69003

P-n перехід у стані рівноваги. Утворення електронно-діркового переходу

Лекция

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

Розглянемо напівпровідник н п який має дві прилеглих області: одна з провідністю nтипу друга – pтипу. Оскільки концентрація дірок у дірковій області pp напівпровідника вище ніж в електронній pn а концентрація електронів у електронній області nn вище ніж у дірковій np між областями буде існувати...

Украинкский

2014-09-28

342.5 KB

4 чел.

3. P-n перехід у стані рівноваги

3.1. Утворення електронно-діркового переходу.

Розглянемо напівпровідник (н/п), який має дві прилеглих області: одна з провідністю n-типу, друга – p-типу. Між цими областями знаходиться перехідний шар (зона), який називають електронно-дірковий перехід або          p-n перехід.

Процеси, які відбуваються в цьому переході, лежать в основі роботи більшості н/п приладів. Розглянемо їх.

Оскільки концентрація дірок у дірковій області (pp) напівпровідника вище, ніж в електронній (pn), а концентрація електронів у електронній області (nn) вище, ніж у дірковій (np), між областями буде існувати градієнт (перепад) концентрацій носіїв. Він призводить до появи дифузійного струму дірок з        p-області в n-область (Ip диф) і дифузійного струму електронів з n-області в        p-область (In диф) (рис. 3.1, а).

З появою дифузійного струму концентрація носіїв зменшується, однак зрівняння концентрацій електронів і дірок не відбувається. Це пов’язано з тим, що наявність дифузійного струму призводить до порушення електричної нейтральності н/п: в p-області внаслідок переходу дірок виникає нескомпенсований негативний заряд нерухомих іонів акцепторів, в n-області внаслідок переходу електронів виникає нескомпенсований позитивний заряд іонів донорів. Тому між областями p- та n- виникають два шари, протилежних за знаком нерухомих зарядів, які й утворюють p-n перехід.   

Межа (лінія) розділу цих шарів називається металургійною межею.

Між шарами нерухомих зарядів p-n-переходу виникає внутрішнє поле E, спрямоване від n-області до р-області. Воно заважає дифузії основних носіїв заряду (електрони, які рухаються з електронної області в діркову, намагаються повернутись в електронну область, а дірки – в діркову).

У той же час це поле сприяє переміщенню неосновних носіїв заряду, тому що для них напрямок поля буде прискорюючим. Рух неосновних носіїв під дією внутрішнього поля Е призводить до появи дрейфового струму (рис. 3.1, б)

спрямованого протилежно дифузійному струму.

Коли струм дифузії (струм основних носіїв) та струм дрейфу (струм неосновних носіїв) будуть однаковими, виникає стан рівноваги.

Висновок: При відсутності зовнішнього поля електричне поле нерухомих носіїв заряду (іонів донорів і акцепторів) зрівноважує вплив градієнта концентрацій рухомих носіїв. Тому дифузійний струм переходу, який визначається градієнтом концентрації рухомих носіїв заряду, зрівноважується дрейфовим струмом, що визначається внутрішнім електричним полем нерухомих носіїв заряду домішок p-n переходу. Загальний струм через перехід дорівнюватиме нулю.

Це пояснює, чому не відбувається процес зрівняння концентрацій електронів та дірок у н/п з p і n  областями.

  1.  Властивості p-n переходу в стані рівноваги

Властивості p-n переходу визначаються розподілом концентрації носіїв, електричним полем переходу Е, контактною різницею потенціалів , шириною переходу  (рис. 3.2).

Рис. 3.2. Симетричний p-n перехід:

а – структура; б – розподіл концентрацій; в – розподіл електричного поля;

г – розподіл потенціалу  

  1.   Розподіл концентрації носіїв

Як було зазначено вище, в області p існують іони акцепторів Na, дірки pp і електрони np.

*,               ,                 .

