64655

Применение полупроводниковых сверхрешеток в наноэлектронных устройствах

Курсовая

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Композиционные сверхрешетки Легированные сверхрешетки Такой периодический потенциал сверхрешетки существенно изменяет зонную структуру исходных полупроводников создавая минизоны в пространстве волнового вектора и энергетические подзоны.

Русский

2014-07-09

395.86 KB

85 чел.

14

Содержание

Задание 3

Введение 4

1. Технологические основы сверхрешеточных структур 6

2. Классификация полупроводниковых сверхрешеток 11

2.1 Композиционные сверхрешетки 13

2.2 Легированные сверхрешетки 15

3. Применение полупроводниковых сверхрешеток в наноэлектронных устройствах 19

Заключение 25

Список использованных источников 26


Задание

-Технологические основы сверхрешеточных структур

-Классификация полупроводниковых сверхрешеток

-Применение полупроводниковых сверхрешеток в наноэлектронных устройствах


Введение

В основе современной электроники лежит хорошо разработанная технология полупроводников. Эта технология позволила создать кремниевые интегральные схемы, оптоэлектронные устройства на основе полупроводниковых соединений элементов III и V,
а также II и VI групп периодической системы, и двумерные устройства с электронным газом. Она также сделала возможной реализацию полупроводниковых сверхрешеточных структур.

Термин «сверхрешетка» обычно используют для периодических
структур. состоящих из тонких слоев двух полупроводников, повторяющихся в одном направлении. Период по толщине обычно составляет от нескольких до десятков нанометров, что меньше длины свободного пробега электронов, но больше постоянной кристаллической решетки. Такой периодический потенциал сверхрешетки существенно изменяет зонную структуру исходных полупроводников, создавая минизоны в пространстве волнового вектора и энергетические подзоны. В этом отношении сверхрешетку можно рассматривать как новый синтезированный полупроводник, не существующий в природе, который обнаруживает необычные электронные и оптические свойства.

В основном можно различать два типа таких «искусственных»
сверхрешеток. Это композиционные сверхрешетки. или сверх решетки с гетероструктурами, состоящие из периодической последовательности двух полупроводников разного химического состава, и
легированные сверхрешетки, представляющие собой последовательность слоев n- и p-типа с возможными беспримесными слоями
между ними (nipi-кристаллы), выращенных в гомогенном массивном полупроводнике.

Потенциал сверхрешетки создастся в композиционных сверхрешетках за счет периодическою изменения ширины энергетической
запрещенной зоны в направлении роста кристалла; в nipi-
кристаллах он обусловлен электростатическим потенциалом ионизованных примесей, который может быть частично компенсирован
подвижными электронами и дырками, находящимися в слоях n- и
p-типа соответственно.

Кроме явлений, характерных для композиционных сверхрешеток, в nipi-кристаллах можно ожидать присутствия ряда других
особенностей, связанных с электростатической природой потенциала сверхрешетки. Низшая электронная и высшая дырочная подзоны
отделены друг от друга (непрямой полупроводник в реальном пространстве). В зависимости от конструкции кристалла электронно-дырочная рекомбинация может быть подавлена почти полностью.
Как следствие этого эффективная ширина запрещенной зоны и концентрация электронов и дырок могут изменяться в таких сверхрешетках в широких пределах за счет либо оптического возбуждения, либо введения в кристалл носителей.

В настоящее время полупроводниковые сверхрешетки представляют собой одну из наиболее быстро развивающихся областей физики твердого тела. Они являются объектами особого интереса для
физиков. Композиционные сверхрешетки и особенно легированные
сверхрешетки с их широкими возможностями перестройки представляют собой важный новый класс полупроводников, оказывающий большое влияние не только на физику твердого тела, но также
на современную технологию электронных приборов.


1. Технологические основы сверхрешеточных структур

Сверхрешетки представляют собой многослойные структуры,
получаемые путем последовательного выращивания на соответствующей подложке тонких (<20 нм) чередующихся слоев по меньшей мере двух материалов (или одного материала, легированного различным обратом). Хотя, для создания сверхрешеточных структур в принципе пригоден весьма широкий круг веществ, что создает значительную свободу выбора, на самом деле для получения желаемых свойств требуется жесткий контроль атомной структуры, дефектов, намеренно вводимых и остаточных примесей и др. Таким образом, высокое качество роста является решающим условием
для проявления потенциальных возможностей, заложенных в сверхрешетках.

