50585

ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ

Лабораторная работа

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Однако наблюдается тепловое движение неосновных носителей заряда через обратно смещенные переходы которое создает очень малый ток утечки между шиной питания и землей. На статический ток потребления оказывают влияние три фактора: температура сложность схемотехники напряжение питания рис. Типовая зависимость статического тока потребления от напряжения питания и температуры для ИС К564ЛЕ5 Типовая зависимость...

Русский

2014-01-26

4.04 MB

12 чел.

НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ УКРАИНЫ

“КИЕВСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ”

Межуниверситетский медико-инженерный факультет

Лабораторная работа № 2

“ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ”

Выполнили:       Преподаватель:

Бригада  ЛД-71 – 5

Иванова Е. С.

Логвиненко М. В.      __________Зубчук В.І.

Лучицкий Р. Ю.

        Оценка  ________

“____” апреля 2010 р.          “____” апреля 2010 р.    


Логические элементы на МДП-транзисторах

Цель работы – исследование статических и динамических параметров и характеристик логических элементов на n-канальных МДП-транзисторах и комплементарных МДП-транзисторах.

Теоретические сведения

Энергетические характеристики. Одной из основных характеристик КМОП ИС является мощность потребления. Суммарная мощность потребления складывается из статической и динамической.

Статическая мощность потребления

PС=UИП* ІИП,

где UИП — напряжение питания схемы; ІИП — ток потребления в статическом режиме.

Динамическая составляющая мощности потребления PD присуща микросхемам при функционировании на рабочей частоте f0 и определяется тремя факторами: емкостью нагрузки СLі, внутренней емкостью схемы CС и токами переключения (сквозными токами):

PD=CPDU2ИПf+Σ(CLU2ИПf0).

Таким образом,

Ptot=UИПІИП+CPDU2ИПf0+ U2ИПΣ(CLіfі),

где Ptot — суммарная мощность потребления; PD — динамическая мощность потребления; CPD — средняя эффективная емкость (устанавливается для расчета мощности потребления суммарной нагрузки, обусловленной внутренними емкостями схемы и переходными токами переключения); f0 — рабочая частота входного сигнала; fі — частота для каждого выхода.

В статическом состоянии один из транзисторов КМОП-структуры, р- или n-МОП, закрыт, и теоретически существует непроводящий канал между питанием и «землей». Однако наблюдается тепловое движение неосновных носителей заряда через обратно смещенные переходы, которое создает очень малый ток утечки между шиной питания и землей. На статический ток потребления оказывают влияние три фактора: температура, сложность схемотехники, напряжение питания   (рис. 1).

Динамическая составляющая мощности потребления растет с увеличением частоты в основном в результате перезарядки суммарной емкости нагрузки. С ростом частоты увеличивается влияние внутренних паразитных емкостей схемы.

Токи переключения или сквозные токи возникают в период перехода микросхем из одного логического состояния в другое, когда оба транзистора выходного каскада открыты, т. е. во время нарастания и спада импульса. Среднее значение этих токов растет линейно с увеличением частоты переключения.

Рис. 1. Типовая зависимость статического тока потребления от напряжения питания и температуры для ИС К564ЛЕ5

Типовая зависимость динамической мощности потребления от частоты переключения при разных напряжениях питания и емкостях нагрузки для ИС К564ЛЕ5 приведена на рис. 2 (непрерывная линия CL=50 пф, штриховая CL= 15 пФ).

С увеличением тактовой частоты до предельных значений резко возрастает потребляемая мощность, что приводит к увеличению выделяемого тепла и ухудшению условий эксплуатации.

Рис. 2.  Типовая зависимость динамической мощности  потребления от частоты переключения для ИС К564ЛЕ5.

Минимизацию потребляемой мощности устройств на микросхемах с КМОП-технологией можно осуществить снижением тактовой частоты, уменьшением емкости нагрузки, обеспечением крутых фронтов импульсов и уменьшением длины цепей постоянного тока. Потребление мощности можно снизить в результате переключения тактовой частоты на более низкую на период времени, когда нет необходимости в более высокой. Снижения емкости нагрузки можно добиться путем уменьшения монтажной емкости. При увеличении длительности фронта оба входных транзистора остаются открытыми продолжительное время, что приводит к дополнительному потреблению мощности. Эффективным способом снижения потребляемой мощности является отключение напряжения питания от части или от всей системы.

