50112

Дослідження спектрального розподілу фотопровідності та пропускання напівпровідникових кристалів

Лабораторная работа

Физика

Прилади і обладнання Монохроматор УМ2 джерело світла селеновий фотоелемент зразок напівпровідникового кристалу Опис установки Оптична схема експериментальної установки для дослідження спектрального розподілу фотопровідності пропускання та поглинання напівпровідникових матеріалів зібрана на базі монохроматора УМ2 рис.1 в окрему групу виділені основні елементи монохроматора. Світловий пучок що випромінюється джерелом світла 1 фокусується конденсорною лінзою 3 на вхідній щілині 6 монохроматора. Для одержання спектрального розподілу...

Украинкский

2014-01-16

229.5 KB

2 чел.


Лабораторна робота №9

Дослідження спектрального розподілу фотопровідності та пропускання напівпровідникових кристалів

Мета роботи

Дослідити спектральний розподіл фотопровідності селенового фотоелемента, визначити ширину забороненої зони напівпровідникового кристала за його спектром пропускання

Для виконання лабораторної роботи студенту попередньо необхідно: знати особливості зонної структури та механізм провідності фотопровідності напівпровідників

(§6.2, §6.3, §6.5.1)

Прилади і обладнання

Монохроматор УМ-2, джерело світла, селеновий фотоелемент, зразок напівпровідникового кристалу

Опис установки

Оптична схема експериментальної установки для дослідження спектрального розподілу фотопровідності, пропускання та поглинання напівпровідникових матеріалів зібрана на базі монохроматора УМ-2 (рис.1). Її загальний вигляд зображено на рис.2. На рис.1 в окрему групу виділені основні елементи монохроматора.

Розглянемо хід променів в лабораторній установці при дослідженні спектрального розподілу фотопровідності селенового фотоелемента (рис.1) (в цьому випадку напівпровідниковий кристал 4 усувають на шляху поширення світлового променя). Світловий пучок, що випромінюється джерелом світла 1 фокусується конденсорною лінзою 3 на вхідній щілині 6 монохроматора. Пройшовши через б’єктив 7, світло попадає на дисперсійну призму, а далі – через вихідну щілину 10 на селеновий фотоелемент 11. Фотострум, що виникає в електричному колі фотоелемента, вимірюється високочутливим гальванометром 12. 

Для одержання спектрального розподілу пропускання напівпровідникового кристалу, кристал 4, який знаходиться в тримачі, розміщують на вхідній щілині монохроматора. Далі хід променів аналогічний до описаного вище.

На робочому місці знаходиться крива градуювання (крива дисперсії) монохроматора, яка дозволяє переводити покази шкали барабана монохроматора у значення довжин хвиль падаючого випромінювання.

 

Рис. 1

1 − джерело світла; 2 − захисне скло кожуха лампи; 3 − конденсорна лінза ; 4 – напівпровідниковий кристал ; 5 – збиральна лінза; 6 − вхідна щілина; 7 − об’єктив коліматора; 8 − дисперсійна призма; 9 − об’єктив зорової труби; 10 − вихідна щілина; 11 − фотоелемент;

12 − мікроамперметр.

Рис. 2

1 – джерело світла, яке розміщене в захисному кожусі; 2 – конденсорна лінза; 3 – напівпровідниковий кристал; 4 – монохроматор; 5 – селеновий фотоелемент; 6 – барабан довжин хвиль монохроматора; 7 – джерело живлення лампочки розжарення; 8 – мікроамперметр.

Послідовність виконання роботи

ЗАВДАННЯ 1. Вивчення спектральної чутливості селенового фотоелемента

Для цього (див. рис.2):

