6300

Элементы логики с инжэкционным питанием

Контрольная

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Элементы логики с инжэкционным питанием. Интегрально-инжекционная логика (И2Л), которую вернее было бы назвать логикой с инжекционным питанием, не может быть реализована на дискретных компонентах. Вариант структуры логики ИгЛ, изготовленной, н...

Русский

2014-12-28

93 KB

11 чел.

Элементы логики с инжэкционным питанием.

Интегрально-инжекционная логика (И2Л), которую вернее было бы назвать логикой с инжекционным питанием, не может  быть реализована на дискретных компонентах. Вариант структуры логики ИгЛ, изготовленной, но изопланарной технологии, изображен на рис.1. Он представляет собой комбинацию многоколлекторного транзистора р-п-р-типа с «боковой» структурой и нескольких многоколлекториых п-р-п-транзисторов. Структура размещается на кристалле из кремния п+-типа, имеющего нулевой потенциал. Низколегированный эиитаксиальный слой п - типа  служит базой многоколлекторного транзистора р-п-р. Этот транзистор является источником тока или инжектором для переключательных  п-р-п-транзисторов.

Переключательные многоколлекторные транзисторы, расположенные по обе стороны инжектора, образуются областью п (эмиттер), р (база) и областями п+  (коллекторы).  Неосновные носители, которые инжектируют из области р в область п, преодолевают небольшое расстояние от эмиттера р до коллектора р (ширину базы р-п-р транзистора), это обеспечивает достаточную величину коэффициента передачи тока инжектора аи. Инжектор создает довольно большой ток эмиттерного  перехода п-р  переключательного транзистора п р-n. Этот ток  и является током питания логического элемента И2 Л. При наличии тока эмиттера переключательный транзистор находится в режиме насыщения, коллекторные переходы р-n открыты, а при  наличии  внешней цепи там возникает коллекторный ток. Изоляцию между соседними логическиими  элементами обеспечивают разделительные области SO2.


   Ток  инжектора  делится  между  многими логическими элементами, число которых  на  кристалле может доходить до нескольких сотен. Ток каждого коллектора многоколлекторного инжектора равняется aaIJN, где N  -    число коллекторов р в структуре И2Л, оно равняется  числу логических элементов (многоколлекторных транзисторов п-р-п). Особенность структуры транзисторов п-р-п состоит в том, что они работают как бы в инверсном режиме: площадь коллекторов п' мала, а концентрация носителей в них самая высокая. Как следствие, значение коэффициента передачи тока базы β этого транзистора составляет всего несколько единиц. Однако насыщенное состояние в нем все же наступает даже в микро режиме,  при токе эмиттера 5...10 мкА. Это позволяет обеспечить   экономичность И2Л    логики.

Сумма падений напряжения на переходах в структуре И2Л состоит из суммы падений напряжений на двух открытых эмиттерных переходах инжектора и ключевого транзистора U= 0,7...0,8 В и остаточного напряжения коллекторного перехода p-ni  U OC] =0,1В. Напряжение питании ЛЭ И2Л может быть 1,5...4В. Общий ток инжектора I устанавливается общим для всего кристалла резистором Ru (он показан на рис. 1 пунктиром). В другом возможном варианте структуры И2Л все логические элементы микросхемы выполняются на кристалле с высокой проводимостью р+-типа, который подключается к +Ua.n. Эта  р+ - область выполняет функцию инжектора для всех переключательных п-р-п - транзисторов на кристалле. В таком варианте р-п-р-транзистор инжектора имеет вертикальную структуру, в остальном он не отличается от изображенного на рис. 1.

Эквивалентная схема, отображающая процессы, происходящие в ЛЭ И'Л, показана па рис. 2, где изображен инжектор, VT1  и два переключательных транзистора VT2, VT3, Входом первого логического элемента является база транзистора VT2. Когда на вход ЛЭ VT2 подан сигнал Х1 =1 (контакт разомкнут, (U= U1), ток инжектора I2 протекает через эмиттерный переход VT2. Транзистор VT2 находится в состояний; насыщения. В результате ток инжектора  замыкается  через коллекторную цепь VT2, а ток


эмиттера транзистора VT3 равняется нулю и он заперт, то есть У= Хг = 1. При X1= 0 логические состояния меняются на противоположные. ЛЭ выполняет операцию инверсии по обоим выходам и является инвертором.