Передаточные характеристики. Особенность идеальных передаточных характеристик КМОП-структур – это симметричность относительно точки переключения схемы из одного логического состояния в другое. На рис. 3 изображены типовые передаточные характеристики одного ЛЭ ИС К564ЛА7 по напряжению и току при различных напряжениях питания и температуре. Характеристики показывают высокую помехозащищенность и температурную стабильность схемы, т. е. незначительные колебания точки переключения при изменении температуры. Кривая нарастания тока потребления описывает момент переключения схемы из одного логического состояния в другое. За первую половину фронта импульса происходит нарастание тока потребления в результате появления сквозного тока, за вторую половину ток падает до нуля.

      а).         б).

Рис. 3. Типовые передаточные характеристики одного ЛЭ Ис К564ЛА7 по напряжению (а) и току (б)

Помехоустойчивость. КМОП ИС характеризуются высокими статической и динамической помехоустойчивостями. Упрощенно помехоустойчивость можно выразить как способность микросхемы исключить передачу помехи со входа схемы на ее выход.

Статическая помехоустойчивость характеризует возможности схемы при длительном импульсе помехи, а динамическая  помехоустойчивость — при кратковременных помехах.

Граничное значение помехоустойчивости определяется максимальным входным напряжением для низкого уровня и минимальным входным напряжением для высокого уровня:

UП0=|U0ВЫХ- U0ВХ max| ,

UП1=|U1ВЫХ- U1ВХ min| ,

где U0ВЫХ — выходное напряжение низкого уровня при отсутствии помехи на входе; U1ВЫХ — выходное напряжение высокого уровня при отсутствии помехи на входе; UП0 — низкий уровень статической помехи; UП1 — высокий уровень статической помехи; U0ВХ max — максимальное входное напряжение низкого уровня, при котором выходной логический уровень не меняет своего состояния; U1ВХ min — минимальное входное напряжение высокого уровня, при котором логический уровень не меняет своего состояния.

Статическая помехоустойчивость микросхем увеличивается с ростом напряжения питания, а колебания помехоустойчивости в зависимости от температуры незначительны из-за высокой температурной стабильности передаточных характеристик.

Динамическая помехоустойчивость находится в прямой зависимости от уровня статической помехоустойчивости, скорости переключения микросхемы, входной и выходной емкостей, от длительности, амплитуды и формы сигнала помехи.

Быстродействие. Микросхемы КМОП характеризуются сравнительно невысоким по сравнению с ТТЛ ИС быстродействием. Динамические параметры КМОП ИС зависят от сложности схемы, напряжения питания, емкости нагрузки и температуры.

На рис. 4 приведены зависимости времени задержки распространения входного сигнала ИС К564ЛЕ5, К564ЛА7 от емкости нагрузки и напряжения питания при нормальной температуре.   Время  задержки   распространения сигнала, а также времена фронта и среза линейно возрастают с увеличением емкости нагрузки и температуры.

Изменение напряжения питания от 5 до 10 В увеличивает быстродействие микросхем почти в 2 раза из-за уменьшения сопротивления каналов проводимости.

Напряжение питания. Микросхемы КМОП работоспособны в диапазоне напряжений питания 3...15 В. Допустимое отклонение от номинального значения напряжения питания ±10 %. Однако с целью повышения надежности аппаратуры микросхемы следует применять в диапазоне 5... 10 В.

  а).          б).

  в).          г).

Рис. 4. Типовые зависимости времени задержки распространения входного сигнала  ИС К564ЛА7 (а,  б), К564ЛЕ5 (в, г) от емкости нагрузки и напряжения питания при  нормальной температуре.

Входные характеристики. МДП-транзисторы имеют высокое входное сопротивление, поэтому входные токи ИС КМОП малы (≤мкА). Зависимость входного тока ИС К564ЛЕ5 от напряжения питания при нормальной температуре изображена на рис. 5.

Рис. 5. Типовая зависимость входного тока низкого и высокого уровней ИС К564ЛЕ5 от напряжения питания при нормальной температуре.

Для защиты транзисторов от повреждения высоким напряжением (пробоя подзатворного диэлектрика статическим электричеством и от тиристорной защелки) каждый вход КМОП ИС снабжают диодно-резисторной защитной цепочкой.