Для получения требуемой атомной структуры (определяющей
электронные свойства сверхрешеток) необходимо сосредоточить
внимание на условиях и механизмах роста. К сожалению, в этом
направлении работ по сверхрешеткам до сих пор делалось слишком
мало систематических усилий. Здесь необходимы исследования,
позволяющие вывести тги работы за рамки чистой эмпирики.

Для выращивания сверхрешсточных структур использовались
различные технологические методы, но пока лишь немногие из них
представляются способными удовлетворить строгим требованиям,
предъявляемым к таким многослойным структурам.

Молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) в своей основной форме
вместе с разными новыми идеями, связанными с кристаллизацией в сверхвысоком вакууме, позволяет надеяться на получение высококачественных структур, необходимых для исследований и приборных применений. В основе этой технологии лежит возможность роста по существу в кинетическом режиме в отличие от более традиционных методов, где рост идет в условиях, близких к термодинамическому равновесию. Такой кинетический характер роста позволяет создавать однородные метастабильиые неупорядоченные твердые растворы в системах, которые в равновесных условиях обладали бы областью несмешиваемости. Подобные твердые растворы при необходимости могут быть компонентами сверхрешеток.

Эмпирическая связь между разностью атомных радиусов и наличием области несмешиваемости в твердых растворах бинарных
соединений с тетраэдрическими связями была установлена для квазиравновесных условий роста. На языке рассогласования постоянных решетки тго приблизительно отвечает значению 7,5%. Интересным примером может служить система lnAs1-xSbx, с областью несмешиваемости 0,3 <х < 0,9. Однако использование кинетического характера роста при МЛЭ позволяет сиять термодинамические ограничения и создавать такие твердые растворы во всей области составов.

Особенности, присущие технологии МЛЭ, делают ее удобной
для исследовательских целей и для демонстрации новых идей, связанных с тонкими слоями и резкими границами. Но в последнее
время во многих лабораториях усиленно развивается технология
роста из газовой фазы с использованием металлорганических соединений (РГФ МОС), также позволяющая создавать сложные
многослойные структуры, в том числе сверхрешетки.

Для описания этой технологии используются различные названия, такие как «металлорганическая, или органометаллическая газофазная эпитаксия», «металлалкильная газофазная эпитаксия».

РГФ МОС представляет собой метод выращивания, в котором
необходимые компоненты доставляются в камеру роста в виде газообразных металлорганических алкильных соединений (например,
триметилгаллий (ТМОа) и триметиларсин (TMAs) или триэтилгал-
лий (ТЕСа) и триэтилфосфин (ТЕР)), и рост слоя осуществляется
при термическом разложении (пиролизе) этих газов и последующей
химической реакции между возникающими компонентами на нагретой пластине-подложке.

Физические процессы,, ответственные за эпитаксиальный рост
материалов, при РГФ МОС не столь ясны, как при МЛЭ. Вся цепочка химических реакций и физическая кинетика осаждения детально еще не исследованы. По-видимому, эти две методики роста имеют лишь некоторые различия, связанные главным образом с наличием в РГФ МОС высокого давления газа-носителя (Н2 или N2).

С помощью РГФ МОС может выращиваться большинство полупроводниковых соединений AIIIBV, AIIIBVI и AIVBVI. Однако при
росте указанных материалов дополнительные реакции между некоторыми алкилами и гидридами создают постоянную проблему поддержания в газовой фазе соотношения компонентов 1:1.

Для выращивания сверхрешеточных структур используются и
другие технологии, наиболее популярными из которых являются
жидкостная эпитаксия и метод горячей стенки.

