6300

Элементы логики с инжэкционным питанием

Контрольная

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Элементы логики с инжэкционным питанием. Интегрально-инжекционная логика (И2Л), которую вернее было бы назвать логикой с инжекционным питанием, не может быть реализована на дискретных компонентах. Вариант структуры логики ИгЛ, изготовленной, н...

Русский

2014-12-28

93 KB

11 чел.

Элементы логики с инжэкционным питанием.

Интегрально-инжекционная логика (И2Л), которую вернее было бы назвать логикой с инжекционным питанием, не может  быть реализована на дискретных компонентах. Вариант структуры логики ИгЛ, изготовленной, но изопланарной технологии, изображен на рис.1. Он представляет собой комбинацию многоколлекторного транзистора р-п-р-типа с «боковой» структурой и нескольких многоколлекториых п-р-п-транзисторов. Структура размещается на кристалле из кремния п+-типа, имеющего нулевой потенциал. Низколегированный эиитаксиальный слой п - типа  служит базой многоколлекторного транзистора р-п-р. Этот транзистор является источником тока или инжектором для переключательных  п-р-п-транзисторов.

Переключательные многоколлекторные транзисторы, расположенные по обе стороны инжектора, образуются областью п (эмиттер), р (база) и областями п+  (коллекторы).  Неосновные носители, которые инжектируют из области р в область п, преодолевают небольшое расстояние от эмиттера р до коллектора р (ширину базы р-п-р транзистора), это обеспечивает достаточную величину коэффициента передачи тока инжектора аи. Инжектор создает довольно большой ток эмиттерного  перехода п-р  переключательного транзистора п р-n. Этот ток  и является током питания логического элемента И2 Л. При наличии тока эмиттера переключательный транзистор находится в режиме насыщения, коллекторные переходы р-n открыты, а при  наличии  внешней цепи там возникает коллекторный ток. Изоляцию между соседними логическиими  элементами обеспечивают разделительные области SO2.


   Ток  инжектора  делится  между  многими логическими элементами, число которых  на  кристалле может доходить до нескольких сотен. Ток каждого коллектора многоколлекторного инжектора равняется aaIJN, где N  -    число коллекторов р в структуре И2Л, оно равняется  числу логических элементов (многоколлекторных транзисторов п-р-п). Особенность структуры транзисторов п-р-п состоит в том, что они работают как бы в инверсном режиме: площадь коллекторов п' мала, а концентрация носителей в них самая высокая. Как следствие, значение коэффициента передачи тока базы β этого транзистора составляет всего несколько единиц. Однако насыщенное состояние в нем все же наступает даже в микро режиме,  при токе эмиттера 5...10 мкА. Это позволяет обеспечить   экономичность И2Л    логики.

Сумма падений напряжения на переходах в структуре И2Л состоит из суммы падений напряжений на двух открытых эмиттерных переходах инжектора и ключевого транзистора U= 0,7...0,8 В и остаточного напряжения коллекторного перехода p-ni  U OC] =0,1В. Напряжение питании ЛЭ И2Л может быть 1,5...4В. Общий ток инжектора I устанавливается общим для всего кристалла резистором Ru (он показан на рис. 1 пунктиром). В другом возможном варианте структуры И2Л все логические элементы микросхемы выполняются на кристалле с высокой проводимостью р+-типа, который подключается к +Ua.n. Эта  р+ - область выполняет функцию инжектора для всех переключательных п-р-п - транзисторов на кристалле. В таком варианте р-п-р-транзистор инжектора имеет вертикальную структуру, в остальном он не отличается от изображенного на рис. 1.

Эквивалентная схема, отображающая процессы, происходящие в ЛЭ И'Л, показана па рис. 2, где изображен инжектор, VT1  и два переключательных транзистора VT2, VT3, Входом первого логического элемента является база транзистора VT2. Когда на вход ЛЭ VT2 подан сигнал Х1 =1 (контакт разомкнут, (U= U1), ток инжектора I2 протекает через эмиттерный переход VT2. Транзистор VT2 находится в состояний; насыщения. В результате ток инжектора  замыкается  через коллекторную цепь VT2, а ток


эмиттера транзистора VT3 равняется нулю и он заперт, то есть У= Хг = 1. При X1= 0 логические состояния меняются на противоположные. ЛЭ выполняет операцию инверсии по обоим выходам и является инвертором.

