6879

Дослідження діелектричних властивостей сегнетоелектриків

Лабораторная работа

Физика

Дослідження діелектричних властивостей сегнетоелектриків Мета роботи: дослідження процесів, що відбуваються при поляризації сегнетоелектриків та визначення їх діелектричних характеристик. Зміст роботи і завдання. Ознайомитись з експериментальною у...

Украинкский

2013-01-08

226.5 KB

23 чел.

Дослідження діелектричних властивостей сегнетоелектриків

Мета роботи: дослідження процесів, що відбуваються при поляризації сегнетоелектриків та визначення їх діелектричних характеристик.

Зміст роботи і завдання

1. Ознайомитись з експериментальною установкою.

2. Зняти залежність діелектричної проникності від температури. Побудувати графік . Із графіка визначити точку Кюрі. Побудувати графік залежності  для області температур вище точки Кюрі. З нахилу отриманої прямої знайти сталу Кюрі .

3. Обробку результатів вимірів і розрахунок похибок провести за методом найменших квадратів.

4. Провести виміри параметрів петлі діелектричного гістерезису.  Побудувати графік граничної петлі гістерезису сегнетоелектрика в координатах . По граничній петлі гістерезису визначити значення спонтанної поляризованості , коерцитивної сили  і залишкової поляризованности .

5. Визначити тангенс кута діелектричних втрат за формулою (12) як відношення площ петлі гістерезису та прямокутника зі сторонами  та .

6. Визначити похибку вимірів.

Короткі теоретичні відомості

Загальні властивості сегнотоелектриків

Діелектрична проникність  більшості кристалічних діелектриків має порівняно малі значення одиниці або десятки одиниць. Крім того, величина  звичайних діелектриків практично не залежить від температури.

Поряд із цим існує ряд кристалічних діелектриків (сегнетова сіль NaКC4H406, титанат барію ВаТіО3 та інші), діелектрична проникність яких сильно залежить від температури, є функцією напруженості зовнішнього електричного поля та у певному температурному інтервалі може сягати великих значень (~ 103…104). Окрім того, ці діелектрики у певній області температур (полярна фаза) мають спонтанну поляризацію (дипольний момент одиниці обєма ) за відсутності зовнішнього електричного поля. Однак на границях цієї температурної області вони зазнають фазових перетворень, переходячи у нові кристалічні модифікації, у яких спонтанна поляризація відсутня. Такі діелектрики називаються сегнетоелектриками.

Кристалічна модифікація, у якій сегнетоелектрик спонтанно поляризований, називається полярною фазою, а модификація  в якій спонтанної поляризації немає неполярною фазою. Температура , при якій сегнетоелектрик переходить із полярної фази в неполярну (або назад) та має максимальне значення , називається діелектричною точкою Кюрі. Як правило, сегнетоелектрик має тільки одну точку Кюрі, нижче якої він перебуває в полярній, а вище у неполярній фазі. Виключення становлять сегнетова сіль та ізоморфні з нею сполуки. Вони мають дві точки Кюрі: нижню  і верхню . Спонтанна поляризація у них спостерігаеться лише в температурній області, що обмежена цими точками. На рис.1 наведена температурна залежность диелектричної проникності  тітанату барію. Користуючись нею, можна визначити точку Кюрі.

Рис.1. Температурна залежность диелектричної проникності  тітанату барію

Вище точки Кюрі  зменшується з зростанням температури і має місце закон Кюрі-Вейсса

,                                              (1)

де – стала Кюрі для даного сегнетоелектрика.

До загальних властивостей сегнетоелектриків відносяться нелінійна залежність діелектричної проникності  та поляризації матеріалу  від напруженості електричного поля , а також явище діелектричного гістерезису.

Сегнетоелектрик у зовнішньому електричному полі.

Домени. Гістерезис

Сегнетоелектрик має спонтанну поляризацію  при відсутності зовнішнього електричного поля (причини – див. нижче).

При наявності зовнішнього поля  поляризація сегнетоелектрика у полярній фазі складається з спонтанної , власної поляризації сегнетоелектрика, що зумовлена його природою, та індукованої поляризації , що спричинена цим полем, тобто:

.                                                  (2)

нелінійно залежить від поля. Зв'язок між  та  також нелінійний. Але у слабких полях можна обмежитися лінійним наближенням  (- діелектрична стала, - поляризовність), або .

