5412

Статические характеристики транзистора

Контрольная

Физика

Статические характеристики транзистора 1. Краткое содержание лекции Статическим называется режим, при котором в схеме отсутствуют источник сигнала и нагрузка, а присутствуют только источники питания. Входная характеристика - зависимость входн...

Русский

2012-12-09

684.5 KB

33 чел.

Статические характеристики транзистора

1. Краткое содержание лекции  

Статическим называется режим, при котором в схеме отсутствуют источник сигнала и нагрузка, а присутствуют только источники питания.

Входная характеристика - зависимость входного тока от входного напряжения при постоянном выходном напряжении

 

Выходная характеристика - зависимость выходного тока от выходного напряжения при постоянном входном токе

         

СХЕМА с ОБ

Входная характеристика

 

Выходная характеристика

Рис. 1. Входные и выходные характеристики БТ с ОБ

СХЕМА с ОЭ

Входная характеристика

Выходная характеристика

- сквозной ток эмиттера, измеряемый при Iб =0 (при XX на входе).

– справочные параметры транзистора.

Рис. 2. Входные и выходные характеристики БТ с ОЭ

ЭКВИВАЛЕНТНЫЕ СХЕМЫ, СИСТЕМЫ ПАРАМЕТРОВ

ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ - параметры транзистора при малом входном сигнале.

Эквивалентная схема транзистора с ОБ на НЧ. Физические параметры, входящие в эквивалентную схему, непосредственно измерить нельзя. Поэтому транзистор представляют в виде четырехполюсника (рис. 4), который описывается системой двух уравнений.

                                

Рис. 3. Т-образная эквивалентная   Рис.  Транзистор в виде                                                                                                                                                    схема транзистора                                                         четырехполюсника                                                          

Наибольшее практическое применение нашли h -параметры, при которых - независимые переменные; - зависимые переменные.      

ЧАСТОТНЫЕ СВОЙСТВА ТРАНЗИСТОРА

Две причины снижения усилительных свойств транзисторов:                               

1 - влияние емкости коллекторного перехода;

2 - инерционность движения НЗ через базу.

Первая причина приводит к сдвигу по фазе между IК и Iэ и возрастанию Iб 

Следовательно, первый фактор существенен для схемы ОЭ.

Вторая причина снижает коэффициент усиления в схеме ОБ и ОЭ:

Рис.5. Т-образная эквивалентная схема транзистора для области ВЧ

ЧАСТОТНЫЕ ПАРАМЕТРЫ

Предельная частота коэффициента передачи тока -частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением:                                  

- предельная частота в схеме ОЭ;

- предельная частота в схеме ОБ, т.е.

Граничная частота- частота, при которой  становится равным единице.

Максимальная частота генерации , – на которой коэффициент усиления по мощности становится равным единице.

 

                     Рис. 6.                                                             Рис.7.

Хорошими частотными свойствами обладают дрейфовые транзисторы, в которых электрическое поле, ускоряющее движение неосновных носителей в базе, создает неравномерную концентрацию примесей в ней и не зависит от внешних напряжений.

НЕКОТОРЫЕ ПАРАМЕТРЫ ПРЕДЕЛЬНЫХ РЕЖИМОВ

Максимально допустимыми параметрами называются значения режимов транзисторов, которые НЕЛЬЗЯ превышать ни при каких условиях эксплуатации и при которых еще обеспечивается заданная надежность.

- максимально допустимый постоянный ток.

- максимально допустимый ток в режиме насыщения.

Токи ограничиваются допустимой температурой нагрева р-п перехода.

 -максимально допустимое постоянное напряжение.

- максимально допустимое импульсное напряжение.

Предельные параметры по напряжению ограничиваются прочностью к пробою р-п перехода.

    - максимально допустимая постоянная к.max  рассеиваемая мощность.

   - допустимая рассеиваемая средняя импульсная мощность.

  - допустимая импульсная рассеиваемая Р.

 - максимально допустимая рассеиваемая мощность с теплоотводом.

Независимо от технологии изготовления все современные транзисторы можно классифицировать по мощности и по частоте.                                                                                       Таблица 1.                                                                                                                                       

Примеры обозначения биполярных транзисторов

      

2. Контрольные вопросы

2.1. Входные статические характеристики транзистора в схеме с общей базой и с общим эмиттером, их особенности.

2.2. Выходные статические характеристики транзистора в схеме с общей базой и с общим эмиттером, их особенности.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

1073. Переменная Shared Variable в LabVIEW 8 556.5 KB
  Освоить переменную Shared Variable, впервые представленную в LabVIEW 8, которая призвана облегчить жизнь разработчикам при создании межпрограммного обмена данными. Отдельный процесс для обмена данными через сеть.
1074. Работа с матрицами в MathCAD 595.5 KB
  Выполняя данную работу, мы научились вычислять матрицы, изучили панель операций с матрицами и векторами, научились вводить матрицы с разными размерами, вычисляли транспонированную матрицу. Так же научились вычислять определители матриц и проверили правильность решения матриц.
1075. Исследование частотных характеристик пассивных четырехполюсников 341.5 KB
  В нашей работе для нахождения коэффициентов передачи напряжений, частот срезов и фазовых сдвигов мы применяли математический пакет MathCAD и пакет разработки электрических схем Electronic Workbench.
1076. Финансовое планирование и контроль на предприятии 462.5 KB
  Финансовое планирование в системе финансового менеджмента. Методика текущего финансового планирования на предприятии. Финансовый контроль в системе финансового менеджмента.
1077. Расчет внутреннего водопровода здания 254.5 KB
  Построение аксонометрической схемы водопроводной сети здания. Гидравлический расчет водопроводной сети. Подбор водомерного устройства и определение потерь напора. Построение продольного профиля дворовой канализационной сети. Построение аксонометрической схемы канализационного стояка.
1078. Общая характеристика турбоустановок ТЭС и АЭС 1005 KB
  Классификация электрических станций. Обозначения паровых турбин. Основные этапы развития теплоэнергетики и турбостроения. Общее знакомство с паровой турбиной ТЭС. Компоновка тепловой электрической станции.
1079. Тепловой цикл паротурбинной установки и показатели экономичности ТЭС. Особенности турбоустановок АЭС 394.5 KB
  Тепловой цикл паротурбинной установки ТЭС и показатель его термодинамической эффективности. Энергетические показатели тепловой электростанции и общий баланс теплоты и мощности для ее энергоблоков. Абсолютные и относительные показатели экономичности турбин и турбоустановок. Расходы пара, теплоты и топлива для паротурбинной установки.
1080. Роль промежуточного перегрева водяного пара в турбоустановках ТЭС. Регенеративный подогрев питательной воды. Комбинированная выработка теплоты и электроэнергии на ТЭЦ 336.5 KB
  Промежуточный перегрев водяного пара в паротурбинных установках. Тепловая схема ПТУ с промежуточным перегревом водяного пара. Регенеративный подогрев питательной воды в турбоустановках. Комбинированная выработка теплоты и электрической энергии на ТЭЦ.
1081. Процесс расширения пара в турбинной ступени 370 KB
  Основные уравнения и формулы, используемые для расчета движения водяного пара в проточной части турбинных ступеней. Конструкция турбинной ступени осевого типа и процессы преобразования энергии в ней. Тепловая диаграмма процесса расширения в турбинной ступени. Степень реактивности турбинной ступени.