Электрический разряд возникает, если электростатический заряд с высоким потенциалом относительно земли попадает на выводы ИС. Такой разряд уменьшает надежность микросхем. Первый разряд часто не вызывает катастрофического пробоя оксидной пленки в микросхеме, однако, он оставляет слабые точки на пленке. Со временем (при повторных разрядах) эти точки продолжают ослаблять пленку, пока пленка не пробивается. Кроме того, еще до полного пробоя пленки электростатические разряды увеличивают токи утечки микросхем. КМОП ИС, хотя бы однажды подвергнутая электростатическому разряду, становится менее надежной.

Уровень безопасного электростатического потенциала ИС К564, обеспечиваемого схемой защиты, составляет 100 В.

           Нагрузочная способность. Значения входных и выходных токов определяют коэффициент разветвления по выходу Kраз микросхем по постоянному току, значение его определяется как наименьшее из коэффициентов разветвления по выходу в режимах низкого и высокого уровней.

При эксплуатации аппаратуры рекомендуется применять микросхемы с СL<500 пФ, при этом мощность, рассеиваемая корпусом микросхемы, не должна превышать 200мВт.

Микросхемы, изготавливаемые по КМОП-технологии, имеют высокую нагрузочную способность, которая ограничивается предельно допустимым током нагрузки. Эффективное значение предельно допустимого тока на один вывод определяется максимальным током, не приводящим к пережогу шины металлизации, для ИС К564 он не должен превышать 10 мА.

Базовый логический элемент И-НЕ

Логический элемент И-НЕ на КМДП транзисторах приведен на рис. 6.

Рис. 6. Принципиальная схема

Логический элемент можно условно разбить на два модуля:

  •  Модуль, содержащий n-канальные МДП-транзисторы, соединённые последовательно;
  •  Модуль, содержащий p-канальные МДП-транзисторы, соединённые параллельно.

При этом каждому транзистору из одного модуля соответствует транзистор из другого модуля (транзисторы, имеющие общий затвор), эти транзисторы и образуют комплиментарную пару. Количество транзисторов определяется количеством входных сигналов, таким образом, что на каждый входной сигнал приходится одна комплиментарная пара.

Разберём принцип работы ЛЭ И-НЕ на примере элемента с двумя входными сигналами.

0

0

1

0

1

1

1

0

1

1

1

0

Для рассмотрения принципа функционирования составим таблицу состояний:                                                                                                                                         

        

     Рис. 7. Условное обозначение

           Табл. 2.4.1

Таким образом, для того, чтобы показать, что схема, приведенная на рис. 7, представляет собой ЛЭ И-НЕ, необходимо показать, что её выход подключается к земле только при сигналах высокого уровня, поданных на все входы одновременно.

Для того, чтобы выход схемы был подключён к общей шине с нулевым потенциалом (земле) необходимо, чтобы все последовательно соединённые транзисторы были открыты. Таким образом, сигнал низкого уровня формируется на выходе только при одном единственном наборе входных сигналов. Покажем, что при всех остальных наборах на выходе формируется сигнал высокого уровня, т.е., что выход подключён к источнику питания. Действительно, если хотя бы на один вход подан сигнал низкого уровня, то соответствующий транзистор из «параллельной» группы будет открыт, а, следовательно, падение напряжения на нём будет мало и практически всё напряжение питания передастся на выход (группа последовательно соединённых транзисторов в данном случае имеет очень большое сопротивление).

Иными словами, работа ЛЭ И-НЕ в КМДП-технологоии базируется на том, что проводимость в группе последовательно соединённых транзисторов определяется элементом с наименьшей проводимостью, а в группе параллельно соединённых транзисторов — элементом с наибольшей проводимостью, и том, что в комплементарной паре МДП-транзисторов в статике транзисторы находятся в противоположных состояниях.

Таким образом, главное преимущество КМДП-элементов (в том числе и И-НЕ), состоит в том, что в обоих статических состояниях ток от источника питания не протекает, поэтому потребляемая мощность очень мала. Однако, во время переключения элемента ток протекает, заряжая паразитные ёмкости, поэтому динамическая потребляемая мощность пропорциональна частоте переключения и может на несколько порядков превышать статическую.

Влияние паразитных ёмкостей в КМДП-структурах гораздо меньше, чем в МДП, поскольку заряд и разряд выходной ёмкости происходит через открытые транзисторы VT и VT’, которые имеют одинаково малое сопротивление. КМДП-элементы принадлежат к классу элементов с низким быстродействием (частота их переключения не может превышать 5 МГц).