Вектор електричної індукції у сегнетоелектрику

,                                            (3)

або

,                                                  (4)

де . Враховуючи (2), (3) та (4), маємо

,                                   (5)

де ,  та абсолютні значення відповідних векторів.

Якщо врахувати, що для сегнетоелектриків , то (5) можна наближено представити у вигляді

.                                                  6)

Звідси, з урахуванням (4), видно, що у сегнетоелектрику вектор електричної індукції практично співпадає з вектором поляризації , нормальна складова якого визначається через поверхневу густину поляризаційного заряду , тобто .

У загальному випадку слід користуватися так званою диференціальною проникністю сегнетоелектрика

.                                      (7)

Стан спонтанної поляризації сегнетоелектрика з енергетичної точки зору є стійким. Інакше відбувався б самочинний перехід з полярної фази у неполярну, що насправді не спостерігається. Тому при дослідженні макроскопічних властивостей сегнетоелектриків можна використовувати загальні принципи термодинамічної рівноваги. Згідно з ними стан сегнетоелектрика за  відсутності зовнішнього поля відповідає мінімуму його енергії. Це і є основною причиною самочинного поділу сегнетоелектрика при  на області з різними напрямками вектора поляризації – домени.

Поділ сегнетоелектрика на домени є енергетично вигідним, оскільки при цьому відбувається зменшенням енергії електростатичної взаємодії між різними частинами кристалу. Однак процес поділу призводить до утворення границі між доменами (доменної стінки, поверхнева енергія якої є додатньою) та зростанню площі поверхні границь. В результаті збільшується сумарна енергія границь, що пов'язана з "невигідною" переорієнтацією дипольних моментів атомів, які розташовані в області границь. Поділ припиняється, коли повна енергія досягає мінімума.

Процес поділу умовно зображений на рис.2. Видно, що відбувається зменшення  енергії електростатичної взаємодії між різними частинами кристалу при переході від однодоменного стану кристала (рис.2,а), якому відповідає її максимальне значення через дводоменний (рис.2,б) до багатодоменного (рис.2,в), з її мінімальним значенням. Це пов'язано з зменшенням абсолютної величини та зміною напрямку дипольного моменту  (позначеного стрілками) у доменах, що утворюються, оскільки енергія диполь-дипольної взаємодії виражається, як , де дипольний момент одного диполя, а поле, що створює інший диполь. Але з іншого боку, зі збільшенням кількості доменів,  збільшується площа поверхні їх границь, що призводить до збільшення енергії доменних стінок.

Рис.2. Поділ сегнетоелектрика на домени

Таким чином, кінцеві розміри доменів повинні відповідати мінімуму повної енергії. Наприклад, у титанаті барію характерні поперечні розміри доменів ~ 10-4…10-2 см, а товщина границь між доменами може доходити до відстані порядку однієї сталої гратки.

У відсутності зовнішнього електричного поля дипольний момент макроскопічного зразка дорівнює нулю, оскільки поляризація одних доменів компенсується поляризацією інших. При наявності зовнішньго поля сегнетоелектрик буде поляризуватися завдяки часткової періорієнтації дипольних моментів доменів і зростанню енергетично вигідних доменів (вектор поляризації яких співпадає з напрямком зовнішнього поля) за рахунок інших. Також можливе зародження нових доменів у яких  орієнтований вздовж . У реальних кристалах домени зазвичай закріплені на дефектах та неоднорідностях, тобто, щоб змінити положення, доменна стінка повинна подолати енергетичний бар'єр. У сильних електричних полях ці бар'єри згладжуються, і стінка може переміщатися по зразку відносно швидко. Можливо зміщення стінки і у слабких полях за рахунок термоакційного подолання бар'єру (дуже повільні переміщення). Енергетичні бар'єри для переміщення стінки існують і у бездефектних кристалах через дискретність атомної структури.

На рис.3 наведена залежність поляризованості (поляризації) від напруженості електричного поля. При початковому збільшені  відбувається нелінійне зростання  вздовж кривої Оа. На цій ділянці невелика по значенню зміна напруженості викликає суттєву зміну поляризованості. У точці а дипольні моменти усих доменів орієнтовані вздовж поля. Подальше зростання  відбувається лише за рахунок збільшення індукованої поляризованості . Крива Оа переходить у лінійну ділянку ad, екстраполяція якої до значення  дає величину спонтанної поляризованості .