Если соединить выходы нескольких инверторов, например, двух   и подключить к точке соединения  нагрузочный  инвертор VT4 (на схеме отсутствует), то в этой точке будет реализоваться логическая функция ИЛИ-НЕ Y =XX + X2. На выходе нагрузочного инвертора (транзистора VT4) Y = Х1 + Х2-Уровень   напряжения   на   выходе ЛЭ  И2Л  составляет U вых=  0,1В, U 1вых =0,5…0,6В  величина .логического перепада U = 0,5В. Ток инжектора отдельного ЛЭ (в зависимости от  быстродействия) изменяется от 5...10 мкА до I  мА.  При  небольшом числе нагрузок (п = 1...2) значение задержки распространение соответствует ЛЭ среднего быстродействия t3CP <  10  нс. Допустимое напряжение помех          U пом_доп < 0,3 В. Таким образом, элементы   И'Л  пригодны  для создания  БИС  высокой  степей и интеграции (БИC  памяти,   микропроцессоры   и  др.),  так   как небольшие  размеры   позволяют  разместить   несколько тысяч 10 ЛЭ на  1   мм 2.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

45180. Эволюция Земских соборов 95 KB
  Эволюция Земских соборов. Земский собор Совет всей земли высшее сословно-представительское учреждение Российского царства с середины XVI до конца XVII века собрание представителей всех слоёв населения кроме крепостных крестьян для обсуждения политических экономических и административных вопросов. Земский собор существовал в условиях сословно-представительной монархии. Последним земским собором принято считать собрание состоявшееся в 1683 1684 годы по вопросу о вечном мире с Речью Посполитой.
45181. Правление Петра I 17.15 KB
  Были введены: Коллегия чужестранных иностранных дел заменила Посольский приказ то есть ведала внешней политикой. Военная коллегия Воинская комплектование вооружение снаряжение и обучение сухопутной армии. Адмиралтейств коллегия военно-морские дела флот. Вотчинная коллегия заменила Поместный приказ то есть ведала дворянским землевладением рассматривались земельные тяжбы сделки на куплю-продажу земли и крестьян сыск беглых.
45182. Эпоха дворцовых переворотов 16.01 KB
  После его смерти столкнулись представители родовой знати Голицыны Долгорукие признававшие наследником князя Петра и чиновная власть сделавшая ставку на Екатерину I и выигравшая эту борьбу с помощью гвардейских полков. императором согласно ее завещанию провозглашается внук Петра I Петр II а к Верховному тайному совету фактически к А. В ходе обсуждения возможных кандидатов на престол выбор пал на курляндскую герцогиню Анну Иоанновну дочь брата Петра I Ивана Алексеевича.
45183. Ресурсный метод определения стоимости строительства 16.17 KB
  Этот метод формирования сметной документации предусматривает калькулирование в текущих ценах трудовых материальных и технических ресурсов необходимых для реализации проектного решения. В качестве исходных данных для определения прямых затрат в локальных ресурсных сметных расчетах выделяют следующие показатели: Затраты труда рабочих строителей монтажников персонала по пусконаладке Средний разряд работы Затраты труда машинистов Строительные машины и механизмы в маш час Расход материальных ресурсов в принятых физических...
45184. Метод определения стоимости строительства на основе укрупненных сметных нормативов 15.52 KB
  Метод определения стоимости строительства на основе укрупненных сметных нормативов Этот метод предназначен для следующих целей: Определение стоимости строительства объектов различного функционального значения на ранних стадиях и инвестиционного процесса на предпроектной стадии на стадии техникоэкономических обоснований формирование социальноэкономической программы ориентация проектировщика разработавшего проектное предложение для проведения подряда торговой оценки стоимости предмета конкурса для решения других задач связанных с...
45185. Состав затрат сводного сметного расчета (наименование 12 глав ССР, непредвиденные расходы, НДС) 43 KB
  Состав затрат сводного сметного расчета наименование 12 глав ССР непредвиденные расходы НДС Глава 1 Подготовка территорий строительства Основные затраты: оформление земельного участка и разбивочные работы: затраты по отводу земельного участка выдача архитектурно-планировочного задания затраты по разбивке основных осей здания и сооружения: плата за землю при изъятии или выкупе земельного участка; плата за аренду земельного строительства период проектирования земельного строительства затраты на получение технических условий затраты...