65966
Иностранные инвестиции в Россию
Научная статья
Экономическая теория и математическое моделирование
По данным на конец 2010 года общий объём накопленных иностранных инвестиций в российской экономике составлял 3001 млрд что на 12 превысило показатель 2009 года. Как отмечалось в докладе инвестиционная привлекательность России в сравнении с данными доклада...
Русский
2014-08-11
57 KB
1 чел.
Иностранные инвестиции в Россию инвестициииностранных инвесторов в экономику России.
По данным на конец 2010 года, общий объём накопленных иностранных инвестиций в российской экономике составлял $300,1 млрд, что на 12 % превысило показатель 2009 года. Из этой суммы:
По данным на 31 декабря 2011 года, по объёму накопленных иностранных инвестиций Россия находится на 16-м месте в мире
В сентябре 2008 года ЮНКТАД опубликовала доклад, согласно которому Россия находится на четвёртом месте в списке стран, которые транснациональные корпорации считают наиболее привлекательными местами для размещения будущих зарубежных инвестиций. Как отмечалось в докладе, инвестиционная привлекательность России в сравнении с данными доклада ЮНКТАД от 2007 года заметно возросла
По итогам 2008 года, приток прямых иностранных инвестиций в Россию составил 70 млрд долларов США 5-е место среди стран мира.
По данным из пресс-релиза компании Boeing за лето 2009 года, на ближайшие 30 лет планы развития бизнеса Boeing в РФ составляют около 27 млрд долларов. Они будут вложены в программу сотрудничества с российскими партнерами в области производства титана, проектирование и разработку гражданской авиатехники, а также приобретение различных услуг и материалов
ОАО «Российские железные дороги» (РЖД) разместило дебютный выпуск евробондов на 1,5 млрд долл.
По данным на март 2010 года, общий объём накопленных иностранных инвестиций в российской экономике составлял $265,8 млрд, из которых:[7]
В июне 2010 года в докладе британской аудиторской компании Ernst & Young отмечалось, что в 2009 году Россия вошла в первую 5-ку стран по количеству привлечённых новых инвестиционных проектов. Согласно докладу, наблюдается рост интереса крупных и средних европейских компаний к российскому рынку.
Иностранные инвестиции в Россию, млрд долларов (по данным Росстата) 2007 120,9
2008 103,8
2009 81,9
2010 114,7
2011 190,6
По данным на март 2010 года, из общего объёма накопленных иностранных инвестиций в российской экономике на следующие страны приходилось
В России действует федеральный закон «Об иностранных инвестициях в Российской Федерации», принятый в 1999 году.Закон определяет основные гарантии прав иностранных инвесторов на инвестиции и получаемые от них доходы и прибыль, а также условия предпринимательской деятельности иностранных инвесторов на территории России
Великобритания
По данным Росстата, по итогам 2006 года Великобритания заняла по объёму текущих иностранных инвестиций в Россию среди стран-инвесторов второе место (2005 г. третье место), вложив в экономику России 7,0 млрд.долл. (12,7 % от общего объёма текущих иностранных инвестиций в экономику России). В отраслевом разрезе Великобритания была первой по объёму текущих инвестиций в производство и распределение электроэнергии, газа и воды (27,4 % иностранных инвестиций, вложенных в отрасль, оптовую и розничную торговлю, ремонт автотранспорта, бытовых изделий (27,9 %), предоставление прочих коммунальных, социальных и персональных услуг (47,6 %), второй в обрабатывающие производства (10,3 %), в том числе в производство кокс и нефтепродукты (16,2 %), третьей в химическое производство (12,7 %), транспорт и связь (15,2 %).
По состоянию на 31 декабря 2006 года, по размерам накопленных иностранных инвестиций в российской экономике Великобритания занимала пятое место, их объём составлял 11,8 млрд.долл., в том числе прямые накопленные инвестиции 2,9 млрд.долл
Франция
В марте 2010 года в Париже президент России Д. А. Медведев на встрече с представителями французских и российских деловых кругов сообщил, что объём накопленных французских инвестиций в Россию превышает 10 млрд долларов: «С 2003 по 2008 г., то есть в докризисный год, наш товарооборот вырос в 5 раз. Действительно у нас уже очень приличный объем накопленных французских инвестиций. Причем около половины из них это инвестиции не в сырьевые отрасли, а в переработку»[11].
