6300

Элементы логики с инжэкционным питанием

Контрольная

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Элементы логики с инжэкционным питанием. Интегрально-инжекционная логика (И2Л), которую вернее было бы назвать логикой с инжекционным питанием, не может быть реализована на дискретных компонентах. Вариант структуры логики ИгЛ, изготовленной, н...

Русский

2014-12-28

93 KB

11 чел.

Элементы логики с инжэкционным питанием.

Интегрально-инжекционная логика (И2Л), которую вернее было бы назвать логикой с инжекционным питанием, не может  быть реализована на дискретных компонентах. Вариант структуры логики ИгЛ, изготовленной, но изопланарной технологии, изображен на рис.1. Он представляет собой комбинацию многоколлекторного транзистора р-п-р-типа с «боковой» структурой и нескольких многоколлекториых п-р-п-транзисторов. Структура размещается на кристалле из кремния п+-типа, имеющего нулевой потенциал. Низколегированный эиитаксиальный слой п - типа  служит базой многоколлекторного транзистора р-п-р. Этот транзистор является источником тока или инжектором для переключательных  п-р-п-транзисторов.

Переключательные многоколлекторные транзисторы, расположенные по обе стороны инжектора, образуются областью п (эмиттер), р (база) и областями п+  (коллекторы).  Неосновные носители, которые инжектируют из области р в область п, преодолевают небольшое расстояние от эмиттера р до коллектора р (ширину базы р-п-р транзистора), это обеспечивает достаточную величину коэффициента передачи тока инжектора аи. Инжектор создает довольно большой ток эмиттерного  перехода п-р  переключательного транзистора п р-n. Этот ток  и является током питания логического элемента И2 Л. При наличии тока эмиттера переключательный транзистор находится в режиме насыщения, коллекторные переходы р-n открыты, а при  наличии  внешней цепи там возникает коллекторный ток. Изоляцию между соседними логическиими  элементами обеспечивают разделительные области SO2.


   Ток  инжектора  делится  между  многими логическими элементами, число которых  на  кристалле может доходить до нескольких сотен. Ток каждого коллектора многоколлекторного инжектора равняется aaIJN, где N  -    число коллекторов р в структуре И2Л, оно равняется  числу логических элементов (многоколлекторных транзисторов п-р-п). Особенность структуры транзисторов п-р-п состоит в том, что они работают как бы в инверсном режиме: площадь коллекторов п' мала, а концентрация носителей в них самая высокая. Как следствие, значение коэффициента передачи тока базы β этого транзистора составляет всего несколько единиц. Однако насыщенное состояние в нем все же наступает даже в микро режиме,  при токе эмиттера 5...10 мкА. Это позволяет обеспечить   экономичность И2Л    логики.

Сумма падений напряжения на переходах в структуре И2Л состоит из суммы падений напряжений на двух открытых эмиттерных переходах инжектора и ключевого транзистора U= 0,7...0,8 В и остаточного напряжения коллекторного перехода p-ni  U OC] =0,1В. Напряжение питании ЛЭ И2Л может быть 1,5...4В. Общий ток инжектора I устанавливается общим для всего кристалла резистором Ru (он показан на рис. 1 пунктиром). В другом возможном варианте структуры И2Л все логические элементы микросхемы выполняются на кристалле с высокой проводимостью р+-типа, который подключается к +Ua.n. Эта  р+ - область выполняет функцию инжектора для всех переключательных п-р-п - транзисторов на кристалле. В таком варианте р-п-р-транзистор инжектора имеет вертикальную структуру, в остальном он не отличается от изображенного на рис. 1.

Эквивалентная схема, отображающая процессы, происходящие в ЛЭ И'Л, показана па рис. 2, где изображен инжектор, VT1  и два переключательных транзистора VT2, VT3, Входом первого логического элемента является база транзистора VT2. Когда на вход ЛЭ VT2 подан сигнал Х1 =1 (контакт разомкнут, (U= U1), ток инжектора I2 протекает через эмиттерный переход VT2. Транзистор VT2 находится в состояний; насыщения. В результате ток инжектора  замыкается  через коллекторную цепь VT2, а ток


эмиттера транзистора VT3 равняется нулю и он заперт, то есть У= Хг = 1. При X1= 0 логические состояния меняются на противоположные. ЛЭ выполняет операцию инверсии по обоим выходам и является инвертором.

