6298

Логические элементы на биполярных структурах

Реферат

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Логические элементы на биполярных структурах. Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ) удачно совмещает хорошее быстродействие, помехоустойчивость, нагрузочную способность с умеренным потреблением энергии и невысокой стоимостью...

Русский

2014-12-28

100.5 KB

37 чел.

Логические элементы на биполярных структурах.

Транзисторно-транзисторная логика  (ТТЛ) удачно совмещает хорошее быстродействие,  помехоустойчивость,  нагрузочную способность с умеренным потреблением энергии и невысокой стоимостью.

Особенность ТТЛ логики состоит к том, что в ней используется многоэмиттерный п-р-п  транзистор, который имеет от 2 до 8 эмиттepoв и общие области базы и эмиттера.

                                Схема простейшего элемента ТТЛ

Электрическая схема простейшего (малосигнального) ЛЭ ТТЛ состоит из входного  двухэмиттерного транзистора VT1, в цепь базы которого включен резистор R1, и выходного инвертора на транзисторе VТ2, и резисторе R2. Многоэмиттерный транзистор выполняет логическую операцию И. Простейшие элементы ТТЛ широко пользуются и БИС и как составная часть более сложных логических схем.

Пусть на одни вход ЛЭ подается напряжение логического нуля U uxl = U°, а на второй вход -  высокое напряжение U к2 = U1. Первый переход эмиттер-база транзистора VT1 будет смещен в прямом направлении. Второй змиттерпый переход, нa который подается напряжение высокого уровня Uцх2 > U1, смещен в обратном на правлении, ток его близок к пулю. Потенциал базы транзистора VT1  составляет

U = U +U*,

Где U   = 0,8 В   - прямое падение напряжения на эмиттерном .переходе при Т- 300 К. Напряжение Ufl приложено в прямом направлении к    последовательно  включенным  переходам  база- коллектор транзистора  VТl   и  база- эмиттер транзистора VТ2  Однако этого потенциала недостаточно для отпирания этих переходов (  Uб<  2U* ), поэтому Ik1=Iб2=О. Транзистор VT2 закрыт  Ток протекает от источника питании через резистор Rl,  переxoд база -эмиттер транзистора  VТl   и  источник напряжения U °. Он  является  входным током ЛЭ. Транзистор VТ2 закрыт, а через резистор R2 протекает небольшой ток нагрузки, поэтому на выходе ЛЭ устанавливается напряжение высокого уровня  - U'. Подобное же состояний устанавливается и схеме ЛЭ, если на нее входы подается напряжение низкого уровня U°.

При подаче на  все входы ЛЭ напряжения высокого уровня  эмиттерные   переходы  транзистора VТl     смещены  в обратном направлении. Транзистор VТ1-находится  к инверсном режиме.

Основной   ток  протекает от источника питания через резистор R1,  переходы база  - коллектор транзистора VTI и база -эмиттер транзистора VT2. Транзистор  VT2 открыт и находится в режиме насыщения.

Таблица истинности двухвходового ЛЭ ТТЛ имеет вид, соответствующий логической функции 2И НЕ. Описанный ЛЭ может работать при напряжении источника питания U = 3...5 В и  имеет логические уровни U0 < 0,5 В, U '> 2 В. Нагрузочная способность простейшего ЛЭ  ТТЛ  ограничена, хотя при малых значениях емкости нагрузки (в структурах СИС, БИС) задержка распространения может составлять единицы  наносекунд.

Базовые логические элементы, которые используются в качестве отдельных микросхем или как выходные каскады БИС, для повышения помехоустойчивости, нагрузочной способности и обеспечения высокого быстродействия имеют более сложную электрическую схему, которая представлена на рисунке 1.

        Рисунок 1  Схема элемента ТТЛ со сложным инвертором.