Концентрація дірок в області p дорівнюватиме pp, в p-n переході вона буде зменшуватись за експоненціальним законом (рис. 3.2, а), після переходу (в області n) вона дорівнюватиме pn.

Аналогічно в області n    

* ,              ,                 .

На металургійній межі p=n (точка 1), тобто буде виконуватись співвідношення, і тому в точці 1 н/п буде власним.

  1.   Електричне поле в p-n переході

Визначається наявністю нерухомих зарядів у переході.

Воно   розподілено   за   законом,  зображеним,   на   рис. 3.2, в:   зростає   з наближенням до металургійної межі, а потім спадає.

Максимальне значення напруженості електричного поля визначається за формулою

,

де - товщина шару p-n переходу в p-області,

    - товщина  шару p-n переходу в n-області.

  1.   Контактна різниця потенціалів

Як відомо, напруженість електричного поля між двома довільними точками p-n переходу (E) визначається градієнтом потенціалу між цими точками зі зворотнім знаком

,

де  - різниця потенціалів, а  - відстань між двома точками p-n переходу (рис. 3.2, г).

Різниця потенціалів між кінцевими точками p-n переходу називається контактною різницею потенціалів к

,

.

Контактна різниця потенціалів збільшується з концентрацією домішок, та зменшується зі збільшенням температури, тому що при цьому збільшується власна концентрація носіїв.

Значення контактної різниці потенціалів для германієвих переходів -         к = 0,36 В при Nа =1018 см -3, Nд =1014 см -3, T = 300оК; для силіцієвих переходів - к = 0,6 В.

Більше значення к для силіцію пов’язано з тим, що він має меншу, ніж у германію, власну концентрацію ni, яка визнається більш широкою забороненою зоною.

  1.   Розподіл зарядів та ширина p-n переходу

Як було зазначено раніше, p-n перехід складається з двох зон. Одна розташовується в p-області ліворуч від межі. У цій зоні існують нескомпенсовані негативні іони акцепторної домішки з концентрацією N, та невелика кількість неосновних носіїв-електронів. Товщину цієї зони позначимо , її заряд – Qa

.

Подібно в n-області виникає зона, яка має позитивні іони донорної домішки з концентрацією Nа та невелику кількість неосновних носіїв – дірок. Товщина цієї зони , а його заряд – Qд

.

Загальна товщина p-n переходу дорівнюватиме

                          мкм.                           (3.1)

 Таким чином, товщина переходу зростатиме з ростом контактної різниці потенціалів (к) та зменшенні концентрації акцепторів та донорів (Nа, Nд).

З формули (3.1) маємо, що для н/п з однаковими концентраціями донорів і акцепторів (Nа=Nд=N) товщина переходу дорівнюватиме (рис. 3.2, г)

,

Здебільшого н/п виготовляють з несиметричних структур, тобто концентрація домішок в n-області і p-області різна, наприклад, Nа >>Nд        (рис. 3.3). Тоді

.

Рис. 3.3.  Несиметричний p-n перехід

У цьому випадку перехід стає зміщеним в область н/п з більш низькою концентрацією домішок (в область n). Це повязано з тим, що в такому переході буде спостерігатися, головним чином, дифузія дірок з p-області в n-область, а дифузія електронів з p-області в n-область буде слабкою. Внаслідок цього межа переходу, на якій n=p=ni, зміщується від контакту в область з низькою концентрацією: майже весь перехід зосереджується в цій області.

На енергетичній діаграмі енергетичні зони p- та n-областей зрушені одна відносно одної (рис. 3.4).

Рис. 3.4. Енергетичні діаграми:

 а – для окремих областей p та n; б – для p-n переходу

Із діаграми бачимо, що в p-n переході енергетичні рівні розміщені з нахилом, що відповідає появі градієнту потенціалу, а значить, і електричного поля, яке виштовхує рухомі носії заряду із переходу. Тому концентрація електронів і дірок в переході є малою.

