5412

Статические характеристики транзистора

Контрольная

Физика

Статические характеристики транзистора 1. Краткое содержание лекции Статическим называется режим, при котором в схеме отсутствуют источник сигнала и нагрузка, а присутствуют только источники питания. Входная характеристика - зависимость входн...

Русский

2012-12-09

684.5 KB

31 чел.

Статические характеристики транзистора

1. Краткое содержание лекции  

Статическим называется режим, при котором в схеме отсутствуют источник сигнала и нагрузка, а присутствуют только источники питания.

Входная характеристика - зависимость входного тока от входного напряжения при постоянном выходном напряжении

 

Выходная характеристика - зависимость выходного тока от выходного напряжения при постоянном входном токе

         

СХЕМА с ОБ

Входная характеристика

 

Выходная характеристика

Рис. 1. Входные и выходные характеристики БТ с ОБ

СХЕМА с ОЭ

Входная характеристика

Выходная характеристика

- сквозной ток эмиттера, измеряемый при Iб =0 (при XX на входе).

– справочные параметры транзистора.

Рис. 2. Входные и выходные характеристики БТ с ОЭ

ЭКВИВАЛЕНТНЫЕ СХЕМЫ, СИСТЕМЫ ПАРАМЕТРОВ

ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ - параметры транзистора при малом входном сигнале.

Эквивалентная схема транзистора с ОБ на НЧ. Физические параметры, входящие в эквивалентную схему, непосредственно измерить нельзя. Поэтому транзистор представляют в виде четырехполюсника (рис. 4), который описывается системой двух уравнений.

                                

Рис. 3. Т-образная эквивалентная   Рис.  Транзистор в виде                                                                                                                                                    схема транзистора                                                         четырехполюсника                                                          

Наибольшее практическое применение нашли h -параметры, при которых - независимые переменные; - зависимые переменные.      

ЧАСТОТНЫЕ СВОЙСТВА ТРАНЗИСТОРА

Две причины снижения усилительных свойств транзисторов:                               

1 - влияние емкости коллекторного перехода;

2 - инерционность движения НЗ через базу.

Первая причина приводит к сдвигу по фазе между IК и Iэ и возрастанию Iб 

Следовательно, первый фактор существенен для схемы ОЭ.

Вторая причина снижает коэффициент усиления в схеме ОБ и ОЭ:

Рис.5. Т-образная эквивалентная схема транзистора для области ВЧ

ЧАСТОТНЫЕ ПАРАМЕТРЫ

Предельная частота коэффициента передачи тока -частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением:                                  

- предельная частота в схеме ОЭ;

- предельная частота в схеме ОБ, т.е.

Граничная частота- частота, при которой  становится равным единице.

Максимальная частота генерации , – на которой коэффициент усиления по мощности становится равным единице.

 

                     Рис. 6.                                                             Рис.7.

Хорошими частотными свойствами обладают дрейфовые транзисторы, в которых электрическое поле, ускоряющее движение неосновных носителей в базе, создает неравномерную концентрацию примесей в ней и не зависит от внешних напряжений.

НЕКОТОРЫЕ ПАРАМЕТРЫ ПРЕДЕЛЬНЫХ РЕЖИМОВ

Максимально допустимыми параметрами называются значения режимов транзисторов, которые НЕЛЬЗЯ превышать ни при каких условиях эксплуатации и при которых еще обеспечивается заданная надежность.

- максимально допустимый постоянный ток.

- максимально допустимый ток в режиме насыщения.

Токи ограничиваются допустимой температурой нагрева р-п перехода.

 -максимально допустимое постоянное напряжение.

- максимально допустимое импульсное напряжение.

Предельные параметры по напряжению ограничиваются прочностью к пробою р-п перехода.

    - максимально допустимая постоянная к.max  рассеиваемая мощность.

   - допустимая рассеиваемая средняя импульсная мощность.

  - допустимая импульсная рассеиваемая Р.

 - максимально допустимая рассеиваемая мощность с теплоотводом.

Независимо от технологии изготовления все современные транзисторы можно классифицировать по мощности и по частоте.                                                                                       Таблица 1.                                                                                                                                       

Примеры обозначения биполярных транзисторов

      

2. Контрольные вопросы

2.1. Входные статические характеристики транзистора в схеме с общей базой и с общим эмиттером, их особенности.

