69006

БУДОВА, ПРИНЦИП РОБОТИ ТА СТАТИЧНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛЬОВОГО ТРАНЗИСТОРА З ІНДУКОВАНИМ КАНАЛОМ

Лекция

Коммуникация, связь, радиоэлектроника и цифровые приборы

При відсутності напруги UЗВ і за наявності напруги UСВ опір між стоком і витоком що визначається двома підключеними назустріч рn переходами великий а струм ІС дуже малий 109. З подачею напруги UЗВ 0 в напівпровіднику виникає електричне поле яке вилучає електрони поверхневого шару підложки...

Украинкский

2014-09-28

141.5 KB

3 чел.

12.2. БУДОВА , ПРИНЦИП РОБОТИ ТА СТАТИЧНІ                           ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛЬОВОГО ТРАНЗИСТОРА                            З ІНДУКОВАНИМ      КАНАЛОМ  

      Це транзистори , у яких затвор відділений  від каналу шаром діалектрика – найчастіше двуокисом силіцію SiO2 .Основу транзистора з ізольованим затвором складають: силіцієва пластина (підложка), наприклад, n-типу(рис.12.6).

      По краях пластини створюються дві сильноліговані p+-області витоку (В) і стоку (С). На їх поверхні напиляють плівки алюмінію і припаюють виводи . Поверхню напівпровідника , між стоком та витоком , покривають шаром SiO2. На цей шар напилюють плівку алюмінію, до якої припаюють вивід. Цей вивід є затвором (З).

     В області затвору, таким чином, знаходиться тришарова структура: метал-діалектрик-напівпровідник, звідси і назва МДН-транзистори.

       МДН-транзистори можуть бути з індукованим n- або р- каналом збагаченого типу (рис.12.5, а) та з вбудованим р- або n-  каналом збідненого типу(рис.12.5,б)

                      р-канал                                     n-канал

                       р-канал                                         n-канал

                                  Рис.12.5. Типи МДН – транзисторів:

                                   а - збагаченого типу ; б – збідненого типу

      Найбільшого поширення отримали  МДН-транзистори з індукованим каналом  р-типу та з вбудованим каналом n-типу.

      В зв’язку з тим , що затвор ізольований від підложки діалектричним слоєм, струм  в ланцюзі затвора  дуже малий , також мала потужність споживана від джерела сигналу в ланцюзі затвора.

      До переваг МДН-транзисторів відносяться:

-мала чутливість до дефектів кристалічної структури;

-висока економічність;

-високий вхідний опір (зважаючи на малий струм в ланцюзі затвора);

-високе значення граничних частот -до 10 ГГц (завдяки малій вхідній ємності).

      До недоліків   МДН-транзисторів відносяться висока чутливість до радіаційного опромінення та статичної напруги.

12.2.1. БУДОВА , ПРИНЦИП РОБОТИ

      При відсутності напруги  UЗВ і за наявності напруги UСВ опір між стоком і витоком, що визначається двома підключеними назустріч р-n переходами, великий , а струм ІС дуже малий (10-9...10-10А). Канал відсутній (рис.12.6, а).

      З подачею напруги UЗВ<0 в напівпровіднику виникає електричне поле, яке вилучає електрони поверхневого шару підложки в області затвора в глубину підложки і притягує дірки  з p+-областей стоку і витоку до поверхні затвору. Концентрація дірок в підзатворній області зростає , але до певного значення концентрації вони зв’язані і не можуть забезпечити електропровідність каналу. Лише при збільшенні напруги UЗВ до значення , яке називається пороговим   UЗВ ПОР , в поверхневому шарі затвора концентрація електронів знижується настільки , що він починає збагачуватись дірками , і тому виникає провідність поверхневого шару тобто з’являється (індукується) канал, а з ним і струм ІС . Зі збільшенням напруги UЗВ < 0 зростає концентрація дірок в каналі і його провідність.

 Рис.12.6.  Структури ПТ з індукованим каналом:

                                                        а-   при UЗВ=0  ;    б-  при UЗВ<0

      Висновок: Для утворення каналу в транзисторі з індукованим каналом до затвора необхідно прикласти зворотню (відносно витоку) напругу, більшу за порогову.