Кроме быстродействия паразитные ёмкости снижают и допустимое количество входов. Это обусловлено тем, что при увеличении количества входов возрастает и количество транзисторов в «параллельной» группе, что в свою очередь увеличивает паразитную ёмкость, а увеличение количества последовательно соединённых транзисторов увеличивает их общее сопротивление, через которое разряжается ёмкость. Кроме того, это ведёт к повышению уровня логического 0.

КМДП-элементы могут работать от  источника питания в диапазоне 3..15 В. От напряжения источника питания также зависти быстродействие и потребляемая мощность. Чаще всего используются источники питания с напряжением 5 В, что обеспечивает совместимость по уровню сигнала с ТТЛ-элементами.

Существенное преимущество КМДП-структур – их помехоустойчивость (для 564-ой серии допустимы статические помехи около 2,5 В).

Рабочее задание

  1.  Собрать последовательно исследуемые схему:

  1.  Проверить работу ЛЭ для положений ключа К=(0,1). Исследовать статические параметры каждой схемы. Определить значения U01max, U1 1min, U20, U21. Снять передаточные характеристики U2=f(U1).
  2.  Исследовать переходные процессы в схемах. Определить значения tзд.р.01, tзд.р.10, tф.01, tф.10, fmax.


Методические указания

  1.  Для выполнения данной лабораторной работы необходимо собрать схему.  Установить заданные преподавателем параметры компонентов R, C и источника питания. Установить параметры транзисторов:

n-МДП:

  1.  Threshold (VTO)=2V;

Transconductance coefficient (KP)=5e-2;

Gate-bulk overlap capacitance (CGBO)=5e-12F;

Gate-drain overlap capacitance (CGDO)=5e-12F;

Gate-source overlap capacitance (CGSO)=5e-12F;

Zero-bias body-drain junction capacity (CBD)=5e-12F;

Zero-bias body-source junction capacity (CBS)=5e-12FF.

р-МДП:

  1.  Threshold (VTO)=-2V;

Transconductance coefficient (KP)=5e-2;

Gate-bulk overlap capacitance (CGBO)=5e-12F;

Gate-drain overlap capacitance (CGDO)=5e-12F;

Gate-source overlap capacitance (CGSO)=5e-12F;

Zero-bias body-drain junction capacity (CBD)=5e-12F;

Zero-bias body-source junction capacity (CBS)=5e-12F.

  1.  Подать на вход схемы от функционального генератора сигнал треугольной формы с параметрами:

Amplitude= 0.5UИП;

Offset= 0.5UИП;

Frequency=100Hz.

С помощью визиров 1 и 2 на экране осциллографа измерить параметры U01max, U1 1min, U20, U21.

Для снятия передаточной характеристики U2=f(U1) установить режим осциллоскопа В/А.

  1.  Подать на вход схемы от функционального генератора сигнал прямоугольной формы с параметрами

Amplitude= 0.5UИП;

Offset= 0.5UИП;

Frequency=1…5МHz.

С помощью визиров 1 и 2 на экране осциллографа измерить параметры tзд.р.01, tзд.р.10, tф.01, tф.10 .


Выполнение работы

1. В соответствии с методическими указаниями была собрана исследуемая схема с соответственно указанными параметрами R, C и Uип, а также параметрами n-МДП и p-МДП транзисторов.

Uип = 10 В

Rн =  10 Ом

Сн = 50 пФ

2. После нажатия кнопки «пуск» был получен треугольный сигнал, который просматривается на экране осциллоскопа:

По данным осциллоскопа можно определить требуемые значения, установив визири 1 и 2 в необходимые положения:

U01max    = 2.7720 В

U1 1min    = 7.4648 В

U20          = 48.3696 В

U21            = 9.9277 В

   

После установления режима осциллоскопа В/А можно снять передаточную характеристику U2=f(U1):

3. После подания на вход схемы от функционального генератора сигнала прямоугольной формы с  соответствующими параметрами получаем сигнал на экране осциллоскопа и с помощью визиров 1 и 2 на экране осциллоскопа можно измерить необходимые параметры:


t
зд.р.01         =   233.6536 псек

tзд.р.10         = 544.0678 псек

tф.01       = 945.6623 псек

tф.10            = 1.8619 нсек


Выводы

Во время второй лабораторной работы наша бригада исследовала статические и динамические параметры и характеристики логических элементов на n-канальных и р-канальных МДП-транзисторах. Для выполнения поставленной задачи мы собрали исследуемую схему, после чего задали на вход схемы от функционального генератора сигнал треугольной формы и, запустив ее, получили сигнал на экране осциллоскопа.

