50112

Дослідження спектрального розподілу фотопровідності та пропускання напівпровідникових кристалів

Лабораторная работа

Физика

Прилади і обладнання Монохроматор УМ2 джерело світла селеновий фотоелемент зразок напівпровідникового кристалу Опис установки Оптична схема експериментальної установки для дослідження спектрального розподілу фотопровідності пропускання та поглинання напівпровідникових матеріалів зібрана на базі монохроматора УМ2 рис.1 в окрему групу виділені основні елементи монохроматора. Світловий пучок що випромінюється джерелом світла 1 фокусується конденсорною лінзою 3 на вхідній щілині 6 монохроматора. Для одержання спектрального розподілу...

Украинкский

2014-01-16

229.5 KB

2 чел.


Лабораторна робота №9

Дослідження спектрального розподілу фотопровідності та пропускання напівпровідникових кристалів

Мета роботи

Дослідити спектральний розподіл фотопровідності селенового фотоелемента, визначити ширину забороненої зони напівпровідникового кристала за його спектром пропускання

Для виконання лабораторної роботи студенту попередньо необхідно: знати особливості зонної структури та механізм провідності фотопровідності напівпровідників

(§6.2, §6.3, §6.5.1)

Прилади і обладнання

Монохроматор УМ-2, джерело світла, селеновий фотоелемент, зразок напівпровідникового кристалу

Опис установки

Оптична схема експериментальної установки для дослідження спектрального розподілу фотопровідності, пропускання та поглинання напівпровідникових матеріалів зібрана на базі монохроматора УМ-2 (рис.1). Її загальний вигляд зображено на рис.2. На рис.1 в окрему групу виділені основні елементи монохроматора.

Розглянемо хід променів в лабораторній установці при дослідженні спектрального розподілу фотопровідності селенового фотоелемента (рис.1) (в цьому випадку напівпровідниковий кристал 4 усувають на шляху поширення світлового променя). Світловий пучок, що випромінюється джерелом світла 1 фокусується конденсорною лінзою 3 на вхідній щілині 6 монохроматора. Пройшовши через б’єктив 7, світло попадає на дисперсійну призму, а далі – через вихідну щілину 10 на селеновий фотоелемент 11. Фотострум, що виникає в електричному колі фотоелемента, вимірюється високочутливим гальванометром 12. 

Для одержання спектрального розподілу пропускання напівпровідникового кристалу, кристал 4, який знаходиться в тримачі, розміщують на вхідній щілині монохроматора. Далі хід променів аналогічний до описаного вище.

На робочому місці знаходиться крива градуювання (крива дисперсії) монохроматора, яка дозволяє переводити покази шкали барабана монохроматора у значення довжин хвиль падаючого випромінювання.

 

Рис. 1

1 − джерело світла; 2 − захисне скло кожуха лампи; 3 − конденсорна лінза ; 4 – напівпровідниковий кристал ; 5 – збиральна лінза; 6 − вхідна щілина; 7 − об’єктив коліматора; 8 − дисперсійна призма; 9 − об’єктив зорової труби; 10 − вихідна щілина; 11 − фотоелемент;

12 − мікроамперметр.

Рис. 2

1 – джерело світла, яке розміщене в захисному кожусі; 2 – конденсорна лінза; 3 – напівпровідниковий кристал; 4 – монохроматор; 5 – селеновий фотоелемент; 6 – барабан довжин хвиль монохроматора; 7 – джерело живлення лампочки розжарення; 8 – мікроамперметр.

