизатор с фиксированным выходным напряжением в трёхвыводном исполнении.

Технические характеристики: Uвх.max=15В, Uвых=5±0,1В, Iвых=1,5А.

На рисунках 1 и 2 представлены условно-графическое отображение микросхемы КР142ЕН5-9 и чертеж её корпуса соответственно.

Рисунок 1 – Условно-графическое отображение микросхемы КР142ЕН5-9.

Рисунок 2 – Чертеж корпуса микросхемы КР142ЕН5-9.

2 Дискретные элементы

  1.  КТ342А.

Описание: Кремниевые эпитаксиально-планарные универсальные биполярные n-p-n транзисторы. Предназначены для применения в импульсных устройствах, выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Технические характеристики: h21Э=100..250, fгр=250МГц, Uкэmax=30В, Uбэmax=5В, IКmax=50мА в статическом режиме.

На рисунках 1 и 2 представлены условно-графическое отображение транзистора КТ342А и чертеж его корпуса соответственно.

Рисунок 1 – Условно-графическое отображение транзистора КТ342А.

Рисунок 2 – Чертеж корпуса транзистора КТ342А.

  1.  Резисторы С2-33.

Описание: Неизолированные резисторы с металлоэлектрическим проводящим слоем, предназначены для работы в цепях постоянного, переменного и импульсного тока в качестве элементов навесного монтажа.

Технические характеристики: Предельное рабочее напряжение постоянного и переменного тока – 200В (при 0,125 Вт) и 500В (при 1 Вт). L=6..22мм, D=2,2..8,8мм.

На рисунках 1 и 2 представлены условно-графическое отображение С2-33 и чертеж  корпуса соответственно.

Рисунок 1 – Условно-графическое отображение резистора.

Рисунок 2 – Чертеж корпуса резистора С2-33.

  1.  Конденсатор К53-4

Описание: Предназначен для работы в цепях постоянного и пульсирующего тока.

На рисунках 1 и 2 представлены условно-графическое отображение С2-33 и чертеж  корпуса соответственно. L=7,5..16мм, D=3,2...7,2.

Рисунок 1 – Условно-графическое отображение конденсатора.

Рисунок 2 – Чертеж корпуса конденсатора К53-4.

  1.  Конденсатор К10-50

Описание: Незащищенные конденсаторы предназначенные для работы в цепях постоянного и переменного тока.

На рисунках 1 представлено условно-графическое отображение С2-33. L=6,8..12мм, В=4,6...8,6.

Рисунок 2 – Чертеж корпуса конденсатора К10-50.

Тактовая кнопка с двумя контактами для макетных плат под пайку

рабочий диапазон: до 12В 50мА

до 100000 циклов

размер: 6*6*5 мм


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

16719. Бактериальное выщелачивание 40 KB
  Бактериальное выщелачивание избирательное извлечение химических элементов из многокомпонентных соединений посредством их растворения микроорганизмами в водной среде. Благодаря Б. в. появляется возможность извлекать из руд отходов производства и т. д. ценные...
16720. Влияние вторичных процессов на извлечение золота при сорбционном выщелачивании 53.5 KB
  УДК.669.21/23 Влияние вторичных процессов на извлечение золота при сорбционном выщелачиванииКустова Л.А. начальник ЦЗЛ ГМЗ2 Центрального рудоуправления НГМК; Коротовских Г.А. зам. начальника ЦЗЛ ГМЗ2 Центрального рудоуправления НГМК Золотосодержащие руды отличаются бо...
16721. Влияние концентрации цианистого натрия и тонины помола на извлечение золота и серебра из пульпы 65.5 KB
  УДК 622 Влияние концентрации цианистого натрия и тонины помола на извлечение золота и серебра из пульпыДубов А.А. начальник цеха сорбции и регенерации ГМЗ2 Центрального рудоуправления НГМК С момента пуска Гидрометаллургического завода № 2 НГМК в эксплуатацию на нем с
16722. ВОЗМОЖНОСТИ ГРАВИТАЦИОННОГО ОБОГАЩЕНИЯ УПОРНЫХ ПРОМПРОДУКТОВ ЗОЛОТОИЗВЛЕКАТЕЛЬНЫХ ФАБРИК 84.5 KB
  ВОЗМОЖНОСТИ ГРАВИТАЦИОННОГО ОБОГАЩЕНИЯ УПОРНЫХ ПРОМПРОДУКТОВ ЗОЛОТОИЗВЛЕКАТЕЛЬНЫХ ФАБРИК Евтушенко М.Б. ОOО НТЦ Магнитные жидкости Посысоева Д.С. МГГУ Упорными промпродуктами золотоизвлекательных фабрик ЗИФ являются хвосты доводки гравиоконцентратов пред...
16723. ВОЗМОЖНОСТИ И ПЕРСПЕКТИВЫ ПРОМЫШЛЕННОГО ИСПОЛЬ-ЗОВАНИЯ НЕЦИАНИСТЫХ РАСТВОРИТЕЛЕЙ ЗОЛОТА И СЕРЕБРА 93.5 KB
  ВОЗМОЖНОСТИ И ПЕРСПЕКТИВЫ ПРОМЫШЛЕННОГО ИСПОЛЬЗОВАНИЯ НЕЦИАНИСТЫХ РАСТВОРИТЕЛЕЙ ЗОЛОТА И СЕРЕБРА Современная металлургия золота основана на использовании цианистого процесса который успешно применяется в мировой практике уже более 115 лет обеспечивая получен...
16724. Выбор рационального расхода рабочих растворов при кучном выщелачивании золота 70 KB
  Выбор рационального расхода рабочих растворов при кучном выщелачивании золота Д. Е. Толстов Г. 2000 г. УДК 669.213:66.094.6 Штабели укладываемой руды при кучном выщелачивании золота могут достигать сотни метров в высоту более двух километров в длину и километр в ширину. Разли
16725. ВЫЩЕЛАЧИВАНИЕ ЗОЛОТА С ПОМОЩЬЮ АЗОТ- И СЕРОСОДЕРЖАЩИХ ГЕТЕРОЦИКЛИЧЕСКИХ АРОМАТИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ 258.5 KB
  ВЫЩЕЛАЧИВАНИЕ ЗОЛОТА С ПОМОЩЬЮ АЗОТ И СЕРОСОДЕРЖАЩИХ ГЕТЕРОЦИКЛИЧЕСКИХ АРОМАТИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ Имя изобретателя: Кристьянсдоттир Сиграйдью Соул US; Томпсон Джеффри Скотт US Имя патентообладателя: Е.И.Дю Пон Де Немурс энд Компани USАдрес для переписки: Дата начала ...
16726. Геологическая деятельность бактерий 143 KB
  Геологическая деятельность бактерий Бактерии способны осуществлять процессы приводящие к разрушению или образованию месторождений полезных ископаемых минералов и горных пород а также к миграции отдельных элементов. Изучение этих процессов важно для наших теоретич...