ID: 50112

Название работы: Дослідження спектрального розподілу фотопровідності та пропускання напівпровідникових кристалів

Категория: Лабораторная работа

Предметная область: Физика

Описание: Прилади і обладнання Монохроматор УМ2 джерело світла селеновий фотоелемент зразок напівпровідникового кристалу Опис установки Оптична схема експериментальної установки для дослідження спектрального розподілу фотопровідності пропускання та поглинання напівпровідникових матеріалів зібрана на базі монохроматора УМ2 рис.1 в окрему групу виділені основні елементи монохроматора. Світловий пучок що випромінюється джерелом світла 1 фокусується конденсорною лінзою 3 на вхідній щілині 6 монохроматора. Для одержання спектрального розподілу...

Язык: Украинкский

Дата добавления: 2014-01-16

Размер файла: 229.5 KB

Работу скачали: 2 чел.

Лабораторна робота №9

Дослідження спектрального розподілу фотопровідності та пропускання напівпровідникових кристалів

Мета роботи

Дослідити спектральний розподіл фотопровідності селенового фотоелемента, визначити ширину забороненої зони напівпровідникового кристала за його спектром пропускання

Для виконання лабораторної роботи студенту попередньо необхідно: знати особливості зонної структури та механізм провідності фотопровідності напівпровідників

(§6.2, §6.3, §6.5.1)

Прилади і обладнання

Монохроматор УМ-2, джерело світла, селеновий фотоелемент, зразок напівпровідникового кристалу

Опис установки

Оптична схема експериментальної установки для дослідження спектрального розподілу фотопровідності, пропускання та поглинання напівпровідникових матеріалів зібрана на базі монохроматора УМ-2 (рис.1). Її загальний вигляд зображено на рис.2. На рис.1 в окрему групу виділені основні елементи монохроматора.

Розглянемо хід променів в лабораторній установці при дослідженні спектрального розподілу фотопровідності селенового фотоелемента (рис.1) (в цьому випадку напівпровідниковий кристал 4 усувають на шляху поширення світлового променя). Світловий пучок, що випромінюється джерелом світла 1 фокусується конденсорною лінзою 3 на вхідній щілині 6 монохроматора. Пройшовши через б’єктив 7, світло попадає на дисперсійну призму, а далі – через вихідну щілину 10 на селеновий фотоелемент 11. Фотострум, що виникає в електричному колі фотоелемента, вимірюється високочутливим гальванометром 12. 

Для одержання спектрального розподілу пропускання напівпровідникового кристалу, кристал 4, який знаходиться в тримачі, розміщують на вхідній щілині монохроматора. Далі хід променів аналогічний до описаного вище.

На робочому місці знаходиться крива градуювання (крива дисперсії) монохроматора, яка дозволяє переводити покази шкали барабана монохроматора у значення довжин хвиль падаючого випромінювання.

 

Рис. 1

1 − джерело світла; 2 − захисне скло кожуха лампи; 3 − конденсорна лінза ; 4 – напівпровідниковий кристал ; 5 – збиральна лінза; 6 − вхідна щілина; 7 − об’єктив коліматора; 8 − дисперсійна призма; 9 − об’єктив зорової труби; 10 − вихідна щілина; 11 − фотоелемент;

12 − мікроамперметр.

Рис. 2

1 – джерело світла, яке розміщене в захисному кожусі; 2 – конденсорна лінза; 3 – напівпровідниковий кристал; 4 – монохроматор; 5 – селеновий фотоелемент; 6 – барабан довжин хвиль монохроматора; 7 – джерело живлення лампочки розжарення; 8 – мікроамперметр.