Послідовність виконання роботи

ЗАВДАННЯ 1. Вивчення спектральної чутливості селенового фотоелемента

Для цього (див. рис.2):

  1.  Розмістити селеновий фотоелемент 5 навпроти вихідної щілини монохроматора 4. УВАГА! Прилади налагоджує керівник заняття.
  2.  Увімкнути джерело живлення 7 в мережу 220 В.
  3.  Встановити конденсорну лінзу 2 в рейтер, що знаходиться на оптичній лаві, так, щоб оптичний центр лінзи збігався з оптичною віссю монохроматора. Пучок світла від лампи розжарювання направити на лінзу.
  4.  Пересуваючи рейтер з лінзою 2 по оптичній лаві, добитися чіткого зображення нитки розжарення лампи джерела світла на вхідній щілині монохроматора.
  5.  Регулювання максимальної чутливості фотоелемента 5. Встановити перемикач вибору меж вимірювання мікроамперметра 8 в положення ×1. Обертаючи барабан 6 довжин хвиль в межах 700–3200 відносних одиниць шкали барабана 6 спостерігати за стрілкою мікроамперметра максимум фотоструму . При цьому, відхилення стрілки мікроамперметра повинно становити не менше 60 поділок його шкали. При меншій чутливості мікроамперметра регулюванням положення кристала відносно щілини монохроматора та ширини щілини монохроматора усунути виявлений недолік в чутливості фотоелемента 5.
  6.  Обертаючи барабан 6 в межах 700–3200 через кожні 100 відносних одиниць шкали довжин хвиль визначати за показами мікроамперметра значення фотоструму . Результати вимірювання записувати в таблицю 1.
  7.  За допомогою кривої градуювання монохроматора, наведеної на робочому місці, встановити відповідність між показами  шкали барабана монохроматора та відповідними довжинами  хвиль . Результати записати в таблицю 1.

Таблиця 1

n, відн.од.

700

800

900

1000

1100

1200

1300

3200

, мкА

λ, Å

ЗАВДАННЯ 2. Дослідження спектрального розподілу коефіцієнтів пропускання та поглинання напівпровідникового кристала і визначення його ширини забороненої зони

Для цього:

  1.  Перед вхідною щілиною монохроматора встановити досліджуваний зразок напівпровідникового кристала. УВАГА! Прилади налагоджує керівник заняття.
  2.  Обертаючи барабан 6 в межах 700–3200 відносних одиниць шкали довжин хвиль, через кожні 100 одиниць визначати за показами мікроамперметра значення фотоструму .
  3.  Обчислити значення коефіцієнта пропускання  напівпровідникового кристала для різних довжин хвиль за формулою:

.                                                            (1)

  1.  За знайденими значеннями  згідно (1) побудувати графік, по осі  якого відкладати довжини хвиль , а по осі  – відповідні значення .
  2.  Знайти значення коефіцієнта поглинання  напівпровідникового кристала для різних довжин хвиль, використовуючи співвідношення

.                                                              (2)

  1.  Побудувати графік залежності .
  2.  Визначити значення ширини ΔЕ забороненої зони напівпровідникового кристала за перетином дотичної до лінійної ділянки короткохвильової області кривої  з віссю абсцис. Результат виразити в еВ.
  3.  Результати вимірювання та обчислень записати в таблицю 2.
  4.  Проаналізувати одержані результати.

Таблиця 2

n, відн.од.

  700

800

  900

1000

1100

1200

 1300

1400

3200

λ, Å

Iф(λ), мкА

T(λ)

α (λ)

,

, Дж

α()

ΔЕ, еВ

Контрольні запитання

  1.  Дайте визначення явища зовнішнього та внутрішнього фотоефектів.
  2.  Поясніть механізми власної та домішкової фотопровідностей.
  3.  В чому полягає зміст “червоної межі” внутрішнього фотоефекту?
  4.  Що характеризують коефіцієнти пропускання  і поглинання  для середовища? Запишіть співвідношення, з яких їх знаходять.
  5.  Поясніть з точки зору зонної теорії, що таке заборонена зона ΔЕ напівпровідника?
  6.  Як за експериментально знайденим значенням , що відповідає червоній межі” внутрішнього фотоефекту, можна визначити ширину забороненої зони ΔЕ напівпровідника?