С помощью визирей, которые были установлены в необходимое положение, на экране осциллоскопа мы смогли увидеть и снять необходимые нам параметры U01max, U1 1min, U20, U21 . После чего включили осциллоскоп в режим В/А для снятия передаточной характеристики U2=f(U1), как и требовалось в задании.

Вторым пунктом нашей работы была подача на вход схемы сигнала прямоугольной формы от функционального генератора. С помощью показаний осциллоскопа мы смогли снять показания tзд.р.01, tзд.р.10, tф.01, tф.10  .

С показаний осциллоскопа мы видим, что tф.10   больше, чем tф.01.  Это говорит о том, что сигнал быстрее переходит из состояния логического «0» в «1» нежели наоборот. Т.к. Время задержки фронтов на входе и выходе может сильно отличаться, используют параметр t задержки распространения.

Анализируя значения tзд.р., мы видим, что tзд.р.10 почти в два раза больше tзд.р.01.


Контрольные вопросы

1. Ключ на комплементарных МДП-транзисторах

Как уже отмечалось, общим недостатком многих схем является потребление энергии от источника питания через закрытый ключ, поэтому с целью экономии потребления энергии были разработаны ключи на комплементарных транзисторах. В качестве ключа можно использовать полевой транзистор с изолированным затвором (МОП-транзистор). Его можно переводить в открытое состояние, подавая управляющее напряжение большее, чем максимальное входное положительное напряжение, причем и в таком режиме работы ток затвора будет равен нулю. Таким образом, в этой схеме ключа отпадает необходимость в диоде и резисторе R1. Схема ключа на МОП-транзисторе приведена на рис. а. Здесь ключом является n-канальный МОП-транзистор обогащенного типа, не проводящий ток при Uзи <= 0. 

  1.  Особенности работы электронного ключа на КМДП-транзисторах:

   Приведенная на рис.1б схема будет работать при положительных входных сигналах, которые по крайней мере на 5 В меньше, чем Uупр; при более высоком уровне сигнала напряжение затвор-исток будет недостаточно, чтобы удержать транзистор в открытом состоянии (сопротивление канала в открытом состоянии Rо начнет расти); отрицательные входные сигналы вызовут включение транзистора при заземленном затворе. Поэтому, если надо переключать сигналы обеих полярностей (например, в диапазоне от -10 до +10 В), то можно использовать такую же схему, соединив подложку с источником -15 В и подавая на затвор напряжения +15 В (включено) и -15 В (выключено).

    Лучшими характеристиками обладают ключи на комплементарных МОП-транзисторах (КМОП-ключи), рис.1. Здесь на подложку транзистора VT1 подается положительное питающее напряжение +Uпит, а на подложку транзистора VT2 - отрицательное питающее напряжение -Uпит. При высоком уровне управляющего сигнала напряжение на затворе n-канального транзистора VT2 практически равно +Uпит. В таком случае транзистор VT2 проводит сигналы с уровнями от -Uпит до +Uпит без нескольких вольт (при более высоких уровнях сигнала Rо начинает катастрофически расти). В это время напряжение на затворе VT1 практически равно -Uпит. Транзистор VT1 пропускает сигналы с уровнями от +Uпит до значения на несколько вольт выше -Uпит. Таким образом, все сигналы в диапазоне от +Uпит до -Uпит проходят через двухполюсник с малым сопротивлением (рис. 4). При переключении управляющего сигнала на низкий уровень, напряжение на затворе n-канального транзистора VТ2 устанавливается близким к -Uпит, а напряжение на затворе p-канального транзистора VТ1 устанавливается близким к +Uпит. Тогда, при -Uпит < Uвх < +Uпит, оба транзистора заперты, и цепь ключа разомкнута. В результате получается аналоговый переключатель для сигналов в диапазоне от низкого напряжения питания ключа до высокого напряжения его питания. Эта схема работает в двух направлениях - любой ее зажим может служить входным. Она является основой практически для всех ИМС аналоговых ключей, выпускаемых в настоящее время.