Жидкостная эпитаксия представляет собой процесс выращивания монокрисгаллических слоев из пересыщенных растворов. Рост слоя достигается охлаждением жидкой фазы, контактирующей с подложкой, ниже температуры насыщения. Весь процесс включает следующие стадии:

1) приведение подложки в контакт с раствором, состав которого
отвечает кривой ликвидуса выращиваемого полупроводникового соединения;

2) выращивание желаемой пленки путем охлаждения насыщеного раствора строго контролируемым образом и, наконец,

3) удаление жидкой фазы с выращенной пленки для остановки
процесса роста.

При выращивании сверхрешеточной структуры эпитаксиальный
процесс состоит из ряда ростовых операций, использующих различные растворы, состав которых подбирается с целью обеспечить
рост требуемых слоев в сверхрешетке. Операции роста чередуются
с операциями переноса подложки между различными жидкими фазами, используемыми для выращивания сверхрешетки.

Метод горячей стенки представляет собой разновидность технологии вакуумного нанесения пленок, характеризуемую тем, что
рост происходит в условиях, очень близких к термодинамическому
равновесию. Основной особенностью метода является наличие на-
гретого экрана (горячей стенки), служащего для сосредоточения и
направления на подложку испаряемого вещества). При этом исключаются потерн испаряемого материала, создается возможность
поддержания высокого давления паров вещества или его различных
компонент и сводится до минимума разность температур источни-
ка и подложки.

Большинство сверхрешеток, исследованных до настоящего времени, были выращены методом МЛЭ. Сейчас это самая распространенная технология выращивания искусственных полупроводниковых сверхрешеточных структур. Лишь совсем недавно конкурентоспособным с МЛЭ стал метод РГФ МОС, в особенности при пониженном давлении газа.

На фоне растущего интереса к полупроводниковым сверхрешеткам возникали различные теоретические модели, позволяющие изучить природу электронных состояний в этих свсрхрешетках.

Отличие электронных свойств сверхрешеток от свойств одно-
родного полупроводника связано с наличием в них дополнительного периодического потенциала. Это легко проследить на композиционных сверхрешетках типа I. где периодическая модуляция краев
зон исходных полупроводников существенно меняет положения раз-
решенных энергетических уровней носителей по отношению к массивному полупроволнику. В частности, континуум разрешенных
электронных состояний в объеме узкозонного материала расщепляется на одномерные мини-зоны, разделенные конечными промежутками. Напротив, сверхрешетка допускает наличие состояний,
которые в массивном широкозонном материале попадали бы в запрещенную зону и были затухающими.

Волновые функции сверхрешетки обычно представляют в виде
линейной комбинации блоховских функций центра зоны Бриллюэна, модулированных плавными огибающими, отражающими периодичность вдоль оси сверхрешетки. Свойства этих сверхрешеточных функций играют важнейшую роль при определении интенсивностей и спектров оптического поглощения и излучательной рекомбинации. Таким образом, дополнительная периодичность приводит также к значительному различию оптических свойств сверхрешетки и однородных исходных материалов.


2. Классификация полупроводниковых сверхрешеток

Сверхрешетки —многослойные структуры, содержащие одномерный искусственный периодический потенциал с периодом, меньшим длинны свободного пробега электронов. На рисунке 1 показана общая классификация сверхрешеток по структурным признакам. Здесь основным классификационным критерием является кристалличность слоев, образующих сверхрешетку.

Рисунок 1 - Общая классификация полупроводниковых сверхрешеток.

В качестве вторичного критерия используется физическая природа
сверхрешеточного потенциала. На рисунке 2 представлена классификация композиционных сверхрешеток. Здесь критерием является характер относительного расположения краев зон на гетерограницах
в сверхрешетке.

Рисунок 2 - Классификация композитных сверхрешеток — структур, в которых сверхрешеточный потенциал создается периодическим изменением состава слоев.

На рисунке 3 приведена классификация композиционных сверхрешеток типа I (структуры, где запрещенные зоны соседних слоев полностью перекрываются, создавая в узкозонных полупроводниках две потенциальные ямы: одну для электронов и одну для дырок). Здесь критериями служат характер материалов, образующих свсрхрешетку, и степень согласия постоянных решетки на гетерограницах.

Рисунок 3 - Классификация композиционных сверхрешеток типа 1.