Рис.3. Петля гістерезиса

Якщо потім зменшувати електричне поле , то зміна поляризованості  буде відбуватися у відповідності з ділянкою dab'a'd'. Коли поле дорівнює нулю, поляризованість не рівна нулю і відповідає значенню залишкової поляризованості . Щоб її зняти, необхідно прикласти певне електричне поле (коерцитивну силу)  зворотного напрямку. Очевидно, що поляризованість не визначається однозначно полем, а залежить ще від попередніх станів (передісторії) сегнетоелектрика, тобто від того, яким було електричне поле у попередній момент часу. Це явище називається діелектричним гістерезисом та пов'язане з особливостями динаміки доменної структури сегнетоелектрика, коли зростання доменів та зміна  у межах домена затримуються у електричному полі.

Якщо змінювати електричне поле у зворотньому порядку, то залежність  зобразиться нижньою кривою d'a'bad, симетричною до кривої dab'a'd'  відносно початку координат О. Таким чином, утворюється замкнута крива ab'a'ba, що має назву діелектричної петлі гістерезису. Ця петля є граничною, оскільки вона містить ділянки ad та a'd', що відповідають однодоменному стану сегнетоелектрика. Можна отримати петлі гістерезису менших розмірів – крива efgh (рис.3), коли у зразку ще існує більше ніж один домен (відсутність на залежності  ділянок типу ad та a'd').

Аналізуючи граничні петлі гістерезису різних кристалів, можна визначити такі основні характеристики сегнетоелектриків, як спонтанну поляризованність , залишкову поляризованість , коерцитивну силу  та втрати "на гістерезис" тангенс кута діелектричних втрат (див.нижче). Окрім цього, можна визначити величину індукованої поляризованості , що відповідає даному значенню напруженості електричного поля. Очевидно, що при максимальній напруженості електричного поля ,  (рис.3). Знаючи , можна визначити поляризовність .

При періодичній зміні поляризації сегнетоелектрика на подолання "тертя" при повороті електричних моментів спонтанно поляризованих областей витрачається додаткова енергія електричного поля, яка іде на нагрівання діелектрика. Мірою цієї енергії є площа петлі гістерезису, яка пропорційна кількості теплоти, що виділяється в одиниці об'єму сегнетоелектрика за один період зміни напруженості електричного поля.

Частина енергії електричного поля, що переходить у теплоту, називається діелектричними втратами. Для характеристики цієї величини вводится тангенс кута діелектричних втрат:

,                                               (8)

де густина енергії електричного поля, що перетворилася в теплоту в одиниці об'єму за одиницю часу,   максимальна густина енергії електричного поля, що запасена у діелектрику.

Для знаходження  застосуємо до опису процесу поляризації сегнетоелектрика перший принцип термодинаміки. Для елементарного квазістатичного процесу маємо

,                                            (9)

де кількість наданої діелектрику теплоти, приріст його внутрішньої енергії, робота сил електричного поля над діелектриком. Якщо припустити, що при поляризації об'єм діелектрика не змінюється, то  буде містити тільки електричну частину. Оскільки

,                                            (10)

тоді робота

.

 Проінтегруємо (9) вздовж замкнутої петлі гістерезису (за один цикл). Інтеграл від  буде дорівнювати нулю, оскільки у круговому процесі сегнетоелектрик повертається у вихідне становище, а тому внутрішня енергія набуває початкового значення. В результаті

.                                      (11)

Звідси випливає, що теплота, яка виділяється в одному циклі поляризації, чисельно дорівнює площі петлі гістерезиса. Таким чином

.                                     (12)

Молекулярний механізм спонтанної поляризації сегнетоелектриків

На прикладі титанату барію ВаТіО3 розглянемо деякі модельні уявлення, що пояснюють спонтанну поляризацію титанату барія. Він має найбільш просту кристалічну структуру в порівнянні з усіма відомими сегнетоелектриками. У неполярній фазі (вище точки Кюрі) це кубічна структура (рис.4,а): у вершинах куба – іони Ba2+, у центрах граней – іони О2- та іон Ті4+ – у центрі куба.