    12.2.2. ПЕРЕДАТОЧНА ХАРАКТЕРИСТИКА

      В відповідності до розглянутого вище можна зобразити передаточну характеристику транзистора з індукованим р-каналом зі спільним витоком

          

                                   ІС=f( UЗВ)   при  UСВ = const

Передаточна характеристика починається з напруги на затворі , яка називається пороговою UЗВ ПОР та зростає за квадратичним законом (рис.12.7).

                                         ІС=а( UЗВ- UЗВ ПОР)2 ,

 

                   

  де                                     а= ,

         μns-поверхнева рухливість електронів;

         Wширина каналу;

         ∆- товщина підзатворного діалектрика;

          l –довжина каналу.

       Для збільшення ІС відношення довжини каналу до його ширини  пови

нно бути малим.

 Рис.12.7.  Передаточна ВАХ  ПТ

     

      Напруга UСВ мало впливає  на струм ІС . Порогова напруга в сучасних транзисторів має значення від 2,7 до 10В.

 

                            12.2.3. ВИХІДНА ХАРАКТЕРИСТИКА

      Вихідна характеристика представляє собою залежність

                       ІС=f( UСВ)   при  UЗВ = const

      Розглянемо її хід при UЗВ > UЗВ ПОР (рис.2).

      При UЗВ > UЗВ ПОР виникає канал, але якщо UСВ=0 , то струм ІС=0 і товщина індукованого каналу буде однаковою (рис.12.8 , а).

      При UСВ<0 в каналі з'являється струм стоку ІС (рис.12.8, б). Спочатку зі зростанням UСВ він буде зростати за лінійним законом, потім ввійде в насичення. Поява струму ІС призводить до спаду напруги на опорі каналу (вздовж нього). На значення цього спаду напруги зменшиться різниця потенціалів між затвором і каналом.

      Таким чином , сумарне поле буде різним по довжині каналу – при наближенні до стоку воно зменшується. Це призводить до звуження каналу і зменшення росту ІС зі зростанням UСВ.

 Рис.12.8  Структури підзатворної області ПТ з вбудованим каналом при зміні напруги UСВ:

                         а- UСВ=0 ;  б- UСВ<0 ;   в- UСВ= UСВ НАС ;   г- UСВ> UСВ НАС

      З подальшим збільшенням напруги UСВ до UСВ НАС канал поблизу стоку стає вузьким (рис.12.8 , в), що різко збільшує його опір. Струм ІС досягає значення    ІС НАС , яке майже не збільшується при подальшому зростанні напруги UСВ (рис.12.8 , г).

      На рис.12.9 зображено сімейство вихідних статичних характеристик. Характеристика при більшому UЗВ проходить вище інших, оскільки в цьому випадку канал  більше насичується дірками , ІС буде більшим і перехід в режим насичення відбудеться при більших напругах на стоці

                                      UСВ НАС= UЗВ- UЗВ НАС 

 

 Рис.12.9  Вихідні ВАХ ПТ

      Вихідні характеристики мають круту і пологу області та область пробою.

Круту область можна апроксимувати формулою

                                   ІС=b[(UЗВ-UЗВ ПОР)UСВ-] ,

де      b =                                                                                                                                                                 

         μрs-ефективна рухливість дірок в каналі;

         Wширина каналу;

         СЗК- питома ємність З-К;

          l –довжина каналу.

Для збільшення ІС  необхідно збільшувати b за рахунок відношення  (необхідний короткий і широкий канал), а також зменшити UЗВ ПОР (заміна металевого затвора кремнієвим зменшує UЗВ ПОР до 1,5 В).

      Полога частина характеристики описується формулою

                                            ІС=  (UЗВ-UЗВ ПОР)2 ,

тобто при насиченні струм ІС не залежить від напруги UСВ .

      В крутій області транзистор працює як єлектрично керований резистор , а в пологій – як підсилювач.

      При перевищенні електричних режимів в транзисторі виникає пробій р-n перехода під стоком або пробій діалектрика під затвором.

      Пробій р-n перехода під стоком виникає при великих напругах UСВ . На напругу UСВ ПРОБ впливає UЗВ : при збільшенні напруги UЗВ зростає UСВ ПРОБ .