2.1 Композиционные сверхрешетки

Расположение в энергетическом пространстве краев эон различных полупроводников обычно сравнивают, используя в качестве
единого начала отсчета уровень вакуума. Подобное сопоставление можно проводить, характеризуя каждый из рассматриваемых
полупроводников величиной электронного сродства .

Электронное сродство определяет энергию, требуемую для переноса электрона со дна зоны проводимости полупроводника на уровень вакуума. Поэтому в полупроводнике с большим значением в
край зоны проводимости лежит ниже по энергии, чем в полупроводнике с меньшим . Отсчитывая энергию от уровня вакуума, можно разделить композиционные сверхрешетки на три различных типа (рисунок 4).

В сверхрешетке типа 1 (рисунок 4, а) разрывы в зоне проводимости ∆Ес и в валентной зоне ∆Еv имеют противоположные знаки, и запрещенные зоны Egi полностью перекрываются. Подобные сверхрешетки иногда называют «контравариантными» композиционными сверхрешетками.

В сверхрешетке типа II (рисунок 4, б) модуляция краев зоны проводимости и валентной зоны имеет один и тот же знак, и запрещенные зоны перекрываются лишь частично, либо не перекрываются
вообще («ковариантная» сверхрешетка).

Политипная сверхрешетка (рисунок 4, в) представляет собой трехкомпонентную систему, где слои, образующие сверхрешетку типа II, дополняются широкозонным полупроводником, создающим потенциальные барьеры как для электронов, так и для дырок.

Рисунок 4 - Расположение краев зоны проводимости и валентной зоны относительно вакуумного уровня (штриховая линия) в отдельных неконтактирующих веществах (слева) и в композиционных сверхрешетках различных типов (справа): а - сверхрешетка типа I; б - сверхрешгтка типа II;  в -политипная сверхрешетка. По оси абсцисс отложена пространственная координата, по оси ординат - энергия.

2.2 Легированные сверхрешетки

Термином «легированная сверхрешетка» принято называть периодическую последовательность слоев одного и того же полупроводника, легированных двумя различными способами. Донорные атомы в слоях n-типа поставляют электроны, которые связываются акцепторными атомами в слоях p-типа. Результирующее распределение заряда создает совокупность параболических потенциальных ям.

Необычные электронные свойства легированных сверхрешеток
вытекают из специфического характера сверхрешеточного потенциала, который в этом случае является потенциалом ионизованных
примесей в легированных слоях, в отличие от потенциала
в композиционных сверхрешетках, определяемого различием ширин
запрещенной зоны компонент сверхрешетки. Потенциал объемного
заряда в легированных сверхрешетках модулирует края зон исходного материала таким образом, что электроны и дырки оказываются пространственно разделенными. Соответствующим выбором
параметров структуры (уровней легирования и толщин слоев) это разделение можно сделать практически полным.

Одной из привлекательных черт легированных сверхрешеток является возможность использования для их создания любого полупроводника, допускающего легирование примесями как n-, так и p-типа. Чаще всего используется GaAs, получаемый методом МЛЭ, но предлагались также такие материалы, как Si, и соединения PbTe, Pb1-x SnxTe или Pb1-x GexTe.

Другое характерное преимущество легированных сверхрешеток
связано со структурным совершенством этих многослойных систем.
Относительно малая концентрация примесей в легированных сверхрешетках, как правило 1017—1019 см-3, вносит несущественные
искажения в решетку исходного материала. Следовательно, легированные сверхрешетки не содержат типичных для композиционных
сверхрешеток гетерограниц, с которыми связаны возможности разупорядочения состава или появления напряжений несоответствия.

Легированные сверхрешетки в энергетическом отношении представляют собой совокупность параболических квантовых ям. Необычные электронные свойства этого типа сверхрешеток обусловлены специфичностью сверхрешеточного потенциала. Это потенциал ионизированных примесей в легированных слоях. Это пространственный перенос заряда, а значит и формирование сверхрешеточного потенциала, приводящего к изгибу зон.

По сути, мы имеем дело с одним полупроводником, легированным с некоторой периодичностью. Рассмотрим полупроводник с модулированным профилем легирования. Легирование однородно в каждом слое, концентрации примесей равны, как и ширины слоев. Потенциал сверхрешетки в этом случае будет описываться уже известной формулой.