Рис.4. Кристалічна гратка (а) та модель спонтанної поляризації (б) титанату барія

Через наявність центру симетрії дипольний момент елементарної комірки дорівнює нулю, і титанат барію у неполярній фазі є звичайним діелектриком з великим значенням діелектричної проникності. При температурі Кюрі відбувається фазовий перехід другого роду, що зводиться до деформації структури (рис.4,б): іони Ва2+ та Ті4+ зміщуються відносно іонів О2-. Внаслідок цього утворюється дипольний момент елементарної комірки, структура якої в полярній фазі тетрагональна. Такі диполі по данному напрямку об'єднуються у киснево-титанові ланцюжки, які усередені кожного домену створюють спонтанну поляризацію. Таким чином, титанат барію, що є іонним кристаллом, входить до групи сегнетоелектриків "зі зсувом". Кількісним критерієм справедливості такої моделі є наступні чисельні оцінки.

Характерне значення спонтанної поляризованості  при кімнатній температурі для титанату барію дорівнює 0,26 Кл/м2. Об'єм елементарної комірки складає 6,4·10-29 м3. Отже, для дипольного моменту  елементарної комірки маємо: ≈ 1,6·10-29 Кл·м. Якщо би позитивні іони Ва2+ та Ті4+ змістилися відносно негативних іонів О2- на відстань ≈ 10-2 нм, то створений у результаті дипольний момент елементарної комірки ВаТіО3 виявився б рівним ≈ 0,96·10-29 Кл·м, що по порядку величини відповідає експериментальному значенню.

Опис експериментальної установки та методики вимірювань

Для проведення вимірювань в роботі використовуються дві схеми. Перша дозволяє отримати залежність  від температури. Друга схема дає можливість спостерігати петлю гістерезису сегнетоелектрика  на екрані осцилографа.

Дослідження залежності  зводиться до вимирів ємності конденсатора, що заповнений сегнетоелектриком, в залежності від температури. Для цього використовується установка, принципова схема якої наведена на рис. 5. Досліджувані конденсатори мають такі розміри: площа обкладинок = 1см2, відстань між ними = 1см. Конденсатори повністю заповнені сегнетоелектриком – титанатом барію або цирконат-титаном свинцю.

Рис.5. Схема установки для отримання залежності

Електроємність  досліджуваних конденсаторів вимірюється за допомогою мосту постійного струму. Досліджуваний конденсатор поміщається у трубчасту електричну піч, температура всередині якої змінюється шляхом регулювання вихідної напруги V1 трансформатора Т та, відповідно, сили струму у обмотці печі. Виміри температури здійснюються за допомогою термопари, електрорушійна сила (ЕРС) якої вимірюється вольтметром V2.

Для отримання петлі гістерезису на екран осцилографа достатньо подати на вертикальні відхиляючі пластини напругу  , пропорційну поляризованості  , а на горизонтальні відхиляючі пластини – напругу , пропорційну напруженості поля  .

Схема установки для дослідження діелектричного гістерезису наведена на рис.6. Схема живиться від мережі змінного струму із частотою 50 Гц за допомогою трансформатора Т, на вторинній обмотці якого розвивається напруга = 1000…1200 В. Для регулювання напруги в заданих межах служить автотрансформатор ЛАТР із вольтметром на вході трансформатора. Напруга подається на подільник з послідовно з'єднаних резисторів  і  та на послідовно з'єднані конденсатори з електроємностями  та . Між обкладинками конденсатора шуканої електроємності  перебуває досліджуваний діелектрик.

Рис.6. Схема установки для дослідження діелектричного гістерезису

Індукція  електростатичного поля усередині сегнетоелектрика (або, що практично те ж саме, поляризованість ) дорівнює поверхневій густині  зарядів на обкладинках конденсатора: , де заряд одного з електродів конденсатора, заповненого сегнетоелектриком.

Оскільки конденсатори  та  з'єднані послідовно, заряди  на їхніх пластинах однакові. Тому напруга на конденсаторі

.                                      (13)

Іншими словами, напруга на конденсаторі , що подається на вертикально відхиляючі пластини електронно-променевої трубки осцилографа, пропорційна поляризованості  сегнетоэлектрика.

Доведемо тепер, що напруга  на горизонтально відхиляючих пластинах пропорційна напруженості . Нехай ємність конденсатора  значно менше ємності  . Оскільки опір обернено пропорційний ємності: , то практично вся напруга  прикладена до конденсатора . Якщо відношення опорів у подільнику дорівнює цілому числу , тобто , то

    (14)

або .