  1.  ЛЭ И-НЕ на КМДП-транзисторах:

Реализуемая функция:  – функция Шеффера

  1.  Принцип работы ЛЭ И-НЕ на КМДП-тразисторах:

Какой бы сигнал не подавался на вход, один из тран зисторов всегда открыт, а другой – закрыт. Это связано с тем,  что комплементарными  по определению являются транзисторы разного типа, т. е. такие, что управляется сигналами разной полярности. С этим связан и факт нулевого потребления схем, использующих данный вид ключей.

;

;

●  Первый случай соответствует условию, когда первый транзистор закрыт: . В этом случае ток потребления равен: ==0, а выходное напряжение определяется следующей формулой, в которой значение сопротивления второго транзистора фактически можно пренебречь (за счет того, что сопротивление утечки первого стремиться к бесконечности):

 ● Второй случай описывается следующими условиями: ,, что соответствует случаю, когда транзистор VT1 открыт, а  VT2 – закрыт. При таком раскладе значение выходного напряжения равно:

()

  1.  Особенности КМДП-структур:

Особенности КМДП-структур – это симметричность относительно точки переключения схемы из одного логического состояния в другое, высокая статическая и динамическая помехоустойчивости, высокая нагрузочная способность, которая ограничивается предельно допустимым током нагрузки. Упрощенную помехоустойчивость можно выразить как способность микросхемы исключить передачу помехи со входа схемы на ее выход. Статическую помехоустойчивость характеризует возможности схемы при длительном импульсе помехи, а динамическую  помехоустойчивость — при кратковременных помехах. Главное преимущество КМДП-элементов  состоит в том, что в обоих статических состояниях ток от источника питания не протекает, поэтому потребляемая мощность очень мала. Однако, во время переключения элемента ток протекает, заряжая паразитные ёмкости, поэтому динамическая потребляемая мощность пропорциональна частоте переключения и может на несколько порядков превышать статическую.  КМДП-элементы принадлежат к классу элементов с низким быстродействием (частота их переключения не может превышать 5 МГц). Кроме быстродействия паразитные ёмкости снижают и допустимое количество входов. Это обусловлено тем, что при увеличении количества входов возрастает и количество транзисторов в «параллельной» группе, что в свою очередь увеличивает паразитную ёмкость, а увеличение количества последовательно соединённых транзисторов увеличивает их общее сопротивление, через которое разряжается ёмкость. Кроме того, это ведёт к повышению уровня логического «0».

  1.  Факторы, влияющие на работу ЛЭ И-НЕ на КМДП-транзисторах:

Работа ЛЭ И-НЕ в КМДП-технологоии базируется на том, что проводимость в группе последовательно соединённых транзисторов определяется элементом с наименьшей проводимостью, а в группе параллельно соединённых транзисторов — элементом с наибольшей проводимостью, и том, что в комплементарной паре МДП-транзисторов в статике транзисторы находятся в противоположных состояниях.

  1.  Зависимость передаточной характеристики ЛЭ U2=f(U1)  от напряжения питания:

Если хотя бы на один вход подан сигнал низкого уровня, то соответствующий транзистор из «параллельной» группы будет открыт, а, следовательно, падение напряжения на нём будет мало и практически всё напряжение питания передастся на выход (группа последовательно соединённых транзисторов в данном случае имеет очень большое сопротивление).


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

73527. Эволюция управленческой мысли. Успешный менеджмент 44.09 KB
  Принципы управления. Методы управления. Цель лекции: Уяснение становления и развития науки управления сущности принципов и методов управления. Вклад основных подходов в науку управления.
73528. Функции и функциональные подсистемы менеджмента 88.5 KB
  Функции управления это серия непрерывных взаимосвязанных действий в процессе управления каждое из которых само по себе представляет законченный процесс. Планирование это процесс установления цели целей путей достижения цели целей и распределения ресурсов для достижения цели целей в системе управления. Организация взаимодействия это процесс создания структуры управления предприятием разработки взаимодействия подразделений и взаимоотношений полномочий которые на основе координации деятельности людей позволяет им эффективно...
73529. Подсистема планирования в производственном менеджменте 228.5 KB
  Стратегическое планирование деятельности предприятия. Планирование реализации стратегии деятельности предприятия. Цель лекции: Изучение сущности назначения и процесса планирования деятельности в производственном менеджменте Изучив данную тему студенты должны знать...