Потенциал легированной сверхрешетки, приводящий к параболичности квантовых ям.

Накладываясь на потенциал кристаллической решетки, он модулирует края зоны проводимости и валентной зоны (см. рисунок 5).

Рисунок 5 - Схема расположения последовательности слоев и координатная зависимость зонной диаграммы для легированной сверхрешетки GaAs.

В обычных композиционных сверхрешетках слои полупроводников не легированы. В легированных сверхрешетках один или несколько слоев плупроводника легированы. Обычно широкозонный полупроводник легируют донорной пимесью. Носители заряда движутся вдоль границы гетероперехода без рассеяния на ионизированных примесях. Подвижность носителей заряда в сверхрешетках, например типа GaAs-AlxGa1-xAs, можно увеличить путем размещения тонких нелегированных прослоек широкозонного полупроводника между слоями GaAs и AlxGa1-xAs. Толщина таких слоев может достигать 5-10 нм. Экспериментальным путем был создан новый тип сверхрешеток из 10 слоев полупроводникового материала. Свойства этого типа сверхрешеток - комбинация свойств легированных сверхрешеток (перестраиваемость электронных свойств) и сверхрешеток с модулированным легированием (повышенная проводимость носителей заряда). Основной целью создания такой сверхрешетки  является модифицирование свойств легированной сверхрешетки путем внедрения в нее специально нелегированных слоев полупроводникового материала с меньшей шириной запрещенной зоны, например GaAs (см.рисунок 6).

Рисунок 6 - Схема последовательности слоев и координатная зависимость зонной диаграммы легированной сверхрешетки GaAs-AlxGa1-xAs.

Таким образом, обычный профиль зонной диаграммы легированной сверхрешетки видоизменяется: в нем появляются квантовые ямы, обусловленные наличием узкозонных нелегированных полупровдниковых слоев в легированной сверхрешетке. В основном состоянии системы амплитуда периодического сверхрешеточного потенциала определяется уровнем легирования и толщинами слоев легированных материалов. Кроме того, потенциалможно изменять применяя электрическое или оптическое возбуждение кристалла.

3. Применение полупроводниковых сверхрешеток в наноэлектронных устройствах

В работах по исследованию полупроводниковых сверхрешеток значительное место занимают вопросы, связанные с изучением профиля сверхрешеточной струткуры и совершенства границ гетеропереходов. Из структурных методов наибольшее распространение получили два: определение глубинного профиля концентраций элементов методом электронной оже-спектроскопии (ЭОС) в сочетании с ионным травлением и малоугловая дифракция рентгеновских лучей.

На рисунке 7 представлен экспериментальный оже-профиль состава сверхрешеточной структуры, состоящей из чередующихся слоев GaAs и Al0,25Ga0,75As. Толщина каждого слоя составляла 5 нм. Точками на рисунке показаны экспериментальные значения величины x в формуле AlxGa1-xAs. Эти значения были вычислены из отношения интенсивностей оже-пиков Al (1390 эВ) и As (1228 эВ). Профиль концентрации Al получен последовательным стравливанием поверхностнных слоев сверхрешеточной структуры ионами аргона с энергией 1,5 кэВ. Скорость травления составляла 0,3 – 1 нм/мин Постепенное уменьшение амплитуды осцилляций величины x по мере травления связано с пространственным различием скоростей травления по площади сфокусированного первичного пучка электронов.

Рисунок 7 – Оже – профиль сверхрешетки.

Важные структурные характеристики мультислойных структур можно получить из результатов малоугловой дифракции рентгеновских лучей. Для рентгенограмм многослойных структур в области малых углов отражения рентгеновских лучей (0,5° < 2q < 8°, q - угол отражения) характерно наличие дополнительных рефлексов, обусловленные периодичностью сверхрешетки. Положения этих рефлексов связаны с периодом сверхрешетки d :

 

                                                                                 

 

здесь l - длина волны излучения, n – порядок отражения.