Таким чином, за один повний цикл змінної напруги електронний промінь на екрані осцилографа описує криву залежності значення заряду конденсатора  від напруги на його обкладинках, а відповідно – залежність поляризованості  (або електричної індукції ) від напруженості електричного поля . На екрані осцилографа виникає петля гістерезису: відхилення променя по вертикалі  пропорційно поляризованості , по горизонталі напруженості електричного поля , тобто

,                                     (15)

де  та – масштабні коефіцієнти, які залежать від чутливості осцилографа, розмірів конденсатора  і параметрів вимірювального кола.

Порядок виконання роботи

1. Зняти залежність.

Увімкнути нагрівальну піч і виміряти ємність сегнетоелектричного конденсатора при підвищенні температури спочатку через кожні 10°С, а у околі точки Кюрі та після переходу через неї (в інтервалі температур від 100 до 150 °С) через кожні 5°С. Діелектричну проникність досліджуваного сегнетоелектрика визначити з формули плаского конденсатора

.                             (16)

Варто враховувати, що термопара має теплову інерцію, і її показчики відстають від реального значення температури. Тому надзвичайно важливо нагрівання проводити досить повільно, а виміри температури здійснювати при усталеному режимі.

Побудувати графік залежності діелектричної проникності сегнетоелектрика від температури. Із графіка визначити точку Кюрі. Побудувати графік залежності  для області температур . З нахилу отриманої прямої знайти сталу Кюрі .

Обробку результатів вимірів і розрахунок похибок провести за методом найменших квадратів.

2. Провести виміри параметрів петлі діелектричного гістерезису.  Для цього попередньо ознайомитися з лабораторним макетом для реєстрації петель гістерезису, на передній панелі якого розташовані всі елементи, зазначені на рис.6. Включити прилади.

Для отримання граничної петлі гістерезису необхідно вибрати таку напругу, при якій чітко спостерігаються області насичення спонтанної поляризації.

Відрегулювати підсилення (чутливість) осцилографа по вертикалі та по горизонталі до такого рівня, щоб одержати необхідні розміри зображення на екрані. При подальших дослідженнях підсилення осцилографа не змінювати.

Відобразити на кальці або міліметровому папері граничну петлю гістерезису сегнетоелектрика. Попередньо встановити положення осей координат, послідовно відключаючи вертикальний і горизонтальний канали осцилографа від схеми.

Відкалібрувати осцилограф і визначити масштабні коефіцієнти. Для знаходження масштабних коефіцієнтів  та  необхідно визначити чутливість осцилографа по горизонтальному  і вертикальному  каналах при фіксованому підсиленні відповідних X, Y підсилювачів. З урахуванням того, що вольтметр вимірює ефективні значення напруг, а відхиленням променя на екрані осцилографа відповідають подвоєним амплітудним значенням напруги, маємо

                        (17)

де  та   показчики осцилографа по відповідних осях у поділках [под] (кількість найменших поділок на екрані осцилографа);  та   показання вольтметра у вольтах [В].

Використовуючи отримані результати для чутливості осцилографа, а також співвідношення (13), (14) і (15), одержимо наступні формули для визначення масштабних коефіцієнтів:

,

де  виражений у [В·м-1·под-1], a у [Кл·м-2·под-1].

Використовуючи знайдені масштабні коефіцієнти та (15), де значення  та  потрібно підставляти у поділках, побудувати графік граничної петлі гістерезису сегнетоелектрика в координатах . По граничній петлі гістерезису визначити значення спонтанної поляризованості , коерцитивної сили  і залишкової поляризованості .

3. Визначити тангенс кута діелектричних втрат по формулі (12) як відношення площ петлі та прямокутника зі сторонами  та .

4. При визначенні параметрів граничної петлі гістерезису похибкою вимірів вважається невиключена систематична похибка, що визначається аналогічними похибками приладів. Розрахунок відносної похибки провести за формулою

,

де , а – клас точності вольтметру.

Аналогічно

,

де .

Контрольні запитання і завдання

1. Які загальні властивості сегнетоелектриків?

2. Як   залежить   діелектрична   проникність сегнетоелектрика від температури?

3. Чому сегнетоелектрик розбивається на домени? Чим визначаються розміри доменів?