Если соединить выходы нескольких инверторов, например, двух   и подключить к точке соединения  нагрузочный  инвертор VT4 (на схеме отсутствует), то в этой точке будет реализоваться логическая функция ИЛИ-НЕ Y =XX + X2. На выходе нагрузочного инвертора (транзистора VT4) Y = Х1 + Х2-Уровень   напряжения   на   выходе ЛЭ  И2Л  составляет U вых=  0,1В, U 1вых =0,5…0,6В  величина .логического перепада U = 0,5В. Ток инжектора отдельного ЛЭ (в зависимости от  быстродействия) изменяется от 5...10 мкА до I  мА.  При  небольшом числе нагрузок (п = 1...2) значение задержки распространение соответствует ЛЭ среднего быстродействия t3CP <  10  нс. Допустимое напряжение помех          U пом_доп < 0,3 В. Таким образом, элементы   И'Л  пригодны  для создания  БИС  высокой  степей и интеграции (БИC  памяти,   микропроцессоры   и  др.),  так   как небольшие  размеры   позволяют  разместить   несколько тысяч 10 ЛЭ на  1   мм 2.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

38887. Современное состояние и перспективы развития Пенсионного фонда РФ 51 KB
  1 НАЗВАНИЕ ПЕРВОГО ПАРАГРАФА Далее идет основной текст с абзацного отступа. Текст текст текст текст текст текст текст текст текст текст текст текст текст текст текст.2 НАЗВАНИЕ ВТОРОГО ПАРАГРАФА Далее идет основной текст с абзацного отступа. Текст текст текст текст текст текст текст текст текст текст текст текст текст текст текст.
38888. Средства моделирования беспроводных сенсорных сетей на базе протокола ZigBee с выбором наилучшего 3.33 MB
  Моделирование сети проводилось в программном пакете OMNET с использованием симулятора Cstli. В разделе Технологическая часть изложена полная установка и настройка программного пакета OMNET и симулятора Cstli на операционной системе Ubuntu 10.5 Структура каталогов OMNET и Cstli 60 2.1 построен симулятор различных протоколов беспроводных сенсорных сетей Cstli текущая версия 3.
38890. Створення презентації в програмі PowerPoint 2003 1.58 MB
  Можна вставити до презентації: малюнки графіку різне написання тексту надати колір тексту змінити фон презентації надати вашій презентації різних ефектних анімацій та інше.2 Основні елементи програми PowerPoint Після загрузки PowerPoint на екрані монітору відобразиться вікно Microsoft PowerPoint мал.3 Створення нової презентації PowerPoint В підрозділі Создание розділ вікна задач Создание презентации перераховані способи створення презентації мал. Клацнувши по пункті Из шаблона оформления відкриється вікно Дизайн слайда із колекції...
38893. Система вознаграждения за труд, применяемая на предприятии 129.5 KB
  Тарифная система оплаты труда: сущность элементы область применения. Место оплаты труда в системе вознаграждения денежная форма вознаграждения персонала связь вознаграждения и мотивации. Через оплату труда осуществляется контроль за мерой труда и потребления. Правильная организация труда и его оплаты составляет важное условие повышения эффективности труда трудовой дисциплины и точного определения заработка работника.
38895. МЕТОДИЧЕСКИЕ РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ДИПЛОМНЫХ РАБОТ 469 KB
  Присяжнюк В методических рекомендациях раскрываются цели и задачи дипломной работы определяются обязанности студентов и научных руководителей определяется порядок ее выполнения описываются требования к содержанию и оформлению. Методические указания предназначены в помощь студентам специальности при выполнении дипломной работы а также преподавателям техникума. Цели и задачи выпускной квалификационной дипломной работы. Требования к структуре и содержанию выпускной квалификационной дипломной работы.