 


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

27452. Механизм государства и его основные элементы 27.5 KB
  Механизм государства – это целостная система взаимосогласованных и взаимодействующих государственных органов и средств с помощью которых осуществляются задачи и функции государства. В его структуре можно выделить три взаимосвязанных уровня: элементарный – уровень государственного органа; системный – уровень группы государственных органов образующих ту или иную подсистему механизма государства правоохранительная система; инструментальный уровень – правовые нормы регламентирующие деятельность государственных органов отношения...
27453. Англо-саксонская правовая система 29.5 KB
  Англосаксонская правовая система. Система общего права характерна для стран которые реципировали английское общее право дополненное и усовершенствованное €œправом справедливости€. В эту семью входят национальные правовые системы Англии Северной Ирландии а также тех государств главой которых формально считается королева Великобритании – Канады Новой Зеландии Австралии и других т. Для этой правовой системы свойственна тройственная структура источников: общее классическое английское право право справедливости и статутное право.
27454. Взаимодействие государства и права 28.5 KB
  Модели соотношения государства и права: 1. право верховенствует над государством либеральнодемократическое государство теория правового государства 3. государство создает право но в своей деятельности им связано реалистическая модель: соотношения права и государства: единство права и государства.
27455. Виды правовых норм, в зависимости от предмета и метода правового регулирования 33 KB
  По предмету правового регулирования по отраслям права выделяют: нормы государственного административного финансового земельного гражданского трудового уголовного и иных отраслей российского права. Отраслевые нормы подразделяются на материальные и процессуальные. Материальные правовые нормы закрепляют права и обязанности субъектов права их правовое положение пределы правового регулирования и т. Процессуальные правовые нормы регулируют организационные отношения и носят сугубо организационнопроцедурный управленческий характер.
27456. Власть и социальное регулирование – как основные средства организации жизнедеятельности общества 40.5 KB
  Социальное управление обеспечивает единство согласованность взаимосвязь деятельности людей в интересах общества и личности человека сохранение целостности и гармоничного развития. Осуществляя социальноэкономическую функцию социального управление должно раскрыть выразить и разрешить противоречия между потребностями интересами ценностными ориентациями людей и существующей системой экономических отношений. 4 Социальная функция управления в собственном ее понимании осуществляется по средством регулирования отношений между отдельными...
27457. Государственная власть и способы ее осуществления 27 KB
  Государственная власть представляет собой особую разновидность социальной власти. Согласно одной точке зрения государственная власть – более узкая категория чем политическая власть ибо последняя осуществляется не только государством но и другими звеньями политической системы общества: партиями общественными организациями и т. В соответствии с другой точкой зрения понятие политическая власть тождественно понятию государственная власть так как первая исходит от государства и реализуется не иначе как при его прямом или косвенном...
27458. Государство и партия в политической системе России 28 KB
  Элементами политической системы в широком смысле выступают политические институты материальные и идеологические а также социальные нормы регулирующие деятельность этих институтов политические моральные корпоративные юридические. Политическая система в узком смысле – это система субъектов политических отношений иначе еще ее называют политической организацией общества. Элементами политической организации общества являются государство общественные объединения отдельные граждане.
27459. Государство как субъект правоотношений 30 KB
  Государство как субъект правоотношений. Государство: обладает как субъект правоотношений особым свойством суверенитетом ; общая правосубъектность государства определяется Конституцией данного государства нормами международного права; является субъектом внутригосударственных международных правоотношений; относится к т. Государство во всех правоотношениях выступает как политический субъект проявляющий властные полномочия как носитель суверенитета. Государство регламентирует статус участников правоотношений является субъектом...
27460. Государство: понятие, назначение и признаки 28 KB
  Государство – это политикотерриториальная суверенная организация публичной власти общества взимающая с населения налоги издающая законы и обеспечивающая их реализацию. Марксистсколенинское понимание признаков государства: 1 разделение населения по территориальному признаку; 2 наличие публичной власти которая стоит над обществом; 3 наличие налоговой системы. принадлежность людей к данному обществу гражданству; порядок и понятия формы предоставления гражданства именно через понятия гражданство население происходит объединение...