США
В середине 2000-х годов США занимали 6 место (8,3 млрд долл.) по объёму накопленных иностранных инвестиций в России (6,5 % от общего объёма), причём примерно половина американских прямых инвестиций вложена в топливно-энергетический комплекс. В числе основных проектов «Сахалин-1» и Каспийский трубопроводный консорциум. На российских автозаводах расположены сборочные цеха американских автомобилей марки Форд, General Motors.
На непроизводственную сферу приходится около 25 % прямых инвестиций США, направляемых в первую очередь в банковскую и страховую деятельность, а также в сферу информационных услуг.
А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать | |||
19070. | Одномерный гармонический осциллятор: простейшие вычисления с осцилляторными функциями | 290 KB | |
Семинар 15. Одномерный гармонический осциллятор: простейшие вычисления с осцилляторными функциями В различных задачах квантовой механики приходится вычислять интегралы с осцилляторными функциями. Проблема заключается в том что явных выражений для функций с большим... | |||
19071. | Непрерывный спектр. Прохождение через потенциальные барьеры | 273.5 KB | |
Семинар 10. Непрерывный спектр. Прохождение через потенциальные барьеры Напомнить что при энергиях больших значений потенциала на плюс и минус бесконечностях спектр решений уравнения Шредингера непрерывный. Собственные функции нельзя нормировать на единицу. Далее ... | |||
19072. | Низкоразмерные физические системы. Типы и виды наноструктур. Квантовые ямы, проволоки, точки | 272.5 KB | |
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ФИЗИКА НАНОСТРУКТУР Лекция 1. Введение. Низкоразмерные физические системы. Типы и виды наноструктур. Квантовые ямы проволоки точки Настоящий курс посвящен экспериментальным аспектам физики низкоразмерных систем. Будут рассмотрены следую... | |||
19073. | Гетеропереходы. Свойства полупроводниковых соединений AIIIBV | 77.5 KB | |
Лекция 2. Гетеропереходы. Свойства полупроводниковых соединений AIIIBV. Как создать квантовую структуру. Простейшая квантовая структура в которой движение электрона ограничено в одном направлении это тонкая пленка или просто достаточно тонкий слой полупроводник | |||
19074. | Понятие эпитаксии. Молекулярно-лучевая эпитаксия, лазерное и магнетронное распыление | 505.5 KB | |
Лекция 3. Понятие эпитаксии. Молекулярнолучевая эпитаксия лазерное и магнетронное распыление Методы получения наноструктур. Эпитаксия. Исследование искусственно созданных полупроводниковых сверхрешеток и квантовых ям с характерными размерами порядка длины своб | |||
19075. | Основы литографических процессов. Фотолитография | 101.5 KB | |
Лекция 4. Основы литографических процессов. Фотолитография В технологии микроэлектронных устройств литографические процессы универсальны и наиболее часто повторяемы. Они используются для получения контактных и прецизионных масок. Литографические процессы формирую... | |||
19076. | Электрические методы измерения. Классический эффект Холла | 137 KB | |
Лекция 5. Электрические методы измерения. Классический эффект Холла. К электрическим методам измерения относятся измерения вольтамперных характеристик эффекта Холла вольтфарадных характеристик. Вольтамперные характеристики измеряются двухконтактным и четыре... | |||
19077. | Принципы резонансного туннелирования. Резонансно-туннельный диод (РТД) на двух-барьерных и трех-барьерных структурах. Вольт-амперные характеристики РТД. Генерация излучения на РТД | 745 KB | |
Лекция 6 Принципы резонансного туннелирования. Резонанснотуннельный диод РТД на двухбарьерных и трехбарьерных структурах. Вольтамперные характеристики РТД. Генерация излучения на РТД. Введение В последнее время бурно развивается новая область науки физик | |||
19078. | Вольтфарадные характеристики структур с квантовыми ямами | 662 KB | |
Лекция 7. Вольтфарадные характеристики структур с квантовыми ямами Для контроля параметров квантоворазмерных структур состава структуры положения квантовых ям в структуре глубины квантовой ямы концентрации носителей заряда в яме и т.д. широко используются такие | |||