На рисунке 8 представлена дифракционная картина в малоугловой области для сверхрешетки GaAs – AlAs, содержащей 6 периодов.Точки на этом рисунке представляют экспериментальные результаты, сплошная кривая – результат теоретических расчетов для . d = 12,72 нм. Экспериментальная и расчетная дифракционная картины очень хорошо согласуются не только по положению пиков, но и по интенсивности и ширине линий. Штриховая кривая на этом же рисунке соответствует теоретическим расчетам, при которых изменен период сверхрешетки всего на 0,28 нм, что соответствует изменению толщины всего на два атомных слоя. Отличие от экспериментальных результатов в этом случае существенно. Эти оценки свидетельствуют о возможности контроля этим методом совершенства границ и когерентности периодов с атомной точностью. В случае плавного изменения межплоскостного расстояния на границе между слоями сверхрешетки, кроме дополнительных рефлексов в малоугловой области наблюдаются сверхструктурные рефлексы (сателлитные отражения), сопровождающие основные рефлексы на рентгенограммах.

Положение сверхструктурных рефлексов также определяется периодом модуляции многослойной структуры d:

 

                                                                                               

 

Рисунок 8 – Малоугловая ренгеновская дифракционная картина для сверхрешетки  GaAs – AlAs, содержащий б слоев.


где 
n – порядок сверхструктурного рефлекса, d* - межплоскостное расстояние основного рефлекса,  и  - угловые положения сверхструктурных рефлексов соответственно со стороны больших и меньших углов.Интенсивность и количество сверхструктурных рефлексов тем меньше, чем резче граница между слоями. Таким образом, наличие дополнительных рефлексов в малоугловой области и отсутствие сверхструктурных рефлексов, сопровождающих основные дифракционные пики, свидетельствует о совершенстве границ раздела

Идея создания полупроводниковой сверхрешетки возникла в результате поиска новых приборов с отрицательным дифференциальным электросопротивлением. При наложении внешнего электрического поля по оси сверхрешетки электроны, ускоряясь, будут увеличивать абсолютные значения z-компоненты волнового вектора. Если длина свободного пробега электронов намного больше периода сверхрешетки, то электроны, не успев рассеяться, достигнут границ сверхрешеточной зоны Бриллюэна в точках  и , где их эффективная масса отрицательная. В этом случае дрейфовая скорость электронов будет падать с ростом приложенного электрического поля, что соответствует отрицательному электросопротивлению. Впервые отрицательное электросопротивление было обнаружено в сверхрешетке GaAs – GaAlAs.

Еще один квантовый эффект наблюдается в полупроводниковых сверхрешетках при условии, что время рассеяния электронов достаточно велико. При наложении к сверхрешетке внешнего электрического поля E электроны начнут совершать периодическое движение в минизоне, испытывая при этом брэгговское рассеяние на ее обеих границах. Частота осцилляций определяется выражением:

 

                                            .

 

Для электрического поля Е = 103 В/см и постоянной решетки d = 100 Å n = 250 ГГц.

Оптические измерения в сверхрешетках являются мощным средством изучения энергетического строения минизон, плотности состояний в них, совершенства гетерограниц и других физических характеристик сверхрешеток. Измерения оптического поглощения в сверхрешетках являются убедительным доказательством квантования энергетических уровней в этих структурах. В оптических спектрах наблюдается ряд узких экситонных пиков, разделенных горизонтальными участками, что свидетельствует о двумерном характере плотности состояний электронов в сверхрешетках.

Необычные свойства сверхрешеточных структур дают много интересных возможностей для их приборного применения. Большую группу составляют оптоэлектронные приборы, в частности, фотоприемники, светоизлучающие приборы (инжекционные лазеры и светодиоды), пассивные оптические элементы )волноводы, модуляторы, направленные ответвители и др.).

Инжекционные лазеры на гетеропереходах имеют значительные преимущества перед обычными полупроводниковыми лазерами, поскольку инжектированные носители в лазерах на гетеропереходах сосредоточиваются в узкой области. По этой причине состояние инверсной населенности носителей заряда достигается при значительно меньших плотностях тока, чем в лазере на p-n-переходе. Применение вместо одиночных гетеропереходов многослойных сверхрешеточных структур позволяет изготовить лазеры, работающие на нескольких длинах волн.