Если соединить выходы нескольких инверторов, например, двух   и подключить к точке соединения  нагрузочный  инвертор VT4 (на схеме отсутствует), то в этой точке будет реализоваться логическая функция ИЛИ-НЕ Y =XX + X2. На выходе нагрузочного инвертора (транзистора VT4) Y = Х1 + Х2-Уровень   напряжения   на   выходе ЛЭ  И2Л  составляет U вых=  0,1В, U 1вых =0,5…0,6В  величина .логического перепада U = 0,5В. Ток инжектора отдельного ЛЭ (в зависимости от  быстродействия) изменяется от 5...10 мкА до I  мА.  При  небольшом числе нагрузок (п = 1...2) значение задержки распространение соответствует ЛЭ среднего быстродействия t3CP <  10  нс. Допустимое напряжение помех          U пом_доп < 0,3 В. Таким образом, элементы   И'Л  пригодны  для создания  БИС  высокой  степей и интеграции (БИC  памяти,   микропроцессоры   и  др.),  так   как небольшие  размеры   позволяют  разместить   несколько тысяч 10 ЛЭ на  1   мм 2.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

18229. Особливості мови QBE в середовищі СУБД Paradox 75 KB
  Особливості мови QBE в середовищі СУБД Paradox Реалізація мови QBE в СУБД Paradox є однією з найближчих по функціональним можливостям та по концептуальній схемі до тієї версії яку запропонував Zloof. Але дрібних відмінностей всетаки багато. Функція Print P задається за допом
18230. Query-By-Example 144.5 KB
  QueryByExample Семантична основа мови – теорія відображень. QBE розшифровується як Query By Example запит за зразком є мовою запитів реляційних баз даних. Це графічна мова запитів. Основний спосіб роботи з використанням цієї мови полягає в тому щоб у надані бланки таблиць бази ...
18231. Реляційна модель баз даних. Мови запитів 119.5 KB
  Реляційна модель баз даних. Мови запитів. Теоретичні основи реляційної моделі баз даних були закладені Е.Коддом на початку 70х років [1] і спочатку дійсно мали чисто теоретичний характер. На відміну від поширених на той час систем з ієрархічними чи мережаними типами стр
18232. SQL – абревіатура від Structured Query Language (структурована мова запитів) 231.5 KB
  SQL SQL – абревіатура від Structured Query Language структурована мова запитів. Мова SQL – найбільш поширена мова запитів для реляційних баз даних. Її перші версії називались SEQUEL тому часом SQL називають сіквел але більш правильно його називати еск’юел. Однією з головних переваг мо...
18234. Формирование у дошкольников гуманного отношения к матери 514 KB
  Гуманные чувства формируются и развиваются в процессе гуманного отношения ребенка со взрослыми и сверстниками. Большую часть своего времени ребенок-дошкольник проводит в игре. Игра является мощным фактором развития гуманных отношений у дошкольников.
18235. Проектирование тепломассообменного оборудования линии обработки зерна гречихи производительностью 1 т/ч 616 KB
  Стандартная технология получения крупы из зерна гречихи включает подготовку зерна к переработке и непосредственно переработку его в крупу путем шелушения.После очистки, при выработке быстроразвариваюшейся крупы, гречихуподвергают гидротермической обработке. Способ гидротермической обработки зерна гречихи включает предварительный прогрев зерна, пропаривание, сушку, охлаждение.
18236. Правовий режим земель сільськогосподарського призначення 113 KB
  Земельні відносини, які виникають в процесі здійснення приватизації земель сільськогосподарського призначення, а також у сфері їх належності, екологічного, збалансованого використання і охорони земель, правового забезпечення реалізації земельних інтересів, гарантій суб’єктивних земельних прав по відношенню до земель сільськогосподарського призначення.
18237. Процесс формирования представлений о величинах у детей в детском саду и начальной школе 439 KB
  Раскрыть смысл преемственности в формировании представлений о величинах у детей дошкольного и младшего школьного возраста. Выявить педагогические условия, влияющие на реализацию преемственных связей в процессе изучения величин в детском саду и начальной школе. Определить принципы отбора содержания учебного материала, обеспечивающие непрерывность формирования представлений о величине у детей дошкольного и младшего школьного возраста...