Схема содержит на  входе  многоэмиттерный транзистор Т1,  который  выполняет логическую функцию  И,  фазоразделяющий каскад  на транзисторе VT2 и резисторах R 2,  RЗ, Входной каскад на транзисторах VT3 и VT4, диоде VD3, резисторе R 4.

При подаче на вход сигнала низкого уровня UBK = U° транзистор VT2 будет закрыт. Ток эмиттера транзистора VT2, который делится между резистором R3 и базой транзистора VT4, равняется нулю, поэтому транзистор VT4 будет закрыт. Уровень напряжения на коллекторе VT2 (Uk2= Vи.п.)  достаточный для отпирания транзистора VT3. В цепи базы VT3 протекает ток от источник питания через резистор R2. Транзистор VT3 открыт.

На выходе ЛЭ напряжение

При подаче на все входы ЛЭ напряжения высокого уровня многоэмиттерный транзистор VT1 будет находиться в инверсном активном режиме, в  базу VT2 потечет ток, VT2 отопрется, потенциал коллектора VT2 уменьшается и транзистор VT3  закроется. Часть эмиттерного тока VT2 поступает в базу транзистора VT4, этот транзистор отпирается и входит в режим насыщения.  Выходное напряжение имеет низкий уровень.

         Потенциал базы транзистора VT l определяется суммой падения напряжения  на  трех открытых переходах: коллекторном VT l , эмиттерном VT2, эмиттерном VT З. Поэтому для отпирания VT2 это напряжение должно быть UB] > 3U   = 2,4 В. Процесс переключения транзисторов VT3 и VT4  начинается одновременно, поэтому  некоторое время оба транзистора открыты и через них протекает импульс сквозного тока, величину которого ограничивает резистор R4 (50...150 Ом). Этот же резистор защищает схему от случайного короткого замыкания  выхода ЛЭ на общую шину. Резко уменьшение напряжения Uвых в сочетании с импульсом сквозного тока возбуждает цикл затухающих колебаний в паразитных индуктивностях и емкостях схемы и соединительных проводников Эти  импульсы могут вызывать ложное срабатывание подключенных к выходу логических элементов. Для предотвращения этого, ко входам ЛЭ  ТТЛ  подключены демпфирующие «антизвонные »диоды VD1 и VD2. В нормальном состоянии диоды VD1 и VD2 закрыты, но с появлением отрицательного полупериода затухающих колебаний открываются и ограничивают эти импульсы на уровне U*, тем самым предотвращают дальнейшие колебания.

Логические уровни ЛЭ ТТЛ-типа: U1 = 2,4 В; U0 = 0,4В; максимально допустимая емкость нагрузки Сн = 200 пФ.

         ТТЛ с структурами Шоттки (ТТЛШ).

Как отмечалось ранее, значительную часть длительности  переходного процесса при запирании биполярного транзистора составляет процесс рассасывания заряда неосновных носителей. Для предотвращения  этого между базой и коллектором биполярного транзистора  включается диод

Шоттки (переход металл – полупроводник). В процессе отпирания транзистора  потенциал коллектора снижается и становится отрицательным относительно потенциала базы. Когда разность потенциалов базы и коллектора достигнет Uдш  ( где Uдш- прямое падение напряжения на диоде Шоттки). Отпирается диод Шоттки и напряжение между базой и коллектором фиксируется на уровне Uдш.. Величина Uдш. равняется 0,3…0,45В. Поэтому коллекторный переход остается практически запертым. Если коллекторный переход при отпирании транзистора не переходит в открытое состояние, накопление инжектированных  неосновных носителей в области коллектора не происходит и продолжительность процесса рассасывания сокращается. Электрическая схема логического элемента  транзисторно-транзисторной логики Шоттки (ТТЛШ) представлена на рисунке 2.

 

                    Рисунок 2. Схема базового элемента ТТЛШ.

 Все транзисторы этой схемы, кроме транзистора VT5, имеют структуру с переходом Шоттки. Транзистор VT5 имеет обычную структуру ,так как он не переходит в режим насыщения.