  1.  Розмістити селеновий фотоелемент 5 навпроти вихідної щілини монохроматора 4. УВАГА! Прилади налагоджує керівник заняття.
  2.  Увімкнути джерело живлення 7 в мережу 220 В.
  3.  Встановити конденсорну лінзу 2 в рейтер, що знаходиться на оптичній лаві, так, щоб оптичний центр лінзи збігався з оптичною віссю монохроматора. Пучок світла від лампи розжарювання направити на лінзу.
  4.  Пересуваючи рейтер з лінзою 2 по оптичній лаві, добитися чіткого зображення нитки розжарення лампи джерела світла на вхідній щілині монохроматора.
  5.  Регулювання максимальної чутливості фотоелемента 5. Встановити перемикач вибору меж вимірювання мікроамперметра 8 в положення ×1. Обертаючи барабан 6 довжин хвиль в межах 700–3200 відносних одиниць шкали барабана 6 спостерігати за стрілкою мікроамперметра максимум фотоструму . При цьому, відхилення стрілки мікроамперметра повинно становити не менше 60 поділок його шкали. При меншій чутливості мікроамперметра регулюванням положення кристала відносно щілини монохроматора та ширини щілини монохроматора усунути виявлений недолік в чутливості фотоелемента 5.
  6.  Обертаючи барабан 6 в межах 700–3200 через кожні 100 відносних одиниць шкали довжин хвиль визначати за показами мікроамперметра значення фотоструму . Результати вимірювання записувати в таблицю 1.
  7.  За допомогою кривої градуювання монохроматора, наведеної на робочому місці, встановити відповідність між показами  шкали барабана монохроматора та відповідними довжинами  хвиль . Результати записати в таблицю 1.

Таблиця 1

n, відн.од.

700

800

900

1000

1100

1200

1300

3200

, мкА

λ, Å

ЗАВДАННЯ 2. Дослідження спектрального розподілу коефіцієнтів пропускання та поглинання напівпровідникового кристала і визначення його ширини забороненої зони

Для цього:

  1.  Перед вхідною щілиною монохроматора встановити досліджуваний зразок напівпровідникового кристала. УВАГА! Прилади налагоджує керівник заняття.
  2.  Обертаючи барабан 6 в межах 700–3200 відносних одиниць шкали довжин хвиль, через кожні 100 одиниць визначати за показами мікроамперметра значення фотоструму .
  3.  Обчислити значення коефіцієнта пропускання  напівпровідникового кристала для різних довжин хвиль за формулою:

.                                                            (1)

  1.  За знайденими значеннями  згідно (1) побудувати графік, по осі  якого відкладати довжини хвиль , а по осі  – відповідні значення .
  2.  Знайти значення коефіцієнта поглинання  напівпровідникового кристала для різних довжин хвиль, використовуючи співвідношення

.                                                              (2)

  1.  Побудувати графік залежності .
  2.  Визначити значення ширини ΔЕ забороненої зони напівпровідникового кристала за перетином дотичної до лінійної ділянки короткохвильової області кривої  з віссю абсцис. Результат виразити в еВ.
  3.  Результати вимірювання та обчислень записати в таблицю 2.
  4.  Проаналізувати одержані результати.

Таблиця 2

n, відн.од.

  700

800

  900

1000

1100

1200

 1300

1400

3200

λ, Å

Iф(λ), мкА

T(λ)

α (λ)

,

, Дж

α()

ΔЕ, еВ

Контрольні запитання

  1.  Дайте визначення явища зовнішнього та внутрішнього фотоефектів.
  2.  Поясніть механізми власної та домішкової фотопровідностей.
  3.  В чому полягає зміст “червоної межі” внутрішнього фотоефекту?
  4.  Що характеризують коефіцієнти пропускання  і поглинання  для середовища? Запишіть співвідношення, з яких їх знаходять.
  5.  Поясніть з точки зору зонної теорії, що таке заборонена зона ΔЕ напівпровідника?
  6.  Як за експериментально знайденим значенням , що відповідає червоній межі” внутрішнього фотоефекту, можна визначити ширину забороненої зони ΔЕ напівпровідника?