4. Причини виникнення та основні параметри петлі гістерезису?

5. Природа спонтанної поляризації сегнетоелектрика?

6. Пояснити схеми та принцип роботи використаних лабораторних установок.

7. Як визначаються діелектричні втрати сегнетоелектрика?

Література

Калашников С. Г. Электричество. М., 1977.

Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М., 1978.

Сивухин Д. В. Общий курс физики. В 5 томах. Т. 3. Электричество. М., І977.

Фейман Р., Лейтон Р., Сэндс М. Фейнмановские лекции по физике. Т. 5. – М., 1977.


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

28668. Суд и судебный процесс в Древнерусском государстве 12.11 KB
  В случае отказа или невозможности это сделать – вина последнего считается доказанной; 2 свод очная ставка; 3 гонение следа поиск доказательств и преступника следование по следам. Предусматривалась определенная система доказательств которая состояла из свидетельских показаний вещественных доказательств ордалий. В некоторых случаях имели доказательственное значение внешние признаки и вещественные доказательства. Имелась и система формальных доказательств ордалии.
28669. Причины феодальной раздробленности Руси. Крупнейшие княжества (Владимиро-Суздальское и Галицко-Волынское) 12.99 KB
  Причины феодальной раздробленности Руси. Предпосылки раздробленности: 1. Одной из причин феодальной раздробленности в Древнерусском государстве явилось изменение порядка наследования.
28670. Общественный строй Новгородской республики. Положение масс и социальных групп населения 14.81 KB
  Новгородское общество делилось на три класса: высший класс – бояре средний – житьи люди своеземцы и купцы низший – черные люди. Житьи люди – это население среднего достатка. Получая со своих земель доходы житьи люди вкладывали их в купеческие предприятия с чего и получали прибыль. Разумеется черные люди составляли большинство населения.
28671. Особенности государственного строя Новгорода и Пскова. Причины возникновения феодальной республики. Вече, боярский совет, князь, посадники, тысяцкие в Новгороде. Управление в Новгороде 12.75 KB
  Вече боярский совет князь посадники тысяцкие в Новгороде. Государственное управление осуществлялось через вече которое формально было высшим органом власти решавшим важнейшие вопросы. В вечевых собраниях участвовали все свободные люди города. К собраниям подготавливалась повестка дня кандидатуры избираемых на вече должностных лиц.
28672. Основные черты феодального права по Псковской судной грамоте. Право собственности и обязательное право. Преступление и наказание 12.38 KB
  Право собственности и обязательное право. Вещное право различало наследственное вотчина и условное кормля землевладение. Обязательное право.
28673. Развертывание революции в деревне. Продовольственная политика. Комитеты бедноты, их роль и значение 13.9 KB
  Продовольственная политика. В деревне политика Советской власти прежде всего была направлена на осуществление аграрных преобразований Октябрьской революции Декрета о земле; были проведены конфискация и распределение помещичьих земель. Проводимая продовольственная политика столкнулась с сопротивлением крестьянства. Политика конфискации продовольственных излишков оказалась неудачной.
28674. Разработка и принятие первой Конституции РСФСР 1918 г., ее классовый характер. Избирательное право 12.53 KB
  Она закрепила политическую основу государства Советы рабочих солдатских и крестьянских депутатов. Выборы в Советы были многоступенчатыми и основанными на принципах представительства и делегирования граждане прямо избирали депутатов в сельские и городские Советы и делегатов на выборы всех последующих уровней. Правом избирать и быть избранными в Советы пользовались трудящиеся достигшие 18 лет независимо от пола национальности вероисповедания и т.
28675. Основные положения Конституции РСФСР 1918 г. Политическая система. Система органов власти и управления 12.33 KB
  Основные положения Конституции РСФСР 1918 г. Конституция РСФСР состояла из шести разделов: 1. Общие положения Конституции РСФСР. О гербе и флаге РСФСР.
28676. Политика «военного коммунизма», ее сущность, содержание. Продразверстка. Всеобщая трудовая повинность 13.36 KB
  й чрезвычайных мер управления эккой харных для периода Гражданской войны. Поскольку жесткая система контроля и распредя основывалась на уравнительном распреди для трудящихся она получила название коммунизма а поскольку система возникла как чрезвычайная мера в период войны название военного коммунизма. С окончанием Гражданской войны он был отменен.