ID: 5412

Название работы: Статические характеристики транзистора

Категория: Контрольная

Предметная область: Физика

Описание: Статические характеристики транзистора 1. Краткое содержание лекции Статическим называется режим, при котором в схеме отсутствуют источник сигнала и нагрузка, а присутствуют только источники питания. Входная характеристика - зависимость входн...

Язык: Русский

Дата добавления: 2012-12-09

Размер файла: 684.5 KB

Работу скачали: 30 чел.

Статические характеристики транзистора

1. Краткое содержание лекции  

Статическим называется режим, при котором в схеме отсутствуют источник сигнала и нагрузка, а присутствуют только источники питания.

Входная характеристика - зависимость входного тока от входного напряжения при постоянном выходном напряжении

 

Выходная характеристика - зависимость выходного тока от выходного напряжения при постоянном входном токе

         

СХЕМА с ОБ

Входная характеристика

 

Выходная характеристика

Рис. 1. Входные и выходные характеристики БТ с ОБ

СХЕМА с ОЭ

Входная характеристика

Выходная характеристика

- сквозной ток эмиттера, измеряемый при Iб =0 (при XX на входе).

– справочные параметры транзистора.

Рис. 2. Входные и выходные характеристики БТ с ОЭ

ЭКВИВАЛЕНТНЫЕ СХЕМЫ, СИСТЕМЫ ПАРАМЕТРОВ

ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ - параметры транзистора при малом входном сигнале.

Эквивалентная схема транзистора с ОБ на НЧ. Физические параметры, входящие в эквивалентную схему, непосредственно измерить нельзя. Поэтому транзистор представляют в виде четырехполюсника (рис. 4), который описывается системой двух уравнений.

                                

Рис. 3. Т-образная эквивалентная   Рис.  Транзистор в виде                                                                                                                                                    схема транзистора                                                         четырехполюсника                                                          

Наибольшее практическое применение нашли h -параметры, при которых - независимые переменные; - зависимые переменные.      

ЧАСТОТНЫЕ СВОЙСТВА ТРАНЗИСТОРА

Две причины снижения усилительных свойств транзисторов:                               

1 - влияние емкости коллекторного перехода;

2 - инерционность движения НЗ через базу.

Первая причина приводит к сдвигу по фазе между IК и Iэ и возрастанию Iб 

Следовательно, первый фактор существенен для схемы ОЭ.

Вторая причина снижает коэффициент усиления в схеме ОБ и ОЭ:

Рис.5. Т-образная эквивалентная схема транзистора для области ВЧ

ЧАСТОТНЫЕ ПАРАМЕТРЫ

Предельная частота коэффициента передачи тока -частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением:                                  

- предельная частота в схеме ОЭ;

- предельная частота в схеме ОБ, т.е.

Граничная частота- частота, при которой  становится равным единице.

Максимальная частота генерации , – на которой коэффициент усиления по мощности становится равным единице.

 

                     Рис. 6.                                                             Рис.7.

Хорошими частотными свойствами обладают дрейфовые транзисторы, в которых электрическое поле, ускоряющее движение неосновных носителей в базе, создает неравномерную концентрацию примесей в ней и не зависит от внешних напряжений.

НЕКОТОРЫЕ ПАРАМЕТРЫ ПРЕДЕЛЬНЫХ РЕЖИМОВ

Максимально допустимыми параметрами называются значения режимов транзисторов, которые НЕЛЬЗЯ превышать ни при каких условиях эксплуатации и при которых еще обеспечивается заданная надежность.

- максимально допустимый постоянный ток.

- максимально допустимый ток в режиме насыщения.

Токи ограничиваются допустимой температурой нагрева р-п перехода.

 -максимально допустимое постоянное напряжение.

- максимально допустимое импульсное напряжение.

Предельные параметры по напряжению ограничиваются прочностью к пробою р-п перехода.

    - максимально допустимая постоянная к.max  рассеиваемая мощность.

   - допустимая рассеиваемая средняя импульсная мощность.

  - допустимая импульсная рассеиваемая Р.

 - максимально допустимая рассеиваемая мощность с теплоотводом.

Независимо от технологии изготовления все современные транзисторы можно классифицировать по мощности и по частоте.                                                                                       Таблица 1.                                                                                                                                       

Примеры обозначения биполярных транзисторов

      

2. Контрольные вопросы

2.1. Входные статические характеристики транзистора в схеме с общей базой и с общим эмиттером, их особенности.

2.2. Выходные статические характеристики транзистора в схеме с общей базой и с общим эмиттером, их особенности.