 


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

32152. СУ в системе менеджмента 100.5 KB
  Конечная цель системы менеджмента выполнение миссии организации. Миссия это наиболее общая цель организации как конкурентоспособной структуры представленная в наиболее общей форме и четко выражающая основную причину существования организации. Стратегия корпорации это деловая концепция организации на заданную стратегическую перспективу представленная в виде долгосрочной программы конкретных действий которые способны реализовать данную концепцию и обеспечить организации конкурентные преимущества в достижении целей.
32153. Конкурентные преимущества. Базовые конкурентные стратегии 32.5 KB
  Конкурентные преимущества. Базовые конкурентные стратегии Конкретную рыночную позицию организации определяет ее конкурентные преимущества. Портеру конкурентные преимущества делятся на два основных вида: дифференциация продуктовтоваров и более низкие издержки на создание и реализацию товаров. Организации добиваются конкурентного преимущества находя новые способы конкуренции в своей отрасли и выходя с ними на рынок что можно назвать одним словом нововведение.
32154. Цепочка стоимости и система стоимости 24 KB
  Цепочка стоимости и система стоимости Виды деятельности при конкуренции в какойлибо конкретной отрасли можно разделить на категории. Они объединены в так называемую цепочку стоимости. Все виды деятельности входящие в цепочку стоимости вносят свой вклад в конечную потребительскую стоимость продуктатовара. Выбранная конкурентная стратегия определяет способ которым организация выполняет отдельные виды своей деятельности а также всю цепочку стоимости в целом.
32155. Переход от стратегического планирования к стратегическому менеджменту 36.5 KB
  Переход от стратегического планирования к стратегическому менеджменту Предшественником стратегического планирования была система долгосрочного планирования longrnge plnning. В арсенал новых методов используемых стратегическим планированием входят: модели анализа инвестиционных портфелей компаний разработка ситуационных планов развития применение сценарного планирования использование систем экспертных оценок применение различных аналитических матриц для исследования альтернатив возможного стратегического развития и т. Некоторые...
32156. Модели стратегического менеджмента 27 KB
  Модели стратегического менеджмента Одно из классических образных представлений о стратегическом мышлении в отличие от других видов мышления сделано К. В соответствии с моделью укрупненными являются следующие три этапа или фазы стратегического цикла организации: 1 стратегический анализ; 2 разработка стратегии стратегический синтезразвитие; 3 реализация стратегии. Отметим что рассматриваемая модель характеризует стратегическое управление организации и как органичную систему. В рамках предлагаемой модели стратегический...
32157. Анализ внешней среды организации. SWOT-анализ и PEST 38 KB
  Анализ внешней среды организации. К особенностям целевого SWOТ анализа при исследовании внешней среды организации относятся следующие. Вовторых анализ сильных и слабых сторон организации на втором этапе желательно увязывать с соответствующими результатами которые были выявлены и зафиксированы на первом этапе. Но и ценность любого тщательно просчитанного оптимального решения если оно появляется слишком поздно становится равной нулю На основании последовательного рассмотрения этих факторов принимаются решения по корректировке целей и...
32158. Анализ внутренней среды организации. SNW-анализ 26.5 KB
  Анализ внутренней среды организации. SNWанализ Исследование внутренней среды организации как части стратегического анализа представляет отдельный блок. Анализ внутренней среды организации осуществляемый во имя ее стратегических целей так же как и стратегический анализ внешней среды должен быть системным и многофакторным. При стратегическом анализе вся внутренняя среда организации и ее отдельные подсистемы и компоненты рассматриваются как стратегический ресурс развития организации.
32159. Стратегические беседы. Первичный формат сценарного планирования 27 KB
  Стратегические беседы Особую роль в становлении высокой стратегической культуры организации может сыграть система так называемых стратегических бесед strtegic converstions. Один из результативных способов построения системы стратегических бесед это проведение в организации серии беседдиалогов между соответствующими менеджерами и специалистами в процессе освоения и или развития метода сценарного планирования. Сценарный метод был разработан для того чтобы в коммерческой организации сформировать некоторое общее понимание...
32160. Восемь шагов методики сценарного планирования по П. Шварцу 30.5 KB
  Первый критерий это важность каждого фактора для принятия стратегических решений уровня шага 1. Второй критерий степень неопределенности по факторам уровней шага 3 и шага 2 для решения стратегических вопросов уровня шага 1. 5Выявление логики каждого сценария Результатом данного шага должны стать так называемые логические стержни т. суть в том чтобы выйти на относительно небольшое число сценариев которые являются действительно существенно разными по критерию содержания решений принимаемых по стратегическим вопросам уровня шага 1.