Благодаря резкому сокращению времени рассасывания заряда неосновных носителей , быстродействие ЛЭ ТТЛШ  в несколько раз выше, чем в ЛЭ ТТЛ.

Для улучшения параметров в современных ЛЭ ТТЛШ вместо МЭТ для реализации логической функции применяют входные каскады.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

85073. Правила поведения при угрозе террористического акта 32.57 KB
  Правила поведения при угрозе террористического акта Цель урока. Обсудить с учащимися правила безопасного поведения в различных ситуациях террористического характера. Изучаемые вопросы Правила безопасного поведения при угрозе взрыва и при взрыве. Не прикасайтесь к находке и не давайте этого делать другим Далее обсудить с учащимися правила безопасного поведения при следующих ситуациях.
85074. Государственная политика противодействия наркобизнесу. Профилактика наркомании 32.58 KB
  Профилактика наркомании. Привлечь внимание учащихся к факту губительного распространения наркомании среди молодежи познакомить их с нормативноправовой основой противодействия наркомании; обсудить статью Уголовного кодекса РФ в которой предусмотрены наказания за действия связанные с наркотическими и психотропными веществами. Сформировать у учащихся убеждение в том что самая эффективная профилактика наркомании это индивидуальная система самовоспитания. Познакомить учащихся с психологической основой по формированию индивидуальной системы...
85077. Вредные привычки, их влияние на здоровье. Профилактика вредных привычек 34.63 KB
  Профилактика вредных привычек. Одна из таких угроз возникновение а главное глобальное распространение вредных привычек. Назовите социальные причины вредных привычек и их последствия. Ощущаем ли мы эти последствия в повседневной жизни Как ты сам борешься с вредными привычками Учитель предлагает обсудить проблему таких вредных привычек как пьянство и алкоголизм табакокурение и наркомания.
85078. Алкоголизм и курение, их профилактика 44.7 KB
  Познакомить учащихся с физиологическими и социальными последствиями употребления алкоголя. К сожалению употребление алкоголя давно стало элементом человеческой культуры и так же давно передовые представители человечества говорили о пагубности этой привычки. Токсическое воздействие алкоголя прежде всего сказывается на деятельности нервной системы. Если содержание алкоголя в крови принять за 1 единицу то в печени оно будет равно 145 а в головном мозге 175.
85079. Наркомания – прямая угроза жизни и здоровью человека 41.3 KB
  Цель урока: Познакомить учащихся с физиологическими и социальными последствиями употребления наркотиков Изучение нового материала. Каков возраст подавляющего большинства наркоманов В каком возрасте люди начинают приобщаться к наркотикам Как вы думаете что является главной причиной всемирного распространения наркотиков Существует ли юридическая ответственность за употребление наркотиков А за их хранение За распространение Можно ли лечением снять наркотическую зависимость Можно ли окончательно излечиться от наркомании Какая по...
85080. Правила поведения в условиях вынужденной автономии в природе. Ориентирование 39.44 KB
  К небесным телам относятся солнце луна звёзды. Места восхода и захода солнца по временам года различны: зимой солнце восходит на юговостоке а заходит на югозападе; летом солнце восходит на северовостоке а заходит на северозападе; весной и осенью солнце восходит на востоке а заходит на западе. Луна так же как и солнце всходит на востоке и заходит на западе. Для этого положите часы горизонтально так чтобы часовая стрелка указывала на Солнце.
85081. Правила поведения в ситуациях криминогенного характера 36.44 KB
  Учащимся предлагаются ситуации возможного теракта в которых учащиеся должны действовать. Учащиеся делятся на группы у каждой группы своё задание. Учащиеся находят на школьной территории подозрительную коробку из которой торчит проволока похожая на антенну. После обнаружения коробки учащиеся должны запомнить место где она находится и быстро отойти от нее.