Послідовність виконання роботи

ЗАВДАННЯ 1. Вивчення спектральної чутливості селенового фотоелемента

Для цього (див. рис.2):

1.  Розмістити селеновий фотоелемент 5 навпроти вихідної щілини монохроматора 4. УВАГА! Прилади налагоджує керівник заняття.
2.  Увімкнути джерело живлення 7 в мережу 220 В.
3.  Встановити конденсорну лінзу 2 в рейтер, що знаходиться на оптичній лаві, так, щоб оптичний центр лінзи збігався з оптичною віссю монохроматора. Пучок світла від лампи розжарювання направити на лінзу.
4.  Пересуваючи рейтер з лінзою 2 по оптичній лаві, добитися чіткого зображення нитки розжарення лампи джерела світла на вхідній щілині монохроматора.
5.  Регулювання максимальної чутливості фотоелемента 5. Встановити перемикач вибору меж вимірювання мікроамперметра 8 в положення ×1. Обертаючи барабан 6 довжин хвиль в межах 700–3200 відносних одиниць шкали барабана 6 спостерігати за стрілкою мікроамперметра максимум фотоструму . При цьому, відхилення стрілки мікроамперметра повинно становити не менше 60 поділок його шкали. При меншій чутливості мікроамперметра регулюванням положення кристала відносно щілини монохроматора та ширини щілини монохроматора усунути виявлений недолік в чутливості фотоелемента 5.
6.  Обертаючи барабан 6 в межах 700–3200 через кожні 100 відносних одиниць шкали довжин хвиль визначати за показами мікроамперметра значення фотоструму . Результати вимірювання записувати в таблицю 1.
7.  За допомогою кривої градуювання монохроматора, наведеної на робочому місці, встановити відповідність між показами  шкали барабана монохроматора та відповідними довжинами  хвиль . Результати записати в таблицю 1.

Таблиця 1

n, відн.од.	700	800	900	1000	1100	1200	1300	…	3200
, мкА
λ, Å

ЗАВДАННЯ 2. Дослідження спектрального розподілу коефіцієнтів пропускання та поглинання напівпровідникового кристала і визначення його ширини забороненої зони

Для цього:

1.  Перед вхідною щілиною монохроматора встановити досліджуваний зразок напівпровідникового кристала. УВАГА! Прилади налагоджує керівник заняття.
2.  Обертаючи барабан 6 в межах 700–3200 відносних одиниць шкали довжин хвиль, через кожні 100 одиниць визначати за показами мікроамперметра значення фотоструму .
3.  Обчислити значення коефіцієнта пропускання  напівпровідникового кристала для різних довжин хвиль за формулою:

.                                                            (1)

1.  За знайденими значеннями  згідно (1) побудувати графік, по осі  якого відкладати довжини хвиль , а по осі  – відповідні значення .
2.  Знайти значення коефіцієнта поглинання  напівпровідникового кристала для різних довжин хвиль, використовуючи співвідношення

.                                                              (2)

1.  Побудувати графік залежності .
2.  Визначити значення ширини ΔЕ забороненої зони напівпровідникового кристала за перетином дотичної до лінійної ділянки короткохвильової області кривої  з віссю абсцис. Результат виразити в еВ.
3.  Результати вимірювання та обчислень записати в таблицю 2.
4.  Проаналізувати одержані результати.

Таблиця 2

n, відн.од.	700	800	900	1000	1100	1200	1300	1400	…	3200
λ, Å
Iф(λ), мкА
T(λ)
α (λ)
,
hν, Дж
α(hν)
ΔЕ, еВ

Контрольні запитання

1.  Дайте визначення явища зовнішнього та внутрішнього фотоефектів.
2.  Поясніть механізми власної та домішкової фотопровідностей.
3.  В чому полягає зміст “червоної межі” внутрішнього фотоефекту?
4.  Що характеризують коефіцієнти пропускання  і поглинання  для середовища? Запишіть співвідношення, з яких їх знаходять.
5.  Поясніть з точки зору зонної теорії, що таке заборонена зона ΔЕ напівпровідника?
6.  Як за експериментально знайденим значенням , що відповідає “червоній межі” внутрішнього фотоефекту, можна визначити ширину забороненої зони ΔЕ напівпровідника?