      Пробій діалектрика під затвором може відбутись при напрузі на затворі в декілька десятків вольт. Цей вид пробою може виникнути внаслідок накопичення статичних зарядів , оскільки на вході опір МДН-транзисторів великий. Для виключення можливості такого пробою вхід МДН-транзистора часто захищають стабілітроном, котрий обмежує напругу UЗВ .

      Затвор МДН-транзистора і підложка, розділені шаром діалектрика, утворюють конденсатор. Великий опір витоку (близько 1012 Ом ) цього конденсатора створює сприятливі умови для нагромадження на ньому статичних зарядів з потенціалом, здатним спричинити необоротній пробій діалектричного шару. При цьому затвор транзистора не можна залишати вільним, не приєднаним  до спільної шини або шини живлення. Крім того , вхід транзистора захищають діодно-резистивним ланцюгом. В залежності від значення і полярності  напруги на вході діоди або проводять струм в прямому напрямі, або опиняються в режимі лавинного пробою, котрий настає при зворотній напрузі близько 30-35 В . Лавинний пробій діодів має оборотній характер.

         

           12.2.4.  ВПЛИВ ТЕМПЕРАТУРИ НА СТАТИЧНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ

                МДН-ТРАНЗИСТОРА З ІНДУКОВАНИМ КАНАЛОМ

      З ростом температури рухливість носіїв заряду в каналі падає, що приводить до збільшення опору каналу, тобто до збільшення струму ІС . З іншого боку, при збільшенні температури збільшується концентрація неосновних носіїв в підзатворній області. Це призводить до зменшення порогової напруги на затворі. Цей фактор переважає в початковій області передаточних характеристик, де    значення UЗВ-UЗВ ПОР невелике. Тут зі зростанням температури збільшується і струм стоку (рис.12.10) при заданій напрузі UЗВ .

      В області , де значення UЗВ-UЗВ ПОР велике з ростом температури переважає вплив зменшення рухливості носіїв заряду, тому зростання струму стоку зменшується.

      Існує така напруга на затворі , при якій обидва фактори взаємокомпенсуються і температурний коефіцієнт буде дорівнювати 0. Точка Т на статичних характеристиках називається точкою температурної стабілізації. В ній при температурах Т1 і Т2 струм ІС не залежить від температури. Ця властивість польового транзистора може використовуватися для температурної стабілізації режиму.

                                  UЗВ Т = UЗВ ПОР +(0,8...2,4)В

 Рис.12.10  Термостабільна точка на передаточній ВАХ ПТ

      На жаль, практично термостабільні властивості ПТ не завжди можливо використати, оскільки термостабільна точка Т  знаходиться на нелінійній ділянці передаточної характеристики.

12.3. БУДОВА , ПРИНЦИП РОБОТИ ТА СТАТИЧНІ                             ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛЬОВОГО ТРАНЗИСТОРА З                   ВБУДОВАНИМ КАНАЛОМ

      Канал у транзисторі може бути вбудованим при виготовленні , шляхом створення між витоком і стоком тонкого шару напівпровідника з провідністю протилежною до провідності підложки . Такі транзистори називаються транзисторами з вбудованим каналом .       Розглянемо принцип роботи ПТ з n-каналом .У такого транзистора, за присутності напруги UСВ , струм ІС  0  навіть за відсутності напруги UЗВ=0.

      При  напрузі UЗВ<0 і під дією електричного поля концетрація електронів  в каналі знижується (канал збіднюється) ,    його провідність і струм ІС зменшуються.

 Рис.12.11  Структура транзистора з вбудованим n-каналом

      При  напрузі UЗВ>0 електричне поле переміщує електрони з об′єму напівпровідника в канал, збільшуючи його провідність. При цьому збільшується струм ІС (канал збагачується) .

      Таким чином , управління струмом ІС транзистора з вбудованим каналом можливе як позитивною так і негативною напругою затвора.

      При деякій напрузі UЗВ ВІД < 0 шар з протилежним  по відношенню до підложки типом провідності зникає, виникає відсічка каналу, при якій струм ІС зменшується до  0.

      Передаточна характеристика такого транзистора зображена на рис.12.12

                       Рис.12.12  Передаточні характеристики ПТ з вбудованим n-каналом

Для транзистора n-типу напруга UЗВ ВІД < 0, а для p-типу UЗВ ВІД > 0.