Концентрація електронів у ЗП n-області вище, ніж в p-області. Оскільки мінімальна їх енергія тут нижче (на eк), ніж у ЗП  p-області. Аналогічно, концентрація дірок у ВЗ  p-області вища, ніж у ВЗ  n-області.

4


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

15902. ГАРМОНИЯ ТЕОРЕТИЧЕСКИЙ КУРС 15.27 MB
  Настоящая книга, являясь теоретическим курсом, одновременно представляет собой научное исследование фундаментальных проблем гармонии. Автор рассматривает многие коренные вопросы гармонии в виде целостной структуры, в контексте музыкальной формы. Главная задача данного исследования - дать на современном научном уровне по возможности исчерпывающее изложение основополагающих теоретических проблем гармонии, вводящее музыку XX века в общий музыкально-гармонический контекст так же естественно, как и само искусство прошлого перешло к нашему времени.
15903. Теоретические основы современной гармонии 15.56 MB
  Сегодняшний курс гармонии в средних и высших музыкальных учебных заведениях нуждается в постоянном расширении своей тематики, ее активном приближении к новым художественным явлениям музыкального искусства XX столетия. Необходимость в этом продиктована все более нарастающим интересом будущих музыкантов к произведениям нашего времени, к тайнам творческих лабораторий композиторов разных школ и направлений.
15904. Физическое воспитание начинающего боксёра 639.5 KB
  В.А.Чудинов Физическое воспитание начинающего боксёра Предисловие Физическое воспитание способствует укреплению здоровья и гармоническому развитию организма. В его задачу входит развитие быстроты силы ловкости гибкости выносливости воспитание волев
15905. Расчет цифровых тропосферных радиорелейных линий 5.87 MB
  Курсовой проект по теме Расчет цифровых тропосферных радиорелейных линий Введение Эффект дальнего тропосферного распространения радиоволн дециметрового и сантиметрового диапазонов волн был открыт в начале 50х годов. Его практическое применение дало возможность
15906. Практика в школе №12 г. Самара 286 KB
  Дневник педагогической практики Название и № школы: МОУ Школа №12 го Самара Адрес и телефон: г. Самара ул.Красноармейская д. № 93 а тел: 332 – 45 46 . ФИО директора: Горячева Е.В. ФИО зам директора по учебной работе: Хабецкая Н.И ФИО зам директора...
15907. Педагогическая психология 160.61 KB
  История становления педагогической психологии Педагогическая психология развивающаяся наука Педагогическая мысль впервые изложенная в труде Яна Амоса Коменского Великая дидактика в 1657 г. положила начало развитию педагогической теории и целенаправленно...
15908. ЗАПАДНОЕВРОПЕЙСКАЯ КУЛЬТУРА ВОЗРОЖДЕНИЯ 151 KB
  ТЕМА 10. ЗАПАДНОЕВРОПЕЙСКАЯ КУЛЬТУРА ВОЗРОЖДЕНИЯ План: Культура Возрождения: особенности. Новое мировоззрение. Итальянское Возрождение. Периодизация. Северное Возрождение. 4.1. Возрождение в Нидерландах. 4.2. Французский Ренессанс....
15909. Адвокатура и власть 828.5 KB
  И.С. Яртых АДВОКАТУРА и ВЛАСТЬ Под редакцией Заслуженного деятеля науки РСФСР доктора юридических наук профессора Бойкова А.Д. Москва Издательство Юрлитинформ 2003 УДК 347.965 ББК 67.75 Я77 ЯртыхИ.С. Я77 Адвокатура и власть. М.: Издательство Юрл...
15910. Державне будівництво та місцеве самоврядування в Україні 3.28 MB
  МВС України Національний університет внутрішніх справ О.Н. Ярмиш В.О. Серьогін ДЕРЖАВНЕ БУДІВНИЦТВО ТА МІСЦЕВЕ САМОВРЯДУВАННЯ В УКРАЇНІ Допущено МВС України в якості навчального посібника для вищих навчальних закладів ...