В качестве примера на рисунке  9  показано схематическое изображение структуры многоволнового лазера. В структуре имеется четыре активных слоя AlxGa1-xAs разного состава (x = x1,x2x3x4), благодаря которым лазер одновременно работает на четырех длинах волн l1l2l3 и l4. Активные слои отделены друг от друга промежуточными слоями AlyGa1-yAs (y > x1x2x3,x4). Для создания p-n-переходов в структуре проводилась локальная диффузия Zn. Поскольку в активных слоях мольные доли Al различны, лазерная генерация от каждого p-n-перехода возникает на разных длинах волн.

Большую группу приборов на полупроводниковых сверхрешетках составляют устройства с отрицательным дифференциальным электросопротивлением. На основе полупроводниковых сверхрешеток изготавливают также различные транзисторы. Достаточно большая частота квантовых осцилляций электронов в сверхрешетках значительно расширяет возможности изготовленных на их основе приборов СВЧ.

 

 Рисунок 9 – Схематическое изображение многоволнового лазера.


Заключение

В курсовой работе рассмотрены:

1. Технологические основы сверхрешеточных структур;

2. Классификация полупроводниковых сверхрешеток;

3.Применение сверхрешеток в наноэлектронных устройствах.

Описываются методы получения сверхрешеточных структур:

- молекулярно-лучевая эпитаксия;

- рост из газовой фазы;

- жидкостная эпитаксия;

- метод горячей стенки.

Методы формирования сверхрешеток находят широкий круг применения в наноиндустрии. Без развития старых и открытия новых методов невозможно развитие нанотехнологий. Каждый метод имеет свои плюсы и минусы, и в зависимости от требований и условий, выбирается оптимальный метод.

Список использованных источников

1. Воскресенский Д.И. Устройства СВЧ и антенны. Москва: Радиотехника, 2006, 378 с.

2. Джуринский К.Б. Миниатюрные коаксиальные радиокомпоненты для микроэлектроники СВЧ. Москва: Техносфера, 2006 ,  216 с.

3. Карлинер М. М. Электродинамика СВЧ: Курс лекций. 2е изд. Новосибирск: НГУ, 2006, 267с.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

57672. Свята і традиції. Національні свята України та Великої Британії 135 KB
  Today the topic of our lesson is “Holidays in Great Britain”. We shall talk about different English traditions and customs, learn new things about the traditions of celebration of different English holidays.
57673. Образ жінки в мистецтві 162 KB
  These words are of the same meaning. A woman is the beginning of every starting. She is a source of happiness, joy and attraction. She is beautifull in her appearance, behaviuor and as a person as well.
57674. Великобританія та Україна 62.5 KB
  Yes, you’re right. But today I propose you to watch a TV programme about another one British park. Be ready to discuss the programme and we’ll practice the dialogues to improve your communicative skills.
57675. Одяг. Професії 110.5 KB
  Well, you are pupils and you are wearing white shirts or blouses, black skirts or trousers. And what about people of different professions. Your home task was to make up short dialogues using the pictures.
57676. Їжа та напої 1.04 MB
  Of course,you are right! Our mood depends on our meals. As you guessed, The topic of our today lesson is Food and Drinks. We will speak, read, listen, write about food and drinks during our lesson.
57677. Healthy way of life. What does it mean to ве healthy? 89.5 KB
  You see the Sun on the blackboard, it’s our health. What is health for you? What do you associate with health? And the first task is “Associations”. Write your associations with the word “Health” on these stripes-sunrays and stick to our Sun.
57678. In sound body - sound mind 129.5 KB
  Good health is a great gift. The English proverb says, «Health is not valued till illness comes». The most important thing in the world is our health. Each person is a creator of the human body. Now look at the blackboard. Here you see the main words of the proverb.
57679. Veterans Day 188.5 KB
  Veterans Day is observed with ceremonies at war monuments and cemeteries throughout the nation. Almost every village has a monument to veterans who served in one of the country’s wars.
57680. ЗІРКИ МУЗИКИ 108.5 KB
  It’s true because we can’t imagine our life without music. People all over the world are fond of music. They listen to music, they dance to music, they learn to play musical instruments. People make their own music too.