Вихідні характеристики ПТ зображені на рис.12.13

                                Рис.12.13.  Вихідні характеристики ПТ з вбудованим n-каналом

      З вихідних ВАХ виходить, що для n-каналу при відсутності напруги UЗВ буде існувати струм стоку ІС при позитивній напрузі UСВ він буде більшим, а при негативній напрузі UЗВ – меншим  .


 

А также другие работы, которые могут Вас заинтересовать

65252. АВТОМАТИЗОВАНЕ УПРАВЛІННЯ ТЕХНОЛОГІЧНИМ КОМПЛЕКСОМ ВИРОБНИЦТВА ПИВА 1.08 MB
  Все це приводить до зниження ефективності управління пивоварним виробництвом в порівнянні з витратами на ресурси що використовуються. Дослідження об’єктів управління пивоварного виробництва з позиції синергетики теорії хаосу теорії...
65253. АДМІНІСТРАТИВНО-ПРАВОВЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ ДІЯЛЬНОСТІ ТЕРИТОРІАЛЬНИХ ОРГАНІВ ВНУТРІШНІХ СПРАВ УКРАЇНИ 196.5 KB
  Процес розбудови правової держави, визначений ст. 1 Конституції України, потребує ефективного захисту прав і свобод людини та громадянина, що передбачає підвищення ефективності правоохоронної діяльності, провідну роль у якій відіграють органи внутрішніх справ.
65254. Методи та засоби проектування технічних і програмних компонентів безпечних ПЛІС-контролерів з паралельною архітектурою 826 KB
  Запобігання техногенних катастроф є однією із глобальних проблем сучасності. Рішення даної проблеми в значній мірі залежить від досягнутого рівня функціональної безпеки технічних і програмних компонентів...
65255. УДОСКОНАЛЮВАННЯ РОБОЧИХ ХАРАКТЕРИСТИК СТРУМИННИХ ВИКОНАВЧИХ ПРИСТРОЇВ 3.68 MB
  Як підсилювачі-перетворювачі у сучасних системах найбільш простими і надійними зарекомендували себе електропневматичні клапани ЕПК на основі електромагніту соленоїдного типу з циліндровим сердечником.
65256. ДЕРЖАВНЕ РЕГУЛЮВАННЯ СУСПІЛЬНИХ ВІДНОСИН В ГАЛУЗІ ОХОРОНИ ЗДОРОВ’Я УКРАЇНИ: ІСТОРИЧНІ ТА ПРАВОВІ АСПЕКТИ 190 KB
  Державне регулювання медичної діяльності в Україні є невід’ємною частиною державної політики та державного управління в галузі охорони здоров’я. Однак законодавство охорони здоров’я як важливий інструмент державного управління галуззю в нашій державі ще не виділено в окремий інститут права.
65257. Гуманітаризація вищої культурологічної освіти в Україні ХХ – ХХІ століття 157 KB
  Серед проблем без розв’язання яких неможливий процес розбудови суверенної української держави важливе місце посідає створення сучасної системи культурологічної освіти яка б враховувала багатовіковий досвід...
65258. Раціональне формування багатошарового штабелю для стабілізації його хімічного складу та підвищення використання залізорудної сировини 6.24 MB
  Ефективність технологічного процесу агломерації шихтових матеріалів та доменного переділу металургійних підприємств визначається їх базою сировини і якістю підготовки залізорудних матеріалів на рудних дворах.
65259. Особливості токсичного впливу протипухлинних засобів на прикладі циклофосфану, тамоксифену, 5-фторурацилу, естразину та їх гігієнічне регламентування у повітрі робочої зони 282.5 KB
  Мета дослідження – з’ясування характеру та можливого механізму розвитку метаболічних порушень під впливом антинеопластичних засобів різних груп та визначення пріоритетних критеріїв для їх гігієнічного регламентування у повітрі робочої зони.
65260. ОЧИЩЕННЯ ВОДНИХ СЕРЕДОВИЩ МАГНІТНИМ АКСІАЛЬНО-СИМЕТРИЧНИМ ПОЛЕМ 1.17 MB
  В практиці водоочищення відсутні дослідження впливу постійного аксіальносиметричного поперечного магнітного поля на заряджені домішки. Тому актуальними є встановлення закономірностей руху домішок водного розчину з урахуванням їх йонізації...