2.2. Выходные статические характеристики транзистора в схеме с общей базой и с общим эмиттером, их особенности.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

65590. Розроблення основ технологій формування карбонітридних та карбооксидних термодифузійних покриттів на титанових сплавах 4.27 MB
  Проте деякі особливості притаманні титану обмежують його застосування в якості конструкційного матеріалу. Тому експлуатація в умовах складних навантажень та впливу агресивних середовищ яка висуває підвищені вимоги до фізикохімічних властивостей робочих поверхонь вимагає додаткової обробки титану.
65591. РОЗВИТОК МОВЛЕННЄВИХ ЗДІБНОСТЕЙ ДОШКІЛЬНИКІВ У РІЗНОМУ СОЦІОКУЛЬТУРНОМУ ОТОЧЕННІ 265.5 KB
  У звязку з цим особливої актуальності набуває проблема розвитку мовленнєвих здібностей дошкільників у різному соціокультурному оточенні. Щерба мовлення дітей та їх цілеспрямованого навчання у процесі розвитку мовленнєвих здібностей А. Щерба окремих сторін мовлення дитини та комплексного розвитку...
65592. ВПЛИВ ПОЧАТКОВИХ ОСМОТИЧНИХ ТА ТЕМПЕРАТУРНИХ УМОВ НА СТІЙКІСТЬ ЕРИТРОЦИТІВ ССАВЦІВ ДО ГІПЕРТОНІЧНОГО ШОКУ 2.9 MB
  Актуальною проблемою кріобіології є розробка нових методів зберігання еритроцитів в умовах низьких температур а також поліпшення показників збереження клітин при використанні існуючих методик зберігання. Щоб оцінити внесок висококонцентрованих розчинів солей...
65593. ПСИХІЧНІ РОЗЛАДИ ПРИ РЕЗИСТЕНТНІЙ СКРОНЕВІЙ ЕПІЛЕПСІЇ ТА ЇХ ДИНАМІКА НА РІЗНИХ ЕТАПАХ ВІДНОВНОГО ЛІКУВАННЯ 951.5 KB
  Високі показники захворюваності на епілепсію переважно за рахунок її симптоматичних форм етіологічна і клінічна гетерогенність епілепсії значна питома вага психічних розладів істотна частка резистентних форм інвалідизація і соціальна дезадаптація хворих тривала і дорога терапія...
65594. МЕТОДИ ПІДВИЩЕННЯ ЗАВАДОСТІЙКОСТІ СИСТЕМ БЕЗПРОВОДОВОГО ДОСТУПУ WI-МAX 645.5 KB
  Всі згадані технології використовують відповідні протоколи взаємодії вузлів мережі для управління передачею пакетів по загальному каналу зв'язку. Наявність спільного каналу зв'язку, який колективно використовується абонентами...
65595. МОРФОФУНКЦІОНАЛЬНІ ОСОБЛИВОСТІ БУДОВИ М’ЯКИХ ТКАНИН РІЗНИХ ДІЛЯНОК ГОЛОВИ ЛЮДИНИ 298.5 KB
  Цим важливим напрямком щелепнолицевої хірургії займається все більше лікарів але згідно зі статистичними даними кількість ускладнень та негативних результатів оперативних втручань у ділянці голови залишається досить великою Зелянин А.
65596. Кодифікація адміністративно-процедурного законодавства України 229.5 KB
  Активні реформаційні процеси в сфері публічної адміністрації зумовлюють появу численних дискусій як у середовищі вченихюристів так і юристівпрактиків юристівнормотворців щодо подальшого спрямування реформ визначення оптимальних векторів розвитку і становлення...
65597. ТЕОРІЯ ТА МЕТОДИ СТРУКТУРНОГО ТА ПАРАМЕТРИЧНОГО СИНТЕЗУ МУЛЬТИСЕРВІСНИХ НАКЛАДЕНИХ МЕРЕЖ 3.27 MB
  До організаційної відноситься структура в якій виділяються територіально розподілені фрагменти мережі що виконують різні функції. Рівні технологічної ієрархії являють собою накладені мережі які використовують різні технології. Наприклад ІРканал між двома...
65598. МЕТОДИКА НАВЧАННЯ МАЙБУТНІХ ІНЖЕНЕРІВ-ПЕДАГОГІВ ОХОРОНИ ПРАЦІ З ВИКОРИСТАННЯМ КОМП’ЮТЕРНИХ ТЕХНОЛОГІЙ 1.32 MB
  Важливе місце в підготовці майбутніх інженерівпедагогів до професійної діяльності посідає формування знань і умінь з питань безпеки праці. Саме охорона праці є запорукою забезпечення життя здоровя і працездатності людини у процесі трудової діяльності так як порушення вимог законодавства...